聚焦离子束系统操作要点及常见问题
聚焦离子束实验报告
聚焦离子束实验报告一、实验目的本实验旨在学习和掌握聚焦离子束（Focused Ion Beam, FIB）的工作原理及操作方法，通过观察和分析实验结果，加深对离子束物理的理解。
二、实验原理聚焦离子束（FIB）是一种将离子束聚焦到微米甚至纳米级别的技术，它具有高能量密度、高精度和高分辨率的特点。
FIB系统主要由离子源、离子光学系统、扫描电极和真空腔组成。
其中，离子源产生的离子束经过离子光学系统的聚焦和校准，最终在扫描电极上形成聚焦点。
三、实验步骤1、样品准备：选择具有代表性的材料或结构作为实验对象，本实验选用硅基底上的金属薄膜。
2、样品清洗：使用有机溶剂和去离子水清洗样品，去除表面的污垢和杂质。
3、样品安装：将清洗后的样品放入FIB系统的样品室，确保样品固定牢固。
4、FIB系统校准：使用校准靶对FIB系统进行校准，确保离子束的聚焦精度。
5、离子束照射：设定合适的电压和电流，将离子束聚焦到样品表面，观察并记录实验现象。
6、数据分析：通过对实验结果的观察和分析，得出结论。
四、实验结果及分析1、硅基底上的金属薄膜经过离子束照射后，表面出现明显的凹坑和凸起，表明离子束具有较高的能量密度和侵蚀性。
2、随着离子束电流的增加，照射区域的形貌变化更加明显，说明离子束的刻蚀能力与电流成正比。
3、通过对比不同材料在相同条件下的刻蚀效果，发现材料的刻蚀速率与材料的力学、物理性能有关。
五、结论本实验通过聚焦离子束技术对硅基底上的金属薄膜进行照射，观察并分析了离子束的刻蚀效果。
结果表明，聚焦离子束具有高能量密度和侵蚀性，可以用于微纳结构的加工和材料的形貌分析。
同时，材料的刻蚀速率与材料的力学、物理性能有关，这为进一步研究材料在离子束作用下的行为提供了依据。
六、实验建议与展望1、在本次实验中，我们发现聚焦离子束技术在材料科学、微纳制造等领域具有广泛的应用前景。
为了更好地掌握这一技术，建议在后续实验中进一步探讨不同材料在不同条件下的刻蚀行为。
双束聚焦离子束显微镜测试(FIB-SEM)
设备型号：Zeiss Auriga Compact聚焦离子束(FIB)与扫描电子显微镜(SEM)耦合成为FIB-SEM双束系统后，通过结合相应的气体沉积装置，纳米操纵仪，各种探测器及可控的样品台等附件成为一个集微区成像、加工、分析、操纵于一体的分析仪器。
其应用范围也已经从半导体行业拓展至材料科学、生命科学和地质学等众多领域。
为方便客户对材料进行深入的失效分析及研究，金鉴实验室现推出Dual Beam FIB-SEM业务，并介绍Dual Beam FIB-SEM在材料科学领域的一些典型应用，包括透射电镜( TEM)样品制备，材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积以及材料三维成像及分析等。
金鉴实验室FIB-SEM技术参数：聚焦离子束技术（FIB）注意事项：（1）样品大小5×5×1cm，当样品过大需切割取样。
（2）样品需导电，不导电样品必须能喷金增加导电性。
（3）切割深度必须小于10微米。
金鉴实验室FIB-SEM技术及应用：1.FIB透射样品制备流程对比与传统的电解双喷，离子减薄方式制备TEM样品，FIB可实现快速定点制样，获得高质量TEM样品。
最终减薄TEM样品结果：2.材料微观截面截取与观察SEM仅能观察材料表面信息，聚焦离子束的加入可以对材料纵向加工观察材料内部形貌，通过对膜层内部厚度监控以及对缺陷失效分析改善产品工艺，从根部解决产品失效问题。
（1）FIB切割键合线利用FIB对键合线进行截面制样，不仅可以观察到截面晶格形貌，还可掌控镀层结构与厚度。
（2）FIB切割芯片金道金鉴实验室FIB-SEM产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。
（3）FIB切割支架镀层利用FIB切割支架镀层，避免了传统切片模式导致的金属延展、碎屑填充、厚度偏差大的弊端，高分辨率的电镜下，镀层晶格形貌、内部缺陷一览无遗。
