【CN110208724A】一种芯片【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910349844.X(22)申请日 2019.04.28(71)申请人 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司地址 101111 北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2192号(72)发明人 李鑫海 张薇 朱恒宇 刘刚 (74)专利代理机构 北京正理专利代理有限公司 11257代理人 李远思(51)Int.Cl.G01R 33/07(2006.01)
(54)发明名称一种芯片(57)摘要本发明公开一种芯片。该芯片的一具体实施方式包括集成于该芯片的霍尔探测器和模数转换器；所述霍尔探测器，用于探测磁场角度并输出模拟角度信号；所述模数转换器，用于将所述模拟角度信号转换为数字角度信号并输出。该实施方式集成度高、工作效率高且可靠性高，适用
于在不同环境中工作的各种电子设备。
权利要求书2页 说明书6页 附图3页CN 110208724 A2019.09.06
CN 110208724
A1.一种芯片，其特征在于，包括集成于该芯片的霍尔探测器和模数转换器；所述霍尔探测器，用于探测磁场角度并输出模拟角度信号；所述模数转换器，用于将所述模拟角度信号转换为数字角度信号并输出。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述霍尔探测器为三维霍尔探测器。3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述三维霍尔探测器中的霍尔元件为CMOS垂直型霍尔元件。4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述模数转换器采用CMOS集成电路实现，包括：比率乘法器、信号处理电路、压控振荡器和数字处理电路；所述比率乘法器，用于对正弦及余弦形式的模拟角度信号与数字角度信号进行对比运算，输出交流误差信号；所述信号处理电路，用于将所述交流误差信号与参考信号进行相位调制，并对调制后的信号进行积分运算，输出直流电压积分信号；所述压控振荡器，用于根据所述直流电压积分信号输出时钟脉冲信号；所述数字处理电路，用于根据所述时钟脉冲信号进行计数，将所述计数结果作为数字角度信号反馈至所述比率乘法器并对所述计数结果进行锁存，在停止计数时将所述计数结果作为由所述模拟角度信号转换得到的数字角度信号进行输出。5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述比率乘法器包括：正弦输入端、余弦输入端、第一放大器、第二放大器、对比运算器及第三放大器；所述第一放大器，用于对由所述正弦输入端输入的正弦形式的模拟角度信号进行放大；所述第二放大器，用于对由所述余弦输入端输入的余弦形式的模拟角度信号进行放大；所述对比运算器，用于将放大后的正弦形式的模拟角度信号、放大后的余弦形式的模拟角度信号与数字角度信号进行对比运算，通过第三放大器进行放大后输出交流误差信号。6.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述信号处理电路包括：相位调制解调器和积分器；所述相位调制解调器，用于将所述交流误差信号与参考信号进行相位调制；所述积分器，用于对调制后的信号进行积分运算，输出直流电压积分信号。7.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述压控振荡器包括电流积分器、正比较器、负比较器和数字逻辑器件；所述电流积分器，用于对所述直流电压积分信号进行积分以输出正向或负向的积分电压；所述正比较器，用于在正向的积分电压超过其预设门限时分别向电流积分器和数字逻辑器件输出脉冲信号；所述负比较器，用于在负向的积分电压超过其预设门限时分别向电流积分器和数字逻辑器件输出脉冲信号；所述电流积分器，用于根据脉冲信号重启积分；所述数字逻辑器件，
用于根据脉冲信号输出时钟脉冲信号。权 利 要 求 书1/2页
2CN 110208724 A
