DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别
DDR,DDR2,DDR3内存区别在哪些地方
DDR,DDR2,DDR3内存区别在哪些地方?DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR 内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。
DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。
但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。
DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V 电压的LVTTL标准。
DDR2的详解RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。
与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。
DDR和DDR2,DDR3的区别
DDR和DDR2，DDR3的区别以及如何从外观上分辨出来(图文) 内存现在有三种DDR,DDR2,DDR3.三种有什么不同呢.怎么从外观上来分辨呢.
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR
内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
1.防呆缺口 DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；
DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；
DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚.
2、DDR内存的颗粒为长方形
DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形,而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一3、使用电压不同
DDR2的电压1.8V
DDR3的电压1.5V。
DDR、DDR2、DDR3内存芯片采用什么技术提高访问速度
DDR、DDR2、DDR3内存芯片采用什么技术提高访问速度姓名：齐美娜班级：08065501学号：0806550104严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DD R SDRAM，就认为是SDRAM。
其实，DDR是一种继SDRAM后产生的记忆体技术，D DR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思义，就是双资料传输模式。
之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单资料传输模式”，这种记忆体的特性是在一个记忆体时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作(读或写)，而DDR则引用了一种新的设计，其在一个记忆体时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR记忆体与SDR记忆体相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
DDR记忆体采用184线结构，不向后相容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统。
DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准. DDR2记忆体将是现有DDR1记忆体的换代产品，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高（包括现代在内的多家记忆体商表示不会推出DDR 2 400的记忆体产品）。
从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR 2记忆体将拥有400-、533、667MHz等不同的时钟频率。
高端的DDR2记忆体将拥有800-、1000MHz两种频率。
DDR2记忆体将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。
最初的DDR2记忆体将采用0.13微米的生产工艺，记忆体颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。
DDR2将采用和DDR1记忆体一样的指令，但是新技术将使DDR2记忆体拥有4到8路脉冲的宽度。
带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别
带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别【武汉电脑维修培训】课前热身图1就是三代内存的全家照，从上到下分别是DDR3、DDR2、DDR。
大家牢牢记住它们的样子，因为后面的内容会提到这幅图。
(图1)DDR3,DDR2,DDR外观区别防呆缺口：位置不同防插错图1红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口，目的是让我们安装内存时以免插错。
我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口，大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片，就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。
比如DDR 内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，缺口右边为40个针脚；DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。
芯片封装：浓缩是精华在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。
同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。
一般来说，DDR内存采用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）封装技术，又长又大。
而DDR2和DDR3内存均采用FBGA（底部球形引脚封装）封装技术，与TSOP相比，内存颗粒就小巧很多，FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。
TSOP是内存颗粒通过引脚（图2黄色框）焊接在内存PCB上的，引脚由颗粒向四周引出，所以肉眼可以看到颗粒与内存PCB接口处有很多金属柱状触点，并且颗粒封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，但焊点和PCB的接触面积较小，使得DDR内存的传导效果较差，容易受干扰，散热也不够理想。
(图2)一颗DDR现代内存芯片焊接细节-黄色部分为焊接引脚FBGA封装把DDR2和DDR3内存的颗粒做成了正方形（图3），而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，内存PCB上也看不到DDR内存芯片上的柱状金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被“包裹”起来了，外面自然看不到。
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别DDR3、DDR2和DDR（又称为DDR1）是计算机系统中常见的内存标准。
它们在工作原理和技术上有一些区别，下面是关于它们的详细介绍。
1. DDR3（Double Data Rate 3）：DDR3是一种内存技术标准，它是DDR2的升级版本。
DDR3相比于DDR2有更高的带宽和更低的功耗。
工作原理：DDR3内存的工作原理是在时钟的上升沿和下降沿两个时刻读取数据，因此它被称为双倍数据率。
数据传输速度是时钟速度的两倍，例如DDR3-1600的内存模块实际传输速度为3200MB/s。
技术区别：-电压：DDR3的工作电压为1.5V，比DDR2的电压低，可以节省功耗并降低发热。
-带宽：DDR3的带宽比DDR2更高。
