可控硅整流器保护
浅谈可控硅整流装置的调试与维护
浅谈可控硅整流装置的调试与维护作者：李志强来源：《中国新技术新产品》2016年第17期摘要：可控硅的应用范围很广范。
它可用作硅整流，把交流电变成大小可调的直流电也可用作逆变，把直流成各种频率的交流电，还可用作直流电路或交流电路中的开关。
由于它具有体积小、重量轻、效率高、动作快、无噪声、操作维护方便等优点，在国防、航运、冶金、石油、机械制造等行业得到广泛应用。
可控硅技术已成为一项就用很广的电子新技术。
可控硅整流装置是指使用可控硅这种可控型的半导体器件进行整流的装置。
用处就是将交流变成直流，可用于直流电源、交直流电机控制控制等等。
关键词：可控硅；整流；调试；主回路保护；维修中图分类号：TD614 文献标识码：A一、可控硅整流装置的调试1.单相可控硅整流装置的调试（1）仔细检查主电路与控制电路的接线是否正确，特别要注意可控硅的控制极不要与其他部分发生短路，可控硅和散热器应拧紧。
（2）检查熔断器是否已装上。
（3）一般先调试控制电路，然后再调主电路。
（4）控制电路的调试步骤是：在控制电路接上电源后，先用示波器观察稳压管两端的电压波表，有无梯形波，再驼罕触发电路中电容两端的电压波形，有无锯齿波，最后调整触发电路中的电位器，看锯齿波的数目是否均匀变化。
否则要检查原因，排除冬天爷爷障后重新调试。
（5）电路的调试步骤如下：用调压器给主电路加一个低电压（10V～ 20V），用示波器观察阴阳极之间的电压波形，波形上有一部分是一条平线，它是可控硅的导通部分，调节触发电路时的电位器，波形是平线的长度跟随变化，表示可控硅导通角可调，电路工作正常，否则需检查原因，排除故障后重新调试。
待检查无误后，给主电路加上工作电压再复查一遍。
2.三相可控硅整流装置的调试单相可控硅整流装置的调试步骤对于三相可控硅装置同样适用，在三相装置中还应作如下的调试步骤：（1）检查三相电源的相序，按照要求的电源相序，接通主电路与控制电路。
（2）检查三相触发电路与主电路的相位一致性。
可控硅整流器安全操作规程
可控硅整流器安全操作规程
1．可控硅整流室内变压器、交流滤波器、整流柜和高压面板应视为380V的高压，其四周必须垫有绝缘橡胶垫，以保人身安全。
2．可控硅整流柜内的交流过压吸收装置、硅元件和快速熔断器通电时携带高压，在运行中严禁用手触碰，以防触电。
3．测量和检查主电路相关部件的电压和控制板的触发脉冲时，必须有两个人，小心谨慎从事。
4．整流元件烧坏或快速保险丝熔断时，必须停电后更换。
5．在对整流室的巡视中，不要进行任何维修工作。
6．巡视中若发现异常现象或故障时，应及时处理，并立即报告有关领导和电气点检人员或电气维修人员。
7．整流室巡视完后，必须关窗并上锁，把钥匙放在值班室指定的地方。
8．对电积铜用整流器，在进行检修前还应将其4所有直流母线闸刀开关操作至“断开”位置方可进行下一步检修工作。
可控硅整流装置中的限流保护与过流保护
可控硅整流装置中的限流保护与过流保护
蒋道明
【期刊名称】《四川水利》
【年(卷),期】2005(026)005
【摘要】可控硅整流装置，不论在电力系统还是在现代工业的各行各业中，已得到广泛应用。
在电力系统中，既可作为系统控制、保护的工作电源，同时又可作为蓄电池的充电装置。
可控硅整流装置要安全运行，必须有可靠的保护措施，在整流装置过载或者输出短路时，保护措施能起到安全保护作用，使装置不受损坏，我们把这种保护功能，归结为限流保护和过流保护。
【总页数】1页(P27)
【作者】蒋道明
【作者单位】四川省水利职业技术学院,四川,都江堰,611830
【正文语种】中文
【中图分类】TM46
【相关文献】
1.过流保护在可控硅整流装置中的应用 [J], 彭增良
2.过流保护·限流保护在可控硅整流装置中的应用 [J], 王昌华
3.限流、过流保护在相控可控硅整流充电装置中的应用 [J], 宋黎东
4.限流、过流保护在相控可控硅整流充电装置中的应用 [J], 邢春生;杨德山
5.限流、过流保护在可控硅整流装置中的应用 [J], 王昭华;张书启;赵宏;孙世峰
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国力可控硅整流器系列产品特点及技术参数
1国力可控硅整流器系列产品特点及技术参数佛山市顺德区国力电力电子科技有限公司可控硅整流器系列产品的优点1、整流结构先进采用先进出口变压器结构设计大大提高了整流效率节约了能源并使整机体积、重量大为减小，可靠性大为提高。
