华侨大学本科考试卷 微电子器件与电路(16集成)2017-2018期末测试卷B卷
6012微电子器件跟电路期末考试开卷资料精
1 / 12姓名：麻省理工学院电气工程与计算机系6.012微电子器件与电路期末考试开卷注意:1. 除非特殊说明,假设室温下对于Si来说KT/q的值为0.025 V, KT/q ln10=60 mV,ni=1010cm-3、q=1.6 x 10-19 Coul。
2. 考试的大部份题目都能够独立解决。
3. 所有的答案必须写在卷子上。
上交任何其他的答案纸将不计入成绩。
4. 可以取合理的近似值和假设。
说明且证明这些假定和近似是合理的。
5. 检查试卷共十二(12)页，确定在试卷顶部空白位置写上你的名字。
6. 可以从2002年1月7日开始在13-3058房间看到期末考试成绩。
教师评分用 第一题------- （30%）第二题------- （25%）第三题------- （20%）第四题------- （25%）总分2/12第一题（30分）三个独立的小问题a)一个独立的1017cm-3N-型Si样品，1600 cm2/V-s的电子迁移率，600 cm2/V-s的空穴迁移率，少数载流子寿命只有10-5s，在光照射下，它的表面均一的产生G L电子空穴对/cm3-s，过剩空穴数为1018 cm-3。
i）室温下热平衡状态下载流子浓度n o 和 p o分别是多少？n o =__________p o=__________ii）被照射样品的电导率σ是多少？σ=_____________iii）n' 和 p'与 G L的关系（近似）并解释。
是因为b)这个小问题涉及到的MOS电容器结构在下面有插图说明。
在这个电容器中，n+-Si作为金属门电极。
氧化物的厚度是50 nm (5 x 10-6cm) 电介质常数是3.3x10-13F/cm. Si的电介质常数是10-12F/cm ，室温下 n i= 1010cm-3。
i）本结构中平带电压V FB是多少？V FB=_________第一题在下页继续3/12继续第一题ii）在阈值情况下（也就是p-Si表面在x=0时是反型层开始），静电电压变化ΔΦ是多少，穿越p-型Si的耗尽区有多宽？ΔΦ=_____________x Dp=_____________iii)在与ii) 相同的情况下，在n+-Si中，耗尽区宽度和静电势变化分别是多少？xDn+ (在n+-Si时)=_____________ΔΦ (在n+-Si时)=_____________c）考虑下面给出的电路。
华侨大学电阻电路试题
电 阻 电 路 试 题
旷 建 军 的 讲 义
16. 如图16所示电路，电压 u 等于：( D ) (A) 1V, (B) 3V, (C) 5V, (D) 7V, (E) 9V.
v2
1Ω 1Ω 1Ω 1Ω 1Ω
v1
图16
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2Ω
2Ω
6Ω
图9
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电 阻 电 路 试 题
旷 建 军 的 讲 义
10. 如图10所示电路，电压 u = -6V .
S
3Ω
a
1Ω
3Ω
1Ω
图10
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电 阻 电 路 试 题
旷 建 军 的 讲 义
( 15. 如图15所示电路，电压 u 等于： A ) (A) 2V, (B) 4V, (C) 6V, (D) 8V, (E) 10V.
4Ω 2Ω
3Ω
1Ω
图15
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图10
电 阻 电 路 试 题
旷 建 军 的 讲 义
11. 如图11所示电路，a、b端的等效电阻等于：( D ) (A) 3Ω, (B) 4Ω, (C) 5Ω, (D) 6Ω, (E) 8Ω.
6Ω
18Ω
9Ω
12Ω
图பைடு நூலகம்1
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5. 如图5所示电路，电阻 R 等于： ( D ) (A) 2Ω, (B) 4Ω, (C) 6Ω, (D) 8Ω, (E) 10Ω.
