陶瓷电容特性(1206封装)

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SMT常用封装建库规范标准

SMT常用封装建库规范标准

B
5.00 / 197 10.00 / 400 15.60 / 615
六,贴装排阻
1 贴装排阻基本尺寸和类型.(mm)
封装类型
X1
X2
P
T
H
A
B
nom min max nom min max max min max min max
RN8-1608
0.35 0.65 0.8 0.15 0.45 0.6 1.4 1.8
2.00 / 80
L1209
4.00 / 158
L1815
4.00 / 158
2.2 波峰焊标准焊盘:
暂无相关标准焊盘。
Y 4.45 / 175 5.00 / 200 7.50 / 200 1.40 / 55 2.80 / 110 2.80 / 110
C 3.30 / 130 4.06 / 160 5.00 / 200 6.00 / 236 11.00 / 438 15.20 / 600
3
3.4
RN8-2012
0.75 1.05 1.27 0.25 0.55 0.7 1.8 2.2 4.7 5.4
RN8-3212
0.75 1.05 1.27 0.35 0.65 0.7
3
3.4 4.7 5.4
RN10-1606 0.5 0.3 0.4 0.64 0.35 0.55 0.7 1.5 1.8 3.2 3.4
5.50 / 215
11.00 / 430
Y 0.81 / 32 1.32 / 52 1.70 / 67 2.60 / 102 2.60 / 102 3.10 / 122 4.62 / 182
(mm/mils)
C 1.80 / 70 2.30/ 90 3.50 / 138 3.50 / 138 5.54 / 218 6.80 / 268 8.43 / 332

常用贴片元件封装尺寸

常用贴片元件封装尺寸

常用贴片元件封装1 电阻:最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类1)贴片电阻的封装与尺寸如下表:英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm)0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.050402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.100603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.101206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.101210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.101812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.102010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.102512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.102)贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表:英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V)0201 0603 1/20W 250402 1005 1/16W 500603 1608 1/10W 500805 2012 1/8W 1501206 3216 1/4W 2001210 3225 1/3W 2001812 4832 1/2W 2002010 5025 3/4W 2002512 6432 1W 2003)贴片电阻的精度与阻值贴片电阻阻值误差精度有±1%、±2%、±5%、±10%精度,J -表示精度为5%、F-表示精度为1%。

1206(X7R)贴片陶瓷电容器规格书说明书

1206(X7R)贴片陶瓷电容器规格书说明书
1.60±0.30
T
0.80±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20 1.60±0.30
WB 0.60±0.30
第 2 页 共 13 页
五. 规格及测试方法:
No
项目
规格
1 使用温度范围 -55~+125℃
外观无可见损伤
2
外观及尺寸
尺寸符合规格要求
3
静电容量 符合规定许容差以内
4
损耗角正切 DF≤2.5%
6
耐电压
无介质被击穿或损伤
Ur=450/500/630V,1.5倍额定电压,5秒
(DC)
1KV≤Ur≤2KV,........ 1.2倍额定电压,5秒
2KV<Ur,............... 1.1 倍额定电压,5 秒 升压时间为:1~3S 保压时间为:5S
7
可焊性
■上锡率应大于 75% ■外观无可见损伤
IR≥1000MΩ或 IR*Cr≥25S IR 取较小值
外观 无可见损伤
静电容 量变化 特性:
率 ┃ΔC/C┃≤20%
高温负
13 荷实验
DF 值 ≤2 倍的初始标准
特性:
IR IR≥2000MΩ或 IR*Cr≥50S 取较小值
充放电流限制在 50mA 以下. 温 度 时 间
100V≤V≤250V 电压 250V<V<1KV
测定.
测试电压:额定电压
测试时间:60±5 秒测
5
绝缘电阻
IR≥4*109Ω,C≤25nF
试湿度:≤75% 测试
IR*Cr≥100*1012Ω,C>25nF 温度:25±5℃
测试充放电电流:≤50mA
Ur=100V,............. 2.5 倍额定电压,5 秒