特1别是我公司的大电流整流变压器绕组的独特设计在整流元件并联均流方面有突破性贡献。
2、控制特性良好我公司采用的控制电路与国际主流可控硅控制电路可完全互换，该控制电路它具有自动稳压/稳流、自动电流密度、0-180秒任意调节软启动等良好控制功能，并可通过接口实现计算机控制，是目前最先进的可控硅控制系统。
3、保护功能完善1具有缺相、输出短路/过载、超温的完善自动保护。
4、选用优质材料及采用严谨的制造工艺变压器铁芯采用进口优质硅钢片晶粒取向裁片并严格控制接缝。
变压器线圈采用优质无氧铜线材绕制并采用两次浸渍工艺一次侧控制型整流器原边采用进口高压可控硅元件，付边采用国产优质整流元件二次侧控制采用进口可控硅元件。
15、具备妥善的防护措施整流器的控制部分采用三重防腐处理。
优良的防腐蚀设计使整机具有极好的环境耐受力，工作的可靠性大大提高，设备的环境适应能力远高于整流器国家标准。
6、操作方便配备简单实用的遥控操作箱，即方便使用者在工位就近操作又可方便整流器安装选位。
可控硅整流器系列产品的技术参数1输入电压范围：(三相)380V10%50-60Hz稳定度：1%波纹电压：2%冷却方式：风冷、油冷、水冷调节范围：连续0-100%保护措施：过电流、过热、过压、及短路缺相等保护功能选择：普通型、低纹波型、周期换向型、交直流叠加型（着色）1※※我公司可根据客户的需求，为客户提供最佳大功率电源系统解决方案。
1.各种规格大小功率的硅整流系列；2.各种规格大小功率的可控硅整流器系列：(电流：10~100000A；电压：1~2000V)3.各种规格大小功率的高频开关电源系列：(电流：10~50000A；电压：1~1000V)本公司产品以进口大功率绝缘栅双极型晶体管IGBT模块1为主功率器件，以超微晶（又称纳米晶）软磁合金材料为主变压器铁芯，主控制系统采用了多环控制技术，结构上采取了防盐雾酸化措施，整机设计科学超前，稳定实用，性能优越、节能、稳定、高效!本公司产品广泛应用于电镀、电解、电化学、氧化、电泳、冶炼、表面处理、水处理环保、通讯、加热等领域，并广泛的应用在航天、航空、钢铁、铜箔、汽车、电子、铝材、机械、稀土、核工业、气体、兵器工业等国家重点军改工1程等行业以及国内铝轮毂电镀、活塞环镀铬、发泡镀镍、镍网铸镀、汽油机、柴油机启动电源、航空维修专用电源、铝合金硬质氧化、稀土电解等。
你的可控硅整流器需要具备这些保护措施
你的可控硅整流器需要具备这些保护措施
可控硅整流器作为一种重要的元件，在很多电路系统中都是不可缺少的组成部分，而较大容量的可控硅元件能够保障其安全正常运行。
然而，为了使可控硅整流器可靠的工作，还必须加上各种保护，这样才能有效的防止雷击、元件损坏、桥臂过热等问题。
本文在这里总结了几种必备的可控硅保护措施，与大家一起分享。
晶闸管关断过电压保护
该种可控硅保护措施，能够为可控硅整流器提供基础的安全保障。
配备有晶闸管关断过电压保护的整流器一旦出现故障，可以防止晶闸管被过电压击穿。
当整流器发生故障时，晶闸管从导通到阻断，线路电感将会释放能量产生过电压。
由于晶闸管在导通期间载流子充满元件内部，在关断过程中管子在反向作用下，正向电流下降到零时，元件内部残存着载流子。
这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使残存的载流子迅速消失。
这时反向电流减小即diG/dt极大，产生的感应电势很大，这个电势与电源串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可导致可控硅反向击穿，其数值可达工作电压的5—6倍。
因此，在晶闸管两端并接阻容吸收电路是十分有必要的。
交流侧过电压保护
在可控硅整流器的保护措施中，交流侧过电压保护措施也是必须具备的重要安全保障之一。
由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程，此时便会产生操作过电压。
高压合闸的瞬间，由于初次级之间存在分布电容，初级高压经电容耦合到次级，出现瞬时过电压，很容易对可控硅造成损伤。
设置交流侧过电压保护其实并不难操作，工程师仅需在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容，就可以有效的减小这种过电压。