【CN110045151A】一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片及其制备方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910304166.5(22)申请日 2019.04.16(71)申请人 西安交通大学地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号(72)发明人 赵玉龙 张凯 王永录 李村 徐瀚洋 杨鑫婉 (74)专利代理机构 西安智大知识产权代理事务所 61215代理人 贺建斌(51)Int.Cl.G01P 15/12(2006.01)
(54)发明名称一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片及其制备方法(57)摘要一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片及其制备方法，芯片包括硅基底，硅基底下方设有玻璃衬底，硅基底上面中心设有十字变形梁，十字变形梁和硅基底之间设有梁释放孔，十字变形梁的四条固支端宽度小于其中间部分宽度，十字变形梁的两条相对固支端上分别设置有两条压敏电阻，四条压敏电阻的两端布置有重掺杂的欧姆接触区，欧姆接触区通过金属引线和金属焊盘连接，四条压敏电阻连接构成惠斯通电桥输出信号；制备方法通过干法刻蚀工艺制备不同宽度的十字变形梁，同时背腔采用湿法腐蚀工艺可以制备不同厚度的十字变形梁；本发明将压阻式敏感方式和十字梁变形结构相结合，极大提高了传感器的量程、频响、灵敏度以及过载能力，其量程
可达15万g。
权利要求书2页 说明书5页 附图3页CN 110045151 A2019.07.23
CN 110045151
A1.一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片，包括硅基底(1)，其特征在于：硅基底(1)下方设有玻璃衬底(2)，硅基底(1)上面中心设有十字变形梁(4)，十字变形梁(4)和硅基底(1)之间设有梁释放孔(3)，十字变形梁(4)的四条固支端宽度小于其中间部分宽度，十字变形梁(4)的两条相对固支端上分别设置有两条压敏电阻(5)，四条压敏电阻(5)的两端布置有重掺杂的欧姆接触区(6)，欧姆接触区(6)通过金属引线(7)和金属焊盘(8)连接；所述的十字变形梁(4)的一条固支端设有第一压敏电阻(5-1)和第二压敏电阻(5-2)，另一条固支端设有第三压敏电阻(5-3)、第四压敏电阻(5-4)，第一压敏电阻(5-1)和第四压敏电阻(5-4)布置方向沿着[011]晶向，第二压敏电阻(5-2)和第三压敏电阻(5-3)布置方向沿着晶向，第一压敏电阻(5-1)、第二压敏电阻(5-2)、第三压敏电阻(5-3)和第四压敏电阻(5-4)连接构成惠斯通电桥，从而输出信号。2.根据权利要求1所述的一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片，其特征在于：通过改变十字变形梁(4)的宽度和厚度能够协调改善加速度计芯片的固有频率、刚度和灵敏度。3.根据权利要求1所述的一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片，其特征在于：所述的硅基底(1)采用双抛氧化硅片。4.根据权利要求1所述的一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片，其特征在于：所述的玻璃衬底(2)采用Pyrex7740玻璃。5.根据权利要求1所述的一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片，其特征在于：所述的十字变形梁(4)的固支端宽度为400μm，中间部分宽度为600μm，长度为1000μm，厚度为100μm。6.一种十字变形梁结构的高g值加速度计芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)使用氧等离子体去胶机清洗硅片表面，硅片表面为n型(100)晶面；2)利用p-压阻条板光刻显影压敏电阻图形，湿法腐蚀二氧化硅，获得压敏电阻区域裸露的单晶硅，进行硼离子轻掺杂的离子注入；3)利用p+重掺杂板光刻显影重掺杂区域图形，湿法腐蚀二氧化硅，获得重掺杂区域裸露的单晶硅，进行硼离子重掺杂的离子注入，然后退火实现注入硼离子的电激活；4)采用PECVD技术在硅片的正面沉积一层二氧化硅，在硅片的背面先沉积一层二氧化硅，再沉积一层氮化硅；5)利用背腔腐蚀板光刻显影硅片背面，获得背腔腐蚀的图案，ICP干法刻蚀背腔的氮化硅和二氧化硅，然后保护正面对背腔进行湿法腐蚀；6)采用ICP干法刻蚀背面的氮化硅，然后湿法腐蚀背面的二氧化硅，用氢氟酸清洗硅片背面，然后采用阳极键合工艺使硅片背面和玻璃衬底键合在一起；7)利用引线孔板光刻显影正面的引线孔图形，然后湿法腐蚀引线孔上层二氧化硅；8)利用金属引线板光刻显影正面的引线图案，采用磁控溅射技术在硅片正面溅射金属，剥离得到金属引线和金属焊盘，金属化处理降低欧姆接触区和金属引线的接触电阻；9)采用磁控溅射技术在硅片正面溅射一层铝层，利用刻蚀穿通板光刻显影得到刻蚀穿通图形，湿法腐蚀刻蚀穿通区域上层的铝层，然后ICP干法刻蚀硅片正面，
【CN210012032U】一种微流控液滴生成芯片的放置盒【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920662549.5(22)申请日 2019.05.10(73)专利权人 辽宁工业大学地址 121012 辽宁省锦州市古塔区士英街169号(72)发明人 陈雪叶 熊思越 张真 胡增亮 解杭达 (74)专利代理机构 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139代理人 胡艳(51)Int.Cl.B65D 25/02(2006.01)B65D 25/38(2006.01)B65D 83/08(2006.01) (54)实用新型名称一种微流控液滴生成芯片的放置盒(57)摘要本实用新型涉及微流控技术领域，尤其涉及一种微流控液滴生成芯片的放置盒，解决现有技术中存在的无法快捷地对芯片进行放、取功能的缺点，包括盒体、遮盖板和推板，所述盒体的内部一侧设置有挡壁，挡壁的底部在盒体的内部开设有空腔，盒体的底部开设有放置孔，且盒体的底部一侧开设有出孔，并且盒体的两侧侧壁均开设有滑孔，所述挡壁的内部上方开设有通孔，并且通孔的上方在挡壁的上表面开设有限位孔，通孔和限位孔的内部通过限位柱固定设置有遮盖板，本实用新型结构简单，操作方便，不仅能够快速存放并取出芯片，而且对存放后的芯片进行防尘处理，同时还可避免在推板回移时被下移的芯片
挡住无法移动的情况发生。
权利要求书1页 说明书3页 附图3页CN 210012032 U2020.02.04
CN 210012032
U1.一种微流控液滴生成芯片的放置盒，包括盒体(1)、遮盖板(2)和推板(4)，所述盒体(1)的内部一侧设置有挡壁(11)，挡壁(11)的底部在盒体(1)的内部开设有空腔(12)，盒体(1)的底部开设有放置孔(15)，且盒体(1)的底部一侧开设有出孔(14)，并且盒体(1)的两侧侧壁均开设有滑孔(13)，其特征在于，所述挡壁(11)的内部上方开设有通孔(111)，并且通孔(111)的上方在挡壁(11)的上表面开设有限位孔(112)，通孔(111)和限位孔(112)的内部通过限位柱(31)固定设置有遮盖板(2)，所述空腔(12)的内部通过伸缩展板(42)活动设置有推板(4)，推板(4)的底部焊接有辅助块(41)，辅助块(41)的两侧均焊接有滑杆(411)，滑杆(411)滑动置于滑孔(13)内部，所述滑孔(13)的下方在盒体(1)的侧壁通过焊接固定有扳扣(5)，扳扣(5)扣于滑杆(411)的外端。2.根据权利要求1所述的一种微流控液滴生成芯片的放置盒，其特征在于，所述通孔(111)的底部在挡壁(11)的内部开设有腔体(3)，腔体(3)的内部底端焊接有弹簧，弹簧的上端焊接有限位柱(31)，限位柱(31)的上端安插在遮盖板(2)内与限位柱(31)相对应的插孔内。3.根据权利要求1所述的一种微流控液滴生成芯片的放置盒，其特征在于，所述遮盖板(2)的一侧开设有两个固定孔(21)，固定孔(21)的直径等于限位孔(112)的直径，并且固定孔(21)的直径与限位柱(31)的直径相等。4.根据权利要求1所述的一种微流控液滴生成芯片的放置盒，其特征在于，所述推板(4)的一侧焊接有伸缩展板(42)，伸缩展板(42)的另一端焊接固定在空腔(12)的内壁一侧。5.根据权利要求1所述的一种微流控液滴生成芯片的放置盒，其特征在于，所述出孔(14)的宽度、形状分别与微流控芯片的宽度、
【CN110286404A】一种数字化反康普顿高纯锗谱仪的屏蔽装置及其使用方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910351304.5(22)申请日 2019.04.28(71)申请人 南京核安核能科技有限公司地址 210000 江苏省南京市高新区惠达路9号国电南自研发东楼五层517-3室(72)发明人 邱远法 (51)Int.Cl.G01T 1/36(2006.01)G01T 7/00(2006.01)G01T 7/12(2006.01)
