SVF2N60
20120210 士兰分立器件产品介绍
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Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
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芯片产能 (pcs) 40K/M 4K/M 50K/M 4K/M 0.1K/M 2K/M 18K/M 5.5K/M 2K/M 8K/M
Company Confidential, don’t copy
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S-RinTM 表示采用了比前几代高压HVDMOS更小尺寸的GR环的新一代士兰 VDMOS器件。
• •
S-RinTM 系列高压VDMOS同时采用了优化后的条形元胞结构。 控制和调节J-FET注入的深度和浓度来改善Rdson 参数.
Silan 士兰微电子 分立器件产品封装 • • • • • •
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目前,已在士兰集成芯片厂完成建立了分立器件产品封装净化厂房 (主要针对高压 MOS管/FRD/SBD等产品) 2011年3月开始批量封装FRD/SBD产品; 2011年7月开始批量封装HVMOS产品; 目前批量生产的封装形式有TO-220-3L/TO-220F-3L/TO-3PN这3种; 后续会根据具体需求有计划的增加TO-252-2L/TO-251-3L/ TO-263-2L/TO-262-3L等; 目前封装厂的产能已扩展到15KK/M; 我们正在成都建立功率半导体封装基地用来扩展更大产能和降低成本.
SVF2N60M(F)(T)(D)说明书
版本号：1.1 2010.10.21 共10页 第1页
SVF2N60M/F/T/D 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 耗散功率(TC=25°C)
- 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量(注 1) 工作结温 贮存温度
VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz
VDD=300V，ID=2.0A， RG=25Ω
(注 2，3)
VDS=480V，ID=2.0A，
VGS=10V
(注 2，3)
最小值 600 --2.0 ------------
典型值 ----3.7
250.1 35.7 1.1 9.2 23.4 15.3 20.1 5.67 1.74 1.99
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.Βιβλιοθήκη 2010.10.21 共10页 第7页
封装外形图 （续）
TO-220F-3L(1)
SVF2N60M/F/T/D 说明书
单位: mm
TO-220F-3L(2)
单位: mm
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.1 2010.10.21 共10页 第8页
封装外形图 （续）
TO-252-2L
SVF2N60M/F/T/D 说明书
单位: mm
声明： • •
•
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完 整和最新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情 况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
2n60场效应管启动电压 -回复
2n60场效应管启动电压-回复什么是2n60场效应管启动电压？如何确定2n60场效应管的启动电压？这些问题是电子工程师在设计电路时常常遇到的。
本文将逐步回答这些问题，帮助读者更好地理解和应用2n60场效应管。
首先，我们需要了解场效应管（FET）的基本工作原理。
FET由源极、栅极和漏极三个电极组成。
其中，栅极与源极之间的电场控制了漏极与源极之间的电流。
FET的导电能力主要取决于栅极与源极之间的电压（VGS）。
在开始之前，我们需要明确一些基本的电气参数和符号。
首先，我们将用Vth来表示FET的门槛电压，即当栅极和源极之间的电压超过Vth时，FET 开始导通。
另外，我们将用IDSS来表示FET的最大漏极电流，即当栅极和源极之间的电压为零时，FET的漏极电流达到最大值。
2n60场效应管是一种N沟道MOSFET，其特定的电气参数可以在其数据手册中找到。
根据手册，我们可以找到FET的启动电压。
对于2n60场效应管，启动电压（VGS(th)）的典型值通常为2-4伏特。
这意味着，当栅极和源极之间的电压超过2-4伏特时，2n60场效应管将开始导通。
然而，我们还可以通过测试来确认2n60场效应管的具体启动电压。
测试2n60场效应管的启动电压需要使用一个恰当的测试电路。
以下是一个简单的测试电路示例：[图1：2n60场效应管启动电压测试电路]在上述电路中，我们使用一个电压源V1来提供栅极和源极之间的电压，一个电阻R1来限流，并且用一个万用表测量电流I1和电压V1。
通过逐渐增大电源V1的电压，我们将能够确定2n60场效应管的具体启动电压。
具体操作步骤如下：1. 确保电源V1的电压为零，将2n60场效应管正确连接到测试电路中。
2. 将电源V1的电压逐步增加，同时记录电流I1和电压V1的值。
3. 当电流I1开始明显增加时，说明2n60场效应管已经开始导通。
此时，所测得的电压V1即为2n60场效应管的启动电压。
4. 重复上述步骤几次，以获得更准确的结果。
2n60场效应管启动电压
2n60场效应管启动电压引言场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种用于放大和开关电路的半导体器件。
2n60场效应管是其中一种型号，启动电压是指在电路中使得场效应管开始工作所需的最低电压值。
本文将对2n60场效应管启动电压进行探讨。
什么是2n60场效应管2n60场效应管的基本原理2n60场效应管是一种N沟道增强型场效应管。
它由源极、漏极和栅极组成。
通过在栅极上施加电压，可以控制栅极与漏极之间的电流。
当栅极电压为零时，漏极电流非常小，处于截止状态；而当栅极电压为正时，漏极电流逐渐增大，处于饱和状态。
2n60场效应管的特性2n60场效应管具有以下特性： 1. 低输入电流：2n60场效应管的栅极电流非常小，可以减少功耗。
2. 高输入电阻：2n60场效应管的输入电阻较高，可以减少电路的负载效应。
3. 快速开关速度：2n60场效应管的开关速度较快，可以适用于高频电路。
