磁控溅射实验报告
磁控溅射实验报告
磁控溅射实验报告竭诚为您提供优质文档/双击可除磁控溅射实验报告篇一：薄膜实验报告,磁控溅射与高真空成膜电子科技大学实验报告姓名：郭章学号：20XX054020XX2指导教师：许向东日期：20XX年6月12日一，实验室名称：光电楼薄膜制备实验室二，实验项目名称：有机多功能高真空成膜设备的使用及其注意事项三，实验原理有机oLeD器件的制备流程分为：IT o玻璃清洗→光刻→再清洗→前处理→真空蒸镀有机层→真空蒸镀背电极→真空蒸镀保护层→封装（1）ITo玻璃的洗净及表面处理：IT o 作为阳极其表面状态直接影响空穴的注入和与有机薄膜层间的界面电子状态及有机材料的成膜性。
如果ITo表面不清洁，其表面自由能变小，从而导致蒸镀在上面的空穴传输材料发生凝聚、成膜不均匀。
也有可能导致击穿，使面板短路。
对洗净后的IT o玻璃还需进行表面活化处理，以增加IT o 表面层的含氧量，提高ITo表面的功函数。
也可以用比例为水:双氧水:氨水=5:1:1混合的过氧化氢溶液处理ITo表面，使ITo表面过剩的锡含量减少而氧的比例增加，以提高ITo 表面的功函数来增加空穴注入的几率，可使oLeD器件亮度提高一个数量级。
（2）有机薄膜的真空蒸镀工艺：LeD器件需要在高真空腔室中蒸镀多层有机薄膜，薄膜的质量关系到器件质量和寿命。
在高真空腔室中设有多个放置有机材料的坩埚，加热坩埚蒸镀有机材料，并利用石英晶体振荡器来控制膜厚。
有机材料的蒸发温度一般在170℃～400℃之间、IT o样品基底温度在40℃～60℃（3）金属电极的真空蒸镀工艺：金属电极仍要在真空腔中进行蒸镀。
金属电极通常使用低功函数的活泼金属，因此在有机材料薄膜蒸镀完成后进行蒸镀。
金属电极材料的蒸发一般用加热电流来表示，在我们的真空蒸镀设备上进行蒸镀实验，实验结果表明，金属电极材料的蒸发加热电流一般在20A～50A之间。
（4）器件封装工艺：LeD器件的有机薄膜及金属薄膜遇水和空气后会立即氧化，使器件性能迅速下降，因此在封装前决不能与空气和水接触。
实验二 磁控溅射实验
磁控溅射实验姓名：孟超学号：38092105一、磁控溅射原理磁控溅射是制备固体薄膜的重要技术手段之一，已被广泛地应用于科学研究和工业生产中。
磁控溅射的原理是，电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出氩离子和电子，电子飞向基片，氩离子在电场的加速作用下轰击靶材，溅射出靶材原子或分子，呈中性的靶原子或分子沉积在基片上形成的薄膜。
电子在加速飞向基片的过程中受到靶表面附近磁场洛仑兹的影响，被束缚在靠近靶面区域内做螺旋运动，导致更多的碰撞产生更多的电离，使得该区域内等离子体密度很高。
在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子体密度很高。
在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材。
磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。
电子的归宿不仅仅是基片，真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。
但一般基片与真空室及阳极在同一电势。
磁场与电场的交互作用使单个电子轨迹呈三维螺旋状，而不仅仅在靶面圆周运动。
至于靶面圆周型的溅射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状。
磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。
磁控溅射的基本原理是利用Ar-02混合气体中等离子体在电场和交谈磁场的作用下，被加速的高能粒子轰击靶材表面，能量交换后，靶材表面的原子脱离原晶格而逸出，转移到若何表面而成膜。
