MOS管型号选型大全
常用低压MOS管选型
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，
OT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A
可兼容、代用、替换市面上各类型的AO4800、Si4800、Si4804、FDS6912A、FDS6930A、
SDM4800、APM7313、IRF7313、AP4920、Si4936，NDS9956A、Si9925、Si9926、Si9956、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，
APM2306，CES2304
KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A
KD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303， AO3405，AO3409，FDN360P，
FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303
KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、
KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，
APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338P
MOS管型号对照表
封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)直插N型IRF370321030 2.3直插N型IRL3803140306直插N型IRF140513155 5.3直插N型IRF3205110558贴片TO-252N型FDD668884305直插N型BUZ111S80558直插N型5N0575509.5直插N型IRF280475402直插N型60N06606014铁壳非直插N型IRF1504010055直插N型50N03L282521贴片N型SI43362230 4.2贴片N型IRF78312130 3.6贴片N型IRF783220304直插N型BTS12019100100贴片N型IRF78221830贴片N型IRF78361730 5.7贴片N型IRF81131730 5.6贴片N型SI440417308贴片N型FDS668816306贴片N型IRF7805Z1630 6.8贴片N型IRF783116304贴片N型IRF747714308.5贴片N型IRF872114308.5贴片N型IRF78051330贴片N型IRF7805Q133011贴片N型IRF7413123018贴片N型TPC800312306贴片N型IRF7477113020贴片N型IRF7811113012直插N型BTS11010100200贴片N型IRF7466103015贴片N型SI4410103014贴片N型SI4420103010贴片N型A27009307.3贴片N型IRF78078.330贴片N型SI48127.33028贴片N型SI9410 6.93050贴片N型IRF731363029直插N型6N60 5.5600750贴片P型SI440517307.5贴片P型STM4439A143018贴片P型FDS667913309贴片P型SI441113308贴片P型SI446312.32016贴片P型SI44071230贴片P型IRF7424113013.5贴片P型IRF7416103020贴片P型IRF7416Q103020贴片P型SI442593019贴片P型IRF74248.83022贴片P型SI443583020贴片P型SI4435DY83020贴片P型A271673011.3贴片P型IRF7406 5.83045贴片P型SI9435 5.33050贴片P型IRF7205 4.63070贴片N型TPC800330126。
mos管选型
开关电源元器件选型A:反激式变换器:1. MOS管:Id=2Po/Vin; Vdss=1.5Vin(max)2. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=8Vout3. 缺点:就是输出纹波较大,故不能做大功率(一般≦150W),所以输出电容的容量要大.4. 优点:输入电压范围较宽(一般可做到全电压范围90Vac-264Vac),电路简单.5. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.B:正激式变换器:6. MOS管:Id=1.5Po/Vin; Vdss=2Vin(max)7. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=3Vout8. 缺点:成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍比反激复杂.9. 优点:纹丝小,功率可做到0~200W.10. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.C:推挽式变换器:11. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=2Vin(max)12. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout13. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.不太合适离线式.14. 优点: 功率可做到100W~1000W.DC-DC用此电路很好!15. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.D:半桥式变换器:16. MOS管: Id=1.5Po/Vin; Vdss=Vin(max)17. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout18. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.19. 优点: 功率可做到100W~500W.20. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.E:全桥式变换器:21. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=Vin(max)22. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout23. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.24. 优点: 功率可做到400W~2000W以上.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列：IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管，具有低电源电流和高开关速度特点，可以工作在高频率下。
常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。
-IRF540N参数：导通电阻：0.077Ω最大耗散功率：150W最大漏电流：50μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：49nC-IRF840参数：导通电阻：0.85Ω最大耗散功率：125W最大漏电流：10μA最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：90nC-IRF3205参数：导通电阻：8mΩ最大耗散功率：110W最大漏电流：250μA最大栅源电压：20V最大漏源电压：55V最大栅极电荷：75nC2.IRFP系列：IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合高频率下的应用。
常用的封装有TO-247、TO-3P等。
-IRFP250N参数：导通电阻：0.095Ω最大耗散功率：200W最大漏电流：250μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：200V最大栅极电荷：73nC-IRFP460参数：导通电阻：0.27Ω最大耗散功率：180W最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：123nC3.IRL系列：IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合低电平驱动电路。
常用的封装有TO-220、D2-Pak等。
-IRL540N参数：导通电阻：0.054Ω最大耗散功率：120W最大漏电流：50μA最大栅源电压：55V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：32nC-IRL3713参数：导通电阻：7.5mΩ最大耗散功率：60W最大漏电流：50μA最大栅源电压：20V最大栅极电荷：20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍，不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景，用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。
小参数常用MOS管选型
品牌
AO/万代 AO/万代 AO/万代 AO/万代 AO/万代 AO/万代 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 infineon/英飞凌 TI/德州 TI/德州 NIKO/尼克森微 NXP/恩智浦 VISHAY/威士 VISHAY/威士 VISHAY/威士 ST/意法半导体 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝 TOSHIBA/东芝
类型
SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS SMD/MOS