2n60场效应管启动电压的影响因素2n60场效应管的启动电压受到多种因素的影响，包括： 1. 温度：温度的变化会对2n60场效应管的导通特性产生影响，从而影响启动电压。
2. 栅极电压：栅极电压的大小会直接影响2n60场效应管的导通能力，进而影响启动电压。
3. 漏极电流：漏极电流的大小也会影响2n60场效应管的导通特性，从而影响启动电压。
2n60场效应管启动电压的测量方法方法一：使用实验仪器测量可以使用数字万用表或示波器等实验仪器来测量2n60场效应管的启动电压。
具体步骤如下： 1. 将2n60场效应管正确连接到电路中。
2. 施加逐渐增大的栅极电压。
3. 当2n60场效应管开始导通时，记录此时的栅极电压，即为启动电压。
方法二：通过电路计算根据2n60场效应管的数据手册中给出的参数，可以通过电路计算来估算2n60场效应管的启动电压。
具体步骤如下： 1. 查阅2n60场效应管的数据手册，获取栅极-源极截止电压和栅极-源极饱和电压等参数。
2N60 产品资料 2N60 产品资料
2、性能指标
极限值：（除其他标注外Tamb= 25℃）
参数
符号
数值
单位
最大漏源电压 栅源电压 雪崩电流 最大持续漏电流 最大脉冲漏电流
VDSS
600
V
VGS
±30
V
IAR
2
A
ID
2
A
(注1)
IDM
8
A
雪崩能量（单脉冲）
(注2)
EAR
140
mJ
峰值二极管恢复dv/dt
(注3)
dv/dt
4.5
V/ns
最大耗散功率 工作结温/储存温度范围
7-1
2N60 产品资料
功率MOSEFT—2N60 2A，600V N沟道
2N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快 的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源， DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
注释:
⑴ 重复范围: 脉冲宽度受结温限制
⑵ L = 64mH, IAS = 2A, VDD = 50V, RG = 25 Ω, 开始TJ = 25°C ⑶ ISD ≤ 2.4A, di/dt ≤200A/μs, VDD ≤ BVDSS, 开始 TJ = 25°C
⑷ 脉冲测试: 脉冲宽度<= 300us, 占空比<=2%
25 60 ns
20 50
下降时间
tf
25 60
栅电荷 栅-源电荷 栅-漏电荷
Qg VDS =480V；VGS =10V；ID=2.4A (注4, 注5)
9 11
1.6
2N60中文资料
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD2N60 Power MOSFET2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFETDESCRIPTIONThe UTC 2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high ruggedavalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.FEATURES* R DS(ON) = 3.8Ω@V GS = 10V.* Ultra Low gate charge (typical 9.0nC)* Low reverse transfer capacitance (Crss = typical 5.0 pF) * Fast switching capability * Avalanche energy specified* Improved dv/dt capability, high ruggednessSYMBOL1.GateTO-2201TO-252TO-251111TO-220F*Pb-free plating product number: 2N60LORDERING INFORMATIONOrder Number Pin AssignmentNormal Lead Free Plating Package 1 2 3Packing2N60-TA3-T 2N60L-TA3-T TO-220 G D S Tube 2N60-TF3-T 2N60L-TF3-T TO-220F G D S Tube 2N60-TM3-T 2N60L-TM3-T TO-251 G D S Tube 2N60-TN3-R 2N60L-TN3-R TO-252 G D S Tape Reel 2N60-TN3-T 2N60L-TN3-T TO-252 G D S TubeNote: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: SourceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25℃, unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOL RATINGS UNITDrain-Source Voltage V DSS 600 V Gate-Source Voltage V GSS ±30 V Avalanche Current (Note 2) I AR 2.0 AT C = 25°C 2.0 ADrain Current ContinuousT C = 100°C I D 1.26 ADrain Current Pulsed (Note 2) I DP 8.0 ARepetitive(Note 2) E AR 4.5 mJAvalanche EnergySingle Pulse(Note 3) E AS 140 mJPeak Diode Recovery dv/dt (Note 4) dv/dt 4.5 V/nsT C = 25°C 45 WTotal Power Dissipation Derate above 25°C P D0.36 W/Junction Temperature T J +150 Storage Temperature T STG -55 ~ +150 Note:1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. 