磁控溅射的特点是成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜。
该技术可以分为直流磁控溅射法和射频溅射法。
二、实验过程a)准备基片首先，我们是这学期做这个实验的第一组。
实验中使用的基片也是新买的，所以清洗的过程比较简便。
先是用蒸馏水简单漂洗，之后放到超声波振荡清洗槽中做进一步清洗。
b)放置基片开真空室前，必须确保真空室处于大气压状态。
打开位于机器后方的放气阀，渐渐增加腔内气压，当放气声音消失时不要立刻打开真空室，须等放气彻底再打开以免损坏机器。
旋转磁控溅射技术研究报告
旋转磁控溅射技术研究报告旋转磁控溅射技术研究报告引言：旋转磁控溅射技术是一种基于磁场控制下的溅射工艺，通过使用旋转式靶材和外加磁场，实现对溅射材料进行均匀喷涂的技术。
本报告旨在研究旋转磁控溅射技术的原理、工艺参数以及应用领域，以期推动该技术的研发和应用。
一、旋转磁控溅射技术原理旋转磁控溅射技术的核心是通过磁场和靶材的旋转运动实现溅射材料均匀喷涂。
在溅射过程中，加在靶材上的高能量粒子（如离子、电子等）撞击靶材，将其表面的原子或分子击碎，喷射到目标表面上形成薄膜。
而通过控制外加磁场和靶材的旋转，可以使靶材上的喷射均匀分布在目标表面上，提高薄膜的质量和均匀性。
二、旋转磁控溅射技术的工艺参数1. 旋转速度：旋转速度是控制基底与靶材之间相对运动的关键参数。
合适的旋转速度可以实现均匀的溅射并优化薄膜的厚度和质量。
2. 靶材与基底的距离：控制靶材与基底的距离可以调节溅射材料到达目标表面的能量和角度。
合理的距离能够确保薄膜的均匀性和粘附力。
3. 磁场强度：磁场的强度直接影响到溅射离子的运动轨迹和击碎效果。
适当的磁场强度能够提高溅射效果，改善薄膜的致密性和结晶度。
4. 气体流量：在溅射过程中，通过提供适量的惰性气体（如氩气）可以稳定等离子体放电并保持薄膜成分的纯净度。
三、旋转磁控溅射技术的应用领域1. 太阳能电池薄膜：旋转磁控溅射技术可以用于制备各种太阳能电池的功能薄膜。
通过调节工艺参数，可以制备具有优异光电转换性能和稳定性的太阳能电池。
2. 导电薄膜：旋转磁控溅射技术可以用于制备导电薄膜，如透明导电膜、传感器电极等。
这些薄膜具有良好的导电性和光透过性，广泛应用于光电子器件和触摸屏等领域。
3. 防腐蚀涂层：利用旋转磁控溅射技术制备的防腐蚀涂层可以在金属表面形成坚硬、致密的保护层，有效延长金属材料的使用寿命。
4. 功能薄膜：旋转磁控溅射技术还可制备具有特殊功能的薄膜，如光学薄膜、防反射膜、硬质涂层等。
这些薄膜在光电子、光学和航空航天等领域有着广泛的应用。
磁控溅射氧化物实验报告
磁控溅射氧化物实验报告本实验旨在通过磁控溅射技术制备氧化物薄膜，并研究其形貌、晶体结构以及光学性质。
实验步骤：1. 制备基片：将针对不同实验要求的基片（如硅衬底片）进行清洗和去离子水超声清洗处理，然后放入超净室进行干燥处理。
2. 溅射目标的制备：将所需的目标样品加工成圆盘状，并进行抛光处理，确保样品表面平整和干净。
3. 溅射装置的准备：将所需目标样品装入溅射装置中，并进行真空抽气处理，以确保实验环境的清洁。
4. 加热基片：在溅射过程中，根据所需实验要求，进行基片的加热或者恒温处理。
5. 设置溅射工艺参数：根据所用的溅射目标材料和实验要求，设置相应的溅射功率、气体流量等参数。
6. 开始溅射：当真空环境达到要求后，打开溅射装置的功率开关，开始进行溅射，同时记录溅射时间。
7. 溅射结束：达到设定的溅射时间后，关闭溅射功率，停止溅射。
将样品从溅射装置中取出。
8. 氧化物薄膜的特性测试：对所得到的氧化物薄膜进行形貌、晶体结构和光学性质的测试与分析。
实验结果与分析：根据实验得到的氧化物薄膜样品，我们可以通过电子显微镜观察其形貌和厚度，并通过X射线衍射仪观察其晶体结构。