(54)发明名称一种数字化反康普顿高纯锗谱仪的屏蔽装置及其使用方法(57)摘要本发明公开了一种数字化反康普顿高纯锗谱仪的屏蔽装置及其使用方法，屏蔽壳从外到内分别设置有铅层、镉层、铜层和有机玻璃层，屏蔽壳可以将周围环境的γ本底和宇宙射线的软成分屏蔽掉，采用反符合技术可以降低宇宙射线的硬成分所造成的本底，当被测样品放出的γ射线入射到屏蔽壳，发生康普顿效应的光子将产生非全能峰信号，散射光子同时进入到反符合屏蔽箱产生信号，并将数据传输给数据传输器传输给处理器，处理器进行对比设置数据范围，如果超出范围，使得处理器控制蜂鸣器发出警报，提示屏蔽室出现故障，并将具体数值发送到显示屏上，通过红色字体显示出来。本发明解决了对于贯穿性很强的宇宙射线的硬成分，屏蔽室的屏蔽效果
较差的问题。
权利要求书2页 说明书4页 附图2页CN 110286404 A2019.09.27
CN 110286404
A1.一种数字化反康普顿高纯锗谱仪的屏蔽装置，包括底板(1)，其特征在于：所述支撑底板(1)的底部左右两侧对称设置有支撑脚(2)，所述支撑底板(1)的顶部中心固接有保护垫(3)，所述保护垫(3)的顶部设置有屏蔽箱(4)，所述屏蔽箱(4)的顶部连接有箱顶(5)，所述箱顶(5)上设置有显示屏(6)和处理器(12)，且处理器(12)位于显示屏(6)的后侧，所述屏蔽箱(4)的左侧壁下端固接有数据传输器(7)，所述屏蔽箱(4)右侧壁下端固接有报警器(8)，所述箱顶(5)与屏蔽箱(4)的右侧壁连接处设有门控锁(9)，所述屏蔽箱(4)的内腔设置有屏蔽壳(10)，所述屏蔽壳(10)的左侧壁固接有探测器(11)。2.根据权利要求1所述的一种数字化反康普顿高纯锗谱仪的屏蔽装置，其特征在于：所述屏蔽壳(10)从外到内分别设置有铅层(1004)、镉层(1003)、铜层(1002)和有机玻璃层(1001)。3.根据权利要求2所述的一种数字化反康普顿高纯锗谱仪的屏蔽装置及其使用方法，其特征在于：所述铅层(1004)的厚度为80-120mm，所述镉层(1003)的厚度为0.5-1.5mm，所述铜层(1002)的厚度为0.7-1.3mm，所述有机玻璃层(1001)的厚度为5-10mm。4.根据权利要求1所述的一种数字化反康普顿高纯锗谱仪的屏蔽装置及其使用方法，其特征在于：所述显示屏(6)、数据传输器(7)、报警器(8)分别与处理器(12)电性连接，所述数据传输器(7)与探测器(11)电性连接。5.根据权利要求1所述的一种数字化反康普顿高纯锗谱仪的屏蔽装置及其使用方法，其特征在于：所述处理器(12)为单片机处理器，所述报警器(8)为蜂鸣器，所述探测器(11)为反康环探测器。6.根据权利要求1所述的一种数字化反康普顿高纯锗谱仪的屏蔽装置及其使用方法，其特征在于：所述屏蔽壳(10)的顶端设置有塑料闪烁体。7.根据权利要求1所述的一种数字化反康普顿高纯锗谱仪的屏蔽装置的使用方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤(A)，在铅层(1004)屏蔽室顶端的放置塑料闪烁体，用来反符合从顶端进入的宇宙射线；步骤(B)，并通过步骤(A)中设置得塑料闪烁体用来感应宇宙射线并结合专用的电子学系统来产生门控信号；步骤(C)，反康探测器(11)进行探测，并将探测的数据通过数据传输器(7)传输给处理器(12)；步骤(D)，处理器(12)通过数据对比，控制报警器(8)的开关和显示屏(6)上的数据的显示。8.根据权利要求7所述的一种数字化反康普顿高纯锗谱仪的屏蔽装置的使用方法，其特征在于：步骤(B)，电子学系统为CSS-SPEC电子学系统，集成了低压供电系统，系统独有的数字符合技术摒弃了传统的模拟“门控”信号，使得系统在时间拥有快速的反应速度打开门控锁(9)。9.根据权利要求7所述的一种数字化反康普顿高纯锗谱仪的屏蔽装置的使用方法，其特征在于：步骤(C)，反康探测器(11)由标准的9*9inch的NaI晶体匹配6个3*3inch的光电倍增管组成，当被测样品放出的γ射线入射到屏蔽壳(10)，其中发生康普顿效应的光子将产生非全能峰信号，散射光子同时进入到反符合屏蔽箱(4)产生信号，