2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature 3. L=64mH, I AS =2.0A, V DD =50V, R G =25 Ω, Starting T J = 25°C 4. I SD ≤ 2.4A, di/dt ≤ 200A/µs, V DD ≤ BV DSS , Starting T J = 25°CTHERMAL DATAPARAMETER PACKAGE SYMBOL RATINGS UNITTO-251 112 TO-252 112TO-220 54 Thermal Resistance Junction-Ambient TO-220F θJA54TO-251 12 TO-252 12TO-220 4 Thermal Resistance Junction-Case TO-220F θJc4/WELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J =25℃, unless Otherwise specified.)PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITOff CharacteristicsDrain-Source Breakdown Voltage BV DSS V GS = 0V, I D = 250µA 600 VV DS = 600V, V GS = 0V 10 µAZero Gate Voltage Drain Current I DSSV DS = 480V, T C = 125°C100µA Forward V GS = 30V, V DS = 0V 100nAGate-Body Leakage Current Reverse I GSSV GS = -30V, V DS = 0V-100nA Breakdown Voltage Temperature Coefficient BV DSS /T J I D = 250 µA 0.4 V/On Characteristics Gate Threshold Voltage V GS(TH)V DS = V GS , I D = 250µA 2.0 4.0V Static Drain-Source On-Resistance R DS(ON)V GS = 10V, I D =1A 3.8 5 Ω Forward Transconductance g FS V DS = 50V, I D = 1A (Note 1) 2.25 S Dynamic Characteristics Input Capacitance C ISS 270 350pFOutput Capacitance C OSS 40 50 pFReverse Transfer Capacitance C RSS V DS =25V, V GS =0V, f =1MHz 5 7 pFELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.)PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITSwitching Characteristics Turn-On Delay Time t D (ON) 10 30 ns Rise Time t R 25 60 ns Turn-Off Delay Time t D(OFF) 20 50 nsFall Time t FV DD =300V, I D =2.4A, R G =25Ω(Note 1,2) 25 60 ns Total Gate Charge Q G 9.0 11 nCGate-Source Charge Q GS 1.6 nCGate-Drain Charge Q GDV DS =480V, V GS =10V, I D =2.4A(Note 1, 2)4.3 nC Drain-Source Diode Characteristics Drain-Source Diode Forward Voltage V SD V GS = 0 V, I SD = 2.0 A 1.4V Continuous Drain-Source Current I SD 2.0 A Pulsed Drain-Source Current I SM 8.0 AReverse Recovery Time t RR 180 nsReverse Recovery Charge Q RR V GS = 0 V, I SD = 2.4A, di/dt = 100 A/µs (Note1) 0.72 µC Note: 1. Pulse Test: Pulse Width ≤300µs, Duty Cycle ≤2%2. Essentially Independent of Operating TemperatureTEST CIRCUITS AND WAVEFORMSV DDV GS (Driver)I SD (D.U.T.)Body DiodeForward Voltage DropV DS(D.U.T.)Fig. 1A Peak Diode Recovery dv/dt Test CircuitFig. 1B Peak Diode Recovery dv/dt WaveformsTEST CIRCUITS AND WAVEFORMS (Cont.)R LDDV DS90%10%V GStFig. 2A Switching Test Circuit Fig. 2B Switching WaveformsFig. 3A Gate Charge Test CircuitFig. 3B Gate Charge Waveform10VLV DDI ASFig. 4A Unclamped Inductive Switching Test Circuit Fig. 4B Unclamped Inductive Switching WaveformsTYPICAL CHARACTERISTICS10010101010-1100Drain-Source Voltage , V DS (V)D r a i n C u r r e n t , I D (A )10102Gate-Source Voltage , V GS (V)D r a i n C u r r e n t , I D (A )Transfer Characteristics46810On-Region Characteristics0D r a i n -S o u r c e O n -R e s i s t a n c e , R D S (O N ) ()Drain Current , I D (A)122481012On-Resistance Variation vs . Drain Current andGate Voltage634560.2Source-Drain Voltage , V SD (V)Body Diode Forward Voltage Variation vs.Source Current and Temperature 1.60.40.60.8 1.0 1.2 1.4500010Drain -Source Voltage, V DS (V)C a p a c i t a n c e (p F )Capacitance vs. Drain-Source Voltage4001001001013002000G a t e -S o u r c e