I T和可控硅区别
可控硅和继电器有什么区别
可控硅和继电器有什么区别
继电器和可控硅都是开关型器件，控制方便使用广泛。
今天来看看两者有什么区别。
1. 触点方面
继电器：机械式触点，在开关过程中有抖动；响应时间为ms级别，多为10-30ms；机械式触点存在寿命限制，流过的电流越大，寿命越短；容易出现电弧；
可控硅：电子式触点，响应速度快，为us甚至ns级别；无使用寿命限制；不会产生电弧；
2.控制回路
继电器：可以用在交直流回路中，能导通/切断交流回路、直流回路；
可控硅：可控硅用在交流回路中，无法用在直流回路中，因为无法关断；
3.控制方式
继电器：继电器线圈得电后继电器触点动作，失电后触点复位；
可控硅：给出触发信号后，触点T1,T2存在电流且大于维持电流后可控硅导通，导通后把触发信号移除，可控硅仍然处于导通状态，除非T1,T2流过的电流小于维持电流；
以上是简单总结的几点区别，欢迎大家批评、指正、补充。
jt41hz可控硅参数
jt41hz可控硅参数一、引言j t41hz可控硅是一种常见的电子元件，广泛应用于电力控制和变频调速等领域。
了解j t41h z可控硅的参数对于正确使用和应用该元件至关重要。
本文将介绍j t41h z可控硅的常见参数及其含义，帮助读者更好地理解和应用可控硅。
二、可控硅的基本概述可控硅是一种具有控制性能的半导体器件，由于其具备手动和自动控制电流的能力，被广泛用于电力电子领域。
它常见的型号之一是j t41h z 可控硅，下面将介绍该型号的重要参数。
三、参数1限流电流（I_T）限流电流是j t41h z可控硅能够承受的最大电流。
超过该电流值，可控硅会被损坏。
在使用j t41h z可控硅时，应确保电流不超过限流电流的数值。
四、参数2阻断电压（V_R R M）阻断电压是指jt41hz可控硅能够承受的最大反向电压。
超过该电压值，可控硅可能会发生击穿，导致元件失效。
在实际应用中，应选择低于阻断电压的工作电压，以确保可控硅的正常工作。
五、参数3关断时间（t_q）关断时间是j t41h z可控硅从导通到断开的时间。
关断时间的长短直接影响到可控硅的开关速度和响应时间。
在选型和应用可控硅时，需要根据具体的需求和应用场景选择适当的关断时间。
六、参数4触发电压（V_G M）触发电压是使jt41hz可控硅从关断状态转为导通状态所需的电压。
触发电压的高低与可控硅的灵敏度和响应速度有关。
应根据具体应用需求选择适当的触发电压值。
七、参数5瞬态响应时间（t_dv/dt）瞬态响应时间是j t41h z可控硅在接收到触发信号后从关断状态转为导通状态的时间。
该参数关系到可控硅对高频信号和瞬态电压的响应能力。
较短的瞬态响应时间可提高可控硅的稳定性和可靠性。
八、参数6散热器热阻（R_t h）散热器热阻是指j t41h z可控硅与散热器之间的热阻，用于评估可控硅在工作过程中的散热性能。
热阻的大小与可控硅的温度升高和散热器的散热能力密切相关。
在实际应用中，应合理选择散热器以确保可控硅的温度在安全范围内。
IGBT究竟是什么呢？它和可控硅的区别是什么？
IGBT究竟是什么呢？它和可控硅的区别是什么？
可控硅IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT 消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。
较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
IGBT与可控硅区别
2.2电网侧的功率因数和谐波干扰
电网侧的功率因数取决于整流电路的工作方式。对于三相桥式整流器而言，如果整流元件在受正向电压时始终开通(如二极管)，那末它的功率因数接近于1。如果整流元件在受正向电压一段时间后开通(如受移相控制的可控硅)，那末功率因数等于控制角(120°-导电角)的余弦函数。当控制角为0°时，功率因数接近于1，此时整流器的输出电压最高。当控制角逐步增大时，功率因数随之减小，整流器的输出电压也逐步降低。
西安机电研究所生产的SCR全桥并联逆变器采用了先进的微控制器控制技术，其逆变控制部分采用了人工智能控制程序。该程序在需要时可以在小范围内改变逆变器的逆变角(在可控硅关断时间允许范围内)，因此使SCR全桥并联逆变器具有了小范围调节负载等效直流电阻的能力，和整流器的电流余量相配合，使这种SCR全桥并联逆变固体电源具有接近恒功率输出的能力(不能完全达到)。
对于SCR全桥并联逆变器，其损耗一般包括整流可控硅损耗，滤波电感器损耗，逆变可控硅损耗，补偿电容器损耗和连接铜排损耗。其中滤波电感器损耗占的比例较大，因为滤波电感器通常由铜管绕制，必须有一定的圈数，受体积限制，铜管也不能太粗。
对于IGBT半桥串联逆变器，其损耗一般包括整流二极管损耗，滤波电容器损耗，逆变IGBT损耗，补偿电容器损耗和连接铜排损耗。其中IGBT的损耗占的比例较大，因为IGBT的导通压降大于可控硅的导通压降，通过IGBT的电流又是全部电炉电流，并且IGBT的数量较多。此外，IGBT半桥串联逆变器的连接铜排损耗也比同容量的SCR全桥并联逆变器大。这是因为前者的连接铜排长度和截面积都大于后者。
