声表产品生产制作工艺介绍
声表面波器件工艺原理-5修波形工艺原理
五，声表器件修波形工艺原理（一） 工艺目的：在声电信号转换和声信号的传播过程中，将产生一些虚假信号，它们是影响声表滤波器性能的重要因素，必须对此进行抑制。
这些虚假信号有：1）端面反射波：SAW在基片表面传播，当传播到基片端面时，将遭到端面反射，又回到换能器上，这种波叫端面反射波，将影响SAW滤波器的带内波动。
2）三次渡越回波：当输入IDT激发的声波传播到输出IDT后，一部分被接受，一部分被反射回输入IDT，这部分信号又有部分反射后到达输出IDT被再接收，在时间上它比首次到达的信号在两IDT间经历了三倍延迟时间，故称为三次渡越回波（TTE），（TTE）将引起器件带内波动和群延迟特性波纹.3）电磁直通信号：输入IDT上所加的信号直接传播到输出IDT上，称为电磁直通信号它也影响SAW滤波器的带内波动。
4）换能器边沿反射：IDT边沿也会对传播中的IDT产生反射，影响器件的带内波动。
对声信号传播过程中产生的一些虚假信号，常用的抑制方法很多，其中采用吸声胶抑制虚假信号的方法有：在IDT的两端涂敷吸声材料和将端面抹斜；用吸声材料覆盖一部分输入换能器；在芯片的适当部位涂敷吸声材料等。
（二）吸声原理：吸声是一个综合效应，就机理而言，只要能将声波能量消耗掉就行。
散射、吸收、传播衰减、表面的质量负载、相位打乱后的声波抵消等都起到吸声作用。
就材料而言，无论固体、液体、甚至气体，任何材料都能吸收声波，通常是将125、250、500、1000、2000、4000赫兹六个频率的吸声系数(吸声系数=被吸收的能量/传递给材料的全部声能)平均值大于0.2的，列为吸声材料。
良好的吸声材料的声阻抗要与传播声波介质的声阻抗相匹配，使声波无反射的进入吸声系统，并在吸收系统中转化为热能，很快损耗而衰减。
声波的衰减大小与材料的选择和其它配合剂的选择有关；当声波通过吸声材料时，吸声材料会产生弹性和塑性形变，塑性形变使衰减增大，弹性形变使衰减减小。
声表面波滤波器封装
声表面波滤波器封装在集成至模块过程中，声表面波元件必须要经受高达100 bar的压强，这就要求采用新的封装技术。
为了让声表面波元件中的声表面波在无干扰情况下传播，封装中的芯片表面上方要有一个空腔。
一般说来，在2 GHz滤波器中用于将电信号转换成声波的叉指换能器由铝镀层组成（厚度为150 nm，宽度小于500 nm）。
为避免腐蚀，这些结构必须能够防潮（可以在芯片上加一层非常薄的钝化层，或者采用气密封装），同时还必须要耐高温、显著的温度变化以及高湿空气。
体声波（BAW）以及薄膜体声波谐振器（FBAR）元件也需要具有空腔的封装。
之前专为声表面波滤波器开发的封装技术现亦为体声波元件沿用。
以前，声表面波元件总是直接焊接在手机电路板上的。
不过现在，声表面波滤波器越来越多地被集成到模块中，而各种各样的模块则用于手机。
以下为一些典型实例：•含有超过两个滤波器及其阻抗匹配元件的滤波器组•包含滤波器、开关以及匹配元件的前端模块，多见于GSM应用•含有收发集成电路、滤波器以及匹配元件的收发模块•带双工器的功放（PAiD）模块LTCC或FR4基片常用于模块中。
LTCC基片可集成数十个无源元件，而声表面波滤波器、其它无源元件和半导体则安装在基片上表面。
然后，使用金属帽盖、顶部密封（Glob Top）或包膜工艺对模块加以密封。
在传递模塑期间，当温度高达180℃时，最高可产生100 bar的压强。
