常用电力电子器件介绍
电力电子器件大全及使用方法详解

电力电子器件大全及使用方法详解一、二极管二极管是一种常见的电力电子器件,它可以实现电流的整流功能。
二极管具有单向导电性,即只有当正向电压施加在二极管上时,电流才能够流过二极管。
二极管常用于交流电转直流电的整流电路中。
使用方法:将二极管的正极连接到正电压,负极连接到负电压即可。
需要注意的是,二极管具有正向电压降(Vf),在正向导通状态下会有一定的电压降,需要根据实际需求选择合适的二极管。
二、晶闸管晶闸管是一种可控硅器件,具有正向导通和反向封锁两种状态。
晶闸管通过控制门极电流来实现正向导通状态,控制门极电流为零时处于反向封锁状态。
晶闸管常用于高功率电流的开关和整流电路中。
使用方法:将晶闸管的端子正确连接,再通过控制晶闸管的门极电流来控制其导通和封锁状态。
在选择晶闸管时,需要考虑其额定电压和额定电流是否满足实际需求。
三、功率场效应管(MOSFET)功率场效应管是一种电压控制的开关器件,具有低导通电阻、快速开关速度和高电压容忍等优点。
功率MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、交流-直流变换器和电源开关等电力电子领域。
使用方法:将功率MOSFET的源极与负极连接,漏极与负载连接,控制其栅极电压来控制其导通和截止状态。
在选择功率MOSFET时,需要考虑其额定电压、额定电流和导通电阻等参数是否满足实际需求。
四、IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种中压、大功率的开关器件,它具有MOSFET和晶闸管的优点。
IGBT可以实现高压和高电流的控制,广泛应用于电力电子变换器、交流调速器和逆变器等领域。
使用方法:将IGBT的集电极与源极连接,发射极与负载连接,通过控制栅极电压来控制IGBT的导通和截止状态。
在选择IGBT时,需要考虑其额定电压、额定电流和导通电阻等参数是否满足实际需求。
总结:电力电子器件包括二极管、晶闸管、功率MOSFET和IGBT等,它们在电力电子领域中具有重要的应用。
常见功率器件介绍

常见功率器件介绍功率器件是电力电子领域中重要的一种电子器件,用于变换、传递和控制电能。
常见的功率器件包括大功率二极管、晶闸管、可控硅、IGBT和MOSFET等。
本文将对这些常见的功率器件进行介绍。
1.大功率二极管:大功率二极管是一种常见的功率器件,具有较低的导通压降和较高的瞬态响应速度。
常见的大功率二极管如Schottky二极管,它具有快速导通、快速关断,适合于高频和高效率的电力转换系统。
大功率二极管常用于电流整流和反向保护等电源应用中。
2. 晶闸管(Thyristor):晶闸管是一种可控硅器件,具有双向导通特性。
晶闸管的导通状态由门极信号控制,一旦导通后,其二极管部分将保持导通状态,直到控制信号消失或电流下降至谷值。
晶闸管适用于高压、高电流的交流电源控制和整流应用,如交流调光、电动机控制和功率变换等。
3.可控硅(SCR):可控硅是一种具有双向导通特性的功率器件,可通过外部电压触发,从而控制其导通和关断状态。
可控硅的导通需要一个触发脉冲,一旦导通,只能通过降低电流或断开电源来关断。
可控硅广泛应用于高压电源、充电器、交直流变换器和电动机驱动器等系统中。
4. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):IGBT是一种功率MOSFET和双极型晶体管的混合器件,结合了二者的优点。
IGBT具有低导通压降和高开关速度的特点,在高频和高效率的应用中广泛使用。
IGBT适用于电力电子中的交流调变器、逆变器和电动机驱动器等应用。
5. MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):MOSFET是一种具有储存性的功率晶体管,可以在接通状态下进行电流放大,适用于低功率和中功率应用。
MOSFET具有低导通压降、高开关速度和可控性强的优点。
在电源管理、电动机控制和逆变器等应用中,MOSFET是一种常见的功率器件。
总结起来,大功率二极管、晶闸管、可控硅、IGBT和MOSFET是常见的功率器件。
电子行业电力电子器件相关资料

电子行业电力电子器件相关资料1. 介绍电力电子器件是电子行业中的重要组成部分,主要用于控制和转换电力。
它们在电力传输、变换和分配中发挥着关键的作用。
本文档将介绍电力电子器件的主要类型、工作原理、应用领域以及相关的技术资料。
2. 电力电子器件的类型电力电子器件广泛应用于各个领域,包括能源转换、电力传输、电机控制等。
以下是一些常见的电力电子器件类型:2.1 变流器变流器是将交流电转换为直流电或将直流电转换为交流电的装置。
主要包括整流器和逆变器两种类型。