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种新型电力半导体器件，正处在成熟发展过程中。现在进入实用阶段的大电流IGBT的规格是1200 A/1200 V(德国进口)。从图2可见，在IGBT半桥串联逆变器中，补偿电容器与电炉的感应线圈串联，不能自成回路，电炉感应线圈的电流必须全部流过IGBT。在这种电路中，IGBT通常采用多个并联工作。但IGBT是一种快速开关器件，其关断时由于连接铜排电感的作用，会在IGBT上产生较高的关断过电压，如图3。这个过电压不能高于IGBT的额定耐压，否则会造成IGBT损坏。也就是说，连接铜排的电感限制了IGBT可并联的个数。因此，采用IGBT元件的半桥串联逆变固体电源在目前条件下尚不能达到很大的功率。西安机电研究所现在生产的IGBT半桥串联逆变固体电源的功率范围是50~ 1800 kW。
可控硅符号含义
参数符号说明:IT(A V)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(A V)--正向平均电流CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（A V）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
双向可控硅的知识
双向可控硅百科名片双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。
其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
产品命名双向可控硅为什么称为“TRIAC”?双向可控硅三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：ACsemiconductorswitch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled(取第一个字母)整流器：Rectifier(取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM 等等。
双向：Bi-directional(取第一个字母)三端：Triode(取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名，典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅。
代表型号如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-6 00E、BT139-600E、等等。
这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；双向可控硅Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。
而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：四象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41 -600B等等；四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41 -600B等等；ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。
IGBT与可控硅区别
请问，在整流器中，应用IGBT整流与用可控硅整流有什么差别？另外，功率器件IGBT与可控硅的整流有什么区别？谢谢努力工作，多多挣钱2008-3-2 13:23:48 IP: 保密8355335等级:光明使者权限:普通用户积分:753金钱:4819声望:16经验:2193发帖数:2135注册时间:2006-5-8编辑删除引用第2楼可控硅整流器能够均匀调节输出电压，绝对珍藏：《深入浅出西门子S7-200PLC第二版》电子版变频器与PLC资料下载，天天更新2008-3-2 21:31:25 IP:保密99618等级:权限:普通用户积分:3445金钱:2946声望:-22经验:1901编辑删除引用第3楼看看这个摘要：本文对历年来得到广泛应用的可控硅全桥并联逆变固体电源以及近几年得到快速发展的IGBT半桥串联逆变固体电源的各项性能及它们的适用配套对象(电炉)进行了详细的比较分析。
它将有助于用户根据各自的工艺要求正确、合理、经济地选用合适的供电电源。