贴片电容容量与封装对照表

贴片电容容量与封装对照表

Reference No.:PD PD10101210101210101200000011Customer Customer::承認書APPROVAL SHEET零件名稱:積層陶瓷電容Description :Multi-Layer Chip CapacitorDATE :2020101010//10/11宸遠科技料號CCT Part Numbers客戶料號Customer Customer’’s Part Numbers 宸遠科技ChipCera Technology Co.,LTD 客戶承認Customer Customer’’s Approval 製表Prepared by 審查Checked by 核准Approved byQA Engineer QA Manager Vice G.M.深圳市宸远科电子有限公司ChipCera Technology CO.,LTD 深圳市宝安区银田工业区A9栋厂房TEL :+86-7+86-7555555--29120592FAX :+86-7+86-7555555--291205931/12ToleranceCapacitance for dielectricA=±0.05pF B=±0.10pF C=±0.25pF D=±0.50pF F=±1.0%G=±2.0%J=±5.0%K=±10%M=±20%NP0X7RX5R Y5V 10pF and belowMore than 10pF100pF~1μF (101~105)1uf~100uf (105~107)10nF~10uF (103~106)B,C,D G,J J,K,M K,M M,ZProduct dimensions in mm.2/123/124/125/12X7R/X5R SeriesY5V Series6/12Mounting in accordance with IEC38410,para4.4 conditions:bending1mm at a rate of1mm/s7/128/127Resistance to solderingheatPreheat the capacitor at 120℃to 150℃for 1minute.Immerse the capacitor in an eutectic soldersolution at 270270±±5℃for 1010±±1seconds.After set it at room temperature for 2424±±2hours (temperature compensation type)or 4848±±4hours (high dielectric constant type),then measure.*High dielectric constant type :Initial measurement of X7R X7R/X5R/X5R and Y5V.Perform a heat treatment at 150150±±5℃for one hour and then set it at room temperature for 4848±±4hours.Perform the initial measurement.DielectricNP0X7R X7R//X5RY 5VAppearance No defect Capacitance Change <±2.5%or<±0.25pF ±7.5%±20%DF The same as No.2IRMore than 500500ΩΩ-F (whichever is smaller)Dielectric StrengthNo failure8Resistance to leaching The capacitors are dipped into the solder at 260260±±5℃for 3030±±1seconds,and then check the soldering by measuring the areas covered with solder.95%of the terminations are to be soldered evenly and continuously.9Solder ability of terminationZero hour test,and test after storage (20to 24months)in original atmosphere in normal atmosphere;un-mounted chips completelyimmersed for 2±0.5s in a solder bath of 235±5℃.95%of the termination is to be soldered evenly and continuously.10Rapid change of temperatureNPO/X7R:-55℃to +125℃,5cycle X 5R:-55℃to +85℃,5cycle Y5V:-25℃to +85℃,5cycle Duration:30mins.Recovery:24±2hrs.No visible damage after 24h recovery Class I NPO:∆C/C ≤2.5%or ±0.25pFClass ⅡX7R X7R/X5R /X5R /X5R::∆C/C ≤±15%Y5V:∆C/C ≤±20%11Damp heat,steadystate 500±12hours at 40±2℃;90to 95%RHNo visible damage after 24±2(NPO)or 48±4hours recoveryClass Ⅰ(NPO)1.∆C/C ±5%or 1pF,whichever is greater2.C <10pF ;Q ≥200+10C 10≤C ≤30pF ;Q ≥275+5/2C C >30pF ;Q ≥3503.IR ≥4000M ΩorRiCR ≥4040ΩΩF,whichever is less Class Ⅱ(X7R (X7R/X5R /X5R /X5R))1.∆C/C within ±15%2.2.tantan δ≤7%3.3.RR ≥2000M Ωor RiCR ≥5050ΩΩF,whichever is less Class Ⅱ(Y5V)1.∆C/C within ±30%2.50/25V:tan δ≤9%16V:tan δ≤12.5%10V:tan δ≤15%3.IR ≥2000M ΩorRiCR ≥5050ΩΩF,whichever is less 12Endurance1000h at maximum temperature Vr (rated voltage)≤250V At 2×V rVr (rated voltage)=500V At 1.5VrVr (rated voltage)>500V At 1.2VrC>0..1UF,At1.5VrNo visible damage after 24±2(NPO)or 48±4hoursrecoveryClass 1(NPO)1.