同时，我们可以利用紫外-可见-近红外光谱仪对样品的光学性质进行测试。
通过观察样品的形貌和厚度，我们可以评估溅射工艺参数对薄膜形貌和厚度的影响，比较不同实验条件下制备的氧化物薄膜的特性差异。
通过X射线衍射实验，我们可以确定样品的晶体结构，例如晶格常数、衍射峰的强度和位置等参数，以了解薄膜的结晶状态。
通过紫外-可见-近红外光谱实验，我们可以测量并分析样品的吸收光谱和透射光谱，了解样品的能带结构、能带宽度、能带间隙等光学性质。
结论：通过磁控溅射技术制备的氧化物薄膜具有较高的制备精度和均一性，可以获得所需的薄膜形貌和厚度。
通过对薄膜样品的形貌、晶体结构和光学性质的测试与分析，可以评估溅射工艺参数的影响，并优化制备过程，以获得更好的性能和应用前景。
此外，实验结果还可为进一步研究氧化物薄膜的物理性质和应用提供重要的基础数据。
磁控溅射法制备薄膜材料实验报告
实验一磁控溅射法制备薄膜材料一、实验目的1、详细掌握磁控溅射制备薄膜的原理和实验程序；2、制备出一种金属膜，如金属铜膜；3、测量制备金属膜的电学性能和光学性能；4、掌握实验数据处理和分析方法，并能利用 Origin 绘图软件对实验数据进行处理和分析。
二、实验仪器磁控溅射镀膜机一套、万用电表一架、紫外可见分光光度计一台；玻璃基片、金属铜靶、氩气等实验耗材。
三、实验原理1、磁控溅射镀膜原理（1）辉光放电溅射是建立在气体辉光放电的基础上，辉光放电是只在真空度约为几帕的稀薄气体中，两个电极之间加上电压时产生的一种气体放电现象。
辉光放电时，两个电极间的电压和电流关系关系不能用简单的欧姆定律来描述，以气压为1.33Pa 的 Ne 为例，其关系如图 5 -1 所示。
图 5-1 气体直流辉光放电的形成当两个电极加上一个直流电压后，由于宇宙射线产生的游离离子和电子有限，开始时只有很小的溅射电流。
随着电压的升高，带电离子和电子获得足够能量，与中性气体分子碰撞产生电离，使电流逐步提高，但是电压受到电源的高输出阻抗限制而为一常数，该区域称为“汤姆森放电”区。
一旦产生了足够多的离子和电子后，放电达到自持，气体开始起辉，出现电压降低。
进一步增加电源功率，电压维持不变，电流平稳增加，该区称为“正常辉光放电”区。
当离子轰击覆盖了整个阴极表面后，继续增加电源功率，可同时提高放电区内的电压和电流密度，形成均匀稳定的“异常辉光放电”，这个放电区就是通常使用的溅射区域。
随后继续增加电压，当电流密度增加到～0.1A/cm 2时，电压开始急剧降低，出现低电压大电流的弧光放电，这在溅射中应力求避免。
（2）溅射通常溅射所用的工作气体是纯氩，辉光放电时，电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。
氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，这些被溅射出来的原子具有一定的动能，并会沿着一定的方向射向衬底，从而被吸附在衬底上沉积成膜。
射频磁控溅射实验报告
一、实验目的本次实验旨在通过射频磁控溅射技术制备薄膜材料，并对其形貌、结构和性能进行分析。
通过实验，掌握射频磁控溅射技术的操作方法，了解薄膜材料制备的基本原理，并学会使用相关设备进行薄膜制备和性能测试。
二、实验原理射频磁控溅射技术是一种常用的薄膜制备方法，其基本原理是利用射频电磁场激发气体电离，产生等离子体，等离子体中的正离子在电场作用下轰击靶材表面，使靶材表面的原子或分子溅射出来，沉积在衬底上形成薄膜。
三、实验材料与设备1. 实验材料：- 靶材：纯度为99.99%的AlN靶材- 衬底：玻璃衬底2. 实验设备：- 射频磁控溅射系统- 真空泵- 氩气瓶- 氮气瓶- 超声波清洗机- 显微镜- 扫描电子显微镜（SEM）- X射线衍射仪（XRD）- 能量色散光谱仪（EDS）四、实验步骤1. 预处理：- 将靶材和衬底清洗干净，去除表面的油脂和杂质。