常用MOS管型号参数
场效应管分类型号简介封装DISCR ETEM OS FE T 2N7000 60V,0.115ATO-92 DISC RETEMOS F ET 2N700260V,0.2A S OT-23 DISC RETEMOS F ET IR F510A 100V,5.6A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF520A 100V,9.2A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF530A100V,14A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F540A 100V,28ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF610A 200V,3.3A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF620A 200V,5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF630A 200V,9A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF634A 250V,8.1A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F640A 200V,18ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF644A 250V,14A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF650A 200V,28A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF654A 250V,21A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF720A400V,3.3ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF730A 400V,5.5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF740A 400V,10A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF750A400V,15A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F820A 500V,2.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF830A 500V,4.5A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF840A500V,8A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF9520-100V,-6ATO-220 DIS CRETEDISCR ETEM OS FE T IRF9610-200V,-1.8A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF9620 -200V,-3.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRFP150A 100V,43A TO-3PD ISCRE TEMO S FET IRFP250A200V,32A T O-3PDISCR ETEM OS FE T IRF P450A 500V,14ATO-3P DISC RETEMOS F ET IR FR024A 60V,15AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR120A 100V,8.4A D-P AK DI SCRET EMOS FETIRFR214A 250V,2.2A D-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF R220A 200V,4.6A D-PA K DIS CRETEMOSFET I RFR224A 250V,3.8A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFR310A400V,1.7AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR9020 -50V,-9.9A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFS540A100V,17A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS630A 200V,6.5A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS634A 250V,5.8A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S640A 200V,9.8A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS644A250V,7.9ATO-220F DI SCRET EMOS FETIRFS730A 400V,3.9A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS740A 400V,5.7A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS830A 500V,3.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S840A 500V,4.6A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS9Z34-60V,-12ATO-220F DI SCRET EDISCR ETEM OS FE T IRF SZ34A 60V,20A T O-220FDIS CRETEMOSFET I RFU110A 100V,4.7A I-PAKD ISCRE TEMO S FET IRFU120A100V,8.4AI-PAKDISC RETEMOS F ET IR FU220A 200V,4.6A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU230A 200V,7.5A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF U410A 500V ,1.2A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU420A 500V,2.3A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF Z20A50V,15A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z24A60V,17A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z30 50V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ34A 60V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ40 50V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRFZ44A 60V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRLS Z14A60V,8A,Log ic TO-220F DISC RETEMOS F ET IR LZ24A 60V,17A,L ogicTO-220DIS CRETEMOSFET I RLZ44A 60V,50A,Logic TO-220DI SCRET EMOS FETSFP36N03 30V,36A TO-220D ISCRE TEMO S FET SFP65N0660V,65A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9540-100V,-17A TO-220DI SCRET EMOS FETSFP9634 -250V,-5A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9644-250V,-8.6A TO-220D ISCRE TEDISC RETEMOS F ET SF R9214 -250V,-1.53A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SFR9224-250V,-2.5A D-P AK DI SCRET EMOS FETSFR9310 -400V,-1.5AD-PAK DISC RETEMOS F ET SF S9630 -200V,-4.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF S9634 -250V,-3.