FIB-SEM扫描电镜下观察支架镀层截面形貌，镀层界限明显、结构及晶格形貌清晰，尺寸测量准确。
聚焦离子束技术
聚焦离子束技术一、简介聚焦离子束技术（Focused Ion Beam，FIB）是一种微电子束技术，它使用液态金属离子源产生离子束，然后通过一组电磁透镜将离子束聚焦到非常小的区域内。
这种技术在材料科学、半导体工程、生命科学和纳米科技等领域有着广泛的应用。
二、聚焦离子束技术的工作原理1. 离子源：聚焦离子束系统的核心是一个离子源，通常使用的是液态金属离子源。
液态金属离子源中的金属被加热到高温，使其蒸发并形成等离子体。
2. 离子提取：从等离子体中提取出金属离子，并将其加速到高速度。
3. 聚焦：通过一组电磁透镜将离子束聚焦到一个非常小的区域内。
电磁透镜可以是静电透镜或磁透镜，也可以是两者的组合。
4. 样品处理：聚焦的离子束可以用于切割、蚀刻、沉积和焊接样品。
离子束与样品的相互作用会产生二次粒子和溅射物质，这些二次粒子和溅射物质可以被用于分析样品的性质。
三、聚焦离子束技术的应用领域1. 半导体工程：聚焦离子束技术可以用于制造和修复半导体设备。
例如，可以使用FIB来切割芯片，或者修复集成电路中的缺陷。
2. 材料科学：聚焦离子束技术可以用于分析和处理各种材料。
例如，可以使用FIB来切割样品并进行元素分析，或者使用FIB来制造纳米结构和纳米器件。
3. 生命科学：聚焦离子束技术可以用于研究和操作生物样本。
例如，可以使用FIB来切割细胞或组织样本，或者使用FIB来制造纳米级的药物输送系统。
4. 纳米科技：聚焦离子束技术是纳米科技的重要工具。
它可以用于制造纳米结构和纳米器件，也可以用于研究纳米材料的性质。
5. 故障分析：FIB可以用于故障分析，通过在器件表面进行切割、刻蚀和显微观察，帮助确定电子器件中的故障位置和原因。
四、聚焦离子束技术的挑战和未来发展尽管聚焦离子束技术在许多领域都有广泛的应用，但它也面临着一些挑战。
例如，离子束与样品的相互作用会产生大量的二次粒子和溅射物质，这些二次粒子和溅射物质可能会污染样品和设备。
聚焦离子束fib测试用途以及注意事项
聚焦离子束fib测试用途以及注意事项全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：聚焦离子束（Focused Ion Beam，简称FIB）是一种现代化的分析仪器，它利用离子束对材料表面进行切割、雕刻和离子注入等操作，可用于材料性能分析、纳米加工以及器件结构调制等方面。
在科学研究和工程应用中，FIB技术被广泛应用于半导体、材料科学、生物医药等领域。
本文将重点介绍聚焦离子束FIB的测试用途以及注意事项。
一、FIB的测试用途1. 样品切割：FIB技术可以通过离子束切割样品，制备出不同几何形状和大小的样品切片，用于透射电镜、扫描电镜等进一步的显微分析。
这对于研究材料的微观结构和性能具有重要意义。
2. 纳米加工：FIB技术可以对样品表面进行精确的纳米加工，包括雕刻、刻蚀和注入等操作。
通过控制离子束的能量和位置，可以实现微米和纳米尺度的结构制备和调控，为纳米器件的制备和研究提供了重要手段。
3. 局部分析：FIB技术可以结合光学显微镜、扫描电子显微镜等设备，对样品表面进行定位并进行局部分析。
通过离子束的照射，可以实现对材料的表面成分、结构和形貌等信息的获取，为材料性能和组成分析提供了便利。
4. 器件修复：FIB技术可用于器件的故障分析和修复，通过对器件进行切割、磨蚀和掺杂等操作，可以找到故障点并进行修复，提高器件的可靠性和性能。
5. 原位实验：FIB技术可以在扫描电子显微镜或透射电镜平台上实现原位实验，对材料进行局部处理和观察。
这种原位实验可以实现对材料反应、相变和结构演化等过程的实时监测和控制，具有重要的研究意义。
二、FIB的注意事项1. 样品准备：在进行FIB实验前，应对样品进行充分的处理和准备工作。
