电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术课后习题及答案1
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B.T U U I e S C. )1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS 管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1.
洛阳理工学院 模拟电子技术 试卷（总）一、单选题1. 杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（B ）。
A.温度；B.杂质浓度；C.电子空穴对数目；D 其它 2. 稳压二极管稳压时应工作在（C ）状态。
A ．正向导通；B ．反向截止；C ．反向电击穿 ；D ．反向热击穿3. N 型半导体是在本征半导体中掺入（C ）；P 型半导体是在本征半导体中掺入（A ）。
A.三价元素，如硼等； B.四价元素，如锗等；C.五价元素，如磷等4.PN 结加正向电压时，有（A ）形成电流，其耗尽层（D ）；加反向电压时，由（B ）形成电流，其耗尽层（C ）。
A.扩散运动； B.漂移运动； C. 变宽； D.变窄5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A ）。
A.增大； B.不变； C.减小6.一个平衡PN 结，用导线将P 区和N 区连起来，而导线中（ B ）。
A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流 7.晶体管在大电流工作时，随Ic 的增加β值将（ B ）。
A.增加； B.下降； C.不变8.某三极管各电极电位如图1.1所示，由此可判断该三极管处于（A ）。
A ．放大状态B ．截止状态C ．饱和状态 9. 双极型三极管用于放大时，应使（B ）。
A ．发射结正偏、集电结反偏；B ．发射结、集电结均正偏；C ．发射结反偏、集电结正偏；D ．发射结、集电结均反偏10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时，是由于（B ）造成的。
A ．静态工作点过低； B.静态工作点过高； C.信号频率过高； D.信号频率过低11．共射、共基、共集三种组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用的是（A ）组态。
A ．共射； B. 共基； C. 共集； D.三种都是12. 测得NPN 型三极管各电极对地的电位分别为V e =2.1V ，V b =2.8V ，V c =4.4V ，说明此三极管工作在（A ）。
A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区；D ．反向击穿区 13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是（B ）。
电路与模拟电子技术(殷瑞祥)课后习题答案.ppt
1-14 已知E1=7V,E2=16V,E3=14V,R1=16 ,R2=3 ,R3=9 .求： （1）S打开时，开关两端的电压Uaa’；（2）S闭合时，流过开关 的电流，说明其实际方向。
aIaSa’a’ + E3 –
+ E1 –
R1 I1
I5 - U3
R2
+
–
E2 +
解：
R3 I3
（2）S闭合时，根据KVL, E3-E2+U3 -E1 = 0
IC
10 20
U2 20R2 jXC XC
2R245 20R245V
135A 10135A
I I2 IC 10 20A 10135A 5 2 j5 2 1045A I 10A
U1 I R1 10456 6045V
20R2 220 60 160
U U1 U2 6045 20R245 22045V
j4
(3
j4)
UZ OeCq
6 j8 10 53.1V
3
-
戴维宁等效电路如下：
(2)求等效阻抗 Zeq
16.329.45
+
10 53.1V
-
Z eq
(3 j4) (3 j4) 3 j43 j4
(10
j8)
10 j8 25 16.329.45 6
4-7 求 uC(t) 和 iC(t)
ReqC 0.001s (50 40e1000t )V
4-13 求开关断开后 i1(t) ， i2(t)和 iC(t)
+
10V
-
S(t=0)
10μF
3K
iC
i1
4K
4K
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模拟电子技术习题答案1
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
电路与模拟电子技术(第二版)殷瑞祥主编_课后习题答案