- 将清洗干净的靶材和衬底放入真空系统中，抽真空至1.0×10^-3 Pa。
2. 薄膜制备：- 将清洗干净的靶材和衬底放入射频磁控溅射系统中。
- 调节射频功率、气压、溅射时间和衬底温度等参数。
- 在设定的参数下进行溅射，制备AlN薄膜。
3. 薄膜性能测试：- 使用显微镜观察薄膜的形貌。
- 使用SEM观察薄膜的微观结构。
- 使用XRD分析薄膜的晶体结构。
- 使用EDS分析薄膜的成分。
五、实验结果与分析1. 薄膜形貌：通过显微镜观察，制备的AlN薄膜呈均匀的灰黑色，表面光滑，无明显缺陷。
2. 薄膜微观结构：通过SEM观察，制备的AlN薄膜呈柱状结构，柱间距约为100 nm。
3. 薄膜晶体结构：通过XRD分析，制备的AlN薄膜为六方晶系，具有较好的结晶质量。
4. 薄膜成分：通过EDS分析，制备的AlN薄膜主要由Al和N元素组成，符合理论计算结果。
六、实验结论通过射频磁控溅射技术成功制备了AlN薄膜，薄膜形貌、结构和性能良好。
实验结果表明，射频磁控溅射技术是一种制备高质量薄膜材料的有效方法。
薄膜磁控溅射实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的本次实验旨在通过磁控溅射技术制备不同材料薄膜，研究其制备过程中的工艺参数对薄膜质量的影响，并对薄膜的表面形貌、晶体结构、成分及性能进行分析。
二、实验原理磁控溅射技术是一种物理气相沉积方法，通过将靶材加热至一定温度，使其表面产生自由电子，然后在电场的作用下，自由电子与气体分子发生碰撞，产生等离子体，等离子体中的离子和电子被加速并轰击靶材表面，使靶材表面原子蒸发并沉积在衬底上形成薄膜。
三、实验设备与材料1. 实验设备：- 磁控溅射系统- 扫描电子显微镜（SEM）- X射线衍射仪（XRD）- X射线光电子能谱仪（XPS）- 红外光谱仪（IR）- 薄膜厚度测量仪2. 实验材料：- 靶材：Al、TiO2、ZnO等- 衬底：玻璃、硅等- 氩气、氮气等惰性气体四、实验步骤1. 清洗衬底：使用丙酮、乙醇、蒸馏水等清洗剂对衬底进行清洗，并在烘箱中干燥。
2. 装置准备：将靶材安装在磁控溅射系统上，设置靶材与衬底的距离、溅射气压、溅射时间等参数。
3. 磁控溅射：启动磁控溅射系统，进行溅射实验，制备薄膜。
4. 薄膜性能测试：使用SEM、XRD、XPS、IR等设备对薄膜的表面形貌、晶体结构、成分及性能进行分析。
五、实验结果与分析1. 薄膜表面形貌：SEM结果表明，Al、TiO2、ZnO等薄膜表面均匀，无明显缺陷。
2. 晶体结构：XRD分析表明，薄膜具有良好的晶体结构，晶粒尺寸较小。
3. 成分分析：XPS结果表明，薄膜中各元素含量符合预期。
4. 薄膜性能：- 硬度：Al、TiO2、ZnO等薄膜的硬度较高，具有良好的耐磨性能。
- 导电性：Al薄膜具有良好的导电性，适用于电子器件。
- 介电性能：TiO2、ZnO等薄膜具有良好的介电性能，适用于电容器等器件。
六、实验讨论1. 溅射气压对薄膜质量的影响：溅射气压越高，薄膜密度越大，晶粒尺寸越小，但溅射气压过高会导致薄膜表面出现缺陷。
2. 溅射时间对薄膜质量的影响：溅射时间越长，薄膜厚度越大，但溅射时间过长会导致薄膜内部应力增大，影响薄膜性能。
磁控溅射法制备薄膜实验报告
浙江理工大学物理实验报告薄膜技术及应用姓名：刘彬学号：200920101017班级：应用化学物理实验室实验名称：Cu3N薄膜的制备组别：1 日期：2010年12月20日成绩一、实验目的1．熟悉磁控溅射法的原理及其操作。
2．了解Cu3N薄膜的晶体结构与其制备工艺参数之间关系。
二、实验试剂及仪器JGP560CC型磁控溅射仪三、实验原理磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar和新的电子；新电子飞向基片，Ar在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。