关键词：可控硅;IGBT;中频固体电源，感应电炉The performance comparison between MF power supply with SCR and IGBTYan Wenfei Yin Jingxing ( Xi’an Mechanical and Electric Research Institute 710075)Abstract: The performan ce and it’s application for the SCR solid state MF power当电炉的功率在1500 kW以下时，如果需要高性能，能耗低，可以选择IGBT中频感应电炉。
如果要求低价格，则可选择SCR全桥中频感应电炉。
当电炉的功率在1500 kW以上时，通常应该选择SCR全桥中频感应电炉，它具有更高的稳定性和可靠性。
对于熔化电炉而言，因为电炉经常工作在满功率状态，所以功率因数已不是主要问题。
可控硅参数符号意义
可控硅参数符号意义可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是一种典型的半导体器件，在电力电子领域广泛应用。
它是一种电流控制型的电子开关，可以实现电路的开关控制，广泛应用于电能控制、电流调节、频率变换和电力转换等方面。
在可控硅的参数中，有一些重要的符号和意义，下面将详细解释。
1. IGT：触发电流（Gate Trigger Current）IGT是指在开关偏置电压条件下，从控制极（Gate）流入可控硅的电流。
当IGT达到一定值时，可控硅进入导通状态。
IGT的大小与可控硅的导通灵敏度和触发电路设计有关。
IGT越小，可控硅的触发能力越强。
2. VGT：触发电压（Gate Trigger Voltage）VGT是指正常导通状态下，为使可控硅在控制极（Gate）上具有触发能力所需的电压。
当VGT达到一定值时，可控硅开始导通，只有当控制极的电压达到或超过这个值时，可控硅才能被触发。
3. IH：保持电流（Holding Current）IH是可控硅在导通状态下能够维持稳定导通所需的最小电流。
当电路中的电流小于IH时，可控硅将进入关断状态。
4. VDRM：最大反向电压（Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage）VDRM是可控硅在关断状态下的最大允许电压。
当电路的反向电压超过VDRM时，可控硅将出现击穿现象，导致不可逆损坏。
5. IT(RMS)：有效值电流（RMS On-State Current）IT(RMS)是指可控硅在导通状态下所能承受的最大有效值电流。
超过这个值，可控硅将无法承受，可能引起过热和损坏。
6. VTM：最大导通压降（Maximum On-State Voltage Drop）VTM是可控硅在导通状态下的最大导通电压降。
这个电压降是导通状态下硅芯片内部电导引起的，电流大时电压降也相应增大。
7. dV/dt：最大耐受斜率（Maximum Allowable Rate of Rise of Off-State Voltage）dV/dt是可控硅在关断状态下能够承受的最大耐受斜率。
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§1.整流元件（晶闸管）
简单地说：整流器是把单相或三相正弦交流电流通过整流元件变成平稳的可调的单方向的直流电流。
其实现条件主要是依靠整流管,晶闸管等元件通过整流来实现.除此之外整流器件还有很多,如:可关断晶闸管GTO,逆导晶闸管，双向晶闸管，整流模块,功率模块IGBT,SIT,MOSFET等等,这里只探讨晶闸管.
晶闸管又名可控硅,通常人们都叫可控硅.是一种功率半导体器件,由于它效率高,控制特性好,寿命长,体积小等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门独立的学科.“晶闸管交流技术”。
晶闸管发展到今天，在工艺上已经非常成熟，品质更好，成品率大幅提高，并向高压大电流发展。
目前国内晶闸管最大额定电流可达5000A，国外更大。
我国的韶山电力机车上装载的都是我国自行研制的大功率晶闸管。
晶闸管的应用：
一、可控整流
如同二极管整流一样，可以把交流整流为直流，并且在交流电压不变的情况下，方便地控制直流输出电压的大小即可控整流，实现交流——可变直流
二、交流调压与调功
利用晶闸管的开关特性代替老式的接触调压器、感应调压器和饱和电抗器调压。
为了消除晶闸管交流调压产生的高次谐波，出现了一种过零触发，实现负载交流功率的无级调节即晶闸管调功器。
交流——可变交流。
三、逆变与变频
直流输电：将三相高压交流整流为高压直流，由高压直流远距离输送以减少损耗，增加电力网的稳定，然后由逆变器将直流高压逆变为50HZ三相交流。
直流——交流
中频加热和交流电动机的变频调速、串激调速等变频，交流——频率可变交流
四、斩波调压（脉冲调压）
斩波调压是直流——可变直流之间的变换，用在城市电车、电气机车、电瓶搬运
车、铲车（叉车）、电气汽车等，高频电源用于电火花加工。
五、无触点功率静态开关（固态开关）
作为功率开关元件，代替接触器、继电器用于开关频率很高的场合
晶闸管导通条件:
晶闸管加上正向阳极电压后，门极加上适当正向门极电压，使晶闸管导通过程称为触发。
晶闸管一旦触发导通后，门极就对它失去控制作用，通常在门极上只要加上一个正向脉冲电压即可，称为触发电压。
门极在一定条件下可以触发晶闸管导通，但无法使其关断。
要使导通的晶闸管恢复阻断，可降低阳极电压，或增大负载电阻，使流过晶闸管的阳极电流减小至维持电流（IH）（当门极断开时，晶闸管从较大的通态电流降至刚好能保持晶闸管导通所需的最小阳极电流叫维持电流），电流会突然降到零，之后再提高电压或减小负载电阻，电流不会再增大，说明晶闸管已恢复阻断。
根据晶闸管阳极伏安特性，可以总结出：
1．门极断开时，晶闸管的正向漏电流比一般硅二极管反向漏电流大，且随着管子正向阳极电压升高而增大。
当阳极电压升到足够大时，会使晶闸管导通，称为正向转折或“硬开通”。
多次硬开通会损坏管子。
2．晶闸管加上正向阳极电压后，还必须加上触发电压，并产生足够的触发电流，才能使晶闸管从阻断转为导通。
触发电流不够时，管子不会导通，但此时正向漏电流随着增大而显著增大。
晶闸管只能稳定工作在关断和导通两个状态，没有中间状态，具有双稳开关特性。
是一种理想的无触点功率开关元件。
3．晶闸管一旦触发导通，门极完全失去控制作用。
要关断晶闸管，必须使阳极电流<维持电流，对于电阻负载，只要使管子阳极电压降为零即可。
为了保证晶闸管可靠迅速关断，通常在管子阳极电压互降为零后，加上一定时间的反向电压。
晶闸管主要特性参数
1．正反向重复峰值电压——额定电压（VDRM 、VRRM取其小者）
2．额定通态平均电流IT（AV）——额定电流（正弦半波平均值）
3．门极触发电流IGT，门极触发电压UGT，（受温度变化）
4．通态平均电压UT（AV）即管压降
5．维持电流IH与掣住电流IL
6．开通与关断时间
晶闸管合格证基本参数
IT（AV）= A（TC=℃）------通态平均电流
VTM= V -----------通态峰值电压
VDRM = V -------------断态正向重复峰值电压
IDRM= mA -------------断态重复峰值电流
VRRM= V -------------反向重复峰值电压
IRRM = mA ------------反向重复峰值电流
IGT = mA ------------门极触发电流
VGT= V ------------门极触发电压
执行标准：QB-02-09
1．晶闸管关断过电压（换流过电压、空穴积蓄效应过电压）及保护
晶闸管从导通到阻断，线路电感（主要是变压器漏感LB）释放能量产生过电压。
由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，在关断过程中，管子在反向作用下，正向电流下降到零时，元件内部残存着载流子。
这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使残存的载流子迅速消失，这时反向电流减小即diG/dt极大，产生的感应电势很大，这个电势与电源串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可导致晶闸管反向击穿。
这就是关断过电压（换相过电压）。
数值可达工作电压的5~6倍。
保护措施：在晶闸管两端并接阻容吸收电路。
2．交流侧过电压及其保护
由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程，会产生操作过电压。
高压合闸的瞬间，由于初次级之间存在分布电容，初级高压经电容耦合到次级，出现瞬时过电压。
措施：在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容，就可以显著减小这种过电压。
与整流器并联的其它负载切断时，因电源回路电感产生感应电势的过电压。
变压器空载且电源电压过零时，初级拉闸，因变压器激磁电流的突变，在次级感生出很高的瞬时电压，这种电压尖峰值可达工作电压的6倍以上。
交流电网遭雷击或电网侵入干扰过电压，即偶发性浪涌电压，都必须加阻容吸收路进行保护。
3．直流侧过电压及保护
当负载断开时或快熔断时，储存在变压器中的磁场能量会产生过电压，显然在交流侧阻容吸收保护电路可以抑制这种过电压，但由于变压器过载时储存的能量比空载时要大，还不能完全消除。
措施：能常采用压敏吸收进行保护。
4．过电流保护
一般加快速熔断器进行保护，实际上它不能保护可控硅，而是保护变压器线圈。
5．电压、电流上升率的限制
§4.均流与晶闸管选择
均流不好，很容易烧坏元件。
为了解决均流问题，过去加均流电抗器，噪声很大，效果也不好，一只一只进行对比，拧螺丝松紧，很盲目，效果差，噪音大，耗能。
我们采用的办法是：用计算机程序软件进行动态参数筛选匹配、编号，装配时按其号码顺序装配，很间单。
每一只元件上都刻有字，以便下更换时参考。
这样能使均流系数可达到0.85以上。
为了减少并联，选用大元件。
这样可以进一步提高均流度，并减小损耗，因为每一只元件都存在一个压降，这也是整流器的主要损耗。