太阳能电池设计参考

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太阳能电池组件及方阵的设计方法案例图文说明

太阳能电池组件及方阵的设计方法案例图文说明

太阳能电池组件及方阵的设计方法案例图文说明上面已经说过,太阳能电池组件的设计就是满足负载年平均每日用电量的需求。

所以,设计和计算太阳能电池组件大小的基本方法就是用负载平均每天所需要的用电量(单位:安时或瓦时)为基本数据,以当地太阳能辐射资源参数如峰值日照时数、年辐射总量等数据为参照,并结合一些相关因素数据或系数综合计算而得出的。

在设计和计算太阳能电池组件或组件方阵时,一般有两种方法。

一种方法是根据上述各种数据直接计算出太阳能电池组件或方阵的功率,根据计算结果选配或定制相应功率的电池组件,进而得到电池组件的外形尺寸和安装尺寸等。

这种方法一般适用于中小型光伏发电系统的设计。

另一种方法是先选定尺寸符合要求的电池组件,根据该组件峰值功率、峰值工作电流和日发电量等数据,结合上述数据进行设计计算,在计算中确定电池组件的串、并联数及总功率。

这种方法适用于中大型光伏发电系统的设计。

下面就以第二种方法为例介绍一个常用的太阳能电池组件的设计计算公式和方法,其他计算公式和方法将在下一节中分别介绍。

1.基本计算方注计算太阳能电池组件的基本方法是用负载平均每天所消耗的电量(Ah)除以选定的电池组件在一天中的平均发电量(Ah),就算出了整个系统需要并联的太阳能电池组件数。

这些组件的并联输出电流就是系统负载所需要的电流。

具体公式为:负载用电10A,负载工作8小时。

(220V ))组件日平均发电量()负载日平均用电量(电池组件并联数Ah Ah =其中, 组件日平均发电量=组件峰值工作电流(A)×峰值日照时数(h)。

假设告知负载日耗电(KWh ),如何计算负载日平均用电量(Ah )。

再将系统的工作电压除以太阳能电池组件的峰值工作电压,就可以算出太阳能电池组件的串联数量。

这些电池组件串联后就可以产生系统负载所需要的工作电压或蓄电池组的充电电压。

具体公式为:组件峰值工作电压系数)系统工作电压(电池组件串联数 1.43V ⨯=系数1.43是太阳能电池组件峰值工作电压与系统工作电压的比值。

AN1444 - 并网太阳能微型逆变器参考设计

AN1444 - 并网太阳能微型逆变器参考设计

© 2012 Microchip Technology Inc.DS01444A_CN 第 1页AN1444作者:Alex Dumais 和Sabarish Kalyanaraman Microchip Technology Inc.简介风力发电系统和光伏(PV )发电系统等可再生资源使用方便且前景广阔,在过去几年获得了大量关注。

太阳能系统具有很多优势,例如:•清洁的可再生能源,可替代煤、石油和核能产生的能量•可降低/消除用电费用•用于制造PV 电池板的硅是地球上含量第二多的元素•能够为边远地点提供电能随着晶体电池板制造能力的增强,总体制造成本随之降低,PV 电池板的效率也得以提高,因此近来对太阳能系统的需求不断增长。

使太阳能需求增长的其他原 因包括:PV 技术经过验证且可靠,PV 模块具有30年以上的保修期,以及政府的鼓励措施。

太阳能逆变器系统有两个主要要求:从PV 电池板收集可用能量,以及将与电网电压同相的正弦电流注入电网。

为了从PV 电池板收集能量,需要使用最大功率点追踪(Maximum Power Point Tracking ,MPPT )算法。

该算法决定了在任何给定时间可从PV 模块获取的最大功率。

与电网接口要求太阳能逆变器系统符合公共事业公司指定的特定标准。

这些标准(如EN61000-3-2、IEEE1547和美国国家电气规范(NEC )690)涉及电源质量、安全、接地和孤岛情况检测。

太阳能电池的特性要开始开发太阳能微型逆变器系统,了解太阳能电池的不同特性非常重要。

PV 电池是半导体器件,其电气特性与二极管相似。

但是,PV 电池是电力来源,当其受到光(如太阳光)照射时会成为电流源。

目前最常见的技术是单晶硅模块和多晶硅模块。

PV 电池的模型如图1所示。

Rp 和Rs 为寄生电阻,在理想情况下分别为无穷大和零。

图1:PV 电池的简化模型RpRsVoIoPV 电池的表现会因其尺寸或与其连接的负载的类型,以及太阳光的强度(照度)而有所不同。

太阳能光伏电池标准 IEC 61427-2005(中文版)