声表面波滤波器封装内的空腔因此必须足够坚固，以承受高达10 N/mm2的压强。
模块中采用的声表面波元件必须不仅能适应挤出成型工艺，还必须具有占用面积小和插入高度低的特点。
从金属封装到CSSP最初，声表面波元件采用的是气密金属封装技术，焊线在外接端子和芯片之间起连接的作用。
在表面贴装技术面市后，便采用了具有扁平焊接引脚的陶瓷封装。
然而，陶瓷封装与焊线的组合却难以实现低于3 × 3 mm2的封装面积以及低于1 mm的插入高度。
声表产品生产制作工艺介绍
M2000涂胶显影机
主要工艺－探针测试
半自动探针测试
2.后工序
工艺流程
前工序
丝网涂胶
储能封帽 点焊检验 平行封帽 筛选试验 预焊 标记 终测 编带 入库 初测 点焊
划片
光刻检验
粘片
主要工艺－丝网涂胶（吸声胶）
丝网涂胶
SAW滤波器凃胶的重要性
主要工艺－丝网涂胶
将吸声胶涂到器件两端，以消除反射回来的声波对 器件性能的干扰
0.5
0.5 1.0
0.5-0.7
水晶: 0.5-1.0 其他 0.8-1.5
0.150.3
DQ备 注
晶片背面粗糙度数值为LN晶片实测典型值。晶片材料不同其 加工粗糙度值略有差别。
四.声表面波器件制作工艺流程
1.前工序
镀金属膜 基 片 清 洗 涂胶 曝光
涂胶
曝光
显影
腐蚀
探针测试
镀保护膜
显影
镀金属膜
膜厚测试: FRT表面轮廓仪
ALPHA-STEP 台阶仪
主要工艺－光刻
分布重复式投影曝光 主要技术指标: 最小分辨率：0.5um 最大视场：15×19mm 掩膜版尺寸：5英寸 晶片尺寸：3英寸 光源波长：I线（365nm） 缩影倍率：5：1 曝光工作台定位精度：100nm
适用工艺：剥离工艺和湿法工艺
主要工艺－清洗
全自动清洗机
主要工艺－清洗
STANGL精清洗系统
系统精清洗部分由以下构成：RBS1槽、RBS2槽、溢 流清洗槽、QDR1槽、QDR2槽、兆声清洗槽、甩干机。 STANGL精清洗采用的是湿法批量式清洗，所用的工 艺为RBS洗液超声清洗结合SC1洗液兆声清洗的方式，因 该清洗系统设计时未考虑酸洗槽，有些晶片在清洗前得 预先经过一次酸浸泡处理工艺。 该系统专用于Φ3″和Φ4″标准晶圆片的清洗，日 产量为300-400片/班（8小时）。
晶圆级封装Bump制造工艺关键点解析
1.引言射频前端（RFFE，Radio Frequency Front-End）模组国内外手机终端中广泛应用。
它将功率放大器（PA，Power Amplifier）、开关（Switch）、低噪声放大器LNA（Low Noise Amplifier）、滤波器（Filter）、无源器件等集成为一个模组，从而提高性能，并减小封装体积。
然而，受限于国外专利以及设计水平等因素，国产滤波器的份额相当低。
在模块集成化的趋势下，国内射频巨头在布局和生产滤波器。
声学滤波器可分为声表面滤波器和体声波滤波器，其中声表面滤波器可根据适用的频率细分为SAW、TC-SAW和IHP-SAW。
体声波滤波器适用于较高的频段，可细分为BAW、FBAR、XBAR等。
无论是SAW（Surface Acoustic Wave filter）还是BAW（Bulk Acoustic Wave Filter），均是在晶圆级封测后以倒装芯片的工艺贴装在模组上。
在晶圆级封装工艺中，Bump制造是相当重要的一道工序，因此本文将浅谈滤波器晶圆级封装（Wafer Level package）中Bump制造的关键点。