整流器将交流电转换为直流电,逆变器将直流电转换为交流电。
2.2 逆变器逆变器是将直流电转换为交流电的装置。
它通常用于交流电到直流电的转换,例如太阳能电池板和风力发电机输出的直流电转换为交流电以供家庭和工业使用。
2.3 储能器储能器是一种能够存储电能并在需要时释放的装置。
它通常用于平衡电力的供应和需求之间的不匹配,以及在电力系统中储存和释放能量。
2.4 整流器整流器是将交流电转换为直流电的装置。
它常用于将交流电转换为直流电以供稳定的电力需求。
2.5 逆变器逆变器是将直流电转换为交流电的装置。
它常用于将直流电转换为交流电以供各种电力设备使用。
3. 电力电子器件的工作原理电力电子器件的工作原理基于不同的电力转换和控制原理。
以下是一些常见的电力电子器件及其工作原理:3.1 变流器的工作原理变流器将交流电转换为直流电或将直流电转换为交流电,其工作原理基于开关器件的使用。
开关器件在不同的状态下打开和关闭,从而控制电流的流动。
逆变器将直流电转换为交流电,其工作原理也基于开关器件的使用。
开关器件通过调整开关频率和占空比来实现对输出波形的控制。
3.3 储能器的工作原理储能器通过将电能存储在电容或电感器中,并在需要时释放,实现对电力系统的能量平衡。
其工作原理基于能量的存储和释放。
整流器将交流电转换为直流电,其工作原理基于半导体器件的整流特性。
半导体器件只允许电流在一个方向上流动,从而实现对交流电的整流。
电力系统中的电力电子器件及其应用

电力系统中的电力电子器件及其应用在当今高度依赖电力的社会中,电力系统的稳定运行和高效发展至关重要。
电力电子器件作为电力系统中的关键组成部分,正发挥着日益重要的作用。
它们的出现和应用,为电力系统的优化、控制和能源转换带来了革命性的变化。
电力电子器件是一种能够对电能进行高效控制和转换的半导体器件。
常见的电力电子器件包括二极管、晶闸管、晶体管(如 MOSFET 和IGBT)等。
这些器件具有不同的特性和性能,适用于各种不同的电力系统应用场景。
二极管是最简单的电力电子器件之一,它只允许电流单向通过。
在电力系统中,二极管常用于整流电路,将交流电转换为直流电。
例如,在电源适配器中,二极管将交流市电整流为直流电,为电子设备提供稳定的电源。
晶闸管则是一种具有可控导通特性的器件。
通过施加合适的触发信号,可以控制晶闸管的导通和关断。
晶闸管在电力系统中的应用非常广泛,如用于高压直流输电系统中的换流器、无功补偿装置等。
通过控制晶闸管的导通角,可以实现对交流电压和电流的调节,从而达到控制无功功率和提高电能质量的目的。
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是现代电力电子系统中常用的晶体管器件。
它们具有开关速度快、导通电阻小、驱动功率低等优点。
MOSFET 适用于高频、小功率的应用场景,如开关电源、电动汽车充电器等。
IGBT 则在中大功率的电力变换领域表现出色,如变频器、新能源发电系统中的逆变器等。
在电力系统中,电力电子器件的应用范围十分广泛。
首先,在发电环节,可再生能源的开发和利用离不开电力电子技术。
例如,太阳能光伏发电系统中,通过电力电子逆变器将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电并并入电网。
风力发电系统中,电力电子变流器用于控制风机转速,实现最大功率跟踪,同时将风机发出的交流电转换为符合电网要求的电能。
在输电环节,高压直流输电技术凭借其输电距离远、输电容量大、损耗低等优势,成为了远距离大容量输电的重要手段。
电力电子器件原理

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轨道交通
在城市轨道交通中,电力电子器 件用于实现牵引供电和信号控制 。
在磁悬浮列车中,电力电子器件 可以实现高效的电机控制和能量 回收。
在高速铁路中,电力电子器件用 于实现列车牵引和供电系统的控 制。
在轨道交通的自动化和智能化方 面,电力电子器件也发挥着重要 的作用。
05 电力电子器件的未来发展
智能化与网络化的趋势
智能化
随着人工智能技术的发展,电力电子器件的智能化成为一种趋势。智能化能够提高电力电子系统的自适应性、可 靠性和容错性,实现更加高效和智能的能源管理。
网络化
通过互联网和物联网技术,将电力电子器件与智能终端、云计算等相互连接,实现远程监控、数据采集和智能控 制等功能。网络化的电力电子器件能够提高能源利用效率和可再生能源的接入能力,促进能源的可持续发展。
热特性
最大结温
指电力电子器件在工作过程中所允许的最高结温, 超过此温度将导致器件性能下降或损坏。
热阻
指电力电子器件在工作过程中因温度升高而产生 的热量传导阻力。
散热设计