【CN110010367A】一种二维金属有机框架半导体材料及制备方法及应用【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日
(21)申请号 201910195801.0
(22)申请日 2019.03.15
(71)申请人 天津大学地址 300072 天津市南开区卫津路92号
(72)发明人 陈龙 刘婧娟 李阳
(74)专利代理机构 天津一同创新知识产权代理事务所(普通合伙) 12231代理人 陆艺
(51)Int.Cl.H01G 11/48(2013.01)H01G 11/24(2013.01)C08G 83/00(2006.01)
(54)发明名称一种二维金属有机框架半导体材料及制备方法及应用(57)摘要本发明公开了一种二维金属有机框架半导体材料及制备方法及应用，制备方法为：在惰性气氛保护下，将2,3,6,7,10,11,14,15-八羟基四苯并萘(I)与二价金属离子放入溶剂中，在室温-85℃条件下，反应12-72h，得到一种二维金属有机框架半导体材料(II)；反应式为：
本发明的二维金
属有机框架半导体材料合成步骤简单，所需条件温和。获得的是具有菱形孔道的二维片层结构，具有高电导率，高稳定性，高度可逆的氧化还原性等优势。用本发明的方法获得的二维金属有机框架半导体材料制备的电容器装置操作简便，且具有大的电容量，良好的稳定性和优异的循环性
能。
权利要求书1页 说明书4页 附图3页CN 110010367 A2019.07.12
CN 110010367
A1.一种二维金属有机框架半导体材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
在惰性气氛保护下，将2,3,6,7,10,11,14,15-八羟基四苯并萘(I)与二价金属离子放
入溶剂中，在室温-85℃条件下，反应12-72h，得到一种二维金属有机框架半导体材料(II)；反应式为：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述二价金属离子为Cu，Co，Ni，Mn或Fe
离子。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述溶剂由体积比1：(1-4)的N，N-二甲
【CN110032341A】一种模组的数据处理方法、装置、电子设备及介质【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910305705.7(22)申请日 2019.04.16(71)申请人 昆山丘钛微电子科技有限公司地址 215300 江苏省苏州市昆山高新技术产业开发区台虹路3号(72)发明人 许智森 (74)专利代理机构 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570代理人 查薇(51)Int.Cl.G06F 3/06(2006.01)
(54)发明名称一种模组的数据处理方法、装置、电子设备及介质(57)摘要本发明公开一种一种模组的数据处理方法、装置、电子设备及介质，方法包括：在所述模组的检测制程中，将获取的检测数据与所述模组的唯一身份识别码对应存储于所述模组外部的数据存储区域；对所述数据存储区域内存储的与所述唯一身份识别码对应的检测数据进行合并，获得合并数据；按照所述唯一身份识别码表征的模组类型，对所述合并数据进行符合所述模组类型的数据转换，获得转换后数据。本发明用于解决现有模组检测制程效率低，易出错的问题，实现了
提高检测制程效率和降低出错机率的问题。
权利要求书2页 说明书8页 附图2页CN 110032341 A2019.07.19
CN 110032341
A1.一种模组的数据处理方法，其特征在于，包括：在所述模组的检测制程中，将获取的检测数据与所述模组的唯一身份识别码对应存储于所述模组外部的数据存储区域；对所述数据存储区域内存储的与所述唯一身份识别码对应的检测数据进行合并，获得合并数据；按照所述唯一身份识别码表征的模组类型，对所述合并数据进行符合所述模组类型的数据转换，获得转换后数据。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述合并数据进行符合所述模组类型的数据转换，获得转换后数据之后，还包括：将转换后数据存储入所述模组内部的存储单元。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述合并数据进行符合所述模组类型的数据转换，获得转换后数据之后，还包括：将转换后数据发送至安装所述模组的终端设备。