2.SAW现状当前业内常见的几种SAW filter Wafer Bumping工艺如下：1）、通过打线工艺在晶圆的UBM（Under Bump Metal）上植金球。
2）、通过钢网印刷工艺在UBM上印刷锡膏，再经过回流焊成球。
3）、先在晶圆的UBM上印刷助焊剂，将锡球放到UBM上，再经过回流焊完成植球。
3.植球工艺本文重点介绍第二种工艺。
通过对印刷锡膏方案的剖析发现，在Bumping工艺中Bump的高度和共面度（同一颗芯片上Bump高度最大值最小值之差，差值越低越好）是最重要的关键指标（如图1.1、图1.2）。
下面从钢网的工艺和设计、锡膏的特性等方面进行分析。
4.钢网印刷钢网印刷的目的是使锡膏材料通过特定的图案孔沉积到正确的位置上。
首先，将锡膏放到钢网上，再用刮刀使其通过钢网开孔沉积到焊盘上。
耳机制造工艺及流程
耳机制造工艺及流程耳机本体部分1：ID外观设计对于一款耳机而言，外观设计是第一要素，一方面一款耳机的外观决定了消费者的第一印象，另外一方面一款耳机的外观将会对声音产生比较大的影响。
一般这个部分是由艺术审美水平较高的工业设计师进行设计，同时在设计过程中，声学及结构工程师也会参与，避免特别影响声学结构甚至是无法开模具的情况出现。
由于不同的外观设计将使用不同的工艺，本文以最传统的塑胶耳壳情况进行后续步骤的描述。
某耳机ID设计2：声学结构设计当外观设计完成，工业设计师将没有内部结构的3D文件移交到声学工程师/结构工程师，进行声学结构的设计。
这部分主要涉及到以下几个方面，1：发声单元的安装，2：前后声学腔体的大小，结构，形状及透气孔的大小，位置设计，3：出音方式的设计。
以上三个方面是最主要的组成部分，对于一款动圈耳机来说，动圈单元将耳机的前后声学腔体分开，前后腔体分别对声音的音色有着不同的影响，可以通过后面的调音网布对声音进行调节。
当然，还有一些特殊的声学结构会对声音产生一些特殊的影响，在这一部分做的好需要花费大量时间，而一个好的声学结构对声音的影响非常大，好耳机和差耳机在这个部分就会拉开差距。
动铁耳机的声学结构则相对简单，前腔体出声管设计比较重要，后腔体相对没那么高的要求。
当然了，不是说声学结构越复杂越好，只要声学结构合理，跟发声部分的配合更重要。
在我刚入行的时候碰到过声学结构不合理的情况，最后我们花费了很大的努力，勉强将声音做到了一个还可以的程度，但是距离真正的优秀还有很大的提升空间。
某圈铁耳机结构设计调整过程3：工程手板工程手板很简单，就是当结构工程师/声学工程师完成了结构设计之后，会通过3D打印或者是CNC锣出来一个形状，通过这个形状进行声学结构的验证和组装配合结构的验证，同时这个手板也是用来做第一次调音的，价格比较昂贵。
当然还有一种工程手板就是最初在ID设计结束之后就做出来的手板，那个的目的在于试佩戴，没有内部结构，价格低廉，但是好的耳机会在这里进行很细致的调整，通常会做很多来确保佩戴舒适。
声表面波器件制作工艺介绍
声表面波器件制作工艺介绍概述声表面波器件是一种用于声波传播与处理的微型化器件，它通常由压电材料与声表面波导构成。
制作声表面波器件需要经过一系列复杂的工艺步骤，包括材料准备、加工工艺、掩膜制备、电极沉积、腔体刻蚀等环节。
材料准备声表面波器件的制作一般使用压电材料作为基底材料，常见的材料包括石英、锂钽酸锂等。