为确保电力电子器件的正常工作,需要采取有效 的散热措施,如散热片、风冷或液冷等。
安全工作区
安全工作区
指在规定的电源电压和负载电流范围内,电力电子器件能够安全、可靠地工作 而不会发生损坏或性能下降的区域。
新材料与新工艺的应用
新材料
随着科技的发展,新型材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN) 等在电力电子器件中的应用越来越广泛。这些新材料具有更高 的热导率、禁带宽度和击穿场强等特点,能够提高电力电子器 件的效率和可靠性。
新工艺
新型工艺技术如薄膜工艺、微纳加工技术等在电力电子器件 制造中逐渐得到应用。这些新工艺能够减小器件尺寸、降低 制造成本和提高集成度,为电力电子器件的发展提供了新的 可能性。
电力系统中常用电力电子器件

全控型器件(IGBT,MOSFET)
——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断,又 称自关断器件。
不可控器件(Power Diode)
——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动 电路。
6
电力电子器件的分类
按照驱动电路信号的性质,分为两类:
电流驱动型
——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控 制。
式中 1 和 2 分别是晶体管 V1 和 V2 的 共基极电流增益; ICBO1 和 ICBO2 分别 是 V1 和 V2 的共基极漏电流。由以上 式可得 :
IA
2 I G I CBO1 I CBO2
1 ( 1 2 )
图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理
有效值相等:工作中实际波形的电流与正向平均电 流所造成的发热效应相等。
15
电力二极管的主要参数
2)正向压降UF
在指定温度下,流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向 压降。
3) 反向重复峰值电压URRM
对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。 使用时,应当留有两倍的裕量(按照电路中电力二极管可能 承受的反向最高峰值电压的两倍来选定)。
12
电力二极管的基本特性
2) 动态特性
——二极管的电压-电流特性随时间变 化的 ——结电容的存在
F
diF dt td tF t0
trr t1
UF
tf t2 UR t
diR dt IRP U a) RP iF
延迟时间:td= t1- t0,
电流下降时间:tf= t2- t1 反向恢复时间:trr= td+ tf
电压驱动型
13种常用的功率半导体器件介绍

13种常用的功率半导体器件介绍电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。
可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件,其中晶闸管为半控型器件,承受电压和电流容量在所有器件中最高;电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可靠;还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR为电流驱动型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。
1. MCT (MOS Control led Thyristor):MOS控制晶闸管MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。
如上图所示。
MCT是将MOSFET 的高阻抗、低驱动图MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起,形成大功率、高压、快速全控型器件。
实质上MCT 是一个MOS 门极控制的晶闸管。
它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断,它由无数单胞并联而成。
它与GTR,MOSFET,IGBT,GTO 等器件相比,有如下优点:(1)电压高、电流容量大,阻断电压已达3 000V,峰值电流达1 000 A,最大可关断电流密度为6000kA/m2;(2)通态压降小、损耗小,通态压降约为11V;(3)极高的dv/dt和di/dt耐量,dv/dt已达20 kV/s ,di/dt为2 kA/s;(4)开关速度快,开关损耗小,开通时间约200ns,1 000 V 器件可在2 s 内关断;2. IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)IGCT 是在晶闸管技术的基础上结合IGBT 和GTO 等技术开发的新型器件,适用于高压大容量变频系统中,是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。
IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点。
常用电力电子器件

2.按驱动电路加在器件控制端和公共端之间信 号的性质分类
1)电流驱动型 通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或
者关断的控制。常见的有普通晶闸管、门极可关断 晶闸管GTO等。
2)电压驱动型 通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号
(2)关断过程包括反向阻断恢复时间和正向阻断恢复 时间。
关断时间tq是反向阻断恢复时间与正向阻断恢复时间 之和,即 tq=trr+tgr。普通晶闸管的关断时间约几百微秒, 快速晶闸管的关断时间为几微秒到几十微秒。
6.晶闸管的主要参数 晶闸管的主要参数包括电压定额、电流定额、动 态参数和门极参数等。 1)电压定额 电压定额包括断态重复峰值电压、反向重复峰值
电压、通态(峰值)电压、额定电压和通态平均电压 等。
(1)正向重复峰值电压。断态重复峰值电压 UDRM是指在门极断开而结温为额定值时,允许重 复加在器件上的正向峰值电压。
(2)反向重复峰值电压。反向重复峰值电压 URRM是指在门极断开而结温为额定值时,允许重 复加在器件上的反向峰值电压。
(3)通态(峰值)电压。通态(峰值)电压 UTM是指晶闸管通以π倍的或某一规定倍数的额定 通态平均电流时的瞬态峰值电压。从减小器件损 耗和发热的角度应选用UTM较小的晶闸管。
其他几种可能导通的情况:
(1)阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应, 即硬开通。 (2)阳极电压上升率du/dt过高。 (3)结温较高。 (4)光直接照射晶体管硅片上,即光触发。
5.晶闸管的基本特性 晶闸管的基本特性包括静态特性和动态特性。
1)晶闸管的静态特性 (1)晶闸管的阳极伏安特性。晶闸管的阳极伏安特 性是指晶闸管阳极电流和阳极电压之间的关系曲线,如图 2-5所示。其中,第I象限的是正向特性;第III象限的是反 向特性。
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扩展市场,开发未来,实现现在。2020年12月13日 星期日 上午2时 32分26秒02:32:2620.12.13
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做专业的企业,做专业的事情,让自 己专业 起来。2020年12月上 午2时32分20.12.1302: 32December 13, 2020
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时间是人类发展的空间。2020年12月13日星 期日2时 32分26秒02:32:2613 December 2020
• (一)、基本结构 • 是一种大功率晶体管,又叫双极型晶体管(BJT),GTR在结构上常用达林顿
结构形式,是由多个晶体管复合组成的大功率晶体管,通过与反相续流二极 管并联组成一个模块,如图2-4所示。
• GTR也具有三个极,分别是基极(B)、发射极(E)、集电极(C)。 • (二)、GTR的工作特点 • GTR如同普通的晶体管一样,也有三种工作状态,即放大、饱和及截止状态,
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严格把控质量关,让生产更加有保障 。2020年12月 上午2时 32分20.12.1302:32December 13, 2020
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作业标准记得牢,驾轻就熟除烦恼。2020年12月13日星期 日2时32分26秒 02:32: 2613 December 2020
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好的事情马上就会到来,一切都是最 好的安 排。上 午2时32分26秒 上午2时32分02:32:2620.12.13
两个晶体管相互复合,当有足够的门极电流Ig时,就会形成强烈的正反馈,即