太阳能光伏电池标准 IEC 61427-2005(中文版)

国际标准 IEC 61427第2版 2005.5光伏太阳能系统(PVES)储能二次电池和电池组―――一般要求和试验方法目录前言1.适用范围2.标准性参考文献3.术语和定义4.使用条件4.1 光伏能源系统4.2 二次电池和电池组4.3 通用运行条件5.一般要求5.1 机械耐受性5.2 充电效率5.3 深放电保护5.4 标记5.5 安全5.6 文件6.功能特性7.通用试验条件7.1 测量仪表精度7.2 测试样品的准备和维护8.试验方法8.1 容量实验8.2 循环耐久试验8.3 荷电保持试验8.4 光伏用途循环耐久试验(极端条件)9.试验的推荐采用9.1 型式试验9.2 验收试验前言1)国际电工技术委员会(International Electrotechnical Commission――IEC)是一个全球性的、包括所有国家的电工技术委员会(IEC国家委员会)的标准化组织。

IEC的目的是推进所有电气和电子领域有关标准化方面的国际合作。

为此目的,除了其它的活动之外,IEC出版国际标准、技术规范、技术报告、公开可获得的规范和指导(下称IEC出版物)。

出版物的准备都是委托各技术委员会进行;任何IEC 国家委员会对于所涉及的出版物感兴趣都可以参加准备工作。

在出版物的准备过程中,与IEC有联系的国际的、政府的和非政府组织也可以参加。

IEC与国际标准化组织(International Organization for Standardization ---ISO)按照两个组织一致同意的条件密切合作。

2)IEC对于技术问题所作出的结论和决议都尽可能地代表了相关问题国际上的一致意见,因为每一个技术委员会都有来自所有感兴趣的IEC国家委员会的代表。

3)IEC出版物的形式为国际上推荐采用,而且在这个意义上也已被IEC各国家委员会所接受。

尽管已经尽力做到IEC出版物的技术内容准确无误,但IEC不能对其使用的方式或最终用户的误解负责。

硅基太阳能电池设计(课程设计)

硅基太阳能电池设计(课程设计)

微电子课程设计硅太阳能电池结构设计与参数提取第二章选题及要求2.1课题名称与背景课题名称:硅太阳电池结构设计与参数提取课题背景:1、太阳能利用太阳能是一种新型能源,具有无污染、可再生的特点。

太阳能电池/光伏电池(Solar Cells)是一种将太阳能转化为电能的元器件,其基本结构是PN结。

硅太阳电池因工艺成熟、成本低廉而占据全球光伏产业80%以上的份额。

图2.1 太阳能光谱图2、光伏效应太阳能电池的基本结构是半导体PN结,当存在光照时,光子被吸收而产生光生载流子,光生载流子发生扩散而在PN结中形成与内建电厂相反的光生电场。

称为光生伏特效应。

3、等效电路与负载特性在光照下,太阳电池的基本结构的等效电路如图2.2所示图2.2 等效电路电流公式为s 0()=exp(1)s ph sh q V IR V IR I I I nkT R ++---其中n 为二极管理想因子,s R 为串联电阻,sh R 为旁路电阻。