华侨大学本科考试卷
华侨大学本科考试卷一、单项选择(15题,每题2分,共30分)1、以下系统中不能对企业的资金流信息进行管理的是（D ）。
A ERPⅡB MRPⅡC ERPD MRP2、下列项目中不属于信息特征的是（A ）A 有效性B 等级性C变换性 D 不完全性3、以下战略中（D）不能提高信息传递的速度。
A JITB 信息伙伴C 虚拟组织D 跨国公司4、以下各点中，（C）不是诺兰阶段模型中提出的信息系统发展的阶段之一。
A 初装B 蔓延C 成长D 成熟5、在以下各点中，（C ）不是UC矩阵的作用之一。
A 进行数据的完整性和匹配性检查B 划分子系统C 生成数据流程图D在网络中进行数据资源的分布6、系统可行性分析的主要内容是（D ）A 经济可行性B 技术可行性C 管理上的可行性D 以上全部7、系统设计的任务是：在系统分析提出的逻辑模型的基础上，科学合理地进行（C ）的设计。
A 概念模型B 逻辑模型C 物理模型D 数学模型8、系统设计工作的重点在于（D）A 了解当前系统的状况B 了解系统的要求C 对数据收集与调研D 以上都不是9、某种代码由两位字符组成，第一位为英文字母，第二位为0-9（数字），共可组成_A__种代码？A 260B 234C 250 D22510、下列系统切换方法中，最快捷的是（A ）A 直接切换B 并行切换C 分段切换D 试点切换11、管理信息系统的开发会受到来自企业各个层次的人员的阻力，其中（B）是来自基层的阻力。
A 不真正了解MIS及其作用，不重视、不亲自参与B 担心自己的工作被计算机代替或由于难以改变自己的工作方式而采取不合作态度C 没有全面掌握IT各方面的知识和技能，不了解最新的发展动态D 担心新的MIS会使权利结构与管理方式发12.信息系统的评价应有哪些人员参加（D ）。
A 系统开发人员、系统管理与维护文员、外部专家B 系统用户、企业领导、系统管理与维护人员C 外部专家D 以上全部13、DSS中最复杂与最难实现的部分是（B ）A 数据库B 模型库C 方法库D 知识库E 对话管理子系统14、GDSS可以哎相当大程度上克服传统群体决策中的多种弊端，但对（D）问题无能为力。
多功能集成电路考核试卷
B.硅
C.铝
D.钨
5.在集成电路设计中，以下哪个参数不是描述晶体管的重要参数？（）
A.电流放大倍数
B.饱和电压
C.耗散功率
D.频率响应
C.非门
D.异或门
7. TTL型集成电路的逻辑“1”输出电压通常是（）。
A. 0V
B. 5V
C. 10V
A.尺寸缩小
B.集成度提高
C.速度加快
D.功耗降低
E.成本上升
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.集成电路（IC）是由许多微小的电子元件组成的，这些元件主要是基于______材料制作的。
2.在数字电路中，逻辑门是实现逻辑功能的基本单元，其中与非门（AND-NOT）的逻辑表达式为______。
B.蚀刻技术
C.化学气相沉积
D.分子束外延
E.离子注入
12.数字集成电路的常见逻辑系列包括以下哪些？（）
A. TTL
B. CMOS
C. ECL
D. ICL
E. BiCMOS
13.以下哪些是微电子技术的应用领域？（）
A.计算机技术
B.通信技术
C.智能控制
D.医疗电子
E.航空航天
14.集成电路设计中需要考虑的电气特性包括以下哪些？（）
7.金属互连是集成电路中用于连接各个器件和层的主要材料。( )
8.集成电路的制造过程中，光刻技术的精度决定了电路的最小特征尺寸。( )
9.在模拟集成电路中，放大器的带宽与晶体管的电流放大倍数成正比。( )
10.随着技术的发展，集成电路的尺寸会越来越大，集成度会越来越低。( )
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
华侨大学数电期末考试试卷
华侨大学 数字电子技术试卷（A）
班级 姓名 学号 考试日期 成绩 年 月 日
一、填空题： （15%） （1） ：(42 . 39 )10 = ( )余 3BCD ( )8 = ( )16 , 要求误差不大于 10% 。 （2） ：试计算基本 TTL 与非门 7410 带同类门时的扇出数 N= 。 （IOL=16mA，IIL= -1.6mA，IOH=0.4mA，IIH=0.04mA ） （3） ：逻辑函数 F A B C D E 的对偶式 F =（
华侨大学期末期中试卷09-10期末考计算题
其方向为逆时针绕行方向。
21
t 0 BS
B0 sin tS cos t B0 S sin 2t 2 d i B0 S cos 2t
dt
( )
3
22
t
3
2 / 3( s ) w
2
23
y A cos(t
x 0 )
0.04cos(0.4 t 5 x )
2
(2)把x=0.2带入上式
对第五级亮条纹，有
k 5
sin '
x ' 5 0.58l D d x ' 1.99(cm)
解法2： 直Hale Waihona Puke 三角形线框所围平面上的磁通量为
b
0
0 Iy d x Ib 0.15 0 I b 0.05 0 ln 0.05 2 ( x 0.05)
2.59 108 I ( SI )
三角形线框中的感应电动势大小为
d /d t 2.5910 (d I /d t ) 5.1810 V