• 此时两个晶体管迅速饱和导通,即晶闸管饱和导通。 • 若要关断晶闸管,则应设法使晶闸管的阳极电流减小到维持电流以下。
A
A
A
G
P1
P1
J1
N1
N1
N
J2
G
P2
P2
P2
Ia
Ic1 G
PNP Ib1 Ica
R Ic2
N2
J3
N2
Ig
路中的主要开关元件,广泛用在中小容量变频器中。但由于受到反向 关断及工作频率的限制,门极可关断晶闸管正被新型的大功率晶体管 GTR所取代,但是在大容量变频器,GTO以其工作电流大,耐压高的 特性,仍得到普遍应用。
B1 C
B E1 B2
E
E2
图 2-4 GTR 模块的内部电路
C1 E1 C2 E2
大功率晶体管(GTR)
常用电力电子器件介绍
一、晶闸管(Thyristor)的结构及工作 原理
二、门极可关断晶闸管(GTO) 三、大功率晶体管(GTR) 四、功率场效应晶体管(MOSFET) 五、绝缘栅双极晶体管(IGBT)
复习提问
• 1、什么是直流电机,什么是交流电机?
•
2、三相异步电动机转速公式表达
式。
导入新课
• 从复习可知,直流电机结构复杂但调速效
• 1.晶闸管的导电特性:单向导电特性和正向导通的可控性。 • 2.晶闸管的导通条件: • (1)晶闸管的阳极-阴极之间加正向电压。 • (2)晶闸管的门极-阴极之间有正向触发电压,且有足够的触发电流。 • 3.维持电流:保持晶闸管导通的最小阳极电流。 • 由图2.2(c)可知,每个晶体管的集电极电流是另一个晶体管的基极电流。
G A
K G
G
K
A
A
K
(a) 平板形
(b) 螺栓形
图 2.1 晶闸管的外形和图形符号
(c) 图形符号
晶闸管的工作原理
• 由晶闸管的结构可知,晶闸管是一种四层三端器件,有J1、J2、J3三个PN结,
见图2.2(a)所示.当把中间的N1和P2分为两部分,则可构成一个NPN型晶体管 和一个PNP型晶体管的复合管,如图2.2(b)所示。
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一马当先,全员举绩,梅开二度,业 绩保底 。20.12.1320.12.1302: 3202:32:2602: 32:26Dec-20
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牢记安全之责,善谋安全之策,力务 安全之 实。2020年12月13日 星期日2时32分 26秒Sunday, December 13, 2020
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相信相信得力量。20.12.132020年12月 13日星 期日2时32分26秒20.12.13
• 晶闸管的结构 晶闸管内部是一种四层(P、
N、P、N)结构,对外呈三端(A、G、K) 大功率半导体器件,
• 它有三个PN结:J1、J2、J3。其外形有
平板形和螺栓形,见图2.1(a)、(b)所 示。三个引出端分别叫做阳极A、阴极K 和门极G,门极也叫控制级。晶闸管的图 形符号见图2.1(c)所示。
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人生得意须尽欢,莫使金樽空对月。02:32:2602:32: 2602:3212/13/2020 2:32:26 AM
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安全象只弓,不拉它就松,要想保安 全,常 把弓弦 绷。20.12.1302:32:2602:32Dec-2013-Dec-20
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加强交通建设管理,确保工程建设质 量。02: 32:2602:32:2602:32Sunday, December 13, 2020
果好,而交流电机结构简单但调速效果一 般,随着大功率可控整流器件的出现使得 交流调速进入了实际应用的阶段。
晶闸管(Thyristor)的结构及工作原理
• 晶闸管(Thyristor)俗称硅晶体闸流管。晶闸
管通常有普通晶闸管、双向晶闸管、可关 断晶闸管、逆导晶闸管和快速晶闸管等。 普通晶闸管也叫可控硅,用SCR表示,国际 通用名称为Thyristor简称T。
在大功率可控电路中,GTR主要工作在饱和状态和截止状态。
• 由于GTR工作在大功率电路中,因此管子的功耗是一个不容忽视的问题,
GTR在截止和饱和状态时其功耗是很小的,但是在放大状态其功耗将增大百 倍,因此,逆变电路的GTR在交替切换的过程中是不允许在放大区稍做停留 的。GTR具有自关断能力及开关时间短、饱和压降低、安全工作区宽等特点, 广泛用于交流调速、变频电源中。在中小容量的变频器中,曾一度占据了主 导地位。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
