mos管选型指导
MOS管选型指导
正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。
第一步：选用N沟道还是P沟道
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。
在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。
额定电压越大，器件的成本就越高。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。
设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如
电机或变压器)诱发的电压瞬变。
不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。
第二步：确定额定电流
第二步是选择MOS管的额定电流。
视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。
与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。
两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。
脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。
一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。
在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。
MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。
器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。
对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。
对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。
对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。
注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。
关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。
对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。
业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。
在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。
为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。
例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。
这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。
SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。
这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。
结果是晶片尺寸可减小达35%。
而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。
第三步：确定热要求
选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。
设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。
建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。
在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。
根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS(ON)。
由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。
值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量；即要求印刷电路板和封装不会立即升温。
雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。
该电流将耗散功率，使器件的温度升高，而且有可能损坏器件。
半导体公司都会对器件进行雪崩测试，计算其雪崩电压，或对器件的稳健性进行测试。
计算额定雪崩电压有两种方法；一是统计法，另一是热计算。
而热计算因为较为实用而得到广泛采用。
除计算外，技术对雪崩效应也有很大影响。
例如，晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。
对最终用户而言，这意味着要在系统中采用更大的封装件。
第四步：决定开关性能
选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。
影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。
这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。
MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。
为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。
MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。
而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。
MOS功率与选型
品牌：美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA；NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。
MOS管选型指南.xls关于MOS选型第一步：选用N沟道还是P沟道低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
第二步：确定额定电流额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。
与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。
MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。
MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。
器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。
对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。
第三步：确定热要求器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。
根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。
第四步：决定开关性能选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。
影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。
这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。
MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。
详细的MOS管的选型可以参考资料3MOS管正确选择的步骤正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。
第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。
小功率-MOS管-选型手册（较为全面）
