可控硅模块MTC55A
可控硅MTC200A
结温 Tj（℃） 最小
125 125
125 600
125 125
参数值 典型 最大
200 314
1600 1800
30 7.20
VR=0.6 VRRM
125
259
125
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
ITM=600A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=600A 门 极 触 发 电
流幅值 IGM=1.5A，门极 125
电流上升时间 tr≤0.5μs
可控硅模块 thyristor module
MTC200 0.140 ℃/W
250 0 2.0 3.0 -40 780
0.04 ℃/W
V
N·m
N·m
125
℃
g
M234 电路联结图：
M353 风冷
M353S 水冷
杭州拓直电气有限公司 Hangzhou Tuozhi Electric Co., Ltd
可控硅（晶闸管）模块
可控硅模块 thyristor module
MTC200
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2T
200A 600~1800V 7.2KA 259 103A2S
产品特点：
● 芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ● 优良的温度特性和功率循环能力 ● 体积小，重量轻 ● 国际标准封装 ● 符合 CE、Rohs 认证
30 50
VA=12V，IA=1A
25
0.8 1.0
20
VDM=67%VDRM
125
0.80 1.27 1.65 800
100
180 2.5 100 0.2
单位
固特控制技术 MTC55A MTX55A MTA55A MTK55A MT55A可控硅模块 说明书
GOLD CONTROL固特控制技术有限公司Thyristors Modules可控硅模块特 性：●国际标准封装●焊接结构，优良的温度特性和功率循环能力●玻璃钝化工艺（方片）芯片主要用途：●低通态压降≤1.5V●直流屏●引线端与底板电气绝缘，2500V 交流电压●变频器●阻断电压高达1600V ●电焊机●高达12倍抗浪涌能力●直流充电电源●安装方便●直流电动机●环保产品（符合ROHS 要求）结温T j (℃）最小典型最大I T(RMS)12586A V DRM V RRM I DRM I RRM I TSM 10ms 底宽，正弦半波，1250AI2t V R =0.6V RRM 7.8A 2S *103 V TO 1250.85V V TMI TM =170A251.5V dv/dtV DM =67%V DRM 125800V/μs 门极电流上升时间t r ≤0.5μsI GT 30100mA V GT0.8 2.5V I H20100mA V GD 1250.2V V iso50Hz,R.M.S,t=1min,I iso :1mA(max)2500V固特电力半导体模块通过欧盟CE 、ISO9001、符合ROSH 认证企业Page 5of 12007-01Gold Power绝缘电压12525门极不触发电压V DM =67%V DRM门极触发电流维持电流V A =12V,I A =1A门极触发电压I TM =330Adi/dt 浪涌电流平方时间积通态峰值电压断态电压临界上升率断态电流临界上升率门极触发电流幅值I GM =1.5A ,通态门槛电压单位8mA 通态不重复浪涌电流反向重复峰值电流V RM =V RRMMTC55A MTX55A MTA55A MTK55A MT55AV DRM ＆V RRM tp=10ms通态有效值电流断态重复峰值电压参数符号测试条件参数值单面散热，Tc=85℃通态平均电流MTC MTX MTA MTK MT180o 正弦半波，50Hz V DSM ＆V RSM =V DRM ＆V RRM +200V12580016002200V 主要技术参数反向重复峰值电压50A/μs 断态重复峰值电流V DM =V DRM 125I T(AV)12555A 125MTA单位：mmMTPage 5of 22007-01性能曲线图外形图、接线图、安装孔尺寸92mm*26mm*35mm温度性能曲线图Page 5of 32007-01Page 5of 42007-01产品热线：TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ：453742705●使用说明为了本公司的半导体功率模块能满足您的高可靠使用要求，请注意以下几点事项：1、过电流的保护可采用半导体专用快熔；2、RC吸收（缓冲）建议使用吸收模块（本公司可供应）；3、使用环境条件：a)半导体功率模块工作温度为：-40℃～+125℃（结温）；整流为：-40℃～150℃；b)环境相对湿度≤85%；海拔1000米以下；c）使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质气氛；d）模块采用强制风冷时风速应＞6米/分，环境温度一般应控制在-40℃～60℃，散热器温度一般应控制在80℃以下。
网络优化与推广资料
推广与优化关键词如下：1.可控硅模块（晶闸管模块）MTC系列 SKKT系列 MCC系列可控硅模块MTC26/16 MTC55/16电流：26A电流：55A电压：适用于220V/380V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC70/16 MTC90/16平均电流：26A平均电流：55A电压：适用于220V/380V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC110/16平均电流：110A电压：适用于220V/380V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC135/16-36平均电流：135A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC160/16-36平均电流：160A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC182/16-36平均电流：182A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC200/16-36平均电流：200A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC250/16-36平均电流：250A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC300/16-36平均电流：300A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC350/16-36平均电流：350A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块安装尺寸：112*48MTC400/16-36平均电流：400A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块安装尺寸：112*48MTC500/16-36平均电流：500A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块安装尺寸：112*48MTC600/16-36平均电流：600A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块安装尺寸：112*48MTC800/16-36平均电流：800A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器。
MTC55A
25 0.8
3.0
V
20
150 mA
VDM=67%VDRM
125 0.2
V
1800 正弦波, 单面散热
0.640 °C /W
1800 正弦波, 单面散热
0.2 °C /W
50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(MA X)
3600
V
4
N·m
6
N·m
-40
125 °C
115
g
E-mail:cxima@
55A
600 ~3600V 1.15 KA 6.6 103A2S
符号
参数
IT(AV)
IT(RMS)
VDRM VRRM
IDRM IRRM ITSM I2t VTO rT VTM
dv/dt
通态平均电流
方均根电流
断态重复峰值电压 反向重复峰值电压
断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压
(100μs脉宽)
10
8
6 PG2W
4
min.
