第2章 介电材料

合集下载

材料的介电性

材料的介电性

电子位移极化 一切陶瓷介质中 离子位移极化 离子结构介质 离子松弛极化 离子结构的玻璃、 结构不紧密的晶体 及陶瓷 电子松弛极化 钛质瓷、高价金属 氧化物基陶瓷 转向极化 有机材料
直流-超高频 随温度变化有 极大值 直流-超高频 随温度变化有 极大值 直流-超高频 随温度变化有 极大值 直流-超高 随温度升高而 减弱
K=?
根据正、负离子对的固有谐振 频率用实验方法求解k值。
正负离子位移形成的偶极距
qE qx q i E k
离子极化率
q i k
2
d E k 2 dx
根据离子晶体的势能E(x),可 以得到k值。
2
离子位移极化模型(一维)
离子极化结论:
离子位移极化率与电子位移极化率几乎有相同的数量级; 离子位移极化只可能在离子晶体中存在,液体或气体介质
电介质基本常数之间的关系
提高电介质的介电常数有利于提高电容器的存
储电荷量,然而介电损耗也将随之增加,因而 寻找一种兼具有高介电常数和低介电损耗的电 介质是当前科学研究者的任务。
材料的介电常数越大,其介电强度不一定高;
电介质的电导越大,介电损耗也越高。
一些材料的介电性能
材料 真空 水 纸 红宝石云母 相对介电常数 1 78 3.5 5.4 介电强度/(kV· cm-1) ∞ — 1.4 16
介电常数:是指以电极化的方式传递、存贮或 记录电的作用。
电导:是指电介质在电场作用下存在泄露电流。
介电损耗:是电介质在电场作用下存在电能的损耗。
介电强度:是指在强电场下可能导致电介质的破坏。
好的电介质要求较容易极化,具有较高的介电常数和介电 强度,较低的电导和介电损耗。
第四节 材料的介电性

电介质材料

电介质材料

(4)空间电荷极化 在实际的电介质材料中,由于制造工艺和材料的纯
度影响,不可避免地有局部的介质不均匀,如存在夹层或 大量的晶体缺陷。在外电场的作用下,介质中的少量载流 子会发生漂移,它们可能被势阱捕获,也可能在介质不均 匀的夹层处界面上堆积起来而形成空间电荷的积累。这种 介质中由于空间电荷的移动形成的电荷分布即是空间电荷 极化。它的频率响应最慢 102 s 。
电介质是在电场中没有稳定传导电流通过而以 感应的方式对外场做出相应的扰动物质的统称。
电介质的特征是以正、负电荷重心不重合的电极 化方式传递、存储或记录电的作用和影响,但其中起 主要作用的是束缚电荷。
1、静电场中电介质的极化
在电介质材料的分子中,正、负电荷彼此强烈地束缚 着。在弱电场的作用下,虽正电荷沿电场方向移动,负电 荷逆电场方向移动,但它们并不能挣脱彼此的束缚而形成 电流,只能产生微观尺度的相对位移。在电介质内部形成 电偶极矩,而在与外电场垂直的电介质表面上出现了感应 电荷。
3.2 薄膜组分的表征方法
• 分析内容包括测定表面的元素组成,表 面元素的化学态及元素沿表面横向分布 和纵向深度分布等。
•其中的多数方法都是基于原子在受到激 发以后内层电子排布会发生变化并发生 相应的能量转换过程的原理
1、原子内电子激发及相应的能量过程
(a)-基态电子的内 层电子排布 (b)-K层电子空能 级的形成 (c)-特征X射线的 产生 (d)-俄歇电子的产 生
I jw rC0 w rC0tg V
jw r j rtg C0V ,
I jwC0 r V
其中r 定义为复数相对介电常数,简称复介电常数:
r r jrtg r' jr"
r的实部
' r

第2章 介电材料

第2章 介电材料


四、反铁电体 反铁电体是一些离子晶体,它的相邻行或列上的 离子沿反平行的方向自发极化,最简单的如图2- 7(a)所示。图2-7(b)则表示离子沿对角线反平行位 移的一般情形。
图2-7 反铁电体的位移和结构示意图 (a)二维反铁电体晶格结构;(b)离子沿对角线反平行位移
最初发现具有反铁电性的晶体为三氧化钨,当温 度高于1010K时,它处于反铁电相。X射线衍射实 验表明,钨离子沿反平行方向位移。 后来发现锆酸铅也具有反铁电相。对锆酸铅反铁 电体的研究较多。锆酸铅室温下的介电常数ε约为 100,可是在230℃时,介电常数出现尖锐峰值; 当温度高于230℃时,遵从居里—外斯定律。 铁电材料的研究目前主要是改进原有品种和开发 新品种。利用离子位移和铁电性的关系,根据极 性空间群的各种晶体参数,可预测新的铁电体。 铁电材料主要用于压电、电光等材料。