其负载特性曲线如图2.3所示图2.3 负载特性曲线定义FF 为填充因子,oc V 为开路电压,sc I 为短路电流,其中max .oc sc P FF V I =即两矩形面积之比,..oc sc inV I FF P η=2.2 课题内容(1)太阳电池结构设计:利用太阳能电池基础知识,完成电池PN结衬底、结深、掺杂浓度的设计,以及电极材料选择、电极宽度设计;(2)太阳电池虚拟制造:利用现代TCAD工艺仿真软件对太阳电池进行工艺仿真和虚拟制造,显示制造结果,并保存电池结构以进行下一步操作;(3)太阳电池性能仿真:利用现代TCAD工艺仿真软件对步骤2中的电池进行响应特性、负载特性等器件性能仿真,并与设计指标进行比对;(4)太阳电池参数提取:通过参考书和参考文献调研等方式,根据太阳电池等效电路模型,设计和编写响应的软件程序,从步骤3输出的负载特性曲线中提取电池性质参数,包括理想因子n,串联电阻Rs和旁路电阻Rsh;(5)太阳电池优化设计:若所设计电池的能量转换效率等指标未达到设计要求,则进一步根据步骤4获得的性质参数,分析改进电池的设计方案,并重复步骤1~4,直至电池开路电压、短路电流和能量转换效率达到设计的指标要求。

热载流子太阳能电池:原理、材料和设计资料

热载流子太阳能电池:原理、材料和设计资料
势。
7
3 热载流子太阳能电池
能量损失机制
热损失:被吸收的光生 载流子通过向能带释 放声子的形式将大于 禁带宽度的那部分能 量损失掉。
电子-空穴对的重新 复合引起的能量损失。 这种复合可以通过消 除所有不必要的缺陷 延长载流子的寿命来 抑制。如⑤
返回
还有一种能量损失是低于 禁带宽度的能量损失,如 ①,能量小于禁带宽度的 光子不能被吸收所造成的 损失。
返回 5
2 论文信息
论文题目:热载流子电池:原理,材料和设计 期刊:物理学E:低维系统和纳米结构,2010年,第42卷(10),pp.2862-2866 来源数据库:Elsevier Journal(爱思唯尔数据库) 作者: D. K¨onig a, _, K.Casalenuovo a,b, Y.Takeda c, G.Conibeer a, J.F.Guillemoles d, R.Patterson a, L.M. Huang d,a, M.A.Green 作者单位:澳大利亚悉尼新南威尔士大学ARC卓越光伏中心
返回 15
3 热载流子太阳能电池
器件两端的接触
吸收层两端接触材料中的载流子与吸收层平衡状态的温度相 同。如果直接与热载流子刚性碰撞,会导致热载流子的冷却, 损耗能量。如果热载流子只有一个很窄范围的能带与接触材料 平衡,则会减少这种效应。
两种实现方式: (1)选择能量式接触 (2)通过共振量子隧穿
返回 16
(4)-(6)载流子热能化:在这一过程中,载流子与晶格热碰 撞,发射声子,造成能量损耗载流子数量不变,但其能态分布、 对应的“温度”不断下降。直至与晶格温度一致。
返回 14
热载流子冷却动力学
3 热载流子太阳能电池
(7)载流子复合:多余电子-空穴对的复合。这个过程中载流 子数量开始减少,并最终趋于平衡态。 (8)载流子从新回到稳定态