样品表面应平整干净，避免有氧化物、污渍和尘埃等杂质，以确保离子束对样品的照射效果。
2. 参数设置：在使用FIB进行实验时，需要根据样品的性质和需要进行离子束的能量、电流和面积等参数进行合理的设置。
过小的能量和电流会导致处理效率低，而过大可能会损伤样品。
新一代微分析及微加工手段——聚焦离子束系统（一）
新一代微分析及微加工手段——聚焦离子束系统（一）摘要:聚焦离子束(FIB)技术是90年代发展起来的具有微细加工和微分析组合功能的新技术。
随着集成电路线宽的不断减小,集成度不断提高,该技术已在微电子工业中被广泛应用,其优势也日益显现。
文中主要对FIB系统的构成作较为详尽的介绍,同时也涉及该技术的应用和发展。
关键词:微分析;微加工;聚焦离子束前言现代微电子工业发展迅猛,其方向无疑是器件尺寸的减小和电路集成度的提高。
在过去的20年中,制造工艺和手段日趋成熟,高性能的新一代集成电路层出不穷。
做到这些,在有赖于制造设备更新同时,有效地对沾污及各种缺陷进行控制更是实现生产最优化的关键所在。
因此,材料检测和失效分析成为IC发展和制造必不可少的手段。
多种微分析设备可根据在失效分析过程中不同方面不同阶段的应用分为两大类[1]。
第一类是用于对失效器件进行初步的模式及部位的分析确定,也就是在鉴别失效模式过程中的应用,如:电压衬度显微镜(Voltagecontrastmicroscopy)、电子束感生电流(EBIC)或光束感生电流(OBIC)等;第二类是用于对材料中的缺陷或沾污粒子进行观测定位,并分析成分,即在描述失效特征过程中的应用,如:俄歇电子显微镜(AES)、透射电子显微镜(TEM)、二次离子质谱仪(SIMS)、扫描电子显微镜(SEM)、X光衍射和荧光(X-raydiffractionandfluorescence)等。
当然,上述第二类材料分析工具更为常见的用途是对新材料、新生产手段和新工艺的鉴定[2]。
例如SIMS对注入深度的纵断面成像被运用于校准工艺模型;AES的深度剖面图可以被用来确定薄膜材料的均匀度、纯度以及TiN或TiSi2外延膜界面态性质等。
但在上述技术的应用中面临的共性问题是定位制样精度不高,周期长。
这就限制了它们在微电子领域中的应用。
而90年代发展起来的聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成分分析、薄膜淀积和刻蚀各过程于一身的新型分析和加工技术。
使用聚焦离子束技术进行材料分析的指南
使用聚焦离子束技术进行材料分析的指南材料分析是研究一种材料的组成、性质和结构的过程。
在过去的几十年中，科学家们开发了许多不同的方法来进行材料分析。
其中一种重要的方法是使用聚焦离子束技术。
聚焦离子束技术是一种利用离子束来研究材料的方法。
这种方法通过将离子束聚焦在材料表面上，然后测量离子束与材料之间的相互作用，从而获得材料的组成和性质信息。
下面将介绍一些使用聚焦离子束技术进行材料分析的指南。
首先，选择合适的离子束能量和束流密度非常重要。
离子束能量和束流密度将直接影响到离子与材料的相互作用。
较高的能量和束流密度可以提供更高的材料表面灵敏度和更大的信号强度，但也容易造成离子束对材料产生烧蚀或损伤。
因此，根据具体的材料和分析目的，选择适当的能量和束流密度非常重要。
其次，需要选择合适的离子束成分。
离子束成分将决定离子束与材料之间的相互作用方式。
不同的离子具有不同的质量和电荷，因此会与材料的原子和分子以不同方式相互作用。
在选择离子束成分时，需要考虑材料的特性和所需分析的信息。
在使用聚焦离子束技术进行材料分析时，还可以使用不同的探测器来测量离子与材料之间的相互作用的信号。
常用的探测器包括二次离子质谱和离子能量损失探测器。
二次离子质谱可以测量离子撞击材料后产生的次级离子信号，从而获得材料的组成信息。
离子能量损失探测器可以测量离子的能量损失，从而获得材料的性质信息。
根据具体的分析需求，选择合适的探测器非常重要。
