晶体塑性变形的位错机制专业知识讲座

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金属塑性变形物理基础位错理论

金属塑性变形物理基础位错理论
此时,位错应变能一般指E0。它可通过 在晶体内“制得”一个位错所作的功求 得。
E螺=
Gb2
4
ln
R r0
E刃=
Gb2 ln R
4 (1 ) r0
则 E刃=
1
1
E螺,一般取0.3,
2
所以 E 螺= 3 混合位错
E混=
Gb 2
4 (1 )
E刃 (1-cos2)ln
R r0
• 汇集一点的位错线,它们的柏氏矢量和 为零;
• 一根位错线不能终止在晶体内部,只能 终止在晶体表面。
位错环 b
1.2.3 位错密度——描述位错多少的参数 (1) 定义:单位体积中位错的总长度。
V = L cm/cm3
(2) 位错的形成——液态结晶时形成。晶体 经过塑性变形回复和再结晶及其它热处 理,位错的密度变化。
体的一边贯通到另一边,而是有时终止 在晶体的中部。
1934年,提出了位错的概念,
1947年低碳钢的屈服效应,位错理论得到 了很大发展,
1950年以后,用电镜直接观察到位错。至 此,位错的存在才最终得到间接证明。 从此以后,位错理论得以迅速发展。它 是一门很重要的基本理论。
1.2 位错模型和柏氏矢量 1.2.1 位错的分类:
如1-2图所示,若位错线上的原子沿切 应力方向移动不到一个原子间距,周围其 它原子稍作调整,多余半原子面和位错线 就可以向前移动一个原子间距。可见位 错移动具有易动性。
• 图1-2示出了位错由晶体的一端扫到另一端
(2)螺位错的滑移运动 如图所示位错线上的原子只需在切应
力作用下向前移动一个原子间距的分数倍 的距离,位错线可以向左移动一个原子间 距。
设m= b
化简得

第3讲 位错强化机制 PPT课件

第3讲 位错强化机制 PPT课件
hcp晶体中位错的运动及塑性变形特点ca1633zncd层错能低加工硬化明显ca1633tizr层错能高加工硬化率较低31二金属单晶体的加工硬化行为面心立方单晶体的应力应变曲线易滑移阶段单滑移ii线性硬化阶段双滑移101112iii抛物线硬化阶段交滑移10121331总结
第三章 位错强化机制
哈工大(威海)材料学院 吴欣
第三章 位错强化机制
金属与合金的强化途径
形变、合金化、热处理
强化机制
位错强化、晶界强化、固溶强化、第二相强化
第三章 位错强化机制
位错强化的基本思路
合金变形量增加 ——位错密度增加 ——强度提高
这一强化过程与金属的塑性变形密切相关
3.1 金属单晶体塑性变形的一般特点
一.FCC晶体中位错的运动及塑性变形特点
面心立方单晶体的应力应变曲线 I 易滑移阶段
单滑移 ρ =108 /cm2 II 线性硬化阶段
双滑移 ρ =1011-12 /cm2 III 抛物线硬化阶段
交滑移 ρ =1012-13 /cm2
3.1 金属单晶体塑性变形的一般特点
总结: 金属变形时 位错密度ρ 低,切应力低 位错密度ρ 急剧增大,切应力也急剧增大
Gb / l
3.3 位错强化的数学表达
会合位错
会合位错的产生
可以证明,会 合位错产生的阻力 与林位错间距成反 比:
h Gb / l
会合位错的运动
3.3 位错强化的数学表达
位错对流变应力的作用
综合考虑位错以及位错以外的因素,流变应力可以表示为
下式的形式, 0 可以粗略的考虑为P-N力。
三.HCP晶体中位错的运动及塑性变形特点
c/a>1.633 Zn, Cd