太阳能电池课程设计报告

太阳能电池课程设计报告

太阳能电池课程设计报告一、设计背景与目的随着全球能源危机的不断加剧,可再生能源的开发与利用越来越受到人们的重视。

太阳能作为一种清洁、可再生的能源,其利用价值日益凸显。

本课程设计旨在通过理论学习和实践操作,使学生掌握太阳能电池的基本原理、制造工艺及测试方法,为将来在太阳能电池领域就业或自主创业打下坚实的基础。

二、设计原理太阳能电池的基本原理是光生伏打效应,即利用太阳光能转化为电能。

太阳能电池的主要材料分为硅基和薄膜基两种,其中硅基材料(如单晶硅、多晶硅和非晶硅)因其稳定性高、光电转换效率高等优点而广泛应用。

制造太阳能电池的主要工艺流程包括硅片制备、腐蚀、镀电极、封装等。

三、实践操作1. 设备准备:本次实验所需设备包括太阳光管、太阳能电池板、直流电源、电阻器、电容器等。

2. 实验环境搭建:将太阳光管固定在阳台或空旷地带,确保光线充足且无遮挡物。

搭建太阳能电池板支架,将其固定在适当位置。

3. 实验操作:将电阻器和电容器连接起来,构成一个简单的电路,将太阳光管和太阳能电池板接入电路中。

观察太阳能电池板是否产生电流,记录数据。

4. 太阳能电池片制备:选取优质单晶硅片,用腐蚀工艺制备出太阳能电池片。

5. 镀电极:将制备好的太阳能电池片镀上电极,以提高其导电性能。

6. 封装:将镀好电极的太阳能电池片进行封装,确保其长期稳定工作。

四、测试与分析1. 光电性能测试:使用光电测试仪器对太阳能电池片的短路电流密度、开路电压、填充因子等指标进行测试,并与市场上的同类产品进行对比分析。

2. 寿命测试:模拟不同环境条件(如温度、湿度、光照强度等)对太阳能电池片进行寿命测试,记录数据并分析其性能衰减情况。

3. 安全性能测试:对封装后的太阳能电池片进行高温、短路、过充等安全性能测试,确保其在实际应用中的安全性。

五、结论通过本次课程设计,学生们能够深入了解太阳能电池的基本原理和制造工艺,掌握太阳能电池的测试方法。

同时,学生们通过实践操作,亲身参与太阳能电池的制备过程,增强了动手能力和创新意识。

第4章 硅太阳能电池的设计

第4章 硅太阳能电池的设计

重减小扩散长度,但是由于电极区域并不参与载流子的生成,因此它对载流子的
收集的影响并不大。
此外,当高复合率的电池表面非常接近于p-n结时,要使复合的影响达到最 小,就必须尽可能的增加掺杂的浓度。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
&4.3.4
减少复合效应-表面复合
类似的方法也使用在减少背表面复合率对电压和电流的影响上,如果背
表面与pn结的距离小于扩散长度。
速消失,以使得更多的载流子通过电池,提高前置电流。因此,必须有长的 扩散长度才能尽量减少复合并获得高电压。而扩散长度怎取决于电池材料的 类型、制造电池片的过程和掺杂的情况。
• 高掺杂导致低扩散长度,因此需要找到长扩散长度(它同时影响着电流和电
压)与高电压之间的平衡。
&4.3.3减少复合效应
复合引起的电压损失
&4.2.1
光学特性-光的损耗
下面将介绍几种能减少光损失的方法:
尽量使电池顶端电极覆盖的面积达到最小(尽管可能导致串联电阻增加)。
减反射膜的厚度为入射光的波长的四分之一。对于折射率为n1薄膜材料,入
射光波长为λ0,则使反射最小化的薄膜厚度为d1: d1=λ0/4n1 如果减反射膜的折射率为膜两边的材料的折射率的几何平均数,反射将被进 一步降低
以都能起到减小反射的效果。
绒面结构对入射光的影响
&4.2.3
光学特性-表面制绒
一块单晶硅衬底可以沿着晶体表面刻蚀便能达到制绒效果。 如果表面能恰当符合内部原子结构的话,硅表面的晶体结构将变成由金字塔构 成表面。
单晶硅制绒表面的电子显微镜扫描照片。
&4.2.3
光学特性-表面制绒
刻蚀多晶硅表面时,单晶硅的制绒方法都不能使用,因为只有在由<111> 晶体表面构成的表面才能完成有效的形态。 而多晶硅表面上,只有一小部分面积才有<111>方向。但是多晶硅制绒可 以使用光刻技术和机械雕刻技术,即使用切割锯或激光把表面切割成相应的 形状。

