MTC160A1600V可控硅模块
可控硅MTC200A
结温 Tj（℃） 最小
125 125
125 600
125 125
参数值 典型 最大
200 314
1600 1800
30 7.20
VR=0.6 VRRM
125
259
125
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
ITM=600A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=600A 门 极 触 发 电
流幅值 IGM=1.5A，门极 125
电流上升时间 tr≤0.5μs
可控硅模块 thyristor module
MTC200 0.140 ℃/W
250 0 2.0 3.0 -40 780
0.04 ℃/W
V
N·m
N·m
125
℃
g
M234 电路联结图：
M353 风冷
M353S 水冷
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅（晶闸管）模块
可控硅模块 thyristor module
MTC200
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2T
200A 600~1800V 7.2KA 259 103A2S
产品特点：
● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ● 优良的温度特性和功率循环能力 ● 体积小，重量轻 ● 国际标准封装 ● 符合 CE、Rohs 认证
30 50
VA=12V，IA=1A
25
0.8 1.0
20
VDM=67%VDRM
125
0.80 1.27 1.65 800
100
180 2.5 100 0.2
单位
可控硅MTC160A
典型应用： ● ● ● ● 加热控制器 交直流电机控制 各种整流电源 交流开关 ● UPS 电源 ● 电焊机 ● 电机软启动
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM I2t VTO RT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电 流 浪涌电流平均时间 积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升 率 通态电流临界上升 率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅模块 thyristor module MTC160 可控硅（晶闸管）模块
IT(AV) 160A VDRM/VRRM 600~1800V ITSM 5.4KA 2 IT 146 103A2S
产品特点： ● ● ● ● ● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 优良的温度特性和功率循环能力 体积小，重量轻 国际标准封装 符合 CE、Rohs 认证
可控硅模块 thyristor module MTC160 0.2 V 0.17 0 0.08 ℃/W ℃/W V 2.0 3.0 -40 210 125 350 N·m N·m ℃ g
门极不触发电压 热阻抗（结至壳） 热阻抗（结至散） 绝缘电压 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量
模块封装图（M234） ：
单位 A A V mA KA 103A 2 S V mΩ V V/μs A/μs mA V mA
ITM=480A VDM=67%VDRM ITM=480A 门极触发电流幅 值 IGM=1.5A，门极电流上 升时间 tr≤0.5μs VA=12V，IA=1A
MTC110A1600V可控硅模块
中国·杭州国晶电子科技有限公司 符号参数测试条件结温Tj （℃）参数值单位最小 典型 最大 I T(A V) 通态平均电流 180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃ 125 110 A I T(RMS) 方均根电流125 173 A V DRM V RRM 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 V DRM &V RRM tp=10msV D s M &V RsM = V DRM &V RRM +200V 125 600 1600 1800 V I DRM I RRM 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 V DM = V DRMV RM = V RRM125 12 mA I TSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽，正弦半波 125 2.40 KAI 2t 浪涌电流平均时间积 V R =0.6 V RRM 125 29 103A 2SV TO 门槛电压 0.8 V R T 斜率电阻125 2.29 m Ω V TM 通态峰值电压 I TM =330A 25 1.50 1.60 V dv/dt 断态电压临界上升率 V DM =67%V DRM125 800 V/μs di/dt 通态电流临界上升率 I TM =330A 门极触发电流幅值 IGM=1.5A ，门极电流上升时间tr ≤0.5μs 125 100 A/μs I GT 门极触发电流30 40 100 mA V GT 门极触发电压 V A =12V ，I A =1A 25 0.8 1.0 2.5 V I H 维持电流20 100 mA V GD 门极不触发电压 V DM =67%V DRM125 0.2 V R th(j-c) 热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热 0.250 ℃/W R th(c-h) 热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热 0.15 ℃/W V iso 绝缘电压 50HZ ，R.M.S ，t=1min I iso :1Ma(max) 2500 V F m 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 2.0 3.0 N ·m N ·m T sbg 储存温度 -40 125 ℃ W t质量140g特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关 I T(A V) 110AV DRM /V RRM 600~1800V I TSM 2.4KA I 2T 29 103A 2SOutline M220、M225中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
可控硅晶闸管模块MTC90-16杭州国晶
90A
VDRM/VRRM 600~1800V
ITSM
2.0KA
I2T
20 103A2S
符号
参数
测试条件
结温
Tj（℃）
参数值 最小 典型 最大
单位
IT(AV)
通态平均电流
180 °正 弦半波 ，50HZ 单面散 125
热，Tc=85℃
IT(RMS) 方均根电流
125
VDRM VRRM
断态重复峰值电压 反向重复峰值电压
各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择
用户选配散热器时，必须考虑以下因素：
① 模块工作电流大小，以决定所需散热面积；
② 使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；
③ 装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特
GUOJINGKEJI
国晶科技
（可控硅模块）Thyristor Module