此外，还可以使用衍射技术来研究材料的结构。
衍射技术是一种通过测量材料中散射的粒子或波的特征来获得材料结构信息的方法。
在聚焦离子束技术中，常用的衍射技术包括离子衍射和反射高能电子衍射。
这些衍射技术可以提供关于材料晶体结构、晶格常数和晶体缺陷的信息。
最后，为了提高分析的准确性和可靠性，可以结合其他表征技术来进行综合分析。
聚焦离子束技术可以与扫描电镜、透射电子显微镜和拉曼光谱等技术相结合，以获得更全面、准确的材料分析结果。
聚焦离子双束显微镜 使用操作指南
聚焦离子双束显微镜使用操作指南示例文章篇一：哇塞！今天我要跟大家讲讲聚焦离子双束显微镜这个神奇的东西，还有它的使用操作方法！你知道吗？这聚焦离子双束显微镜就像是一个超级厉害的“眼睛”，能让我们看到超级超级小的东西，小到我们平常根本想象不到！要使用它，第一步得先把电源打开。
这就好比我们早上起床要睁开眼睛一样重要！然后呢，我们要调整好各种参数。
这可不像调电视声音那么简单哦！比如说，离子束的能量啦、电流啦，还有电子束的参数等等。
这就好像是给一辆超级跑车调试引擎，每个零件都得调到最佳状态，不然可跑不快！接着，得把我们要观察的样品小心翼翼地放进去。
这可得轻拿轻放，就像对待我们最心爱的宝贝玩具一样。
要是不小心弄破了或者弄脏了，那可就糟糕啦！在操作的过程中，还得时刻盯着屏幕，看看图像是不是清晰。
哎呀，这感觉就像是在黑暗中寻找一颗闪闪发光的星星，眼睛都不敢眨一下！要是图像不清晰，还得重新调整各种参数，这可真是个考验耐心的活儿！还有哦，和小伙伴一起操作的时候，大家得互相交流。
“你觉得这样行不行？”“哎呀，好像不太对，咱们再试试！”就像一起搭积木，得商量着来，才能搭出漂亮的城堡。
你说，这聚焦离子双束显微镜是不是特别神奇？它能让我们看到肉眼看不到的微小世界，就像打开了一扇通往神秘世界的大门！我觉得呀，通过它，我们能发现好多好多以前不知道的秘密，这可太棒啦！总之，使用聚焦离子双束显微镜虽然有点复杂，但是只要我们认真、细心，就能让它成为我们探索微观世界的好帮手！示例文章篇二：哎呀呀，同学们，今天我要给大家讲讲这个超级厉害的聚焦离子双束显微镜！这东西可神奇啦，就像是我们探索微观世界的超级眼睛！你们能想象吗？我们平时用眼睛看到的东西已经很有趣了，但是通过这台显微镜，我们能看到更小更小、小到不可思议的世界！先来说说怎么打开它吧。
就像我们打开一个神秘的宝盒一样，得小心翼翼的。
找到电源按钮，轻轻一按，“啪”的一声，它就开始启动啦。
聚焦离子束技术经验
讲习班总结7月11日（周二）1.聚焦离子束技术（FIB）定义：将离子束聚焦到亚微米甚至纳米量级，通过偏转系统和加速系统控制离子束扫描运动，实现微纳米图形的检测分析和微纳米结构的无掩模加工。
离子源：液态金属镓应用：掩模板修复、电路修正、失效分析、透射电子显微镜样品制备、三维结构直写等方面。
基本组成：离子源、电子透镜、扫描电极、二次粒子探测器、多轴多向移动的样品台、真空系统。
聚焦离子束与SEM一样，通过偏转系统控制离子束在样品表面进行光栅式扫描，同时由信号FIB激发的这通常采用并最如果离截面的锥度当样品对于表面形貌起伏引起的窗帘结构，解决办法通常是在样品表面用FIB辅助化学气相沉积生长一层保护层，使表面变得平坦；也可以通过改变离子束的入射方向，从没有起伏的面开始切割，从而避开其影响。
对于成分差异引起的窗帘结构，可以通过摇摆切割的方式，使离子束在多个角度入射进行消除。
非均匀刻蚀聚焦离子束可以直接快速地加工制作微纳米平面图形结构，对于非晶体材料或单质单晶材料，FIB刻蚀通常可以得到非常平整的轮过形状和底面，但对于多晶材料和多元化合物材料，由于各个晶粒的取向不同，刻蚀速率在不同晶粒区域也会不同，经常会呈现非均匀刻蚀，底面并不平整。
对于多晶材料刻蚀出现的非均匀性加工缺陷，可以通过增大离子束扫描每点的停留时间来加以改善。
聚焦离子束轰击固体材料时，固体材料的原子被溅射逸出的过程中，部分原子会落回样品表面，该过程称为再沉积。