∆C/C ±2%or 1pF,whichever is greater2.tan δ≤2x specified value3.IR ≥4000M Ωor RiCR ≥4040ΩΩF,whichever is less Class 2(X7R (X7R/X5R /X5R /X5R))1.∆C/C within ±15%2.tan δ≤7%3.IR ≥2000M Ωor RiCR ≥5050ΩΩF,whichever is less Class 2(Y5V)1.∆C/C within ±30%2.50/25V:tan δ≤9%16V:tan δ≤12.5%3.IR ≥2000M Ωor RiCR ≥5050ΩΩF,whichever is less9/12All dimensions in mmSizeSymbolABPLT(Paper)T(Embossed)04020.62±0.05 1.12±0.05 2.00±0.058.00±0.200.60±0.05N/A 0603 1.10±0.10 1.90±0.10 4.00±0.108.00±0.20 1.00±0.05N/A 0805 1.65±0.05 2.40±0.05 4.00±0.108.00±0.20 1.00±0.05N/A 1206 2.00±0.10 3.50±0.10 4.00±0.108.00±0.20 1.00±0.05Max.2.01210 2.80±0.20 3.70±0.20 4.00±0.108.00±0.20N/A Max.2.01808 2.50±0.30 4.90±0.30 4.00±0.1012.0±0.20N/A Max.2.518123.60±0.304.90±0.308.00±0.1012.0±0.20N/AMax.2.5Paper Tape T ≦1.1mmEmbossed Tape T ≦2.60mmAll dimensions in mm6.1Capacitor ClassificationMulti-layer ceramic capacitors are available in wide range of characteristics.Electronic Industries Association (EIA)and the military have established categories to help divide the basic characteristics into more easily specified classes.The basic industry specification for ceramic capacitor is EIA specification RS-198and as noted in the general section,it specifies temperature-compensating capacitors as class I capacitors.These are specified by the military under specification MIL-C-20.General-purpose capacitors with non-linear temperature coefficients are called Class II capacitors by EIA and specified by military under MIL-C-11015and MIL-C-39014.The new high reliability military specification,MIL-C-123covers both class I and class II dielectrics.Class I —Class I capacitors or temperature-compensating capacitors are usually made from mixtures of titanates where barium titanate is normally not a major part of mix.They have predictable temperature coefficients and in general,do not have an aging characteristic.Thus they are the most stable capacitor available.Normally the T.C.s of Class I temperature-compensating capacitors are NP0(±30ppm/℃).Class II —General-purpose ceramic capacitors are called Class II capacitors and have become extremely popular because of the high capacitance values available in very small size.These capacitors are ferroelectrics and vary in capacitance value under the influence of the environmental and electrical operating conditions.Class II capacitors are affected by temperature 、voltage 、frequency and time.Temperature effects for Class II ceramic capacitors are exhibited as non-linear capacitance changes with temperature.Industry standards for Mid-K dielectrics,such as X7R X7R/X5R /X5R and High-K dielectrics,such as Z5U Z5U..6.2The Characterization of MaterialsDesignationClassTemperature Range(℃)Temp.CharacteristicsNPO(COG)I -55~+125±30ppm/℃X7R II -55~+125±15%X5R II -55~+85±15%Y5VII-25~+85-82~+22%The T.C curve of each material (for reference)6.3Recommend IR reflow and wave solderng profile(Pb-Free)Typical profile band of IR reflow Typical profile band of wave soldering。