可控硅整流装置工作原理及保护措施论文
可控硅整流装置的工作原理及保护措施摘要：在整流装置过载或输出短路时，保护措施能起到安全保护功能，归结为限流保护和过电流保护。
这两种保护是否可靠，直接影响控硅整流装置的质量，代表着控硅整流装置的水平。
本文主要介绍了相控可控硅整流装置的控制原理，及限流、过电流保护在相控可控硅整流充电装置的应用。
关键词：可控硅整流装置开环控制闭环控制限流与过电流保护中图分类号： u264.3+71 文献标识码： a 文章编号：1 概述相控整流充电装置不论在电力系统还是在现代工业的各行各业中已得到广泛应用。
例如在电力系统中，即可作为系统控制、保护的工作电源，又可作为蓄电池的充电装置。
可控硅整流装置要安全运行，必须有可靠的保护措施。
在整流装置过载或输出短路时，保护措施能起到安全保护功能，归结为限流保护和过电流保护。
这两种保护是否可靠，直接影响控硅整流装置的质量，代表着控硅整流装置的水平。
2 可控硅整流装置的控制原理可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个pn 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。
可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
可控硅整流就是利用可控硅整流元件把交流电变换成大小可调的直流电。
以单相全桥为例，可控硅整流装置的输出电压ud与可控硅控制角α之间的关系如下式：ud=0.9uz1cosαud：可控硅整流装置输出电压；uz1：整流变压器二次侧线电压；α：可控硅控制角由上式可以看出，可控硅整流装置的输出电压与可控硅控制角α有关。
α实际上由控制电压uy决定.即当uy增加时，α增大，则ud减小；当uy减小时，α减小，ud增大。
可控硅的保护
中频电源的过电流和过电压的保护中频电源装置的主电路采用品闸管半导体器件，这类器件承受过电压，过电流的能力很差，而中频电源的运行情况比较复杂，负载变化剧烈，出现短路，开路，过电压，过电流的几率较高，必须采取妥善保护措施，以确保装置安全运行。
品闸管中频电源的过流过压保护，一种是在适当的地方安装保护器件如在工频电源进线侧安装RC吸收电路，用以抑制由外电路涌入中频电源的雷击过电压和操作过电压，在晶闸管上用接快速熔短器用以保护过电流对晶闸管的损坏，另一种是检测中频电源的输出电压和输入电流，当电压或电流超过允许值时借助整流触发控制系统使整流桥工作于有源逆变状态，或封锁整流输出脉冲使整流桥输出电压为零。
整流晶闸管阻容吸收元件的选择电容的选择：C=(2.5-5)X10的负8次方XIfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管可以计算C=(2.5-5)X10的负8次方X500=1.25-2.5叱F选用2.5F F,1kv的电容器电阻的选择：R=((2-4)X535)/If=2.14-8.56选才?10欧PR=(1.5X(pfvX2Ttfc)的平方X10的负12次方XR)/2Pfv=2u(1.5-2.0)u-三相电压的有效值晶闸管的保护措施品闸管元件的主要弱点是承受过电流和国电压的能力很差，即使短时间的过流和过电压，也可能导致晶闸管的损坏，所以必须对它采用适当的保护措施。
1.过电流保护品闸管出现过电流的主要原因是过载、短路和误触发。
过电流保护有以下几种：快速容断器快速容断器中的溶丝是银质的，只要选用适当，在同样的过电流倍数下，它可以在晶闸管损坏前先溶断，从而保护了品闸管。
过电流继电器当电流超过过电流继电器的整定值时，过电流继电器就会动作，切断保护电路。
但由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所以只能用作品闸管的过载保护。
过载截止保护利用过电流的信号将品闸管的触发信号后移，或使晶闸管得导通角减小，或干脆停止触发保护品闸管。
可控硅整流器安全操作规程正式版
可控硅整流器安全操作规程正式版第一章总则第一条为了确保可控硅整流器的安全运行，保护设备和人员安全，制定本规程。
第二条本规程适用于所有使用可控硅整流器的电力企业、工矿企业以及其他有关单位和人员。
第三条可控硅整流器的使用、操作必须符合国家有关标准、法规的要求。
第四条对可控硅整流器的操作人员必须进行专业培训，取得相应的操作证书后方可操作。