增大离子束在每点的停留时间，再沉积的影响就会增强，再沉积的原子落入凹陷处的几率更高，可以起到平坦化的作用，从而改善刻蚀底面的平整性。
气体辅助刻蚀可以大大提高刻蚀速率，减少再沉积，提高深宽比极限。
（离子束辅助沉积）聚焦离子束辅助沉积实际上是利用高能量的离子束辐照诱导特定区域发生化学气相沉积反应，有时也被称为离子束诱导沉积。
由于辅助沉积过程中，离子束不断地轰击样品表面，刻蚀与沉积的过程并存。
因此，应严格控制束流密度。
聚焦离子束(Focused Ion beam, FIB)
聚焦离子束(Focused Ion beam, FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器，目前商用系统的离子束为液相金属离子源(Liquid Metal Ion Source,LMIS)，金属材质为镓(Gallium, Ga)，因为镓元素具有低熔点、低蒸气压、及良好的抗氧化力；典型的离子束显微镜包括液相金属离子源、电透镜、扫描电极、二次粒子侦测器、5-6轴向移动的试片基座、真空系统、抗振动和磁场的装置、电子控制面板、和计算机等硬设备，外加电场(Suppressor)于液相金属离子源可使液态镓形成细小尖端，再加上负电场(Extractor) 牵引尖端的镓，而导出镓离子束，在一般工作电压下，尖端电流密度约为1埃10-8 Amp/cm2，以电透镜聚焦，经过一连串变化孔径 (Automatic Variable Aperture, AVA)可决定离子束的大小，再经过二次聚焦至试片表面，利用物理碰撞来达到切割之目的。
以下为其切割（蚀刻）和沉积原理图：在成像方面，聚焦离子束显微镜和扫描电子显微镜的原理比较相近，其中离子束显微镜的试片表面受镓离子扫描撞击而激发出的二次电子和二次离子是影像的来源，影像的分辨率决定于离子束的大小、带电离子的加速电压、二次离子讯号的强度、试片接地的状况、与仪器抗振动和磁场的状况，目前商用机型的影像分辨率最高已达 4nm，虽然其分辨率不及扫描式电子显微镜和穿透式电子显微镜，但是对于定点结构的分析，它没有试片制备的问题，在工作时间上较为经济。
1工作原理编辑液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏，真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现，液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点，使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。
液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。
液态金属离子源的基本结构如图1所示在源制造过程中，将直径0.5mm左右的钨丝经过电化学腐蚀成尖端直径只有5－10μm的钨针，然后将熔融的液态金属粘附在钨针尖上，在外加强电场后，液态金属在电场力作用下形成一个极小的尖端（泰勒锥），液态尖端的电场强度可高达1010V/m。
聚焦离子束技术
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1.1 FIB系统介绍
聚焦离子束(Focused Ion beam, FIB)的系 统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺 寸的显微加工仪器
用荷能离子轰击材料表面，实现材料的 剥离、沉积、注入和改性
目前商用系统的离子束为液相金属离子 源(Liquid Metal Ion Source,LMIS)
V.J. Araullo-Peters,Script Mater, 2012, 66,907
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1.4 聚焦离子束的主要功能及应用