4 3 e 0 R 3
图2-3 离子位移极化的简化模型

离子极化率:离子在电场作用下偏移平衡位臵的 移动,相当于形成一个感应偶极距。也可理解为 离子晶体在电场作用下离子间的键合被拉长。图2 -3所示是离子位移极化的简化模型。根据经典弹 性振动理论可以估计出离子位移极化率αa
a a 40 n 1
分子极化率一般由电子极化率αe、原子(离子) 极化率αa和取向极化率α0三部分构成:
e a 0
图2-2 电子轨道位移

电子极化率:在外电场作用下,原子外围的电子 轨道相对于原子核发生位移(如图2-2所示), 原子中的正负电荷重心产生相对位移,这种极化 称为电子位移极化。 根据玻尔原子模型,经典理论可以计算出电子的 平均极化率αe。
2.2 铁电材料
一、铁电体的定义 铁电体指在某温度范围内具有自发极化且极化强 度可以因外电场而反向的晶体。铁电体的一个特 点是具有电滞回线(见图2-5)。

电活性高分子材料

电活性高分子材料

2、电致发光高分子材料发展史
• 20世纪初发现SiC晶体在电场作用下的发光
现象。在此基础上开发出各种无机半导体电致
发光器件。

• •
60年代发现非晶态的有机电致发光材料。
90年代初发现导电聚合物的电致发光现象。 至此,聚合物薄膜型电子发光器件成为研 究的主流。
3、电致发光高分子材料的特点 ①、通过成份、结构等改变,能得到不同禁带宽度 的发光材料,从而获得包括红、绿、蓝三基色的全谱 带发光。
• 该方法己经被用来给厚板型聚合物和薄 膜型材料注入电荷。
5、光驻极体形成法
使用光作为激发源产生驻极体。
理论依据: 如果在电场存在下,使用可见光或者紫外光照射光 导材料,由于光照射产生的载流子被电场分离,并 被俘获,会产生永久性极化。
电荷可以是分布在电极和聚合物界面上的两个分离 的,符号相反的双电荷分布区,也可以是分布于材 料内部的单电荷分布区。 应用于无机和有机光导体的电荷注入过程,其中最 重要的高分子光导体是聚乙烯基咔唑与芴酮共聚物。
4、电子束注入法 通过电子束发射源将适当能量的电子直接注入到合 适厚度的聚合物中。 可以得到具有体电荷的高分子驻极体,主要是由于 电子束具有较高的能量,可以穿透材料表面。
要点:
• 电子束的能量和被极化材料的厚度应该配合好,防 止电子能量过高而穿过聚合物膜。聚合物厚度与穿 透电子的能量有一定关系。 • 为了使电子束在材料表面均匀注入,需要在电子束 运行途中加入扫描或者散焦装置。
第三章 电活性高分子材料
第一节 概 述
1、电活性高分子材料 在电参数作用下,由于材料本身组成、构型、构象 或超分子结构发生变化,表现出的特殊物理和化学性 质的高分子材料。
2、电活性高分子材料类型

第2章敏感材料概述

第2章敏感材料概述
第 2 章 敏感材料概述
第一节 半导体材料在传感器技术领域的应用
一、单晶半导体材料
表 2-1 采用半导体材料制作的传感器例子
传感器
光传感器
磁传感器 压力传感器 气体传感器 温度传感器 加速度传感器 化学传感器 温度传感器 流量传感器 感温整流器 放射性监测器 超声波传感器
效应
光生伏特效应
光导电效应
热点效应 霍尔效应 磁阻效应 压电效应 压阻效应 吸附阻抗变化 吸附引起功函数变化 气体色谱法 吸附阻抗变化 压阻效应 压电效应 FET 的栅电压变化 门控制型二极管 热电动势 BIP 晶体管温度测量 BIP 晶体管温度特性 热激励电流的温度特性 光电导效应 光电导效应 压电效应
CdS,AgI