小功率-MOS管-选型手册（较为全面）KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300，AP2300，MT2300，ME2300 KD2302 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ；APM2302，SSS2302，ME2302，AP2302，STS2302，MT2302KD2304 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7AKD2304A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，APM2306，CES2304 KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7AKD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306KD2308 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308KD2310 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310KD2301 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻130mΩ、电流-2.6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338PKD2303 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303，AO3405，AO3409，FDN360P，FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2305KD2307 P-Channel SOT23-3 封装、电压-16V、内阻60mΩ、电流-4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2307KD2309 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2309KD3401 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-4.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3401；Si3401，AMP3401，CEM3401，STS3401，AP3401，MT3401KD3402 N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻73mΩ、电流4A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3402;AO3402 SI2306 SI2316 AP2316 CES2314KD3403 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻110mΩ、电流-3.4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3403；AO3403SI2341 SI2307 AP2309 CES2313KD8205S Dual N-Channel SOT23-6 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流4A可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205KD8205G Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205KDG9926 Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A仅接受项目专案订制供货.可替代市面上各厂牌各款TSSOP-8 封装之9926.KD4410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻13.5mΩ、电流10A可兼容、代用、替换市面上各类型4410 : APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、ME4410KD9410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻5mΩ、电流18A可替代市面上各类型9410 :NK9410D、NDS9410A、APM9410K、SSM9410A、CEM9436A、FDS6630A、FDFS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、GE9410、G9410、ME9410 KD9926 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可兼容、代用、替换市面上各类型的9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V、SDM9926、STM9926、MT9926、TM9926、GE9926、STN9926、iTM9926、MOSFET 系列KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻50mΩ、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300，AP2300，MT2300，ME2300 KD2302 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ；APM2302，SSS2302，ME2302，AP2302，STS2302，MT2302KD2304 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7AKD2304A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，APM2306，CES2304 KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7AKD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306KD2308 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308KD2310 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310KD3400 N-Channel 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封装的8205KDG9926 Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A仅接受项目专案订制供货.可替代市面上各厂牌各款TSSOP-8 封装之9926.KD4410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻13.5mΩ、电流10A可兼容、代用、替换市面上各类型4410 : APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、ME4410KD9410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻5mΩ、电流18A可替代市面上各类型9410 :NK9410D、NDS9410A、APM9410K、SSM9410A、CEM9436A、FDS6630A、FDFS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、GE9410、G9410、ME9410 KD9926 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可兼容、代用、替换市面上各类型的9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V、SDM9926、STM9926、MT9926、TM9926、GE9926、STN9926、iTM9926、GT9926、TF9926、AF9926、Si9926、FDS9926、H9926、ME9926KD4228 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻26mΩ、电流6.8A可兼容、代用、替换市面上各类型的AO4800、Si4800、Si4804、FDS6912A、FDS6930A、SDM4800、APM7313、IRF7313、AP4920、Si4936，NDS9956A、Si9925、Si9926、Si9956、SI4804、SI9936、FDS9926A、FDS6912、ME4922、GT4228KD9971 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压60V、内阻50mΩ、电流5A可兼容、代用、替换市面上各类型的9971，AP9971GM、STM6960、Si4900DY、Si4946、AO4828、APM9946K、APM9945K、Si9945AEY、CEM4426、FDS9945KD9435 P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-5.3A可兼容、代用、替换市面上各类型9435 : APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、AO9435、Si9435、STP9435、ME9435KD4435 P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻20mΩ、电流-8A可兼容、代用、替换市面上各类型4435 : APM4435、Si4435、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435、MT4435、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AF4435、FDS4435、iTM4435、ME4435KD4953 Dual P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻53mΩ、电流-5AKD4953BDY Dual P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻42mΩ、电流-5A可兼容、代用、替换市面上各类型4953 : GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953TM4953、STM4953、SDM4953、GT4953、TF4953、H4953、ME4953 等等! 