太阳能电池毕业设计

太阳能电池毕业设计

太阳能电池毕业设计太阳能电池毕业设计太阳能作为一种清洁、可再生的能源,近年来受到了越来越多的关注和重视。

太阳能电池作为其中的关键技术之一,具有广阔的应用前景。

在我的毕业设计中,我选择了太阳能电池作为研究对象,旨在探索提高太阳能电池效率的方法,并设计出一种更加高效可靠的太阳能电池。

首先,我对太阳能电池的原理进行了深入研究。

太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的装置,其核心是半导体材料。

当太阳光照射到半导体材料上时,光子的能量被电子吸收,电子被激发到导带中,形成电流。

通过将多个太阳能电池串联或并联,可以得到更高的输出电压和电流。

了解太阳能电池的原理是进行后续设计和优化的基础。

接下来,我进行了太阳能电池的材料选择和性能测试。

太阳能电池的性能受到材料的影响很大,因此选择合适的材料非常重要。

我通过实验室测试和文献调研,选取了效率较高的硅材料作为太阳能电池的基底材料。

同时,我还进行了材料的光学、电学和热学性能测试,以评估其适用性和稳定性。

在材料选择的基础上,我开始进行太阳能电池的结构设计和优化。

太阳能电池的结构包括正负极的设计、光吸收层的厚度和材料选择等。

我通过模拟计算和实验验证,不断调整和优化太阳能电池的结构参数,以提高其光电转换效率和稳定性。

例如,我尝试了不同的光吸收层厚度和材料组合,以找到最佳的吸光性能和电荷传输效率。

除了结构优化,我还研究了太阳能电池的表面处理和封装技术。

太阳能电池的表面处理可以提高其光吸收能力和光电转换效率。

我尝试了不同的表面纳米结构和涂层材料,以增加太阳能电池对太阳光的吸收。

同时,我还研究了太阳能电池的封装技术,以提高其耐久性和稳定性。

通过合理的封装设计和材料选择,可以有效地保护太阳能电池免受外界环境的影响。

最后,我对设计的太阳能电池进行了性能测试和评估。

通过实验室测试和数据分析,我评估了太阳能电池的光电转换效率、稳定性和可靠性。

同时,我还与其他同类产品进行了对比,以验证设计的太阳能电池的性能优势和竞争力。

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上,由于受串联电阻和并联电阻的影响,实际太阳能电池填充因子的值要低于上式所给出的理想
值.
④能量转化效率η
它表示入射的太阳光能量有多少能转换为有效的电能.
η=(太阳能电池的输出功率/入射的太阳光功率)×100%
=(VOPIOP/PinS)×100%
=
VOC I SC FF
Pin S
(9.3)
Example 1:单晶硅太阳能电池
solve b1=1 lambda=0.3
solve b1=1 lambda=0.35
solve b1=1 lambda=0.4
solve b1=1 lambda=0.45
solve b1=1 lambda=0.5
solve b1=1 lambda=0.55
solve b1=1 lambda=0.6
2
定义增透膜及其界面的光学性质.参数ar.Chick定义膜厚;ar.Index定义折射率.绝大数情况下,
单层增透膜厚度等于1/4波长(在膜里).对于多层膜,必须通过参数coating和layer来详细阐述.
如果膜由吸收物质制作而成,还应该引入ar.Absorb参数进行考虑.
模拟程序
go athena
Min.power=0.05
该语句定义了一传输角度为90度、波长为0.6μm的单色光,其起始坐标为(0.6,-0.5).当光强降至初
始光功率的5%时传输终止.(入射光线图如图10.3)
例2:多光谱光线
beam num=2 x=0.0 y=-1.0 ang=45.0 power.file=source.spc wavel.start=0.4 \
b1=1 lambda=5 index.check
b1=1 lambda=0.65 index.check
b1=1 lambda=0.675 index.check
b1=1 lambda=0.7 index.check
b1=1 lambda=0.725 index.check
b1=1 lambda=0.75 index.check
solve
#获取短路电流
log outf=optoex08_0.log
solve b1=1.0e-15
#定义光功率
extract name="short_circuit_current" max(abs(i."cathode"))
save outf=optoex08_1.str
#获取开路电压
solve init
# optoex08.spec,它包含AM0太阳光谱数据.)
beam num=1 x.origin=10.0 y.origin=-2.0 angle=90.0 power.file=optoex08.spec
#保存光强性质至solution文件
output opt.int
#模型定义
models conmob fldmob srh print
#形成接触
etch oxide right p1.x=8
deposit alum thickness=0.1 div=3
etch alum left p1.x=8
#网格间距加大