《晶体的塑性变形》PPT课件

《晶体的塑性变形》PPT课件
bcc:{110}、{112}和{123} <111 >
hcp: {0001} <11-20>
② 每一种晶格类型的金属都有特定的滑移系, 且滑移系数量不同。如:fcc中有12个, bcc中 有48个, hcp中有3个。
三种常见金属晶体结构的滑移系
• 由于体心立方结构是一种非密排结构,因此其滑移面并不稳定,一般在低温时多 为{112},中温时多为{110},而高温时多为{123},不过其滑移方向很稳定,总为<1 11>,因此其滑移系可能有12-48个。
• 孪生变形是在切应力作用下,晶体的一部分沿一 定晶面(孪晶面)和一定方向(孪生方向)相对于另一 部分作均匀的切变(协同位移)所产生的变形。但是不同
的层原子移动的距离也不同。
• 变形与未变形的两部分晶构成镜面对称,合称为孪 晶(twin)。
• 均匀切变区与未切变区的分界面成为孪晶界。 • 孪晶面(twining plane): • 孪晶方向(twining direction):
• 由于滑移过程中晶面的转动,滑移面上的分切应力值也随之发生变化,当拉力与 滑移面法线的夹角φ为45°时,此滑移系上的分切应力最大。但拉伸变形时晶面的 转动将使φ值增大,故若φ原先是小于45°,滑移的进行将使逐渐趋向于45°,分切 应力逐渐增加;若原先φ是等于或大于45°,滑移的进行使值更大,分切应力逐渐 减小,此滑移系的滑移就会趋于困难。
• 取向因子cosφcosλ对σs的影响在只有一组滑 移面的密排六方结构中尤为明显。
• 图是密排六方结构的镁单晶拉伸的取向因子-屈服强 度关系图,图中曲线为按上式的计算值,而圆圈则为 实验值,从图中可以看出前述规律,而且计算值与实 验值吻合较好。由于镁晶体在室温变形时只有一组滑 移面(0001),故晶体位向的影响十分明显。

晶体塑性变形的位错机制

晶体塑性变形的位错机制

在合金和复合材料中,通过引入不同 类型和数量的位错,可以调节材料的 塑性变形能力,以满足不同应用场景 的需求。
通过控制位错密度和分布,可以优化 材料的塑性变形行为,使其在特定条 件下表现出良好的延展性和加工成型 性。
利用位错改善材料的强度和韧性
1
位错的存在可以阻碍裂纹的扩展和传播,从而提 高材料的强度和韧性。
05
位错在晶体塑性变形中的动力 学过程
位错的运动速度
快位错
在晶体中以较高速度滑移,对塑 性变形贡献较大。
慢位错
在晶体中以较低速度滑移,对塑 性变形贡献较小。
位错的增殖与湮灭
位错的增殖
在晶体受到外力作用时,位错可能增 殖,形成更多的位错线。
位错的湮灭
当两条位错线相遇时,可能会相互抵 消,导致位错消失。
位错交割
总结词
位错交割是指两个或多个位错线在晶体内部 相遇、相互作用的过程。
详细描述
在晶体塑性变形过程中,不同的位错线可能 会在晶体内部相遇并相互作用,导致位错线 的交割现象。位错交割会对位错的进一步运 动产生影响,从而影响晶体的塑性变形行为。 交割过程中可能会形成复杂的位错结构,如 扭结、割阶等,这些结构会对晶体的力学性 质产生重要影响。
通过研究位错的运动和交互作用,可以深入了解材料的微观结构和性能之间的关系, 为材料设计和优化提供理论支持。
利用先进的实验技术和计算机模拟方法,可以揭示位错在材料变形过程中的行为和 演化规律,为材料科学的发展提供新的思路和方法。
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详细描述
刃型位错是指晶体中某一原子层上的原子排列出现中断,形成一维的线状缺陷。 螺型位错是指晶体中原子层发生旋转,形成螺旋状的线状缺陷。混合型位错则 是由刃型和螺型位错组合而成。

晶体中的位错课件

晶体中的位错课件

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晶体中的位错课件
按照类似的讨论,最后知道真正能构成5个完全独立的滑移系组 的方式共有384种。面心立方能选择5个完全独立的滑移系的方式 如此之多,说明面心立方晶体具有较高延展性的原因。
体心立方金属,当滑移系为(110)<111>时,按上面对面心立方晶 体讨论相同的方法可知,这类滑移中能构成5个完全独立的滑移系 组也共有384种。当滑移系为{112}<111>时,有648种构成五个完全 独立的滑移系组;如果滑移系可在{110}及{112}面之间搭配,则可能 有21252种(其中有一些是应去掉的)。虽然体心立方可构成的五 个独立滑移系组方式如此多,体心方在低温时仍变脆,这种现象 不能用独立滑移系的多少来解释。
同的后所得的总应变t:
t 2 6 0 2 0 2 1 1 2 6 1 2 0 11 0 2 6 1 00 2 1 1 0 1 10 0 12 102
这证明了这三个滑移系并非完全独立。以这三个滑移系为讨论基点, 再在12个滑移系剩余的9个中任取两个组成五个滑移系组,可能的方 式有
能结合的条件是
这称Fra(b n1 k)判2 据(b。2)2(b3)2
从几何看,当b(1)与b(2)的夹角是锐角时,两个位错是相排斥的; 当b(1)与b(2)的夹角是钝角时,两个位错是相吸的。
晶体中的位错课件
面心立方结构中的部分位错
堆垛及堆垛层错
面心立方结构的最密 排面是{111},面心立 方结构是以{111}最密 排面按一定的次序堆 垛起来的。
设X,Y,U和V表示任意字母,XY/UV表 示从XY矢量中点引向UV矢量中点并延伸 长度为这两点距离两倍的矢量。它相当
XY/UV=XU+YV