备注:供应性价比优越,专门替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 之KD4953BDY (42mΩ)一辈子时光在匆忙中流逝，谁都无法挽留。
低压大电流mos管型号
低压大电流mos管型号摘要：1.低压大电流mos管简介2.低压大电流mos管的分类3.低压大电流mos管的主要参数4.低压大电流mos管的应用领域5.低压大电流mos管的选型建议正文：低压大电流mos管是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，具有在较低电压下承受大电流的特点。
它在我国的电子产业中具有重要地位，为许多电子产品的设计和制造提供了关键支持。
本文将为您介绍低压大电流mos管的相关知识，以帮助您更好地了解和选择这种器件。
首先，低压大电流mos管（Low Voltage High Current MOSFET）是一种场效应晶体管（FET），具有低输入阻抗、高输入电流和较低的导通电阻等特点。
根据其结构和工作原理，低压大电流mos管可分为沟槽型（Trench）、平面型（Planar）、增强型（Enhanced）和耗尽型（Depletion）等不同类型。
其次，选择低压大电流mos管时需要关注的主要参数包括：额定电压（Rating Voltage）、最大漏极电流（Maximum Drain Current）、导通电阻（On-Resistance）、栅极电荷（Gate Charge）、开关速度（Switching Speed）等。
这些参数将直接影响到器件的性能和应用范围，因此在实际应用中需要根据具体需求进行权衡和选择。
低压大电流mos管广泛应用于各种电子设备中，如电源、通信、计算机、家电等领域。
例如，在电源系统中，低压大电流mos管可用于实现开关电源、直流稳压器等功能；在通信系统中，它可用于放大、开关等功能；在计算机和家电领域，低压大电流mos管则可用于控制和驱动电路等。
最后，针对低压大电流mos管的选型，建议您首先明确应用需求，然后根据需求关注器件的主要参数，进行性能对比。
此外，考虑生产厂家的技术实力、产品质量和服务等因素，以确保选购到合适的低压大电流mos管。
总之，低压大电流mos管作为半导体器件的一种，具有广泛的应用前景和重要的实用价值。
七步掌握MOS管选型技巧
七步掌握MOS管选型技巧MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。
选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。
那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。
首先是确定N、P沟道的选择MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。
MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。
从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。
mos管选型
开关电源元器件选型A:反激式变换器:1. MOS管:Id=2Po/Vin; Vdss=1.5Vin(max)2. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=8Vout3. 缺点:就是输出纹波较大,故不能做大功率(一般≦150W),所以输出电容的容量要大.4. 优点:输入电压范围较宽(一般可做到全电压范围90Vac-264Vac),电路简单.5. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.B:正激式变换器:6. MOS管:Id=1.5Po/Vin; Vdss=2Vin(max)7. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=3Vout8. 缺点:成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍比反激复杂.9. 优点:纹丝小,功率可做到0~200W.10. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.C:推挽式变换器:11. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=2Vin(max)12. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout13. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.不太合适离线式.14. 优点: 功率可做到100W~1000W.DC-DC用此电路很好!15. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.D:半桥式变换器:16. MOS管: Id=1.5Po/Vin; Vdss=Vin(max)17. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout18. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.19. 优点: 功率可做到100W~500W.20. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.E:全桥式变换器:21. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=Vin(max)22. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout23. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.24. 优点: 功率可做到400W~2000W以上.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制。
MOS管选型
MOS管选型最近在推MOS管的过程中，遇到一些问题，最主要的是一个品牌替换参数的对应问题，很多时候我们只关注了电流电压满足要求，性能上的比较我们很少做比较，特从网上摘录此文，供大家参考：与系统相关的重要参数：在MO S管选择方面，系统要求相关的几个重要参数是：1．负载电流IL。
它直接决定于MOSF ET的输出能力；2．输入—输出电压。
它受M OSFET负载占空比能力限制；3．开关频率FS。
这个参数影响M OSFET开关瞬间的耗散功率；4． MOSF ET最大允许工作温度。
这要满足系统指定的可靠性目标。
MOSFE T设计选择：一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被确定，功率MOSFE T在参数方面的选择如下：1 RDSO N的值。
最低的导通电阻，可以减小损耗，并让系统较好的工作。
但是，较低电阻的MOS FET其成本将高于较高电阻器件。
2散热。
如果空间足够大，可以起到外部散热效果，就可以以较低成本获得与较低RDSON一样的效果。
也可以使用表面贴装的MOSF ET达到同样效果，详见下文第15行。
3 MOS FET组合。
如果板上空间允许，有时候，可以用两个较高RDSO N的器件并联，以获得相同的工作温度，并且成本较低。
计算MOSF ET的功率损耗及其壳温：在MOSFE T工作状态下，有三部分功率损耗：1． MOS FET在完全打开以后（可变电阻区）的功率损耗：PON=I Load2 × RD SON ×占空比ILoad为最大直流输出电流。
2． MOSF ET在打开上升时功率损耗：PTRON= （IL oad × VDS× Tr×FS）/ 2其中：。
MOS管选型