第1章 电 阻 电 路1.1 正弦交流电 交流电 1.2 电流 电压 功率 1.3 电压 电流 功率 1.4 幅值 相位 频率 1.5 幅值 相位 频率 1.622221.7 相电压 线电压 220V 380V 1.8 星型 三角形 1.9 31.10 超前 滞后 同相 1.1131.12——1.25 F F T T F F T F F T T F T T1.26 答：（1） 固定电阻器可分为碳膜电阻器、金属氧化膜电阻器、金属膜电阻器、线绕电阻器和贴片式电阻器等。
① 碳膜电阻器：碳膜电阻器以碳膜作为电阻材料，在小圆柱形的陶瓷绝缘基体上，利用浸渍或真空蒸发形成结晶的电阻膜（碳膜）。
电阻值的调整和确定通过在碳膜上刻螺纹槽来实现；② 金属氧化膜电阻器：金属氧化膜电阻器的电感很小，与同样体积的碳膜电阻器相比，其额定负荷大大提高。
但阻值范围小，通常在200Kω以下；③ 金属膜电阻器：金属膜电阻器的工作稳定性高，噪声低，但成本较高，通常在精度要求较高的场合使用；④ 线绕电阻器：线绕电阻器与额定功率相同的薄膜电阻相比，具有体积小的优点 ⑤ 贴片式电阻器：贴片式电阻器的端面利用自动焊接技术，直接焊到线路板上。
这种不需引脚的焊接方法有许多优点，如重量轻、电路板尺寸小、易于实现自动装配等。
（2） 电位器根据电阻体的材料分有：合成碳膜电位器、金属陶瓷电位器、线绕电位器、实心电位器等① 合成碳膜电位器：分辨率高、阻值范围大，滑动噪声大、耐热耐湿性不好； ② 金属陶瓷电位器：具有阻值范围大，体积小和可调精度高（±0.01%）等特点； ③ 线绕式电位器：线绕式电位器属于功率型电阻器，具有噪声低、温度特性好、额定负荷大等特点，主要用于各种低频电路的电压或电流调整；④ 微调电位器：微调电位器一般用于阻值不需频繁调节的场合，通常由专业人员完成调试，用户不可随便调节。
⑤ 贴片式电位器：贴片式电位器的负荷能力较小，一般用于通信、家电等电子产品中。
模拟电子技术第一章 习题与答案
第一章习题与答案1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。
二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。
把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。
2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。
硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。
硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。
3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。
4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。
而普通二极管反向击穿后就损坏了。
这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。
5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？答：正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。
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洛阳理工学院模拟电子技术试卷（总）一、单选题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（B）。
A.温度；B.杂质浓度；C.电子空穴对数目；D其它2.稳压二极管稳压时应工作在（C）状态。
A．正向导通；B．反向截止；C．反向电击穿；D．反向热击穿3. N型半导体是在本征半导体中掺入（C）；P型半导体是在本征半导体中掺入（A）。
A.三价元素，如硼等；B.四价元素，如锗等；C.五价元素，如磷等4.PN结加正向电压时，有（A）形成电流，其耗尽层（D）；加反向电压时，由（B）形成电流，其耗尽层（C）。
A.扩散运动；B.漂移运动；C. 变宽；D.变窄5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A）。
A.增大；B.不变；C.减小6.一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（ B）。
A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流7.晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（ B ）。
A.增加；B.下降；C.不变8.某三极管各电极电位如图1.1所示，由此可判断该三极管处于（A）。
A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态9.双极型三极管用于放大时，应使（B）。
A．发射结正偏、集电结反偏； B．发射结、集电结均正偏；C．发射结反偏、集电结正偏； D．发射结、集电结均反偏10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时，是由于（B）造成的。