（2）离子溅射： 聚焦离子束轰击材料表面，能够将固体材料的原子溅射出表面，是FIB最 重要的应用，应用于微细铣削和高精度表面刻蚀加工。
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1.4 聚焦离子束的主要功能及应用
（2）离子溅射：
集成电路器件剖面制作
利用FIB溅射刻蚀或辅助气体溅射刻蚀可以方便地制作集成电路的剖面，用 来分析失效电路的设计错误或制造缺陷，分析电路制造中低成品率的原因， 以及研究和改进对电路制造过程中的控制。
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在入射离子在与固体材料中原子发生 碰撞时，将能量传递给固体材料中的 原子，如果传递的能量足以使原子从 固体材料表面分离出去，该原子就被 弹射出材料表面，形成中性原子溅射。 被溅射还有分子、分子碎片、分子团。
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1.3 离子束与材料的相互作用
（7）辐射损伤。
指入射离子轰击表层材料造成的材料 晶格损失或晶态转化。
（3）诱导沉积举例：
微电路
微电子器件
Pt micro-pillars on silicon
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聚焦离子束系统操作要点及常见问题聚焦离子束系统操作介绍本章以FEI Helios 600为例介绍聚焦离子束系统的操作要点，Helios 600为扫描电镜和聚焦离子束结合的“双束系统”，在实际使用中，在装入样品后首先利用电子束观察，并在样品上寻找到感兴趣的区域，然后通过聚焦离子束对该区域进行精确加工，或配合特定的气体注入系统进行精确沉积或刻蚀，另外结合能谱可以获得样品成分方面的信息，结合EBSD可以得到样品晶体结构方面的信息，结合纳米操纵仪可以对样品进行微纳尺度的操纵等。
本章首先给出Helios 600双束系统的操作流程，接下来按照操作顺序分节对每一个操作环节中常见的问题进行具体介绍，首先介绍各种不同类型的样品准备的方法和应该注意的问题，接着介绍用电子束成像的过程和技巧，包括样品的寻找，特征点的选择和图像质量的调整等，然后介绍离子束加工和气体沉积的方法和策略，最后介绍各种附件的功能原理和使用方法等。
FIB操作流程✧装样1.准备好样品后，按照桌上实验记录表上要求，认真检查实验前检查项目和打开腔门前检查项目后点击vent，真空腔充氮气2.待真空腔图标变为灰色时，缓缓拉开腔门放置样品，并检查记录表上放置样品检查项目；3.等待样品腔真空度＜9×10-6mbar方可开始实验;✧实验1.SEM成像a)激活电子束窗口，点击beam on 按钮，待beam on按钮变成黄色后，根据材料选择合适的加速电压和束流值，点击暂停按钮，即可得到SEM图像；b)低倍下按住鼠标中键拖动，改变X、Y坐标找到样品；c)调整焦距，象散，明暗度，对比度等得到较好的图像；d)在较高倍数下（2-3K），在样品不同位置调整焦距，根据WD确定样品最高点，在样品最高点调焦清晰后点击link Z to FWD按钮；（注：此时Z值与WD值统一）2.调整EucentricHight位置a)电子束beam shift清零，电子束图像打开状态，在2-3K放大倍数下，在样品上找到一个特征点将其移至屏幕中央；（若屏幕中心的十字没有显示，shift+F5使其显示）b)在样品台工具栏将Z设为4.16mm，点击goto，升高样品台，在样品台上升的过程中，如果系统提醒relink，则需要重新调整焦距后，再点击relink，继续升高样品台至4.16；c)倾转样品台至7°，激活CCD窗口用鼠标中键拖动使特征点回到屏幕中央；d)样品台回到0°，检查特征点是否回到屏幕中央，如果偏离>5-10μm，则双击特征点回到屏幕中央，重复步骤c)；（重复时可选择更大的倾转角度）e)倾转样品台至52°确认特征点在屏幕中间；3.FIB加工a)激活离子束窗口，将离子束beam