V o l t a g e , V G S (V )Total Gate Charge, Q G (nC)261081012Gate Charge vs. Gate Charge Voltage46408TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)-100D r a i n -S o u r c e B r e a k d ow n V o l t a g e , V D S S (N o r m a l i z e d )Junction Temperature , T J (℃)-5050200100150Breakdown Voltage vs . Temperature 0-100D r a i n -S o u r c e O n -R e s i st a n c e , R D S (O N ) (N o r m a l i z e d )Junction Temperature , T J (℃)-5050200100150On-Resistance vs . Temperature101010Drain-Source Voltage , V DS (V)D r a i n C u r r e n t , I D (A )Max. Safe Operating Area 1010101010D r a i n C u r r e n t , I D (A )Case Temperature , T C (℃)75100150Max. Drain Current vs. Case Temperature 0.012550250.51.01.52.0Square Wave Pulse Duration , t1(s)T h e r m a l R e s p o n s e , J C (t )Thermal Response101010101010101010。
20n60场效应管参数
20n60场效应管参数20n60场效应管是电子设备中常用的一种功率放大器。
它有许多优点，能有效地实现大功率放大，抗干扰性能也很强。
它的参数也相当重要，控制也比较复杂，因此要全面了解20n60场效应管的参数是很有必要的。
20n60场效应管的参数主要有关于功率放大能力、频率特性、噪声特性以及其它功能特性。
1、功率放大能力功率放大能力是20n60场效应管参数中最重要的一个参数，它决定着20n60场效应管所能放大的最大信号输入和输出功率。
它有三个参数，分别是负载阻抗、输入功率以及输出功率。
负载阻抗即20n60场效应管的负载电阻，它决定着20n60场效应管的负载电路的抗干扰能力，从而也影响着20n60场效应管的功率放大能力。
输入功率是20n60场效应管能够放大的最大信号输入功率，也就是20n60场效应管所能接受的最大输入功率，一般来说输入功率要大于输出功率的90%。
输出功率是20n60场效应管能够放大的最大信号输出功率，也就是20n60场效应管所能输出的最大功率。
它与负载阻抗有关，当负载阻抗发生变化时，输出功率也会相应发生变化。
2、频率特性20n60场效应管参数中的频率特性是指20n60场效应管在不同频率下的表现，它会影响20n60场效应管的频率响应范围以及频率失真程度。
20n60场效应管的频率特性有两个参数，分别是最高频率（fh）和最低频率（fl）。
最高频率是20n60场效应管所能放大的最大信号频率，一般来说，它要大于最低频率。
最低频率是20n60场效应管所能放大的最小信号频率，一般来说，它要小于最高频率。
3、噪声特性20n60场效应管参数中的噪声特性是指20n60场效应管在输出信号中的噪声程度，它会影响20n60场效应管的静态噪声系数以及动态噪声系数。
20n60场效应管的噪声特性有两个参数，分别是噪声下降函数（No）和有效噪声系数（en）。
噪声下降函数是20n60场效应管在增益下噪声的变化情况，它决定了20n60场效应管的动态噪声系数。
WFF2N60中文资料
WFF2N60
Electrical Characteristics ( TC = 25 °C unless otherwise noted )
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Off Characteristics
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage
VDS = 480V, TC = 125 °C
-
Gate-Source Leakage, Forward
VGS = 30V, VDS = 0V
-
IGSS
Gate-source Leakage, Reverse
VGS = -30V, VDS = 0V
-
On Characteristics
VGS(th) Gate Threshold Voltage
-
100
uA-100nA--100
nA
-
4.0
V
4.0
5.0
Ω
320 420
35
46
pF
4.5
6.0
8
30
23
60
ns
25
60
28
70
9.5
13
1.6
-
nC
4.0
-
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
8
VDS = 480V
6
4
2
※ Note : ID = 2.0 A
0
0
2
士兰微电子 SVF2N60RD M MJ 说明书
2A 、600V N 沟道增强型场效应管描述SVF2N60RD/M/MJ N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell TM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。
特点♦ 2A ，600V ，R DS(on)(典型值)=3.7 @V GS =10V ♦ 低栅极电荷量 ♦ 低反向传输电容 ♦ 开关速度快 ♦提升了dv/dt 能力命名规则士兰F-Cell 工艺VDMOS 产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4代表 4A额定耐压值，采用2位数字例如：60表示600V封装外形标识例如：FJH:TO-220FJH;F:TO-220FS V F X N X X R X沟道极性标识，N 代表N 沟道版本产品规格分类极限参数(除非特殊说明，T C =25︒C)热阻特性电气参数(除非特殊说明，T C =25︒C)源-漏二极管特性参数注：1. L=30mH ，I AS =6.6A ，V DD =100V ，R G =25Ω，开始温度T J =25︒C;2. V DS =0~400V ，I SD <=12A ， T J =25︒C;3. VDS =0~480V;4. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs ，占空比≤2%；5.