20.如图所示，长直导线AC中 dS=ydx=[(a+bx)l/b]dx 的电流I沿导线向上，并以dI m B d s s /dt = 2 A/s的变化率均匀增长. a b I a b x 0 ldx 导线附近放一个与之同面的直 a 2 x b 角三角形线框，其一边与导线 0 Il ab (a b) ln a b 平行，位置及线框尺寸如图所 2b 示. 求此线框中产生的感应电 l d l a b dI m 0 (a b) ln b ℰ dt 2b a dt 动势的大小和方向. 5.18 108V 负号表示逆 （a=5cm,b=10cm ) 解: 取顺时 y 时针 针为三角形 C 回路电动势 正向,得三 I l 角形面法线 垂直纸面向 x 里.取窄条 A a b 面积微元
微电子学基础考核试卷
B.高压测试
C.高速开关测试
D.热循环测试
10.以下哪些技术被用于微电子器件的互连技术？（）
A.铝互连
B.铜互连
C.金互连
D.硅互连
11.下列哪些因素会影响集成电路的功耗？（）
A.电压
B.频率
C.电路设计
D.制造工艺
12.以下哪些属于CMOS工艺的优点？（）
A.低功耗
B.高集成度
C.宽工作电压范围
3. NMOS晶体管在_______电平下导通，而PMOS晶体管在_______电平下导通。
4.微电子器件的_______测试是用来检测器件在高温条件下的性能稳定性。
5.金属-氧化物-半导体（MOS）结构中，金属通常指的是_______。
6.在微电子器件设计中，_______是指电路中电流流动的路径。
D.硼磷硅玻璃
6.数字集成电路的逻辑功能测试主要包括（）
A.功能测试
B.真值表测试
C.边沿测试
D.状态机测试
7.以下哪些是功率MOSFET的特点？（）
A.高电压
B.高电流
C.低导通电阻
D.高开关频率
8.下列哪些是集成电路封装的作用？（）
A.保护芯片
B.电气连接
C.散热
D.防止信号干扰
9.半导体器件的可靠性测试中，以下哪些测试方法可以用来评估器件的寿命？（）
D.易于与BiCMOS工艺兼容
13.下列哪些是微电子器件设计中考虑的安全因素？（）
A.电磁兼容性
B.静电放电
C.过压保护
D.短路保护
14.以下哪些技术被用于提高集成电路的散热性能？（）
A.散热片
B.热管
C.热电冷却器
电子工程与微电子技术应用考核试卷
A.电阻
B.电容
C.电感
D.晶体管( )
2.在CMOS技术中，N沟道MOSFET在导通状态下，其D-S之间的电压是：
A.正
B.负
C.零
D.无法确定( )
3.关于二极管的特性，下列描述正确的是：
A.正向导通，反向截止
B.正向截止，反向导通
C.正向截止，反向截止
D.正向导通，反向导通( )
A.单晶硅太阳能电池
B.多晶硅太阳能电池
C.非晶硅太阳能电池
D.硅薄膜太阳能电池( )
20.以下哪些是数字信号处理（DSP）的应用？
A.语音识别
B.图像处理
C.数据压缩
D.信号调制( )
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.在N沟道增强型MOSFET中，当VGS小于Vth时，MOSFET处于_______状态。
C. PGA封装
D. 3D封装( )
10.以下哪些是电子设计中常见的噪声源？
A.热噪声
B.散粒噪声
C.闪烁噪声
D.电源噪声( )
11.以下哪些是数字电路中的基本逻辑门？
A.与门
B.或门
C.非门
D.异或门( )12.以下些是光纤通信的优点？A.高带宽
B.抗电磁干扰
C.低损耗
D.成本低( )
13.以下哪些是微控制器的外设？
2. ABC
3. AB
4. BD
5. ABCD
6. ABCD
7. AB
8. ABCD
9. ABCD
10. ABCD
11. ABCD
12. ABC
13. ABC
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华侨大学本科考试卷
2017 —2018 学年 第 二 学期（B 卷）
学院 信息科学与工程学院 课程名称 微电子器件与电路 考试日期
姓名 专 业 集成电路与集成系统 学 号
题号 1 2 3 4 5 6 7 8 合计 分值 10 8 10 10 12 15 25 10 100 得分
常用物理量：
Si 本征载流子浓度1031.510i n cm −=× 电子电荷量191.610q C −=× 硅电子亲和能 4.01si q eV χ= 硅禁带宽度 1.12g E eV = 热电压 /26T V kT q mV == 真空介电常数1408.8510/F cm ε−=× 硅介电常数 011.7si εε= 二氧化硅介电常数 203.9siO εε= 金属铝的功函数为 4.28m q eV φ=
单位换算：369121510;10;10;10;10m n p f m −−−−−=====
1.[10%]硅材料加入硼原子使得杂质浓度为163410a N cm −=× 。
(1) T=300K 时，平衡态电子和空穴浓度是多少？【2%】 (2) T=600K 时，硅材料的本征载流子浓度。
【3%】 (3) T=600K 时，平衡态电子和空穴浓度是多少？【3%】 (4) 为什么高温的时，载流子浓度增加？【2%】。