在选用材料时需要考虑其压电性能、稳定性和加工性能等因素。
加工工艺1.基片清洗：使用去离子水和有机溶剂彻底清洗基片表面，确保基片表面干净。
2.切割基片：将大尺寸的基片切割成所需尺寸，常见的加工方式有机械切割和激光切割。
3.抛光处理：对基片表面进行抛光处理，以保证表面光滑度和平整度。
4.清洁处理：再次清洁基片表面，确保没有杂质影响后续工艺。
5.温度调节：控制加工环境的温度，以确保材料的稳定性和加工精度。
掩膜制备1.制备光刻胶：将光刻胶溶液涂覆在基片表面。
2.光刻：使用掩膜模板进行光刻曝光，形成所需的图案。
3.显影：使用显影液使未曝光区域的光刻胶溶解，形成光刻图案。
电极沉积1.金属蒸镀：在光刻图案的基础上，通过金属蒸镀的方式沉积电极材料。
2.电镀：对蒸镀的电极进行电镀处理，提高电极的导电性。
腔体刻蚀1.腔体制备：对沉积好电极的基片进行腔体制备，通常采用离子刻蚀技术。
2.刻蚀：使用腔体模板和刻蚀气体对基片进行刻蚀处理，形成声表面波导结构。
总结声表面波器件的制作工艺包括材料准备、加工工艺、掩膜制备、电极沉积和腔体刻蚀等多个环节，每个环节的精细操作都直接影响器件的性能和稳定性。
随着微纳加工技术的发展，声表面波器件的制作工艺不断优化，将为声波传播与处理领域带来更多创新和应用。
声屏障施工方案
声屏障施工方案1.2采用的规范及标准在施工过程中，我们将遵循国家现行的设计规范、施工规范和验收标准，以确保工程质量符合标准要求。
1.3工程概况本工程为港城大道—塘汉路联络线工程的一部分，旨在建造一道声屏障，以减少交通噪音对周边居民的影响。
1.4施工进度计划我们将按照合同要求，制定详细的施工进度计划，并在施工过程中不断调整和优化，以确保工程按时完成。
第二章声屏障材料要求及技术要求2.1材料要求声屏障的主要材料为混凝土、钢筋和玻璃钢，我们将选择符合国家标准的高质量材料，以确保声屏障的稳定性和耐久性。
2.2技术要求在施工过程中，我们将采用现代化的施工技术，如预制构件和模块化设计，以提高施工效率和工程质量。
第三章主要施工方法及技术措施3.1施工准备在施工前，我们将进行充分的准备工作，包括施工现场的清理和平整、材料的采购和运输、施工机械的调试等。
3.2施工工艺流程声屏障的施工将分为预制和现场安装两个阶段。
预制阶段将在工厂内进行，现场安装阶段将在施工现场进行。
3.3施工方法我们将采用高效、安全、环保的施工方法，如机械化施工、模块化设计和现场组装等，以确保工程质量和施工进度。
第四章质量保证措施4.1质量目标我们将严格按照国家标准和合同要求，确保声屏障的质量符合标准要求，并在施工过程中不断监控和检验。
4.2保证措施我们将建立健全的质量管理体系，加强施工过程的监督和管理，对施工质量进行全面检查和评估。
第五章安全施工保证措施1．安全管理目标我们将始终把安全放在首位，建立健全的安全管理体系，确保施工过程中的安全。
2．安全保证体系我们将加强安全培训和教育，制定详细的安全操作规程，建立健全的应急预案，以应对突发事件。
3．安全保证措施我们将采用安全设施和安全防护措施，如安全网、警示标志等，以确保施工现场的安全。
第六章文明施工措施我们将积极推行文明施工，加强施工现场的卫生管理、噪声控制和环境保护，以提高施工形象和社会效益。
第七章环境保护措施我们将严格遵守国家环保法律法规，采取环保措施，如垃圾分类、废水处理等，以确保施工对环境的影响最小化。
科技成果——智能移动终端用声表面波滤波器