单晶体的塑性变形培训讲学

单晶体的塑性变形培训讲学

单晶体的塑性变形单晶体的塑性变形滑移:即在切应力作用下晶体的一部分相对于另一部分沿着特定晶面(滑移面)上的特定方向(滑移方向)发生平移。

滑移不改变晶体各部分的相对取向,即不在晶体内部引起位相差。

滑移带:在金相显微镜下可以观察到,在抛光的表面上出现许多相互平行的线条,这些线条称为滑移带。

用电子显微镜观察观察,发现每条滑移带是由一组相互平行的小台阶所组成,这些小台阶称为滑移线。

滑移带就是相互平行的一组小台阶组成的大台阶。

滑移系:滑移面和位于滑移面上滑移方向的组合称为一组滑移系,表示为(hkl)[uvw]。

滑移系的个数等于滑移面个数×每个滑移面所具有的滑移方向的个数。

一般滑移系越多,塑性越好。

塑性还与滑移面密排程度、滑移方向个数和同时开动滑移系数目有关。

比如虽然面心和体心立方晶体都是有12个滑移系组成的,但面心立方的滑移面4个,滑移方向3个,而体心立方的滑移面有6个,滑移方向只有两个,面心立方的滑移方向多,因此塑性比体心立方要好些。

分切应力:m cos cos cos cos 0σφλσφλ===ΓA F 晶体中的某个滑移系能否发生滑移,取决于力在滑移面内沿沿滑移方向上的分切应力大小。

临界分切应力: 当外力 F增加,使拉伸应力 F/A0达到屈服极限 σs时,这一滑移系中的分切应力达到临界值 τc,晶 体就在该滑移系上开始滑移,此时的分切应力称为临界分切应力,即刚好使滑移系开动的分切应力。

软取向:m值大,σs最小,容易滑移硬取向:m值小,σs =∞,难以滑移,很吃力滑移面和滑移方向的转动在外力作用下,晶体的滑移面和滑移方向可能会发生转动.拉伸时,φ角增大,λ角减小;压缩时,φ角减小,λ角增大。

会导致从软取向变成硬取向。

单滑移变成多滑移。

多滑移:如果两个或多个滑移系同时处于最有利位置(m值大),这些滑移系中的分切应力可能同时达到引起滑移的临界值,于是滑移过程将在两个或多个滑移系中同时进行或交替地进行。

位错强化机制.ppt

位错强化机制.ppt

σzz = ν(σ xx + σ yy )
σ xz = σzx = σ yz = σzy = 0
x(x2 - y2 )
σ xy
=
σ yx
=
D (x2 +
y2 )2
其中:D = Gb 2π(1 - ν)
sinθ σrr = σθθ = -D r σzz = ν(σrr + σθθ )
cosθ σrθ = D r σrz = σθz = 0
第四章 位错强化机制
➢阻碍位错运动可提高强度 ➢位错密度越高,材料强度越高 ➢位错强化的数学表达
4.1 金属单晶体塑性变形的一般特点
1.FCC晶体中位错的运动及塑性变形特点
➢滑移系数目多 ➢Wp与P-N力低 ➢低温塑性好 ➢无冷脆现象 ➢层错能低(除Al,Ni外),加工硬化明显
2.BCC晶体中位错的运动及塑性变形特点
➢3.与林位错的交互作用
林位错是与运动位错滑移面相交的位错,运 动位错与林位错的交互作用可以产生会合位错 与位错交割,均增加位错运动的阻力。
➢位错交割
'Gb / l
➢会合位错
会合位错的产生 会合位错的运动
可以证明, 会合位错产生 的阻力与林位 错间距成反比:
h Gb / l
➢位错对流变应力的作用
➢滑移系总数目多 ➢Wp与P-N力高 ➢易冷脆 ➢层错能高,加工硬化率较低
3.HCP晶体中位错的运动及塑
性变形特点
c/a<1.633 Ti, Zr
c/a>1.633 Zn, Cd
➢滑移系总数目多
➢滑移系总数目少,塑性差 ➢Wp与P-N力高
➢Wp与P-N力低,强度低 ➢层错能低,加工硬化明显