基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线图1. 输出特性图2.传输特性漏极电流 – I D （A ）0.010.1100.1110100漏源电压 – V DS （V ）漏极电流 – I D （A ）0.01110024681013579栅源电压 – V GS （V ）3.203.403.603.804.000 1.52 2.5漏源导通电阻 – R D S (o n )（Ω）漏极电流 – I D （A ）图3. 导通电阻vs.漏极电流和栅极电压0.20.40.60.8 1.41.20.11100反向漏极电流 – I D R （A ）源漏电压 – V SD （V ）图4. 体二极管正向压降vs.漏极电流、温度4.201.010.110典型特性曲线（续）0.80.91.11.0-100-5050100200漏源击穿电压（标准化）– B V D S S结温 – T J (°C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化） – R D S (o n )图8. 导通电阻vs.温度特性结温 – T J (°C)1.21502.0-100-50501002003.0150漏极电流 - I D (A )10-210-110010110101102103图9. 最大安全工作区域(SVF2N60RD/M/MJ)漏源电压- V DS (V)图5. 电容特性电容（p F ）0.1110100漏源电压 – V DS （V ）050150350250450100200400300图6. 电荷量特性栅源电压– V G S (V )0410总栅极电荷 – Q g (nC)246810128262550751001251500.51.01.52.0漏极电流 - I D (A )壳温– T C (°C)图 10. 最大漏电流vs. 壳温典型测试电路12VV DSV GS10V电荷量栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图V DSV GS10%90%E AS 测试电路及波形图V DDLBV DSS I ASV DD封装外形图封装外形图（续）声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
MOS管,2N60,5N60,8N60.xls
封装
主要参数 50A/60V，RDS(on)=22mΩ （VGS=10V，ID=25A）
PTP50N06
TO-220 5A/500V，RDS(on)=1.5Ω
PTP830
TO-220
（VGS=10V，ID=2.5A） 9A/500V，RDS(on)=0.8Ω
PTP840
TO-220
（VGS=10V，ID=4A） 1.9A/600V，RDS(on)=4.7Ω
PTD2N60
TO-252
（VGS=10V，ID=0.95A） 1.9A/600V，RDS(on)=4.7Ω
PTU2N60
TO-251
（VGS=10V，ID=0.95A） 2A/600V，RDS(on)=4.7Ω
PTF2N60
TO-220F
（VGS=10V，ID=1.0A） 2A/600V，RDS(on)=4.7Ω
风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、 逆变器、
电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、
HID电子镇流器，节能灯，开关电源、
工控设备，电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、
工业电源，HID电子镇流器，节能灯，开关电源、
风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、 逆变器、
PTF8N60
TO-220F
（VGS=10V，ID=3.75A） 7.5A/600V，RDS(on)=1.2Ω
PTP8N60
TO-220
（VGS=10V，ID=3.75A） 4A/500V，RDS(on)=0.8Ω
PTD5N50
TO-252
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此区域工作受限于RDS(ON)
100µs 1ms 10ms
DC
注：
1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个信号
101
102
103
漏源电压 - VDS(V)
漏电流 - ID(A)
杭州士兰微电子股份有限公司
漏电流 - ID(A)
漏源导通电阻（标准化） – RDS(on)（Ω）
包装形式 料管 料管 袋装 料管 料管 料管 编带
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版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第1页
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
符号
漏源电压
VDS
栅源电压
VGS
2.0
1.3
8.0
35
30
44
0.28
0.24
0.35
115 -55～+150 -55～+150
SVF2N 单位 60F V V
A
A
23
W
0.18 W/°C
mJ
°C
°C
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻
符号
RθJC RθJA
SVF2N60M/D SVF2N60MJ
3.7
3.57
110
110
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应 晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
0
50 100 150 200
结温 – TJ(°C)
图9-2. 最大安全工作区域(SVF2N60MJ)
102
101
100
10-1
10-2 100
此区域工作受限于RDS(ON)
100µs 1ms 10ms
DC
注：
1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个信号
101
102
103
漏源电压 - VDS(V)
漏极电流
TC=25°C ID
TC=100°C
漏极脉冲电流
IDM
耗散功率(TC=25°C)
- 大于 25°C 每摄氏度减少
PD
单脉冲雪崩能量(注 1)
EAS
工作结温范围
TJ
贮存温度范围
Tstg
SVF2N 60M/D
34 0.27
参数范围
SVF2N 60MJ
SVF2N 60N
SVF2N 60T
600
±30
图 10. 最大漏电流vs. 壳温
2.0