科技成果——智能移动终端用声表面波滤波器技术领域新一代信息技术技术开发单位中国电子科技集团公司第二十六研究所技术概述该技术产品是当今智能手机中关键信息处理器件，主要用于在无线信号传播过程中，滤除不必要频率信号的干扰，是保证通信质量的关键器件。
滤波器频率已由当初的几百兆发展到现在的几GHz，我国第三代移动通讯的使用频率在2.2GHz，4G网络使用频率在2.5GHz左右。
为了实现高质量的语音和数据服务，手机对移动终端用滤波器的电性能指标、可靠性以及尺寸的要求也越来越严格。
技术开发单位是从事声表面波技术研究的专业研究所，以积累多年的军工技术为基础，突破了声电磁协同设计平台及分析技术、移动终端用SAW滤波器/双工器设计技术、高耐受功率多层复合薄膜、长阵列深亚微米指条制作及批产工艺技术等关键技术，研制出多款移动终端用滤波器并实现商用，已经实现智能移动终端用声表面波滤波器的批量供货。
技术指标中心频率：800～2.6GHz；带宽：≥100MHz；插入损耗：≤2.8dB；近端关键带外抑制：＞30dB；功率耐受能力：≥29dBm；封装尺寸：1.8×1.4×0.7mm3，1.4×1.1×0.7mm3，1.1×0.9×0.7mm3。
技术特点采用的声表面波压电衬底材料与制备技术，可获得高机电耦合系数的压电材料（＞20%），并大幅降低成本。
采用的声表面波换能器材料与制备关键技术，可获得耐高功率叉指换能器、低温度补偿薄膜和超高频滤波器。
采用的倒装焊射频声表滤波器封装技术，解决了基板的强度、热膨胀系数和可加工性对器件的稳定性，提高了封装成功率、封装效率和质量。
形成了量产移动终端用高性能声表面波滤波器产业化基地，集成衬底材料、叉指换能器、器件设计技术与制备技术，突破了植球、切割、封装、贴片等产业化技。
先进程度国内先进技术状态批量生产、成熟应用阶段适用范围移动通讯、移动智能终端、声表面波滤波器合作方式（1）投资需求。
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吸声胶
主要工艺－划片
利用高速旋转的 树脂刀片将晶圆分 割成一个个小芯片。
半自动砂轮划片机
主要工艺－划片
主要工艺－粘片（自动SMD）
将芯片通过粘片胶 粘贴固定到外壳底 座上
主要工艺－粘片
自动粘片
主要工艺－点焊（自动铝丝键合）
降到第一焊点
加超声能量键合
上升到线弧高度
主要工艺－点焊（自动铝丝键合）
晶片背面的加工粗糙度
碳化硅 100 120 180 # # 规格号 #
粒度尺 160 125 80 寸范围
240# 63 W28 2820 W1 4 1410 1000# 15.5 2000 # 8.5 W3. 5 3.52.5
晶片粗 >7 糙度
金胜
≥5
3-5
≥3
1-3
1.5— 2.2 0.81.5
二.声表面波器件工作原理
声表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就是在压 电基片材料表面产生和传播、且振幅随深入基片材 料的深度增加而迅速减少的弹性波。SAW滤波器的 基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制 作两个声电换能器——叉指换能器（IDT）。它采 用半导体集成电路的平面工艺，在压电基片表面蒸 镀一定厚度的铝膜，把设计好的两个IDT的掩膜图 案，利用光刻方法沉积在基片表面，分别作为输入 换能器和输出换能器。