shift清零，点击beam on按钮，如果离子束处于sleep状态，则点击weak up（需要等beam on旁边的进度条完全变绿，也可以在调整EucentricHight位置前点击），根据需要选择合适的加速电压和束流后点击暂停按钮，得到离子束图像；b)在离子束窗口，按住shift+左键将2.a）中特征点拖动至屏幕中央；（如果两个窗口的图像不能对中，则需要重新检查共心高度）c)选择合适加工的样品位置，打开pattern栏，根据加工需要选择合适的pattern类型，编辑pattern尺寸等参数，并在application-value中选择Si；d)根据加工尺寸和精度要求选择束流，在加工位置附近调焦，调象散；快扫一帧图像，确认pattern的位置后，点击开始加工；*4. GISa)调整好EucentricHight位置后，在Gas injection栏，右键加热相应的气体；b)在需要沉积的样品部分画上pattern，并在application-value中选择pt-dep，；c)根据沉积尺寸选择束流，在沉积位置附近调焦，调象散；快扫一帧图像，确认pattern的位置后；d)锁定样品台，进针，点击开始沉积；e)沉积结束后，在电子束窗口快扫一帧，如果满足要求则退针，关闭气体加热，解锁样品台；取样1.样品台倾转角度回到0°，双束beam shift归零，关闭离子束，电子束，此时link解除，将样品台高度降至0；2.按照实验记录表检查实验完成栏的检查项目，确认后，点击vent，待真空腔图标变成灰色时，看着CCD，缓慢拉开真空腔门，取出样品后关上腔门，点击pump，待真空腔图标变为绿色后方可离开实验室；4.1样品准备聚焦离子束加工的样品要求类似扫描电镜样品，基本原则为干净、干燥、无磁性、无毒。
首先因为电镜需要在真空条件下才能正常工作，而如果样品表面有油污或者样品含有水分会对电镜的真空系统造成影响，另一方面电镜观察的是样品的表面相貌，如果样品表面没有处理干净，附着物会掩盖表面细微的形貌从而影响图像的质量；其次由于扫描电镜的镜筒为电磁透镜因此如果样品具有磁性的会对电镜的磁场产生影响；最后由于使用电镜的人员比较多，因此禁止放入有毒样品，避免造成人身伤害。
除了以上基本原则外，在整个制样过程中要注意保护样品研究面，对于非导电样品必要时应做导电处理，常用的方法为喷金处理。
下面对不同类型的样品的制备方法做以简单介绍：1.块状样品第一步：取样，因研究目的不同，很难对取样的要求做统一的要求，但是应该注意根据研究目的有针对性的取样，为例减小样品对样品腔的污染，应在满足研究目的的条件下，取尽量小的样品，另外样品高度不得高于？。
第二步：清洗，取样后应用无水乙醇浸泡，用超声波处理以去除油脂，灰尘等污染物；第三步：干燥，清洗后可用红外灯照射数分钟使其干燥；第四步：固定，在样品台上刷上液体导电胶或导电胶带，再将样品粘在样品台上；注：也可选用可机械夹持的样品台。
可根据加工需要选用一定角度的预倾台。
2.微细和超细粉体样品，取少量样品直接放在烧杯中，用无水乙醇作溶剂，超声分散，用干净的滴管吸取少量液滴置于硅片或其他基底上，将滴有样品的基底用红外灯干燥后，将其用导电胶固定在样品台上；3.粗颗粒样品，取少量粘在贴在样品台上的导电胶带上，用无毛纸或者导电胶背纸轻压，将样品粘牢，用洗耳球或用一定压力的洁净惰性气体清除未粘牢的粉样；4.3扫描电镜观察使用扫描电镜对样品进行观察并在其上找到感兴趣的位置是聚焦离子束加工的前提，那么在这个过程中有哪些常见的问题和需要注意的事项呢？一．如何选择合适的高压和束流扫描电镜的分辨率随加速电压增大而提高，但其衬度随电压增大而降低，所以一般在15kV初步观察，而后根据不同目的改变电压，例如导电性较差的样品一般选择较低的加速电压减小荷电效应，如果需要做能谱和EBSD则需要增大加速电压以激发X射线或背散射信号；一般来说大的束流可以适当提高信噪比，但是确影响分辨率，用户需要根据不同目的在搞信噪比和高分辨率之间找到平衡点。