在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。
若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。
随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。
由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。
磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。
入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。
在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。
四、实验过程：利用JGP560CC型磁控溅射仪，采用射频磁控溅射方法，按照表1中的工艺参数在玻璃基底上成功制备了Cu3N薄膜。
溅射时所用靶材为99.99%Cu靶，靶的直径为5cm，厚度2.5mm；靶和基片之间的距离为65mm；溅射所用气体是99.999%高纯氮气和氩气。
将基底在放入真空室之前，分别用丙酮和酒精超声波清洗，溅射前将真空室气压抽至2×10-5Pa，并通人氩气预溅射5min以清洗靶面；随后通入适量反应气体N2，两种气体的流量分别使用质量流量计控制，总气压为1 Pa。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
竭诚为您提供优质文档/双击可除
磁控溅射实验报告
篇一：薄膜实验报告,磁控溅射与高真空成膜
电子科技大学
实验报告
姓名：郭章
学号：20XX054020XX2
指导教师：许向东
日期：20XX年6月12日
一，实验室名称：光电楼薄膜制备实验室
二，实验项目名称：
有机多功能高真空成膜设备的使用及其注意事项
三，实验原理
有机oLeD器件的制备流程分为：ITo玻璃清洗→光刻→再清洗→前处理→真空蒸镀有机层→真空蒸镀背电极→真空蒸镀保护层→封装（1）ITo玻璃的洗净及表面处理：ITo
作为阳极其表面状态直接影响空穴的注入和与有机薄膜层
间的界面电子状态及有机材料的成膜性。
如果ITo表面不清洁，其表面自由能变小，从而导致蒸镀在上面的空穴传输材料发生凝聚、成膜不均匀。
也有可能导致击穿，使面板短路。
对洗净后的ITo玻璃还需进行表面活化处理，以增加ITo 表面层的含氧量，提高ITo表面的功函数。
也可以用比例为水:双氧水:氨水=5:1:1混合的过氧化氢溶液处理ITo表面，使ITo表面过剩的锡含量减少而氧的比例增加，以提高ITo 表面的功函数来增加空穴注入的几率，可使oLeD器件亮度提高一个数量级。
（2）有机薄膜的真空蒸镀工艺：LeD器件需要在高真空腔室中蒸镀多层有机薄膜，薄膜的质量关系到器件质量和寿命。
在高真空腔室中设有多个放置有机材料的坩埚，加热坩埚蒸镀有机材料，并利用石英晶体振荡器来控制膜厚。
有机材料的蒸发温度一般在170℃～400℃之间、ITo样品基底温度在40℃～60℃
（3）金属电极的真空蒸镀工艺：金属电极仍要在真空腔中进行蒸镀。
金属电极通常使用低功函数的活泼金属，因此在有机材料薄膜蒸镀完成后进行蒸镀。
金属电极材料的蒸发一般用加热电流来表示，在我们的真空蒸镀设备上进行蒸镀实验，实验结果表明，金属电极材料的蒸发加热电流一般在20A～50A之间。
（4）器件封装工艺：LeD器件的有机薄膜及金属薄膜遇水和空气后会立即氧化，使器件性能迅速下降，因此在封装前决不能与空气和水接触。
因此，oLeD的封装工艺一定要在无水无氧的、通有惰性气体（如氩气、氮气）的手套箱中进行。
封装材料包括粘合剂和覆盖材料。