《晶体的塑性变形》课件

《晶体的塑性变形》课件
《晶体的塑性变形》PPT 课件
这是关于晶体的塑性变形的课件,将介绍晶体结构、塑性变形的定义和分类、 影响晶体塑性变形的因素、塑性变形的机制以及晶体塑性变形的应用。
什么是晶体结构?
晶体的定义
晶体是由具有周期性结构的原子、分子或离子组成的固体。
晶体的周期性结构
晶体具有长程定向的周期性结构,使其具备特定的物理和化学性质。
2
材料强化的方法
通过控制晶体的塑性变形,可以改善材料的力学性能和强度。
3
材料塑性变形与损伤的关系
了解晶体的塑性变形机制,有助于研究材料的耐久性和损伤机制。
结论
晶体的塑性变形是材料 学的重要研究方向
深入探索晶体的塑性变形机 制对于材料性能的提升具有 重要意义。
塑性变形机制对材料性 能和金属加工具有中某些原子 沿特定晶面和晶向滑动, 导致晶体形状和尺寸的改 变。
2 扭曲机制
扭曲是指晶体的晶格被扭 曲或变形,从而发生形状 和尺寸的改变。
3 穿孔机制
穿孔是指晶体中某些原子 通过非晶体区域的移动, 导致晶体的塑性变形。
晶体塑性变形的应用
1
金属加工中的应用
晶体塑性变形在金属的锻造、轧制和拉拔等加工过程中起着关键作用。
3 塑性变形的分类
塑性变形可分为塑性流动 和塑性挠曲两种形式。
什么影响晶体的塑性变形?
温度对塑性变形的影响
温度升高可增加晶体的塑性变 形能力。
缺陷对塑性变形的影响
晶体内部的缺陷,如位错、孪 生和空位等,会影响晶体的塑 性变形行为。
压力对塑性变形的影响
外力的大小和方向会对晶体的 塑性变形产生影响。
塑性变形的机制
了解塑性变形机制有助于优 化金属加工流程并提高材料 的使用寿命。
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XY由于平行与 AB的柏氏矢量交割后不会再 XY上 形成割阶。
此外,还有忍型位错与螺型位错、螺型位错 与螺型位错的交割,其结果都是形成割阶。这一 方面增加了位错线的长度,另一方面导致带割阶 的位错运动困难,从而成为后续位错运动的障碍。 这就是多滑移加工硬化 效果较大的原因。
在切应力作用下,弗兰克 —瑞德拉位错源所 产生的大量的位错沿滑移面运动过程中,如遇到 障碍物(固定位错、杂质粒子、晶界等)领先的 位错在障碍前被阻止,后续位错被堵塞起来,结 果形成位错的平面塞积群,并在障碍物前形成高 度的应力集中,这就是位错的 塞积。
一、单晶体塑性变形的位错机制 (滑移的位错机制)
1.1 由于晶体中存在着位错,晶体的滑移 不是晶体的一部分相对另一部分的移动, 而是位错在切应力作用下沿滑移面逐步移 动的结果。
当一条位错线移动到晶体表面时,会 使晶体在表面上留下一个原子间距的滑移 台阶,其大小等于柏矢量b.
若有大量的位错重复按此方式滑过晶体,就会在 晶体表面形成显微镜下能够观测到的滑移痕迹, 这就是滑移线的实质。
下图是由于位错塞积而在晶界处产生的竹节效应
Ni3Alቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ0.1%B 合金拉伸时滑 移带终止于晶界
三、合金的塑性变形
根据合金的组织可以将合金分为两类,一是 具有以基体金属为基的单相固溶体组织,称为单 相固溶体;二是加入的合金元素量超过了它在基 体金属中的饱和溶解度,在显微组织中除了以基 体组织为基的固溶体外,还出现了第二相(各组 元形成的化合物或以合金元素为基形成的另一固 溶体)构成了多相合金。
3.1单相固溶体合金的塑性变形
由于单相固溶体合金的显微组织与多晶体纯金 属相似,其塑性变形也基本相似,但由于固溶体中 存在着溶质原子,使得合金强度、硬度提高;塑性、 韧性有所下降。这是因为合金中产生了固溶强化。
合金产生固溶强化的原因,一是固溶体溶质与 溶剂原子半径差所引起的弹性畸变与位错之间产生 的弹性交互作用对滑移面上运动着的位错有阻碍作 用;二是在位错线上偏聚的溶质原子对位错的钉扎 作用。
在上图中可以看到在竖直平面上刃型位错 XY的柏 氏矢量 b1,水平面上的刃型位错 AB的柏氏矢量 b2。 两个柏氏矢量相互垂直,若 XY向下运动与 AB发生