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
150
壳温– TC (°C)
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版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第5页
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
单位: mm
TO-126-3L
单位: mm
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版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第7页
封装外形图 （续）
TO-251D-3L
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
单位: mm
TO-251J-3L
单位: mm
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典型特性曲线（续）
电容（pF）
600 500 400 300 200
100
图5. 电容特性
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd
Ciss Coss Crss
注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz
0
0.1
1
10
100
漏源电压 – VDS（V）
符号 BBVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on)
tr td(off)
tf Qg Qgs Qgd
测试条件 VGS=0V， ID=250µA VDS=600V，VGS=0V VGS=±30V，VDS=0V VGS= VDS，ID=250µA VGS=10V，ID=1.0A
与待测器件
VGS
参数一致
Qg
50KΩ
10V VDS
12V
200nF
300nF
Qgs
Qgd
VGS
3mA
待测器件
电荷量
VDS VGS RG
10V
开关时间测试电路及波形图
RL
VDD
待测器件
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
RG 10V
tp
VDS ID
EAS测试电路及波形图
VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz
VDD=300V，ID=2.0A， RG=25Ω
(注 2，3)
VDS=480V，ID=2.0A，
VGS=10V
(注 2，3)Βιβλιοθήκη 最小值 600 --2.0 ------------
典型值 ----3.7
250.1 35.7 1.1 9.2 23.4 15.3 20.1 5.67 1.74 1.99
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封装外形图 （续）
TO-220F-3L(1)
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
单位: mm
3.30±0.25
15.75±0.50 6.70±0.30
15.80±0.50
9.80±0.50
3. 基本上不受工作温度的影响。
典型值 ---230 1.0
最大值 2.0 8.0 1.4 ---
典型特性曲线
单位
A
V ns µC
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附：
修改记录：
日期 2010.09.20 2010.10.21 2011.06.28 2011.09.01 2011.11.16
版本号 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4
描
述
原版
修改“典型特性曲线”、“封装外形图”、说明书模板
增加“TO-251D-3L”、“TO-251J-3L”和TO-126-3L封装
漏电流 - ID(A)
漏电流 - ID (A)
漏电流 - ID(A)
图9-4. 最大安全工作区域(SVF2N60F)
102
此区域工作受限于RDS(ON) 101
100µs 1ms
100
10ms
DC
10-1 注：
1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个信号
10-2
100
101
102
103
漏源电压- VDS(V)
版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第4页
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
典型特性曲线（续）
漏电流 - ID(A)
图9-3. 最大安全工作区域(SVF2N60T)
102
此区域工作受限于RDS(ON) 101
100µs 1ms
10ms 100
DC
10-1 注：
1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个信号
10-2
100
101
102
103
漏源电压- VDS(V)
图9-5. 最大安全工作区域(SVF2N60N)
102
101
100
10-1
10-2 100
此区域工作受限于RDS(ON)
100µs 1ms 10ms DC
注：
1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个信号
101
102
103
漏源电压- VDS(V)
修改“封装外形图”
删除TO-251-3L封装
页码
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版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第11页
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产品名称 SVF2N60M SVF2N60MJ SVF2N60N SVF2N60F SVF2N60T SVF2N60D SVF2N60DTR
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声明： • •
•
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完 整和最新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情 况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！