MTC90
特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关
IT(AV)
VTO
门槛电压
RT
斜率电阻
125
VTM
通态峰值电压
ITM=270A
25
dv/dt 断态电压临界上升率 VDM=67%VDRM
125
ITM=270A 门 极 触 发 电 流 幅 值 di/dt 通态电流临界上升率 IGM=1.5A，门极电流上升时间tr 125
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
可控硅模块MTC1200A
di/dt 通态电流临界上升率
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
MTC1200A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.70
100 1.2
单位 最大
1200 A 1884 A 1800 V
30 mA
24.0 2800 0.80 0.29 1.90 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
1200A 600~1800V 24 KA 2800 103A2S
符号
参数
IT(AV)
MTC25A1600V 可控硅模块 技术资料
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
25A 600~1800V 0.55 A×103 1.5 A2S*103
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
Tc(max), C
Conduction Angle
IT(AV),A
IT(AV),A
Fig.3
Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current
360
参数值 典型 最大 25 41 1800 8 0.55 1.50 0.85 9.68 1.69 800 50 30 100 2.5 150 0.950 0.2 2500 4 6 -40 125 100
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm
-30 C -10 C
V
V
,VGT
,VGT
25 C 125 C
,IGT
A
,IGT
mA
Fig.9
Fig.10
外形尺寸图
215F3
101F
info@
3/3
PT(AV)(max),W
Tc(max), C
Conduction Angle
Conduction Angle
固特控制技术MTC MTX MTA MTK MT 300A可控硅模块 说明书
GOLD CONTROL固特控制技术有限公司Thyristors Modules可控硅模块特 性：●国际标准封装●压接结构，优良的温度特性和功率循环能力●低通态压降≤1.58V主要用途：●引线端与底板电气绝缘，2500V 交流电压●直流屏●阻断电压高达1600V ●变频器●高达12倍抗浪涌能力●各种整流电源●安装方便●直流电动机●环保产品（符合ROHS 要求）结温T j (℃）最小典型最大I T(RMS)125471A V DRM V RRM I DRM I RRM I TSM 10ms 底宽，正弦半波，9300AI 2t V R =0.6V RRM 432A 2S *103 V TO 0.8V V TM I TM =900A251.58V dv/dt V DM =67%V DRM 125800V/μs 门极电流上升时间t r ≤0.5μsI GT 30180mA V GT1.02.5V I H20100mA V GD 1250.2V V iso50Hz,R.M.S,t=1min,I iso :1mA(max)2500V固特电力半导体模块通过欧盟CE 、ISO9001、符合ROSH 认证企业Page 5of 12007-01通态平均电流I T(AV)125Gold Powerdi/dt 绝缘电压断态电流临界上升率12525门极不触发电压V DM =67%V DRM门极触发电流维持电流V A =12V,I A =1A门极触发电压I TM =330A单位40mA 300A 单面散热，Tc=85℃门极触发电流幅值I GM =1.5A ,通态门槛电压通态不重复浪涌电流反向重复峰值电流V RM =V RRM浪涌电流平方时间积通态峰值电压断态电压临界上升率V 主要技术参数MTC300A MTX300A MTA300A MTK300A MT300AV DRM ＆V RRM tp=10ms通态有效值电流断态重复峰值电压参数符号测试条件参数值125MTC MTX MTA MTK MT180o 正弦半波，50Hz V DSM ＆V RSM =V DRM ＆V RRM +200V12580014002500125反向重复峰值电压100A/μs 断态重复峰值电流V DM =V DRMMTA单位：mmMTPage 5of 22007-01性能曲线图外形图、接线图、安装孔尺寸118mm*53mm*61mm温度性能曲线图Page 5of 32007-01Page 5of 42007-01产品热线：TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ：453742705●使用说明为了本公司的半导体功率模块能满足您的高可靠使用要求，请注意以下几点事项：1、过电流的保护可采用半导体专用快熔；2、RC吸收（缓冲）建议使用吸收模块（本公司可供应）；3、使用环境条件：a)半导体功率模块工作温度为：-40℃～+125℃（结温）；整流为：-40℃～150℃；b)环境相对湿度≤85%；海拔1000米以下；c）使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质气氛；d）模块采用强制风冷时风速应＞6米/分，环境温度一般应控制在-40℃～60℃，散热器温度一般应控制在80℃以下。
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参数值中国·杭州国晶电子科技有限公司
Outline M234
中国·杭州国晶电子科技有限公司
模块典型电路
电联结形式
（右图）
中国·杭州国晶电子科技有限公司
模块外型图、安装图
M234
使用说明：
一、使用条件及注意事项：
1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：
1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
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模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉
与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择
用户选配散热器时，必须考虑以下因素：
①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；
②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；
③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：
模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２
其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
郑重声明：目前市场上充斥着各种劣质散热器，请在购买是注意鉴别，如因使用劣质散热器造成模块损坏或其他严重后果，我公司概不负责。
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