粘合剂使用紫外固化环氧固化剂，覆盖材料则采用玻璃封盖，在封盖内加装干燥剂来吸附残留的水分。
四，实验目的：
1）掌握oLeD器件的实际制备过程及技术。
2）了解有有机多功能高真空成膜设备的使用方法及其流程，注意操作。
五，实验内容：
对oLeD器件的层次结构的制备过程进行了解。
六，实验器材：
oLeD-Ⅴ型有机多功能高真空成膜设备，mg
七，实验步骤：
1）打开冷却水系统及电源。
2）预处理室重启，打开后放入样品在传送杆托盘。
3）打开机械泵及分子泵前级机械泵。
4）打开真空计，查看真空度状态。
5）待有机室和金属室真空度达到数十pa时，关闭旁抽发，开分子阀闸板，给有机
室和金属室抽高真空。
6）样品预处理后，关闭预处理是旁边抽阀门。
7）打开预处理室有机真空的闸板阀，推进样品值有机室，通过前后机械手及升降旋转基片架，分别将样品及掩膜板转移至升降基片架上，关闭室间闸板阀。
8）蒸镀有机功能层，通过频率变化计算膜厚
9）同上操作，将样品传入金属室进行金属电极蒸镀
10）蒸镀单程后，等待约20分钟
11）关闭两个分子泵阀门，约8分钟后停止分子泵，关闭分子泵电源。
12）关闭真空计，总电源，冷却水。
八，实验数据及结果分析：
1）先对ITo玻璃进行离子清晰以提高功函数，增强空穴注入能力。
2）在有机室蒸镀各有机层：包括空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层。
3）在金属层腔中进行金属阴极蒸镀，因所需温度与有机材料不同，所以分开两腔，最后封装测试样品。
4）通过频率和薄膜厚度一定关系，可以控制薄膜厚度。
九，实验结论：
真空镀膜的技术较多，产品所需要的材料不同，决定了镀膜的工艺因此，有机层与金属电极分开处理，真空的实现对制膜很重要，应尽量在高真空环境下进行工作。
使用分子
泵前，先达10pa以下的低真空度，分子泵使用过程中，不
能开启机械泵，以免造成油污染。
十，总结及心得体会：
通过实验，对真空镀膜技术了解更加详彻，同时更加注意了实际操作过程中的各种条件控制以及注意事宜；在设备的全密封性一体化加工方式，提高了样品的加工质量，膜厚度采用晶振频率控制更加方便产品的实时调控。
篇二：薄膜实验报告,磁控溅射与高真空成膜
电子科技大学
实验报告
姓名：郭章
学号：20XX054020XX2
指导教师：许向东
日期：20XX年6月12日
一：实验室名称：光电楼薄膜制备实验室
二：实验项目名称：薄膜制备工艺流程
三：实验原理1，磁控溅射原理：
电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子
发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。
氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。
利用Ar一02混合气体中的等离子体在电场和交变磁场
的作用下，被加速的高能粒子轰击靶材表面，能量交换后，靶材表面的原子脱离原晶格而逸出，转移到基体表面而成膜。
2，实验室采用的为cK-3磁控溅射沉积真空系统，真空度可达10-3pa。
溅射在靶原子沉积之后需要对其进行退火，实验室的的退火温度约为3000c。
此外溅射系统采用直流与
射频两种电源模块，能够自由相互转换。
其中直流多对于到点靶材，而射频溅射则可对绝缘体进行溅射。
四，实验目的：
1，了解真空溅射技术在实际中的应用。
2，掌握基本的真空溅射镀膜方法
3，了解实验中的注意事项
五，实验内容
对真空溅射镀膜技术的参观以及反思
六，实验器材
cK-3磁控溅射沉积高真空系统
七，实验步骤
1)开循环水电源、阀门；开总控电源，确认电源指示灯正常
2)打开真空机，开机械泵，角阀A，到真空度达到20pa 后，关闭角阀A，开启角阀c
3)设置基地加热温度，开基片架旋转开关和调节转速，开溅射电源。