2
0
0
4
8
12
16
20
门极电流,IGT，A
Fig.9 门极功率曲线
外形图:
门极电压,VGT，V
电流平方时间积I2t,103A2S
MTC55 MTA55 MTK55 MTX55
I2t Vs Time 6.6 1..15 7
6
5
4
3
2
1
10
时间t,ms
Fig.8 I2t特性曲线
3 2
Page 3 of 3
MTC110A1600V可控硅模块
中国·杭州国晶电子科技有限公司 符号参数测试条件结温Tj （℃）参数值单位最小 典型 最大 I T(A V) 通态平均电流 180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃ 125 110 A I T(RMS) 方均根电流125 173 A V DRM V RRM 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 V DRM &V RRM tp=10msV D s M &V RsM = V DRM &V RRM +200V 125 600 1600 1800 V I DRM I RRM 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 V DM = V DRMV RM = V RRM125 12 mA I TSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽，正弦半波 125 2.40 KAI 2t 浪涌电流平均时间积 V R =0.6 V RRM 125 29 103A 2SV TO 门槛电压 0.8 V R T 斜率电阻125 2.29 m Ω V TM 通态峰值电压 I TM =330A 25 1.50 1.60 V dv/dt 断态电压临界上升率 V DM =67%V DRM125 800 V/μs di/dt 通态电流临界上升率 I TM =330A 门极触发电流幅值 IGM=1.5A ，门极电流上升时间tr ≤0.5μs 125 100 A/μs I GT 门极触发电流30 40 100 mA V GT 门极触发电压 V A =12V ，I A =1A 25 0.8 1.0 2.5 V I H 维持电流20 100 mA V GD 门极不触发电压 V DM =67%V DRM125 0.2 V R th(j-c) 热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热 0.250 ℃/W R th(c-h) 热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热 0.15 ℃/W V iso 绝缘电压 50HZ ，R.M.S ，t=1min I iso :1Ma(max) 2500 V F m 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 2.0 3.0 N ·m N ·m T sbg 储存温度 -40 125 ℃ W t质量140g特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关 I T(A V) 110AV DRM /V RRM 600~1800V I TSM 2.4KA I 2T 29 103A 2SOutline M220、M225中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V
Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压 2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司（编）
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
可控硅模块MTC1200A
di/dt 通态电流临界上升率
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
MTC1200A
circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
Ver:XZ0318
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
1.70
100 1.2
单位 最大
1200 A 1884 A 1800 V
30 mA
24.0 2800 0.80 0.29 1.90 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
1200A 600~1800V 24 KA 2800 103A2S
符号
参数
IT(AV)
MTC25A1600V 可控硅模块 技术资料
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
25A 600~1800V 0.55 A×103 1.5 A2S*103
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
Tc(max), C
Conduction Angle
IT(AV),A
IT(AV),A
Fig.3
Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current
360
Fig.4
Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current
360
参数值 典型 最大 25 41 1800 8 0.55 1.50 0.85 9.68 1.69 800 50 30 100 2.5 150 0.950 0.2 2500 4 6 -40 125 100
单位 A A V mA KA A s*103 V mΩ V V/μs A/μs mA V mA V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm
-30 C -10 C
V
V
,VGT
,VGT
25 C 125 C
,IGT
A
,IGT
mA
Fig.9
Fig.10
外形尺寸图
215F3
101F
info@
3/3
PT(AV)(max),W
Tc(max), C
Conduction Angle
Conduction Angle
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N·m
-40
125
℃
109
g
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology cModule
MTC55A
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗（结至壳）
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
结温 Tj（℃） 最小
125 125 125 600
125 125 125
125
ITM=170A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=170A 门 极 触 发 电 流 幅 值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
0.8
20
VDM=67%VDRM
125
180°正弦半波，单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
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Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:11mA(max) 与散热器固定
M220、M225
MTC55A
0.2 ℃/W
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
第3页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Install Size Diagram:
MTC55A
circuit Diagram：
M 220 M 225
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可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温
度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application
■交流开关 ■交直流电机控制 ■加热控制器 ■各种整流电源
MTC55A
第4页
可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
MTC55A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
参数值 典型
1600
单位 最大
55
A
86
A
1800 V
10 mA
1.25 KA
13.0 103A2S
0.80
V
2.64 mΩ
1.5
1.55
V
800 V/μs
50 A/μs
35
100 mA
1.0
2.5
V
100 mA
0.2
V
0.530 ℃/W
第1页
可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
Rth(c-h) 热阻抗（结至散）
的任何部位。
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第5页
IT(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
55A 600~1800V 1.25 KA 13 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD Rth(j-c)
参数
通态平均电流