交割, XY扫过的区域,其滑移所在的竖直面两侧 的晶体将发生距离为 b1的相对位移,因此交割后, 在位错线AB上产生PP′的台阶,显然 PP′的大小和 方向取决于 。由于位b1错的柏氏矢量的守恒性 PP′ 的柏氏矢量仍为 垂直于PP′,b2 因而仍是刃型位错, 并不在原位错线的滑移面上,故为割阶,而位错
多晶体中各晶粒的位向是不同的,各个滑移的 方向也是不同的,在外加拉伸应力的作用下,各滑 移系上的分切应力很大。
当位向最有利的晶粒发生塑性变形时 ,这就意味 着在它的滑移面上的位错源开动,位错不断地在滑移 面上向前运动,但周围晶粒的位向不同,滑移系也不 同,运动着的位错不能越过晶界,滑移系就不可能发 展到另一个晶粒中。位错就会在晶界处形成平面塞积 群,这样就会造成很大的应力集中。
的切应力即可实现,这就是实际滑移的切应力 ?小k
于理论切应力 τ的原因。
1.2 位错的增殖
随着塑性变形过程的进行,晶体中的位错数 目会越来越多,因为晶体中存在着在晶体塑性变 形过程中不断增殖位错的位错源。
常见的一种位错增殖机制是 弗兰克—瑞德拉 位错源 机制。
1.3位错的交割与塞积
晶体的滑移实际上是源源不断的位错沿滑移 面的运动,在滑移时由于各滑移面相交,因而不 同滑移面上运动着的位错必然会相遇,发生相互 交割。此外在滑移面上运动着的位错还要与晶体 中原有的以不同角度穿过滑移面的位错相互交割。
强化。
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多晶体塑性变形的特点:
1. 各晶粒塑性变形的不同时性;
2. 各晶粒在变形时的相互协调性;
3. 塑性变形的不均匀性。
这是因为多晶体塑性变形要受到晶界的阻碍和 位向不同晶粒的影响;任何一个晶粒的塑性变形都 不是处于独立的自由变形状态,需要周围的晶粒同 时发生相应的变形来配合,以保持晶粒间的结合和 整个物体的连续性。
在外加应力及已滑移晶粒内位错平面塞积群所造 成的应力集中作用下就会有越来越多的晶粒发生塑性 变形。
例如下图是双晶粒的拉伸变形,由于在晶界附近 的滑移受阻,变形量较小,而晶粒内部的塑性变形较 大,整个晶体的变形是不均匀的。所以呈现出竹节状。
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晶体在滑移时并不是滑移面上的所有原子一起运动 而是位错中心的原子逐一递进,有一个平衡位置移 动到另一个平衡位置。
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实线PQ表示位错开始位置,而 P′Q′表示位错移 动了一个原子间距,而位错中心附近的少数原子只 做远小于一个原子间距的弹性偏移,而晶体其他区 域的原子仍处于正常位置,即位错仅需要一个很小
70.5°位 错塞积最 大应力面
二、多晶体塑性变形的位错机制
多晶体的塑性变形主要受两个方面的影响,一 方面由于晶界的存在使变形晶粒中的位错在晶界处 受阻(即形成位错的塞积),每一个晶粒中的滑移 带也都终止在晶界附近;另一方面由于各晶粒间存 在位向差,为了协调变形要求每一个晶粒必须进行 多滑移,而多滑移必然发生位错的相互交割,这两 方面将大大提高金属材料的强度。显然晶界越多, 即晶粒越细小,则强化效果越显著,而这种用细化 晶粒而增加晶界来提高金属强度的方法就成为 细晶
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例如正刃型当位之处错,的请联上系半本部人或分网晶站格删除受。到挤压而处于 压应力状态,位错线的下半部分被拉开而处于拉应力 状态,比溶剂原子大的置换原子及间隙原子往往会扩 散至位错线下方受拉应力的部位,比溶剂原子小的置 换原子扩散至上方受拉应力的部位,这样偏置于位错 周围的溶质原子好像形成了一个溶质原子“气团”, 称为“柯氏气团”。
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