MOS管选型1、预估使用环境温度T ambient一般情况下取室温25°C，器件附件空气温升10°C，较差情况下不妨取温度45°C，器件附件空气温升20°C最差情况下T ambient=65°C2、计算I DT ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j例:ME4970RθJA =76°C/WR DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）T j≤150°CT ambient=65°C得I D≤8.36A，与规格书中I D≤8.3A（T ambient=70°C）值很接近3、关于关键器件温升控制△T+To+RθJC * I D * I D * R DS（ON）=T jTo=25°C 室温△T=45°C器件温升，即MOS表面70°C。
RθJC=46°C/WR DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）T j≤150°C得I D≤10.4A以上表明，规格书所标注的I D可以直接作为设计参考电流值（Tambient 取70°C）。
满足温升等要求。
也可用到80%，留有一定余量。
使用条件不同的，需通过T ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j计算I D。
注：MOS的气候特性，包括juction-to-ambient 和junction-to-case两个参数juction-to-ambient：是指PN结到环境的温度，junction-to-case：PN结至器件外壳的温度。
我的MOSFET选型手册
一MOS选型
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
如下图是NMOS开关电路。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
PMOS常用型号：IRFR9024N，NTD25P03L；
二需要注意的参数：
1，开启电压Vth：GS之间的电压只有达到Vth时MOS管才会导通。
2，源极和漏极电流ID：其范围应满足后级电路的需求，不能太小。
3，饱和漏电流IDss：当Vgs=0V时ID的值，越小越好，太大电池耗电。
4，导通电阻Rds：导通后DS间的电阻，越小越好。
5，DS间最大耐压VDSS/Vbr：被控制的电压值不能大于VDSS，否则管子会烧毁。
上表是NTD25P03L在不同条件下导通电阻的值，电压和电流值越大Rds越小。
全桥mos管耐压选用原则
全桥mos管耐压选用原则全桥MOS管是直流电源的重要组成部分，其耐压能力直接影响整个系统的稳定性和可靠性。
因此，在选择全桥MOS管时，需要考虑以下几个方面的原则：一、电压等级首先需要确定全桥MOS管的电压等级。
在选择电压等级时，应该考虑到系统所需的最大输出电压和输入电压范围，以及安全裕度等因素。
通常情况下，应该选取比系统最大输出电压高出一定安全裕度的电压等级。
二、导通电阻导通电阻是影响全桥MOS管效率和发热量的一个重要指标。
较低的导通电阻可以提高系统效率，减少功率损耗和热量产生。
因此，在选取全桥MOS管时，应该尽可能选择导通电阻较低的型号。
三、反向漏电流反向漏电流是指在正向工作状态下，MOS管漏过来的微小反向电流。
较高的反向漏电流会导致系统静态功耗增加，并且可能会对负载产生影响。
因此，在选取全桥MOS管时，应该尽可能选择反向漏电流较低的型号。
四、温度特性全桥MOS管在工作过程中会产生热量，因此其温度特性也是需要考虑的因素之一。
在选取全桥MOS管时，应该尽可能选择具有较好温度特性的型号，以确保系统的稳定性和可靠性。
五、可靠性全桥MOS管是整个系统中最容易损坏的部件之一。
因此，在选取全桥MOS管时，应该尽可能选择具有高可靠性和长寿命的型号。
同时，在使用过程中应该注意保护全桥MOS管，避免电压过高、电流过大等情况。
综上所述，选取全桥MOS管时需要考虑电压等级、导通电阻、反向漏电流、温度特性和可靠性等因素。
只有综合考虑这些因素并根据实际需求做出合理选择，才能确保全桥MOS管在整个系统中发挥最佳效果。
小功率MOS管选型手册（较为全面）
小功率MOS管选型手册（较为全面）KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300，AP2300，MT2300，ME2300 KD2302 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ；APM2302，SSS2302，ME2302，AP2302，STS2302，MT2302KD2304 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7AKD2304A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，APM2306，CES2304 KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7AKD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306KD2308 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308KD2310 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310KD2301 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻130mΩ、电流-2.6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338PKD2303 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303，AO3405，AO3409，FDN360P，FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2305KD2307 P-Channel SOT23-3 封装、电压-16V、内阻60mΩ、电流-4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2307KD2309 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2309KD3401 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-4.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3401；Si3401，AMP3401，CEM3401，STS3401，AP3401，MT3401KD3402 N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻73mΩ、电流4A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3402;AO3402 SI2306 SI2316 AP2316 CES2314KD3403 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻110mΩ、电流-3.4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3403；AO3403SI2341 SI2307 AP2309 CES2313KD8205S Dual N-Channel SOT23-6 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流4A可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205KD8205G Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205KDG9926 Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A仅接受项目专案订制供货.