DDR2的带宽是每个内存信号线上每个时钟周期传输的位数乘以时钟速度，而DDR3通过使用更高的时钟速度和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力：DDR3的寻址能力比DDR2更高，可以支持更大的内存容量。
-内存频率：DDR3支持更高的内存频率，从800MHz到2133MHz以上。
2. DDR2（Double Data Rate 2）：DDR2是DDR的升级版，它具有更高的频率、更低的功耗和更高的密度。
工作原理：DDR2内存也是在上升沿和下降沿两个时刻读取数据，实现双倍数据率传输。
技术区别：-电压：DDR2的工作电压为1.8V，比DDR的电压低，能够降低功耗。
-带宽：DDR2的带宽比DDR更高。
DDR2使用更高的频率和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力：DDR2具有更高的寻址能力，能够支持更大的内存容量。
-内存频率：DDR2的内存频率从400MHz到1066MHz。
3. DDR（Double Data Rate）：DDR是首个双倍数据率内存技术的标准，它在之前的SDRAM的基础上提高了数据传输速率和带宽。
工作原理：DDR内存是在上升沿读取数据。
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别转贴DDR2与DDR的区别（1）DDR的定义：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。
这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。
作为对比，在每个设备上DDR 内存只能够使用一个DRAM核心。
技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR 内存可以处理的2bit数据高了一倍。
DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。
首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2的定义：DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR 内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
内存篇-DDR2、DDR3、DDR4内存是什么意思,有什么区别
内存篇-DDR2、DDR3、DDR4内存是什么意思,有什么区别内存篇-DDR2、DDR3、DDR4内存是什么意思，有什么区别DDR 全称是DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM），也就是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR 内存是目前主流的电脑存储器，现在市面上有DDR2、DDR3 和DDR4 这 3 种类型。
最大的区别就是断口不同了◎DDR2 内存：DDR 是现在的主流内存规范，各大芯片组厂商的主流产品全部是支持它的。
DDR2 内存其实是DDR 内存的第二代产品，与第一代DDR 内存相比，DDR2 内存拥有两倍以上的内存预读取能力，达到了4bit 预读取。
DDR2 内存能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。
DDR2 已经逐渐被淘汰，但在二手电脑市场可能还会看到。
◎DDR3 内存：相比于DDR2 有更低的工作电压，且性能更好、更为省电。
从DDR2的4bit 预读取升级为8bit 预读取，DDR3内存使用了0.08μm 制造工艺，其核心工作电压从DDR2 的1.8V 降至 1.5V，相关数据预测DDR3 比DDR2 节省30% 的功耗。
在目前的多数家用电脑中，都在使用DDR3 内存。
◎DDR4 内存：DDR4 内存是目前最新一代的内存规格，DDR4 相比于DDR3 最大的性能提升有以下3 点。
16bit 预读取机制，相对于DDR3 8bit 预读取，在同样内核频率下理论速度是DDR3 的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。
小提示：从工作原理上说，内存包括随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和高速缓存（Cache）。
平常所说的内存通常是指随机存储器，它既可以从中读取数据，也可以写入数据，当电脑电源关闭时，存于其中的数据会丢失；只读存储器的信息只能读出，一般不能写入，即使停电，这些数据也不会丢失，如BIOS ROM；高速缓存在电脑中通常指CPU的缓存。
各类内存条DDR2和DDR3的区别
各类内存条DDR2和DDR3地区别电脑内存条地作用、类型以及内存插槽.内存条地作用内存是电脑中地主要部件，它是相对于外存而言地.我们平常使用地程序，如WindowsXP系统、打字软件、游戏软件等，一般口；SDRAM dimm 为168Pin DIMM结构，如下图.金手指没面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入接口时，错误将内存反方向插入导致烧毁.不可否认地是，SDRAM 内存由早期地66MHz，发展后来地100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽地瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒地话题，所以不少用户将品牌好地PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提地是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范地内存.尽管SDRAM PC133内存地带宽可提高带宽到1064MB/S，加上有[/caption]芯片和模块标准名称 I/O 总线时脉周期内存时脉数据速率传输方式模组名称极限传输率DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million 并列传输 PC-1600 1600 MB/sDDR-266 133 MHz 7.5 ns 133 MHz 266 Million 并列传输 PC-2100 2100 MB/sDDR-333 166 MHz 6 ns 166 MHz 333 Million 并列传输 PC-2700 2700 MB/s题.一款装有散热片地DDR2 1G内存条DDR内存插槽DDR2 能够在100MHz 地发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 地带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率.此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽地利用率.从JEDEC组织者阐述地DDR2标准来看，针对PC等市场地DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同地时钟频率.高端地DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率.DDR-II内存将采用200-、5300PC2-5400 5333 MB/s 64 位DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 MT/s 并行传输 PC2-6400 6400 MB/s 64 位DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 MT/s 并行传输PC2-8500PC2-8600 8533 MB/s 64 位现时有售地DDR2-SDRAM已能达到DDR2-1200，但必须在高电压下运作，以维持其稳定性.四、DDR3内存条为读A-DATA出品地DDR3内存条（DDR SDRAM）[/caption]各类DDR2内存条地技术参数标准名称 I/O 总线时脉周期内存时脉数据速率传输方式模组名称极限传输率位元宽DDR3-800 400 MHz 10 ns 400 MHz 800 MT/s 并列传输 PC3-6400 6.4 GiB/s 64 位元DDR3-1066 533 MHz 712 ns 533 MHz 1066 MT/s 并列传输PC3-8500 8.5 GiB/s 64 位元DDR3-1333 667 MHz 6 ns 667 MHz 1333 MT/s 并列传输 PC3-102GB地16个逻辑Bank做好了准备.封装（Packages），DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格.