栅极吸附效应 MOSFET
SSiiO(2,栅S材A2-gH用X+,::AP用bgO于2S)S,i3XN-4用/:离子(敏IFS感E性T)FET
1.热敏电阻 以钛酸钡基半导瓷制备的 PTC 热敏电阻器(PTCR),可实现彩电消磁、马达启动、过 流保护、恒温加热等功能。这类元件属于开关型。不同开关温度和电流-时间特性的各种规 格 PTCR 分别适用于空调机、电冰箱、电风扇等各类电机启动。在开关温度附近的 PTCR 处 于等功率段和等阻段,具有限流和热自控功能,因此可用于通信配线架及其它晶体管电路的 限流保护。此外,还广泛应用于暖风机、卷发机等家用电器,以及干燥箱、暖房等工业用恒 温加热装置,并以其高安全性、高可靠性和节能性大量取代传统的电阻丝加热器。 PTCR 还可用作恒温器,用于恒温型石英晶体振荡器(TCXO)以及移动电话手机充电 器。高精度的负温度系数热敏电阻器(NTCR)则可用于晶振的温度补偿和充电器电路的过 流保护。 2.压敏电阻器 压敏电阻器是一种对外加电压敏感的非线性变阻器(Varistor)。半导瓷压敏电阻以氧化 锌系为主。当电压超过定值 UB 时,元件立即导通呈低阻态,防止过压对电力或电子线路的

电性功能材料

电性功能材料

固体的导电性
i为金属中的电 流密度,σ为金 属的电导率,E 为施加在金属上 的电场强度。
欧姆定律 i=σE或E=ρi
σ=1/ρ(ρ为电阻率)
物质的导电性用 电导率σ来表征
L = RS
电导率的大小决定了固态物质的导电性能
第 二 电性功能材料 章
S?
•导电功能材料的分类 导体(σ=106~108S/m) 根据固体在室温 下的电导率 半导体(σ=10-9~105S/m) 绝缘体(σ=10-20~10S/m)
国际上通用的硬铝线HAl则主要用于送、配电 线,它只能在90℃以下连续使用。大容量高压输电 导线要在150℃下连续工作,需用含Zr等耐热铝合 金TAl;而变电所用的母线则要在200℃下连续工作, 必须使用超耐热铝合金STAl。
第 二 电性功能材料 章
金属导电材料—导电布线材料
导体布线材料
主要采用Au、Ag、Cu、Al等电导率高的材料,有 时也使用金属粉和石墨粉与非金属材料混合的复合 导电材料,其电阻率通常比强电用材料的电阻率高 的多,并有厚膜和薄膜之分。 电子工业用的导体布线材料应具有膜电阻小、 附着力强、可焊性和抗焊熔性好等优点
复合型
第 非金属导电材料-导电高分子材料 二 电性功能材料 章
1.结构型导电高分子材料
结构型高分子导电材料中,至今只有聚氮化硫 (SNfn)可算是纯粹的结构型导电高分子材料,其他 的许多几乎是用氧化还原、离子化或电化学方法进 行掺杂后才具有较高的导电性。
目前研究较多的是聚乙炔、聚苯胺、聚苯硫醚、 聚噻吩、聚吡咯等。
auagptpd等新型的cu等贱金属厚膜导体新型的cu等贱金属厚膜导体膜电阻小可焊性和抗焊熔性好无离子迁移可焊性和抗焊熔性好无离子迁移优点缺点工艺要求较高老化性能尚不如贵金属厚膜导体好工艺要求较高老化性能尚不如贵金属厚膜导体好第二章电性功能材料贵金属贵金属厚制作方法导体浆料丝网印刷后烧结而成膜层致密附着力强金属导电材料导电布线材料特点厚膜导体膜导体附着力强可用非活性焊接剂焊接抗焊熔性均好丝网印刷性能好与多种电阻及介质材料兼容可用非活性焊接剂焊接抗焊熔性均好丝网印刷性能好与多种电阻及介质材料兼容第二章电性功能材料要求金属导电材料导电布线材料薄膜布线导体分为单元膜和复合膜两大类具有导电性好附着力强化学稳定性高可焊性和耐焊性均好成本低等特点