电容封装_精品文档

电容封装_精品文档

电容封装电容封装是指将电容器封装在特定的外壳中,以保护电容器内部元件,提高电容器的稳定性和可靠性。

电容器作为一种重要的电子元器件,在各个领域中广泛应用,电容封装作为电容器的重要组成部分,具有重要的作用。

本文将介绍电容封装的基本原理、常见的封装类型及其特点,以及电容封装在各个领域中的应用。

一、电容封装的基本原理电容封装的基本原理是通过将电容器内部元件放在一个外壳中,并使用特定的材料封装,以达到以下几个目的:1. 保护内部元件:电容器的内部元件通常是由金属电极和介质构成,封装能够有效保护这些元件免受外界环境的影响,如湿度、温度变化等。

同时,封装还能够防止外界粉尘、水分等物质进入电容器内部,保证电容器的正常运行。

2. 提高可靠性:电容封装可以减少电容器在使用过程中受到的机械振动、抗干扰等外界因素的影响,从而提高电容器的可靠性和稳定性。

电容器作为电子设备中的重要组件,其可靠性对于整个电子设备的性能和寿命具有重要影响。

二、常见的电容封装类型及其特点1. 芯片电容封装(Chip Capacitor Package):芯片电容封装是将电容器的元件直接封装在一个小芯片上,具有体积小、重量轻、功耗低等特点。

芯片电容封装广泛应用于手机、平板电脑等小型便携式设备中,以满足对体积和重量要求较高的场景。

2. 有机电容封装(Organic Capacitor Package):有机电容封装采用有机材料进行封装,具有低成本、优良的电气性能等特点。

有机电容封装适用于一些低频、低压、性能要求不高的电子设备。

3. 陶瓷电容封装(Ceramic Capacitor Package):陶瓷电容封装采用陶瓷材料进行封装,具有良好的耐温性能、抗振动等特点。

陶瓷电容封装广泛应用于工业控制、通信、汽车电子等领域,以满足对温度和抗振动要求较高的场景。

4. 整体封装电容(Solid Tantalum Capacitor Package):整体封装电容采用有机材料和金属电极进行封装,具有体积小、容量大、电气性能稳定等特点。