剥离
后工序
湿法工艺
①.镀膜
铝 晶片
②.涂光刻胶
光刻胶
铝
晶片
③.曝光
UV 光
光刻胶
铝 晶片
④.显影
光刻 胶
铝 晶片
⑤.刻蚀
光刻胶
铝 晶片
⑥.去胶
铝
晶片
B、剥离工艺
①.涂光刻胶
光刻胶 晶片
②.曝光
UV 光 光刻胶 晶片
③.显影
光刻胶 晶片
④.镀膜
铝 光刻胶 晶片
⑤.去胶
铝
晶片
制作完成图形
降到第二焊点
加超声形成第二个焊点
断线
主要工艺－点焊
6400型自动点焊机
主要工艺－点焊线拉力和芯片剪切力测试
主要工艺－预焊
预焊工序用于将 表贴器件的盖板与基 座固定起来。
主要工艺－平行封焊
封焊工序将预焊后的 器件焊接完毕。
主要工艺－平行焊接
现有平行封装设备工艺能力： 能够封装从3mm×3mm到25mm×9mm的表贴器件（SMD）， 深腔外壳最大尺寸可达250mm×30mm； 军品水汽含量能够控制在5000PPM以下
0.5
0.5 1.0
0.5-0.7
水晶: 0.5-1.0 其他 0.8-1.5
0.150.3
DQ备 注
晶片背面粗糙度数值为LN晶片实测典型值。晶片材料不同其 加工粗糙度值略有差别。
四.声表面波器件制作工艺流程
1.前工序
镀金属膜 基 片 清 洗 涂胶 曝光
涂胶
曝光
显影
腐蚀
探针测试
镀保护膜
显影
镀金属膜
常用表面波切型
简称 128 °Y-X LN 64 °Y-X LN Y-Z LN X-112.2 °Y LT 主面及传播方向 128 ° 旋转Y切X向传播 铌酸锂 64° 旋转Y切X向传播 铌酸锂 Y切Z向传播 铌酸锂 X切112.2 °旋转Y向传 播 钽酸锂 简称 3 6 °Y-X LT 42 °Y-X LT 45 °X-Z LBO ST-X QUARTZ 主面及传播方向 36 ° 旋转Y切X向传播 钽酸锂 42 ° 旋转Y切X向传播 钽酸锂 45 ° 旋转X切Z向传播 四硼酸锂 ST切X向传播 α-石英
膜厚测试: FRT表面轮廓仪
ALPHA-STEP 台阶仪
主要工艺－光刻
分布重复式投影曝光 主要技术指标: 最小分辨率：0.5um 最大视场：15×19mm 掩膜版尺寸：5英寸 晶片尺寸：3英寸 光源波长：I线（365nm） 缩影倍率：5：1 曝光工作台定位精度：100nm
适用工艺：剥离工艺和湿法工艺
压电基片+IDT（半导体工艺）
电-- 声（SAW）--电 Hfilter(f)=HIDT1(f) *HIDT2(f)
三.主要声表面波器件用晶片材料
LT、LN主要功能
压电效应---表面波器件 热释电效应----红外探测 电光效应---光开关、光调制 光折变效应-----全息存储 非线性光学效应-----激光倍频 从上面可以看出LN、LT是一种多功能晶 体，我们在实践中注意各种性能对使用和 生产相互影响。比如热释电产生静电吸尘、 静电击裂晶片影响．
电转换为声 （逆压电效应）
声转换为电 （正压电效应）
工作原理是输入换能器将电信号变成声信号， 沿晶体表面传播，输出换能器再将接收到的声信 号变成电信号输出。
换能器空间图形 对应脉冲响应图形
通过指条位置和重迭长度的设计即可控制换 能器的脉冲响应，从而也就控制了换能器的频率 响应
SAW滤波器构成及频响
主要工艺－平行焊接
主要工艺－储能封焊
同样利用电阻放电原理，使用大型电容组对焊接面进行充电，放电 瞬间在封焊面形成高热，融化器件封焊环，达到焊接到目的，同时 对器件内部水汽含量也可以进行控制。