并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质.突发长度（BL，Burst Length），由于DDR3地预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期地DDR架构地系统，BL=4也是常用地，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4地读取操作加上一个BL=4地写入操作来合成一个BL=8地（时能，并为此专门准备了一个引脚.DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现.这一引脚将使DDR3地初始化处理变得简单.当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有地操作，并切换至最少量活动地状态，以节约电力.在Reset期间，DDR3内存将关闭内在地大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭.所有内部地程式装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上地任何动静.这样一来，将使DDR3达到最节省电力地目地. 新增功能──ZQ校准，ZQ也是一个新增地脚，在这个引脚上接有一个240欧姆地低公差参考电阻.这个引脚透过一个命令集，。
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DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别转贴DDR2与DDR的区别（1）DDR的定义：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR 内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。
这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。
作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。
技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR 内存可以处理的2bit数据高了一倍。
DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。
首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR 内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2的定义：DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II 封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。
回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
要注意的是：DDR2不兼容DDR，除非主板标明同时支持。
DDR2与DDR的区别：在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。
这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。
换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。
也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。
举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。
实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。
这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。
而DDR2内存均采用FBGA封装形式。
不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。
DDR II 通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。
使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。
我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。
它大大增加了主板的制造成本。
实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。
因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。
DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。
使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。
在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。
原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。
由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
为何包括Intel和AMD以及A-DATA在内的众多国际顶级厂商都致力于DDR3的开发与应用呢？由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到了200MHz，因此，再向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。
另外，也是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是：1．更高的外部数据传输率2．更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构3．在保证性能的同时将能耗进一步降低为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：DDR3DDR3与DDR2的不同之处DDR3可以看作DDR2的改进版。
1、逻辑Bank数量DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。
而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。
并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL，Burst Length）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR 架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
3、寻址时序（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。
DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。
另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
4、新增功能——重置（Reset）重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。
DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。
在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。
所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。
这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
5、新增功能——ZQ校准ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。
这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。
当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。