PCB板工程师中级考试试题1

PCB板工程师中级考试试题1

PCB板工程师中级考试试题1一、单选题(每题5分,共10题)1.PCB代表什么?– A. Printed Circuit Board(印刷电路板)– B. Printed Control Board(印刷控制板)– C. Programmable Control Board(可编程控制板)– D. Personal Computer Board(个人电脑板)2.PCB设计中,通过什么工具可以实现电路连线的自动布线?– A. PCB Layout– B. PCB Router– C. PCB Editor– D. PCB Compiler3.在PCB设计中,什么是DRC错误?– A. Direct Current Reference– B. Design Rule Check– C. Digital Resistance Control– D. Data Retrieval Conflict4.PCB设计中,通过贴片工艺可安装的元器件包括以下哪些?– A. 轴向元件– B. 贴装元件– C. 插件元件– D. 异形元件5.PCB板中的通孔是用来连接什么之间的电路?– A. 表面电路与表面电路– B. 表面电路与内层电路– C. 表面电路与封装电路– D. 表面电路与外部电路6.在PCB设计中,什么是布局规则?– A. 定义元件的尺寸和形状– B. 控制元件之间的间距和方向– C. 确定元件的安装位置– D. 指定参考层和电源层7.PCB板设计中,通孔的类型包括以下哪些?– A. 盲孔、盖孔、贯通孔– B. 垂直孔、水平孔、导电孔– C. 圆孔、方孔、椭圆孔– D. 外层孔、内层孔、中间孔8.PCBA是指什么?– A. Printed Circuit Board Assembly(印刷电路板装配)– B. Printed Circuit Board Analysis(印刷电路板分析)– C. Personal Computer Build Assembly(个人电脑组装)– D. Processor Circuit Board Assembly(处理器电路板装配)9.PCB逻辑设计中,什么是电路图?– A. 显示元件和连接线之间关系的图形表示– B. 显示元件的位置和尺寸的图形表示– C. 显示元件和信号之间关系的图形表示– D. 显示元件和电源之间关系的图形表示10.PCB布图是指什么?– A. 将具体的元器件放置在PCB板上的过程– B. 将元件和连接线排列在PCB板上的过程– C. 将元件位置和尺寸确定在PCB板上的过程– D. 将元件和信号之间关系确定在PCB板上的过程二、多选题(每题5分,共10题)1.在PCB设计中,以下哪些元器件是通过贴片工艺安装的?– A. 轴向电解电容– B. 贴装电感– C. 插件电阻– D. 无源贴装元件– E. 压敏电阻2.在PCB布图时,以下哪些因素需要考虑?– A. 信号完整性– B. 散热问题– C. 电磁兼容性– D. PCB尺寸– E. 元件布局3.在PCB板设计过程中,以下哪些层是常见的板层结构?– A. 信号层– B. 电源层– C. 地平面层– D. 控制层– E. 丝印层4.在PCB设计中,以下哪些元器件需要考虑EMC设计?– A. 射频模块– B. 高速数字信号– C. 电源电路– D. 低速模拟信号– E. 独立电路单元5.PCB板的最小测量单位是什么?– A. mm(毫米)– B. cm(厘米)– C. inch(英寸)– D. μm(微米)6.PCB设计中,以下哪些因素会影响信号完整性?– A. 电流– B. 电压– C. 带宽– D. 阻抗– E. 延迟7.在PCB布局中,以下哪些规则需要遵守?– A. 硬规则– B. 软规则– C. 整数规则– D. 奇偶规则– E. 电源规则8.在PCB设计过程中,以下哪些检查是必须的?– A. DFM检查(Design for Manufacturability)– B. DRC检查(Design Rule Check)– C. SI检查(Signal Integrity)– D. PI检查(Power Integrity)– E. EMI检查(Electromagnetic Interference)9.PCB设计中,以下哪些软件是常用的PCB设计工具?– A. Altium Designer– B. Cadence Allegro– C. Mentor Graphics PADS– D. KiCad EDA– E. Eagle PCB10.在PCB板设计中,通过加入填充铜可以实现以下哪些目的?– A. 提高导热性– B. 提高信号完整性– C. 提高电流承载能力– D. 提高防护性能– E. 提高电容性能三、简答题(每题10分,共5题)1.PCB板设计中,什么是飞线?–飞线指的是通过导线或覆铜连接两个或多个元件或节点的连接方式。

常见电容的封装和尺寸

常见电容的封装和尺寸

贴片电容简述通常大家所说的贴片电容是指片式多层陶瓷电容(Multilayer Ceramic Capacitors),简称MLCC,又叫做独石电容。

它是在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次烧结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成的。

具有小体积、大容量、Q值高、高可靠和耐高温等优点。

同时也具有容量误差较大、温度系数很高的缺点。

一般用在噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。

常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V,常见引脚封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。