电子元器件及常用工具设备

电子元器件及常用工具设备
• E24 系列电阻标称阻值, 对应允许偏差为±5%, 查看E24 系 列电阻规格表。
• E48 系列电阻标称阻值, 对应允许偏差为±2%, 查看E48 系 列电阻规格表。
• E96 系列电阻标称阻值, 对应允许偏差为±1%, 查看E96 系 列电阻规格表。
上一页 下一页 返回
2.2 通孔插装( THT) 元件
上一页 下一页 返回
2.2 通孔插装( THT) 元件
• 2) 允许偏差 • 允许偏差是指电容器的标称容量与实际容量之间的允许最大偏差范围
。电容器的容量偏差与电容器介质材料及容量大小有关。电解电容器 的容量较大, 误差范围大于±10%; 而云母电容器、玻璃釉电容 器、瓷介电容器、涤纶电容器、聚苯乙烯电容器、聚丙烯电容器等的 容量相对较小, 误差小于±20%。 • 3) 额定电压 • 额定电压也称电容器的耐压值, 是指电容器在规定的温度范围内, 能够连续正常工作时所能承受的最高电压。 • 额定电压值通常标注在电容器上。在实际应用时, 电容器的工作电 压应低于电容器上标注的额定电压值, 否则会造成电容器因过压而 击穿损坏。
上一页 返回
2.1 电子元器件的分类及主要参数
• 电子元器件是在电路中具有独立电气功能的基本单元。元器件在各类 电子产品中占有重要的地位, 特别是通用电子元器件(如电阻器、 电容器、电感器、晶体管、集成电路和开关、接插件等), 更是电 子设备中必不可少的基本材料。随着近年来电子工业的迅速发展,对 元器件也不断地提出了新要求, 而元器件制造厂商也在不断采用新 的材料、新的工艺, 不断推出新产品, 为其他电子产品的发展开拓 新的途径, 并使电子设备的设计制造经历了几次重大的变革。从早 期的电子管到后来的半导体晶体管, 特别是微电子技术的发展, 使 得整机结构和制造工艺进入一个崭新的阶段, 才有了微型整机。

介电材料

介电材料

• (1)高的体积电阻率(室温下大于1012Ωm)和高介电强 度(>104kVm-1),以减少漏导损耗和承受较高的电压。
• (2)高频电场下的介电损耗要小(tanδ一般在2×10-4~ 9×10-3范围内)。介电损耗大,会造成材料发热,使整机 温度升高,影响工作。另外,还可能造成一系列附加的衰 减现象。
第一章
电介质陶瓷
第一节 电介质陶瓷
• 电介质陶瓷是指电阻率大于108Ωm的陶瓷材料,能承受较强 的电场而不被击穿。按其在电场中的极化特性,可分为电绝缘 陶瓷和电容器陶瓷。随着材料科学的发展,在这类材料中又相 继发现了压电、铁电和热释电等性能,因此电介质陶瓷作为功 能陶瓷又在传感、电声和电光技术等领域得到广泛应用。
2、滑石的相变 120~200℃,脱去吸附水 1000℃,脱去结构水,转变为偏硅酸镁
3MgO 4SiO2 H 2O 3(MgO SiO2 ) SiO2 H 2O
1557℃,再次失去Si,生成镁橄榄石
2(MgO SiO2 ) 2MgO SiO2 SiO2
§ 1-2 典型低介装置瓷
• ( 3)机械强度要高,因为装置瓷在使用时,一般都要承 受较大的机械负荷。通常抗弯强度为 45~300Mpa,抗压 强度为400~2000Mpa。 • (4)良好的化学稳定性,能耐风化、耐水、耐化学腐蚀, 不致性能老化。
陶瓷基片
电子用陶瓷零件
陶瓷封装
• 电绝缘陶瓷材料按化学组成分为氧化物系和非氧化物系两 大类。氧化物系主要有Al2O3和MgO等电绝缘陶瓷,非氧 化物系主要有氮化物陶瓷,如Si3N4、BN、AlN等。大量 应用的主要有以下几个多元系统陶瓷:
• BaO-Al2O3-SiO2 系统; Al2O3-SiO2 系统; MgO- Al2O3-SiO2 系统;CaO- Al2O3-SiO2系统;ZrO2- Al2O3-SiO2系统。
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。