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF U9220 -200V,-3.1A I-PAKD ISCRE TEMO S FET SSD2002 25V N/P Dua l 8SO P DIS CRETEMOSFET S SD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISC RETEMOS F ET SS D2101 30VN-chSingl e 8SO P DIS CRETEMOSFET S SH10N80A 800V,10A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH10N90A 900V,10ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H5N90A 900V,5ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H60N10 100V,60A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH6N80A 800V,6A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH70N10A 100V,70A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH7N90A900V,7A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSH9N80A800V,9A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSP10N60A 600V,9A T O-220 DISC RETEMOS F ET SS P1N60A 600V,1ATO-220DIS CRETEMOSFET S SP2N90A 900V,2A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP35N03 30V,35A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP3N90A900V,3A TO-220DISCR ETEDISC RETEMOS F ET SS P4N60AS 600V,4A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP4N90AS900V,4.5ATO-220 DIS CRETEMOSFET S SP5N90A 900V,5A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP60N06 60V,60A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP6N60A600V,6A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP70N10A 100V,55A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP7N60A 600V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP7N80A800V,7A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP80N06A 60V,80ATO-220DIS CRETEMOSFET S SR1N60A 600V,0.9A D-PAKD ISCRE TEMO S FET SSR2N60A600V,1.8AD-PAK DISC RETEMOS F ET SS R3055A 60V,8A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SSS10N60A 600V,5.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F D ISCRE TEMO S FET SSS3N80A800V,2A TO-220F DISC RETEMOS F ET SS S3N90A 900V,2ATO-220FDI SCRET EMOS FETSSS4N60AS600V,2.3ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS4N90AS900V,2.8ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS5N80A 800V,3A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS6N60600V, 3.2A TO-220(F/P) 。
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。
注意，焊接ＭＯＳ止静电。
TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。
上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。
华之美半导体MOS管型号选型指南
型号 HM2301/A HM2301B HM2301C HM2301D HM2301E HM2301DR HM2301KR HM2301BKR /BSR/BJR
沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道
VGS -10V -12V -12V -6V -12V -6V -10V
IDM -10A -10A -10A -4A -7A -4A -6A
60V 60V 100V 100V 100V 100V 150V 200V 150V
20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V
3V 3V 2V 2V 1.8V 1.4V 3.2V 3.0V 2.0V
单P沟道低压MOS场效应管 VDS (Max) -20V -20V -12V -20V -12V -20V -20V VTH (Typ) -0.65V -0.7V -0.7V -0.45V -0.7V -0.45V -0.65V ID (Max) -3A -2.8A -2.8A -0.8A -2A -0.8A -3A RDS(on) (Max) 65mΩ 83mΩ 85mΩ 350mΩ 95mΩ 350mΩ 65mΩ
-0.45V -0.7V -0.7V -0.65V
-0.8A -4.1A -4.0A -6A -4.2A -4.2A -2.5A -4.6A -5.2A
-1.6A -15A -15A -20A -30A -30A -10A -32A -30A
350mΩ 39mΩ 40mΩ 30mΩ 50mΩ 50mΩ 72mΩ 50mΩ 50mΩ
双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道
-20V -30V -30V -30V -40V -40V -40V -55V -60V -100V -30V -20V
MOS管分类选型
6MTA1202MEJA3 400 6MK1203EJA2 6CH1207EJA1 6MT1206FEJA1 400 400 400
85 160 328 281 60 85 71 125 110 80 300 150 266 336 360 600 832 1200 10 23 50 60 20 72
Xiamen Jaysun Semiconductor Manufacturing
1/2. Planar Power MOSFET Products
林经理： 15980062266 Co., Ltd.
Wfr passiva THK tion (um) Without 280um Without 280um
21.6 Without 280um 78 90 Without 280um Without 280um
UF840K-MTQ N-CH 9N50K-MT 12N50K-MT 16N50 UF460 D4N60-KW 1N60-KW 1N60-CB 1N60K-TA 2N60-CBS 2N60-CB N-CH N-CH N-CH N-CH N-CH N-CH N-CH N-CH N-CH N-CH
Without 280um With 280um
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大功率贴片SO-8型CMOS管选型
(云峰自动化设备研发发团队 QQ群号：292640575)大功率贴片SO-8型CMOS管选型品牌神木型号全系列小封装、小体积、贴片场效应管种类结型(JFET)沟道类型N 沟道导电方式耗尽型用途VA/场输出级封装外形CHIP/小型片状材料N-FET硅N 沟道开启电压-60~250（V）夹断电压-（V）跨导-（μS）极间电容-（pF）低频噪声系数-（dB）最大漏极电流-（mA）最大耗散功率-（mW）型号封装沟道 VDS (V) Ids (A) Pd (w) 应用ME0102TN TO-92 N 30 1.52 0.78 负荷开关load switchME1302AT3 SC-70-3L N 30 2.6 0.90 负荷开关load switchME1303AT3 SC-70-3L P -20 -2.6 1.00 负荷开关load switchME1303 SOT-23 P -20 -3.4 1.25 负荷开关load switchME1304AT3 SC-70-3L N 20 1.8 0.40 负荷开关load switchME1304SAT3 SC-70-3L N 30 1.5 0.35 负荷开关load switchME1308 SC-70-6 N 30 1.6 0.35 负荷开关load switchME1472 SC-70-6 N 30 2.6 0.9 负荷开关load switchME2301 SOT-23 P -20 -2.6 1.25 负荷开关load switchME2301A SOT-23 P -20 -3.2 1.30 负荷开关load switchME2301B SOT-23 P -20 -2.7 1.30 负荷开关load switchME2302 SOT-23 N 20 2.8 1.25 负荷开关load switchME2303 SOT-23 P -30 -3.2 1.25 负荷开关load switchME2304 SOT-23 N 30 2.6 0.75 负荷开关load switchME2305 SOT-23 P -20 -4.0 1.40 负荷开关load switchME2305A SOT-23 P -20 -3.5 1.30 负荷开关load switchME2306 SOT-23 N 30 4.7 1.32 负荷开关load 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