贴片电容基本结构多层陶瓷电容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。

见下图:贴片电容封装尺寸封装(L) 长度公制(毫米)英制(英寸)(W) 宽度公制(毫米)英制(英寸)(t) 端点公制(毫米)英制(英寸)0201 0.60 ± 0.03(0.024 ± 0.001)0.30 ± 0.03(0.011 ± 0.001)0.15 ± 0.05(0.006 ± 0.002)0402 1.00 ± 0.10(0.040 ± 0.004)0.50 ± 0.10(0.020 ± 0.004)0.25 ± 0.15(0.010 ± 0.006)0603 1.60 ± 0.15(0.063 ± 0.006)0.81 ± 0.15(0.032 ± 0.006)0.35 ± 0.15(0.014 ± 0.006)0805 2.01 ± 0.20(0.079 ± 0.008)1.25 ± 0.20(0.049 ± 0.008)0.50 ± 0.25(0.020 ± 0.010)1206 3.20 ± 0.20 1.60 ± 0.20 0.50 ± 0.25(0.126 ± 0.008) (0.063 ± 0.008) (0.020 ± 0.010)1210 3.20 ± 0.20(0.126 ± 0.008)2.50 ± 0.20(0.098 ± 0.008)0.50 ± 0.25(0.020 ± 0.010)1812 4.50 ± 0.30(0.177 ± 0.012)3.20 ± 0.20(0.126 ± 0.008)0.61 ± 0.36(0.024 ± 0.014)1825 4.50 ± 0.30(0.177 ± 0.012)6.40 ± 0.40(0.252 ± 0.016)0.61 ± 0.36(0.024 ± 0.014)2225 5.72 ± 0.25(0.225 ± 0.010)6.40 ± 0.40(0.252 ± 0.016)0.64 ± 0.39(0.025 ± 0.015)贴片钽电容封装、尺寸封装尺寸:毫米(英寸)Code EIACodeL±0.20(0.008)W+0.20(0.008)-0.10 (0.004)H+0.20(0.008)-0.10 (0.004)W1±0.20(0.008)A+0.30(0.012)-0.20(0.008)S Min.A 3216-18 3.20 (0.126) 1.60 (0.063) 1.60 (0.063) 1.20 (0.047) 0.80 (0.031) 1.80 (0.071)B 3528-21 3.50 (0.138) 2.80 (0.110) 1.90 (0.075) 2.20 (0.087) 0.80 (0.031) 1.40 (0.055)C 6032-28 6.00 (0.236) 3.20 (0.126) 2.60 (0.102) 2.20 (0.087) 1.30 (0.051) 2.90 (0.114)D 7343-31 7.30 (0.287) 4.30 (0.169) 2.90 (0.114) 2.40 (0.094) 1.30 (0.051) 4.40 (0.173)E 7343-43 7.30 (0.287) 4.30 (0.169) 4.10 (0.162) 2.40 (0.094) 1.30 (0.051) 4.40 (0.173)。

什么是电容温度系数?

什么是电容温度系数?

什么是电容温度系数?
电容温度系数是指电容在温度变化时的容量变化率。

在电子元器件中,温度变化会影响电容的性能,从而导致容值发生改变。

电容温度系数用来衡量电容在特定温度范围内容量变化的程度。

常见的陶瓷电容温度系数有以下几种:
1. NP0和C0G规定:在-55℃至125℃的温度范围内,静电容量的变化为30ppm/℃。

ppm/℃表示每变化百万分之x。

2. X7R温度系数:工作温度区间为-55℃至125℃,容量变化率为15%。

3. X5R温度系数:在额定的-55℃至85℃温度区间内,容量变化接近-10%。

4. X5S温度系数:在额定的-55℃至85℃温度区间内,容量变化接近超过-15%。

以0.1uF、25V、1206封装的C0G温度系数电容为例,在整个-55~125℃温度特性下,其容量变化可以忽略不计。

而村田最大的C0G 温度系数电容容量为0.47uF。

电容温度系数在电子元器件选型时具有重要意义。

温度系数越好,电容性能越稳定,但价格也相应较高。

在实际应用中,需要根据电路需求和环境温度范围来选择适合的电容温度系数。

此外,电解电容温度系数也是重要的性能指标。

它表示在给定的
温度间隔内,温度每变化1℃时,电解电容的变化数值与该温度下的标称电容的比值。

电解电容温度系数越低,电容性能越稳定。

在选型时,需要根据电路需求和工作温度范围来选择合适的电解电容温度系数。

总之,电容温度系数是衡量电容在温度变化下性能稳定性的重要指标。

在电子元器件选型过程中,需要根据实际需求和环境条件,选择具有合适温度系数的电容,以确保电路性能的稳定性和可靠性。

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