现定义
" " tan ' 'r r



损耗角正切tanδ表示为获得给定的存储电荷要消 耗的能量的大小,可以称之为“利率”。 ε”r或者ε’r tanδ有时称为总损耗因子,它是电介质 作为绝缘材料使用评价的参数。为了减少绝缘材 料使用的能量损耗,希望材料具有小的介电常数 和更小的损耗角正切。 δ为电感和电场的相位角。当δ=0时,即非交变电 场时,tanδ=0,ε”=0,ε*=ε’=ε即为静介电常数,同 样复介电常数ε*r=ε*/ε0,ε’r=ε’/ε0,ε”r=ε”/ε0表示。 由于ε随P而变,因此极化建立的 时间也较电子慢,大约为10-12~10-13s。

取向极化率:沿外场方向取向的偶极子数大于与 外场反向的偶极子数,因此电介质整体出现宏观 偶极距,这种极化称为取向极化。取向极化率α0
0 3kT
2 0

2、极化强度P 介电材料的极化强度是单位体积内电偶极矩的矢 量和:
第二章 介电材料
介电材料又叫电介质,是以电极化为特征的材料。 电极化是在电场作用下分子中正负电荷中心发生 相对位移而产生电偶极矩的现象。 电介质的极化:电介质在电场作用下产生束缚电 荷的现象。 极化:介质内质点(原子、分子、离子)正负电 荷重心的分离,从而转变成偶极子。也就是说, 在电场作用下,构成质点的正负电荷沿电场方向 在有限范围内短程移动,组成一个偶极子,如图2 -1所示。
P

V
n

3、静态介电常数ε 静态介电常数ε和极化强度p的关系为
P 0 E


从上式中可以看出,介质的极化强度P越大,ε也 越大。常用相对静态介电常数εr=ε/ε0,ε称为绝对 介电常数。 4、动态介电常数ε* 电介质分子的极化需要一定的时间,完成极化的 时间叫驰豫时间η,其倒数称驰豫频率f,电子极 化的f约1015Hz,相当于紫外频率,原子(离子) 极化的f约1012Hz,处于红外区,取向极化的在 100~1010Hz之间,处于射频和微波区。


设正电荷与负电荷的 位移矢量为l,则定义 此偶极子的电偶极距
ql

图2-1 偶极子
规定其方向为负电荷 指向正电荷,即电偶 极距的方向与外电场 E的方向一致。
2.1 介电材料

一、介电材料的特征值 1、分子极化率α 在电场作用下,介电材料的分子产生电偶极矩μ, 而
E

5、介电损耗W 在交变电场中,在每秒内,每立方米电介质消耗 的能量称介电损耗W

W 2fE 2fE tan
2 " 0 2 ' 0



6、电导率ζ 一般电介质或多或少有些电导率,其来源为漏电 电导率和位移电导率。 7、击穿电压 电介质承受的电压超过一定值后,就丧失了电介 质的绝缘性,这个电压叫做击穿电压。 二、介电材料的种类 气体、液体和固体。
(2)P与E形成电滞回线。 对铁电体,当外加电场E增加时, 极化强度P按OABC增加,增至C 时,电畴变成单一取向电畴(和E 取向一致),此时P达到饱和。 到E下降时,P按CBD曲线下降, 到E=0时,P=Pr,Pr称剩余极化。



而P=0时,E=-Ec,Ec称为矫顽电场强度。 而D达到饱和。再增加E,P按DC线增加而形成 CBD回线,即P和E有滞后效应。 C点处的切线和P轴的交点Ps称为饱和极化强度, 是相当于E=0时单畴的自发极化强度, PsBC相当 于P与E呈线性关系的P-E曲线。

4 3 e 0 R 3
图2-3 离子位移极化的简化模型

离子极化率:离子在电场作用下偏移平衡位臵的 移动,相当于形成一个感应偶极距。也可理解为 离子晶体在电场作用下离子间的键合被拉长。图2 -3所示是离子位移极化的简化模型。根据经典弹 性振动理论可以估计出离子位移极化率αa
a a 40 n 1




当电介质的极化强度随外加电场呈线性变化时, 称为线性介质。对一般电介质,其极化强度P与外 加电场的关系为P=NαE,α为常数。 当电介质的极化强度随外加电场呈非线性变化时, 称为非线性介质。 铁电体的极化强度随外加电场呈非线性变化,形 成如图2-5所示的形状,称为电滞回线。电滞回线 与铁磁体的磁滞回线相似。这和一般电介质不同。 二、铁电体的特性 (1)铁电体有许多电畴,不同的电畴之间永久偶 极矩的取向不一致。无外电场时,电畴无规则, 所以净极化强度为0。当施加外电场时,与电场方 向一致的电畴长大,而其他电畴变小,因此,极 化强度随电场强度变大而变大。