第五条可控硅整流器的维护、检修人员必须具备相应的资质，并严格按照规程进行维护、检修工作。
第六条可控硅整流器的使用人员必须严格按照规程进行操作，不得擅自进行改动、调整。
第七条可控硅整流器的使用人员在操作前应检查设备是否正常，如发现异常情况应及时报修或报告上级。
第八条不得利用可控硅整流器进行违法活动，如发现有违法行为，应及时报告有关部门。
第二章操作规定第九条可控硅整流器的操作前必须全面了解设备的性能、特点和规定的工作参数。
第十条可控硅整流器的输入、输出电压必须符合规定范围，不能超出额定值。
第十一条操作人员在操作前必须戴绝缘手套和绝缘鞋，并确保操作场所干燥。
第十二条操作人员应保持操作区域整洁，并确保无杂物或易燃物质。
第十三条在操作可控硅整流器时，应按照正常操作顺序进行，不能跳过或改变步骤。
第十四条禁止在可控硅整流器上堆放物品、悬挂物件，避免影响设备正常工作。
第十五条操作人员不得随意触摸设备内部的任何元件，以免造成电击或设备故障。
第十六条在设备工作时，不得擅自断电、拆卸设备，必须按照规程进行操作。
第十七条在设备运行过程中，如发现设备周围有明火或有烟雾冒出，应立马切断电源，并进行相应报警。
第十八条对于设备故障，应及时报修或报告上级，并根据规程进行相应处理。
第三章维护与检修要求第十九条可控硅整流器的维护工作必须由具备相应资质的人员进行，不得由未经培训和审查合格的人员进行操作。
第二十条维护工作时，必须切断电源，确保安全后方可进行维护作业。
第二十一条维护人员应定期对整流器进行巡视，及时处理异常情况。
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【导读】尽管可控硅本身在选择时就已准备了很大的电流电压裕量，然而为了使它的工作稳定性更加出色，工程师在使用这一元件进行电路设计时，还必须为其加上各种保护。
在今天的文章中，我们将会就可控硅整流器的保护措施，进行简要介绍。
可控硅整流器在工作时的可靠性和持续稳定性，离不开各项保护措施的有效设置。
尽管可控硅本身在选择时就已准备了很大的电流电压裕量，然而为了使它的工作稳定性更加出色，工程师在使用这一元件进行电路设计时，还必须为其加上各种保护。
晶闸管关断过电压保护在可控硅整流器的正常工作过程中，晶闸管关断过电压保护措施的设置，是保证整流器安全运行的重要保障。
由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，在可控硅的关断过程中，管子在反向作用下，正向电流下降到零时，元件内部残存着载流子。
这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使残存的载流子迅速消失，这时反向电流减小，这也就意味着diG/dt极大，由此所产生的感应电势很大，这个电势与电源串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可导致晶闸管反向击穿。
这就是关断过电压。
数值可达工作电压的5到6倍。
保护措施：在晶闸管两端并接阻容吸收电路。
交流侧过电压保护除了晶闸管关断过电压保护措施之外，可控硅整流器的交流侧过电压保护也同样是必不可少的。
在电路系统的设计过程中，由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程，因此会产生操作过电压。
高压合闸的瞬间，由于初次级之间存在分布电容，初级高压经电容耦合到次级，出现瞬时过电压，而这种瞬时过电压对整流
器的危害是相当大的。
想要对瞬时过电压进行控制，并保障可控硅整流器的安全工作，工程师可以选择在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容，这种设置能够显著减小这种过电压。
直流侧过电压保护可控硅整流器的直流侧过电压保护措施，也同样是非常重要的。
当负载断开时或快熔断时，储存在变压器中的磁场能量会产生过电压，显然在交流侧阻容吸收保护电路可以抑制这种过电压，但由于变压器过载时储存的能量比空载时要大，还不能完全消除。
想要对直流侧过电压进行抑制，目前工程师们常用的方法是使用压敏吸收进行保护。
除此之外，整流器的过电流保护也同样是需要工程师进行逐一的，通常情况下的做法是添加快速熔断器进行保护，实际上它不能保护可控硅，而是保护变压器线圈。