A．静态工作点过低； B.静态工作点过高； C.信号频率过高； D.信号频率过低11．共射、共基、共集三种组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用的是（A）组态。
A．共射； B. 共基； C. 共集； D.三种都是12. 测得NPN型三极管各电极对地的电位分别为V e=2.1V，V b=2.8V，V c=4.4V，说明此三极管工作在（A）。
A．放大区；B．饱和区；C．截止区；D．反向击穿区13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是（B）。
A．共射电路；B．共集电路；C．共基电路；D．共源极电路14.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（ D）型。
A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）15.三极管的反向电流I CBO是由（B ）组成的。
A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子16.射极跟随器具有（C）特点。
Ａ、电流放大倍数高Ｂ、电压放大倍数高Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低17．为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入（A）电路。
A.共射；B.共集；C.共基18．为了提高差动放大电路的共模抑制比，可用（B）替代公共发射极电阻Re。
A.恒压源；B.恒流源；C.大电容19．为了减小零点漂移，集成运放的输入级大多采用（C）。
A．共射电路；B．共集电路；C．差分放大电路；D．乙类放大电路20．减小零点漂移最有效的方法是采用（C）。
A．共射电路；B．共集电路；C．差分放大电路；D．乙类放大电路21．图1.2所示集成运算放大器的U OPP=±20V，则输出电压U o=（C）V。
A.0V；B.+4V；C.+20V；D. -20V22.对功率放大器的要求主要是（B ）、（C ）、（ E ）。
A.U0高； B.P大； C.功率大； D.Ri大； E.波形不失真图1.13+.6V2+5V1+4+o23.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A ）能力。
A.放大差模抑制共模； B.输入电阻高； C.输出电阻低24.差分放大电路R E 上的直流电流I EQ 近似等于单管集电极电流I CQ （B ）倍。
A.1 ； B. 2； C. 325.差分放大电路是为了（ C ）而设置的。
A.稳定Au ；B.放大信号；C.抑制零点漂移 26.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（C ）A.电阻阻值有误差；B. 晶体管参数的分散性；C. 晶体管参数受温度的影响 27.互补输出级采用共集接法是为了使（D ）。
A.电压放大倍数增大；B.抑制共模信号能力增强；C.最大不失真输出电压增大；D. 带负载能力强 28.功率放大电路与电压放大电路的共同之处是（C ）。
A.都放大电压； B.都放大电流；C.都放大功率 29.当集成运放线性工作时，有两条分析依据（A ）（B ）。
A.U-≈U+ B.I-≈I+≈0 C . U0=Ui D.Au=1 30. 为了稳定静态工作点，应引入（B ）。
A.交流负反馈；B. 直流负反馈；C.电压负反馈；D.电流负反馈 31.为了展宽频带，应引入（A ）。
A.交流负反馈；B. 直流负反馈；C.电压负反馈；D.电流负反馈 32.为了稳定输出电压，应引入（C ）.A.交流负反馈；B. 直流负反馈；C.电压负反馈；D.电流负反馈 33. 为了稳定输出电压，应引入（D ）.A.交流负反馈；B. 直流负反馈；C.电压负反馈；D.电流负反馈34．欲减小放大电路向信号源的索取流电，增大带负载能力，应在放大电路中引入（A ）负反馈。
A ．电压串联；B.电压并联；C.电流串联；D.电流并联 35.为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。
A.电压； B.电流； C.串联 36. 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入（A ）；为了展宽频带，应在放大电路中引入（D ）。
A.电流负反馈；B.电压负反馈；C.直流负反馈； D.交流负反馈 37.为了减小输出电阻，应在放大电路中引入（B ） 。
A.电流负反馈；B.电压负反馈；C.直流负反馈；D.交流负反馈 38.为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入（C ）。
A ．电压串联负反馈；B.电压并联负反馈；C.电流串联负反馈；D.电流并联负反馈 39.为了实现电流-电压转换，应引入（B ）。
A ．电压串联负反馈；B.电压并联负反馈；C.电流串联负反馈；D.电流并联负反馈 40.欲将方波转换成三角波，应选用（C ）。