可替代市面上各厂牌各款TSSOP-8 封装之9926.KD4410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻13.5mΩ、电流10A可兼容、代用、替换市面上各类型4410 : APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、ME4410KD9410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻5mΩ、电流18A可替代市面上各类型9410 :NK9410D、NDS9410A、APM9410K、SSM9410A、CEM9436A、FDS6630A、FDFS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、GE9410、G9410、ME9410 KD9926 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可兼容、代用、替换市面上各类型的9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V、SDM9926、STM9926、MT9926、TM9926、GE9926、STN9926、iTM9926、MOSFET 系列KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻50mΩ、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300；Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300，AP2300，MT2300，ME2300 KD2302 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻85mΩ、电流3.2A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2302 ；APM2302，SSS2302，ME2302，AP2302，STS2302，MT2302KD2304 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻117mΩ、电流2.7AKD2304A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻117mΩ、电流2.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，APM2306，CES2304 KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7AKD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2306KD2308 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻160mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2308KD2310 N-Channel SOT23-3 封装、电压60V、内阻90mΩ、电流6A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2310KD3400 N-Channel SOT23-3 封装、电压25V、内阻30mΩ、电流2.7A可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3400KD2301 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻130mΩ、电流-2.6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338PKD2303 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻240mΩ、电流-1.9A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303，AO3405，AO3409，FDN360P，FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2305KD2307 P-Channel SOT23-3 封装、电压-16V、内阻60mΩ、电流-4A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2307KD2309 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2309KD3401 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-4.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3401；Si3401，AMP3401，CEM3401，STS3401，AP3401，MT3401KD3403 P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻75mΩ、电流-3.7A、KD3403A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻70mΩ、电流-3.2A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的3403；KD8205S Dual N-Channel SOT23-6 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流4A可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205KD8205G Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205KDG9926 Dual N-Channel TSSOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A仅接受项目专案订制供货.可替代市面上各厂牌各款TSSOP-8 封装之9926.KD4410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻13.5mΩ、电流10A可兼容、代用、替换市面上各类型4410 : APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、ME4410KD9410 N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻5mΩ、电流18A可替代市面上各类型9410 :NK9410D、NDS9410A、APM9410K、SSM9410A、CEM9436A、FDS6630A、FDFS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、GE9410、G9410、ME9410 KD9926 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A可兼容、代用、替换市面上各类型的9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V、SDM9926、STM9926、MT9926、TM9926、GE9926、STN9926、iTM9926、GT9926、TF9926、AF9926、Si9926、FDS9926、H9926、ME9926KD4228 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压30V、内阻26mΩ、电流6.8A可兼容、代用、替换市面上各类型的AO4800、Si4800、Si4804、FDS6912A、FDS6930A、SDM4800、APM7313、IRF7313、AP4920、Si4936，NDS9956A、Si9925、Si9926、Si9956、SI4804、SI9936、FDS9926A、FDS6912、ME4922、GT4228KD9971 Dual N-Channel SOP-8 封装、电压60V、内阻50mΩ、电流5A可兼容、代用、替换市面上各类型的9971，AP9971GM、STM6960、Si4900DY、Si4946、AO4828、APM9946K、APM9945K、Si9945AEY、CEM4426、FDS9945KD9435 P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻50mΩ、电流-5.3A可兼容、代用、替换市面上各类型9435 : APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、AO9435、Si9435、STP9435、ME9435KD4435 P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻20mΩ、电流-8A可兼容、代用、替换市面上各类型4435 : APM4435、Si4435、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435、MT4435、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AF4435、FDS4435、iTM4435、ME4435KD4953 Dual P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻53mΩ、电流-5AKD4953BDY Dual P-Channel SOP-8 封装、电压-30V、内阻42mΩ、电流-5A可兼容、代用、替换市面上各类型4953 : GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953TM4953、STM4953、SDM4953、GT4953、TF4953、H4953、ME4953 等等! 备注:供应性价比优越,专门替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 之KD4953BDY (42mΩ)。