二．怎样快速找到样品并确定样品的最高点注意每次实验结束后将样品台归零，在装样前注意观察样品方向，如果有两个以上的样品注意样品与样品之间的相互位置，然后根据下图发现图显示器上的方向与物理空间的方向顺时针旋转了90°，按照这个关系则可以快速找到样品，同时可以兼顾CCD中的显示，观察在移动过程中样品是远离还是靠近电子束。
在找到样品后，对于高低不平的样品，需要找到样品最高点并在该位置link，具体的方法是在样品的不同位置调整至正焦，比较不同位置的工作距离，工作距离最小的位置即样品最高的位置。
同时可以配合装样前观察较高的部位的形状进行判断。
如下图所示工作距离指物镜极靴下表面与试样表面之间的距离（在电镜电脑屏幕上通常以WD+数字显示）。
需要注意的是真实的WD是需要将电子束聚焦到样品表面之后，显示的WD才准确。
从图中我们还可以看出，平常所说的调焦其本质是调整电磁透镜中电磁线圈的电流从而改变电子束的聚焦点，使得电子束聚焦到样品表面，也就是图像最清晰的位置。
在调焦过程中常见的方法是在高倍调焦，低倍观察照相，一般可得到高质量的图像。
三．为什么要Link Z to FWD注意观察可以发现在link之前Z后的标志为，即样品台向上移动Z增大，此时Z显示的值为样品台的位置，例如Z=0表示样品台处于最低位置，与样品的上表面位置无关。
当点击link之后，Z后的标志为，即样品台的向下移动Z 增大，此时Z显示的值为物镜极靴下表面到样品上表面之间的距离，即Z=WD，此时如果Z=0则表示样品撞到物镜极靴，因此必须牢记link的含义。
注：1.在所有移动样品台的过程中都必须将图像切换至1/4屏，可以随时在CCD中观察到样品台位置，如有异常可随时点击STOP，并检查输入指令是否有问题；2.在实验过程中若关闭电子束则link自动解除；四．什么时候需要调象散如何消除象散如上图所示，电镜中的象散是由于电磁透镜的不同方向的会聚能力不对称造成的，那么消象散的过程就是通过改变消像散器中不同方向的聚焦能力，从而使其满足聚焦场圆对称的条件。
从图像上看，当放大倍数较高时象散的影响较大，会造成图像模糊或变形，常用的消像散的方法是，找到一个有清晰边缘的圆形颗粒，若在过焦欠焦状态来回切换，四周边缘不能同步的变清楚或模糊，就是有像散的存在；若是出现明显的变形拉长，像散可能比较严重。
此时将焦距定在正焦点，消一个方向的像散，调到最清楚的状态，检查聚焦情况，再消另外一个方向的象散，再调焦时会看到颗粒边缘同步变清晰，过焦或欠焦时四周同步模糊，基本上就是消除好了。
五．什么是荷电效应，应如何减小荷电效应荷电效应就是对于导电性能不好的样品如半导体材料，绝缘体薄膜，在电子束的作用下，其表面会产生一定的负电荷积累，从而使得图像质量变差或者不能成像的现象，下图是典型的存在荷电效应的图像。
荷电效应在扫描电镜成像中是一个常见的问题，那么常用的减小荷电效应的措施有哪些呢。
a)在样品的表面喷镀一层导电膜，常见的是喷金或喷碳，但是应注意掌握金属膜的厚度，减小其对样品表面细节的掩盖；b)降低加速电压和电流可以一定程度上减小荷电效应；c)快速观察和拍照，可以在某一区域先调整，调整好后移至旁边的区域迅速调整后拍照；d)对于环境电镜可以通入一定量的气体，减小样品表面的荷电效应；4.3 FIB加工在SEM下确定了加工位置后，将该位置调至共心高度，就可以根据需要进行FIB加工，在加工的过程中有哪些问题需要注意呢。
一．为什么要调整共心高度，如何调整在SEM观察时我们可以根据需要选择工作距离WD,做图像观察时，工作距离越小图像分辨率越高，但是对于双束系统，如果要做离子束加工，则样品高度必须调整至共心高度，原因如右图所示，双束系统中电子束和离子束的轴有一个交点，样品必须位于交点的高度才可以同时在电子束和离子束中观察到相同的位置，这个交点位置就称为“共心高度”（Eucentric height）。