四、反铁电体 反铁电体是一些离子晶体,它的相邻行或列上的 离子沿反平行的方向自发极化,最简单的如图2- 7(a)所示。图2-7(b)则表示离子沿对角线反平行位 移的一般情形。
图2-7 反铁电体的位移和结构示意图 (a)二维反铁电体晶格结构;(b)离子沿对角线反平行位移
最初发现具有反铁电性的晶体为三氧化钨,当温 度高于1010K时,它处于反铁电相。X射线衍射实 验表明,钨离子沿反平行方向位移。 后来发现锆酸铅也具有反铁电相。对锆酸铅反铁 电体的研究较多。锆酸铅室温下的介电常数ε约为 100,可是在230℃时,介电常数出现尖锐峰值; 当温度高于230℃时,遵从居里—外斯定律。 铁电材料的研究目前主要是改进原有品种和开发 新品种。利用离子位移和铁电性的关系,根据极 性空间群的各种晶体参数,可预测新的铁电体。 铁电材料主要用于压电、电光等材料。



在交变电场作用下,由于电场频率不同,极化对 电场变化的反应也不同。f越大,η越小,极化建 立需要的η:电子极化<离子极化<取向极化。 当f<100~1010Hz时,三种极化都可建立。 当1010<f<1013Hz时,取向极化来不及建立,只有 离子极化和电子极化能建立。 当1013<f<1015Hz时,取向极化和离子极化均来不 及建立,只有电子极化能建立,这叫极化的滞后。 极化强度与交变电场频率的关系如图2-4所示。 在交变电场中,由于极化滞后,介电常数要用复 数ε*表示,又叫动态介电常数。
2.2 铁电材料
一、铁电体的定义 铁电体指在某温度范围内具有自发极化且极化强 度可以因外电场而反向的晶体。铁电体的一个特 点是具有电滞回线(见图2-5)。

图2-5 铁电体的电滞回线

铁电体另一个特点是具有许多电畴(见图2-6)。
图2-6 BaTiO3晶体电畴结构示意图


电畴是指在一个电畴范围内永久偶极矩的取向都 一致,也就是每个区域内部的电偶极子沿同一方 向,但不同小区域的电偶极子方向不同,这每个 小区域称为电畴。畴之间边界地区称之为畴壁。 凡具有电畴和电滞回线的介电材料就称为铁电体。
分子极化率一般由电子极化率αe、原子(离子) 极化率αa和取向极化率α0三部分构成:
e a 0
图2-2 电子轨道位移

电子极化率:在外电场作用下,原子外围的电子 轨道相对于原子核发生位移(如图2-2所示), 原子中的正负电荷重心产生相对位移,这种极化 称为电子位移极化。 根据玻尔原子模型,经典理论可以计算出电子的 平均极化率αe。
i
* '
"
i
' r
r
" r
图2-4 极化强度和电场频率的关系
式中: ε’为实部,即电容充电放电过程中,没有 能量损耗,ε’=ε0ε’r。 ε”为虚部,即电流与电压同相位,对应于能量损 耗部分,它由复介电常数的虚部ε”r描述,故称之 为介质相对损耗因子ε”,因ε”=ε0ε”r,则ε”称为介 质损耗因子。
(3)居里温度Tc是铁电相与顺电相的相转变温度, 当铁电体温度T>Tc时,铁电现象即消失。当T<Tc 时,铁电体处于铁电相。当T>Tc时,处于顺电相。 当T=Tc时发生相变。铁电相是极化有序状态,顺 电相则是极化无序状态。其间Tc称为居里点。 (4)介电常数ε与非铁电体不同。由于极化的非 线性,铁电体的介电常数不是常数,而是依赖于 外加电场。 三、铁电体的种类 按照铁电体极化轴的多少,可将铁电体分为两类。 一类是只能沿一个晶轴方向极化的铁电体,即无 序-有序型铁电体(软铁电体)。另一类是可以 沿几个晶轴极化的铁电体,这些晶轴在非铁电相 中都是等价的,称为位移型铁电体(硬铁电体)。
相关文档
最新文档