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述数据存储区域内存储的与所述唯一身份识别码对应的检测数据进行合并，包括：根据预设的关键数据列表，从所述数据存储区域内存储的与所述唯一身份识别码对应的检测数据中确定出关键数据；对确定出的所述关键数据进行合并。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述模组的检测制程中，如果需要读取已存储的检测数据进行检测，则根据所述模组的唯一身份识别码，从所述数据存储区域中读取出对应的检测数据进行检测。6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，将转换后数据存储入所述模组内部的存储单元，包括：对所述转换后数据进行校验计算，获得校验码；将转换后数据和所述校验码存储入所述模组内部的存储单元，其中，所述校验码用于验证存储入所述模组存储单元中的转换后数据是否改动。7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在将所述转换后数据存储入所述模组内部的存储单元之后，还包括：读取所述存储单元中存储的已写入的转换后数据；比对所述已写入的转换后数据和转换后数据，获得比对结果；根据所述比对结果，确定写入所述存储单元的转换后数据是否改动。8.一种模组的数据处理装置，其特征在于，包括：占存模块，用于在所述模组的检测制程中，将获取的检测数据与所述模组的唯一身份识别码对应存储于所述模组外部的数据存储区域；合并模块，用于对所述数据存储区域内存储的与所述唯一身份识别码对应的检测数据进行合并，获得合并数据；转换模块，按照所述唯一身份识别码表征的模组类型，对所述合并数据进行符合所述模组类型的数据转换，获得转换后数据。9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，
【CN110129893A】一种芯片的制备方法及其应用【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日
(21)申请号 201910228224.0
(22)申请日 2019.03.25
(71)申请人 为康（苏州）基因科技有限公司地址 215000 江苏省苏州市高新区通安镇真北路88号6号楼1楼
(72)发明人 胡军 王文忠
(74)专利代理机构 苏州吴韵知识产权代理事务所(普通合伙) 32364代理人 朱亮
(51)Int.Cl.C40B 40/04(2006.01)C40B 40/06(2006.01)C12Q 1/6837(2018.01)G01N 27/26(2006.01)
(54)发明名称一种芯片的制备方法及其应用(57)摘要本发明提供了一种芯片的制备方法及其应用，所述芯片包括基质层、硅片层和二氧化硅层，含有不同的核酸片段点样在芯片上，通过质谱分析精确测量目标DNA序列。该芯片可以测定核酸分子(A、T、C、G)，核酸小片段；同时也可以测定其他小分子，如氨基酸、尿素等小分子化合物。为核酸片段和其他小分子的检测提供了便利。该芯片检测简单、方便，能够实现高通量检测，具有广泛
的应用价值。
权利要求书1页 说明书2页 附图3页CN 110129893 A2019.08.16
CN 110129893
A1.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括基质层、硅片层和二氧化硅层，含有不同的核
酸片段点样在芯片上，通过质谱分析精确测量目标DNA序列。
2.权利要求1所述芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）制备用于芯片制备的基底层，其为硅片层，硅的纯度为99.999%；
（2）于基底层上制备中间层，其为二氧化硅层，二氧化硅层通过晶圆光刻显影、蚀刻形
成二氧化硅层；
（3）于中间层上制备表面层，其为基质层，基质层配方为羟基吡啶甲酸。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述硅片层上有96个长宽各位200μm
的基质层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，相邻两个基质层中间有一个长宽各40