• 绝缘栅双极晶体管简称IGBT是一种集大功率晶体管(GTR)
和功率场效应晶体管(MOSFET)两者于一身的复合型器 件,它有三个极分别是集电极(C),发射极(E)和栅极 (G),如图2-5所示。输入阻抗很高,,它既有MOS器件 的工作速度快,驱动电路简单的特点,又具备了大功率晶 体管的电流大,通态电压低的优点。
G u GE
RC
IC
C
E
UC
图 2-5 IGBT的基本电路
功率场效应晶体管(MOSFET)
• 率场效应晶体管与场效应晶体管一样也是有三个
极,分别是源极S、漏极D和栅极G,管子的连接 及工作特性也基本与场效应晶体管一样。功率场 效应晶体管属于电压控制型器件,自关断能力强, 驱动功率很小,使用方便,开关频率比较高,无 二次击穿现象。功率场效应晶体管在存放和运输 中应有防静电装置,栅极不能开路工作,对于电 感性负载应有适当的保护措施。
• 因为IGBT性能优良,所以它已全面取代了功率晶体管而成
为中小容量电力变流装置中的主要器件,并广泛用于交流 变频调速,开关电源及其他设备中。随着IGBT单管容量的 不断提高,它已开始进入中大容量的电力变流装置中。
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树立质量法制观念、提高全员质量意 识。20.12.1320.12.13Sunday, December 13, 2020
ห้องสมุดไป่ตู้Ib2 NPN
Ea IK
Eg
K
(a)
K
(b)
K
(c)
图 2.2 晶闸管的内部工作过程
门极可关断晶闸管(GTO)
• 门极可关断晶闸管是在普通晶闸管的基础上发展而来。从结构上看通
常它有三个极:阳极(A)、阴极(K)和门极(G)。其工作原理是: 通过控制门极信号进行接通和关断晶闸管,其工作特点如下:
• 1.导通条件 • 在门极和阴极之间加一正向电压,即:G(+)、K(-),GTO导通。 • 2.关断条件 • 在门极和阴极之间加一反向电压, G(-)、K(+),GTO关断。 • 电路如图2-3所示 • 门极可关断晶闸管通断方便,是一种大功率无触点开关,它是逆变电
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安全在于心细,事故出在麻痹。20.12.1320.12.1302: 32:2602:32:26Decem ber 13, 2020
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踏实肯干,努力奋斗。2020年12月13日上午2时32分 20.12.1320.12.13
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追求至善凭技术开拓市场,凭管理增 创效益 ,凭服 务树立 形象。2020年12月13日星期 日上午2时32分 26秒02:32:2620.12.13
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得道多助失道寡助,掌控人心方位上 。02:32:2602: 32:2602:32Sunday, December 13, 2020
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安全在于心细,事故出在麻痹。20.12.1320.12.1302: 32:2602:32:26Decem ber 13, 2020
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加强自身建设,增强个人的休养。2020年12月13日 上午2时 32分20.12.1320.12.13
谢谢大家!
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每一次的加油,每一次的努力都是为 了下一 次更好 的自己 。20.12.1320.12.13Sunday, December 13, 2020
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天生我材必有用,千金散尽还复来。02:32:2602:32: 2602:3212/13/2020 2:32:26 AM
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感情上的亲密,发展友谊;钱财上的 亲密, 破坏友 谊。20.12.132020年12月13日 星期日 2时32分26秒20.12.13