A.比例运算电路；B.求和运算电路；C.积分电路；D.模拟乘法器 41．为了防止50Hz 电网电压的干扰进入放大器，应选用（D ）滤波电路。
A ．低通；B ．高通；C ．带通；D ．带阻42. 欲将正弦电压叠加上一个直流电压，应选用（B ）电路。
A ．比例运算电路；B.求和电路；C.积分电路；D.微分电路43. 已知输入信号的频率为10kHz ～20kHz ，为了防止干扰信号的混入，应选用（C ）滤波器。
A ．低通；B.高通；C.带通；D.带阻 44. 欲将矩形波变换成三角波，应选用（C ）电路。
A ．比例运算电路；B.求和电路；C.积分电路；D.微分电路 45. 能将输入的模拟信号转换为矩形波的电路是（A ）。
A ．电压比较器； B.乘法器； C. 除法电路； D.平方电路46. 抑制频率高于20MHz 的噪声，应选用（A ）滤波器。
A ．低通； B.高通； C.带通； D.带阻 47. RC 桥式正弦波振荡电路的起振条件是（C ）。
A ．1u>AB ．2u>A C ．uA >3 D ．3u=A 48C 。
A ．过零比较器；B.单限比较器；C.滞回比较器；D.双限比较器49．单相桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为10V ，则整流二极管承受的最大反向电压为(D)。
A ．5V ；B ．7V ； C ．10V ；D ．14V50．下列三端集成稳压器输出直流电压为-5V 的是（C ）。
A.7915；B.7815；C.7905；D. 780551. 在桥式整流电容滤波电路中，若变压器副边电压有效值U 2=20V ，则正常情况下，输出的直流电压为（C ）V 。
A ．9V ； B.18V ； C.24V ； D. 28V52.三端集成稳压器CW7812的输出电压是（ A ）。
A.12V ； B.5V ； C.9V53.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ C ）Uz A.0.45； B.0.9 C.1.254.振荡器的输出信号最初由（ C ）而来的。
A 、基本放大器B 、选频网络C 、干扰或噪声信号 55.三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（ A ）A. 5v ；B. 9v ；C. 12v 56.三端集成稳压器 CW7906的输出电压是（ A ）A. -6V ；B. -9v ；C. -12v 57.RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 （B ） 。
A.感性；B.阻性 ； C 容性58.直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（A ）。
Ａ.好； Ｂ.差； Ｃ.相同59.工作在线性区的运算放大器应置于（A ）状态。
Ａ.深度反馈； Ｂ.开环； Ｃ.闭环 60.产生正弦波自激震荡的稳定条件是（C ）。
A.引入正反馈； B.|AF|≥1 ； C.AF=1 二、填空题1．常用的半导体材料是 硅 和 锗。
2．N 型半导体中的多数载流子是 电子 。
3．PN 结具有 单向导电性 特性。
4．硅二极管的正向导通电压一般约为 0.7 V 。
5．三极管工作在放大区时，发射结 正偏 、集电结 反偏 。
6．在共射、共基、共集三种组态中，输出与输入反相的是 共射 组态，输出与输入同相的是 共基 组态和 共集 组态；输入电阻最小的是 共基 组态，输出电阻最小的是 共集 组态。
7．射极输出器具有输入电阻 高 、输出电阻 低 的特点。
8．放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真。
9.工作在放大状态的某三极管，当基极电流I B 从20μA 增大到40μA 时，集电极电流I C 则从1mA 变成2mA ，它的β= 50 。
10.三极管的三个工作区分别为截止区、 放大 区和 饱和 区。
11.多级放大电路的耦合方式常用的有三种，分别是 阻容耦合 、 直接耦合 和变压器耦合。
12.当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic 增加 ，发射结压降 减小 。
13.漂移电流是 反向 电流，它由 少数 载流子形成，其大小与 温度 有关，而与外加电压 无关 。
14.所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为 零 ，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为 无穷大 ，等效成断开。
15.在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是 共基 放大器，A u2是 共射 放大器，A u3是 共集 放大器。
16.图2.1所示负反馈放大电路的级间反馈组态是电压串联，该负反馈能 提高 （提高；降低）输入电阻，降低 （提高；降低）输出电阻，在深度负反馈条件下，闭环电压放大倍数==iouf U U A 13 。