主要工艺－测试
主要工艺－测试
自动SMD测试分选系统
成品
声表面波器件制作工艺介绍
一.声表面波器件的用途
滤波器: 电子通讯
移动设备 无线宽带 广播电视 ------------------------------谐振器: 移动设备 无匙安全系统
射频识别： 鉴别：身份识别，
物体识别， 运输方式跟踪 ----------------------------------------传感器： 感知：压力,温度 液体，气体 生物传感 ----------------------------------------特殊应用：特殊压电材料， 改变物理特性
主要技术指标
均匀性 单片
片与片 批与批
±2%〔AL)
±2～3%(sio2)
±3～5% (AL) ±5～8% (SIO2) ±3 ～ 5% (AL) ±5～8% (SIO2)
镀层材料 AL、AL-CU2%合金、TI
产量 3英寸 16片/炉、 4英寸 9片/炉
适用工艺
湿法工艺 单层金属膜和SIO2保护膜
主要工艺－光刻
GAMMA涂胶显影机 3＂和4＂标准圆片的光刻胶涂覆及曝光后图形显影，满足特征尺寸 CD≤0.35μm声表面波器件的光刻胶涂覆及曝光后图形显影工艺制作要求涂敷 光刻胶均匀性和一致性：4＂片内为±2%，片与片之间达到±2%；
主要工艺－光刻
3“、4”标准圆片的光刻胶涂覆及曝光后 图形显影，满足特征尺寸CD≥0.5μm声 表面波器件的光刻胶涂覆及曝光后图形 显影工艺制作要求； 涂敷光刻胶均匀性和一致性：3＂片内为 ±2%，片与片之间达到±2%； 显影均匀性和一致性：当以CD=0.5um 作为测试线宽时，3＂片内为±6%，片 与片之间达到±6%； 涂胶产能达40片/小时，显影产能达40 片/小时；
M2000涂胶显影机
主要工艺－探针测试
半自动探针测试
2.后工序
工艺流程
前工序
丝网涂胶
储能封帽 点焊检验 平行封帽 筛选试验 预焊 标记 终测 编带 入库 初测 点焊
划片
光刻检验
粘片
主要工艺－丝网涂胶（吸声胶）
丝网涂胶
SAW滤波器凃胶的重要性
主要工艺－丝网涂胶
将吸声胶涂到器件两端，以消除称: BAK-SAW 电子束镀膜机
主要技术指标
均匀性
单片： ±1% 片与片： ±2%
批与批： ±2%
镀层材料 AL、AL-CU2%合金、TI、CU 产量
3 英寸 36片/炉
4 英寸 18片/炉
适用工艺
剥离工艺和湿法工艺 单层和多层镀膜
主要工艺—镀膜
设备名称: KDF磁控溅射镀膜机
主要工艺－清洗
全自动清洗机
主要工艺－清洗
STANGL精清洗系统
系统精清洗部分由以下构成：RBS1槽、RBS2槽、溢 流清洗槽、QDR1槽、QDR2槽、兆声清洗槽、甩干机。 STANGL精清洗采用的是湿法批量式清洗，所用的工 艺为RBS洗液超声清洗结合SC1洗液兆声清洗的方式，因 该清洗系统设计时未考虑酸洗槽，有些晶片在清洗前得 预先经过一次酸浸泡处理工艺。 该系统专用于Φ3″和Φ4″标准晶圆片的清洗，日 产量为300-400片/班（8小时）。
主要工艺—镀膜
设备名称: LEYBOLD(莱宝)电子束镀膜机
主要技术指标
均匀性
单片 ±1.5%
片与片： ±2.5%
批与批： ±2.5%
镀层材料 AL、AL-CU2%合金、TI 产量
3英寸 36片/炉
4英寸 18片/炉
适用工艺
剥离剥离和湿法工艺 单层和多层金属膜
主要工艺—镀膜