# relax y.min=0.6是指将y方向上从0.6到y的最大值范围内的网格减少一半
relax y.min=0.6
relax y.min=2.0
VOC
kT
q
I
I S
(9.1)
②短路电流Isc
如将pn结短路(V=0),因而IF=0,这时所得的电流为短路电流Isc.显然,短路电流
等于光生电流,即:Isc=IL.
③填充因子FF
它表示了最大输出功率点所对应的矩形面积在Voc和Isc所组成的矩形面积中所占的百分比.
特性好的太阳能电池就是能获得较大功率输出的太阳能电池,也就是Voc,Isc和FF乘积较大的电池.
b1=1 lambda=0.775 index.check
b1=1 lambda=0.8 index.check
log off
go atlas
mesh space.mult=1.0
x.mesh loc=0.0
x.mesh loc=10.0
y.mesh loc=0.0
y.mesh loc=50.0
spacing=10.0
tonyplot optoex08_2.str
go atlas
#
#光谱反应(spectral response)求解
#
material material=Aluminum imag.index=1000
4
#
material material=Silicon taun0=1e-6 taup0=1e-6
b1=1 lambda=0.475 index.check
b1=1 lambda=0.5 index.check
b1=1 lambda=0.525 index.check
b1=1 lambda=0.55 index.check
b1=1 lambda=0.575 index.check
b1=1 lambda=0.6 index.check
wavel.end=0.6 wave.num=4
该语句定义一起始于(0.0,-1.0)、入射角度为45度的多光谱光线.该光线由光谱文件soure.spc引入,
波长范围为0.4μm至0.6μm.
图9.3入射光线图
此外,本实验还将用到增透膜(或称减反射膜,anti–reflection coating).INTERFACE语句可用来
relax y.min=10
#镜像以获得完整结构
structure mirror right
#电极定义
3
electrode name=cathode x=10
electrode name=anode backside
#保存结构
structure outf=optoex08_0.str
go atlas
在本例中,将首先用ATHENA模拟的是晶体硅太阳能电池的结构(pn结),接着用ATLAS模拟太阳能
电池的一些基本性质:Voc、Isc、光谱反应及考虑增加增透膜后对光谱反应的影响.
在太阳能电池的模拟实验中,将考虑到外部光源的影响.因此,模拟中将用到BEAM语句.
例1:单色光
beam num=1 wavelength=0.6 x=0.5 y=-2.0 ang=90.0 min=-0.1 max=0.1 \
log outf=optoex09_noarc.log
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
solve
b1=1 lambda=0.3 index.check
Solar Cell
基础知识:
不论是一般的化学电池还是太阳能电池,其输出特性一般都是用如下图所示的电流-电压曲线来表
示.由光电池的伏安特性曲线,可以得到描述太阳能电池的四个输出参数.
图9.1太阳电池和锰干电池的IV曲线
①开路电压Voc
R=∞,I=0,即:IL=IF.将I=0代入光电池的电流电压方程,得开路电压为:
#网格定义
line x loc=0.00 spac=1
line x loc=10 spac=1
#
line y loc=0.00 spac=0.05
line y loc=0.25 spac=0.02
line y loc=1 spac=0.1
line y loc=50 spac=10
#衬底定义
init silicon c.boron=1.0e14 orientation=100
spacing=10.0
spacing=0.2
spacing=0.2
region num=1 material=Silicon
6
#
elec
name=cathode bottom
#
doping uniform conc=1e14 n.type
# define a beam (be sure to include REFLECT and BACK parameters)
contact name=cathode current
#为了设定电流为零,先设置电流边界条件
solve icathode=0 b1=1e-15
extract name="open_circuit_voltage" max(abs(vint."cathode"))
save outf=optoex08_2.str
#定义入射线数目、起始点、入射角度、考虑反射及窗口大小、最小光功率
beam num=1 x.origin=5.0 y.origin=-1.0 angle=90.0 back.refl front.refl reflect=5 min.w=-2
\ max.w=2 min.power=0.001
solve init
#设置接触材料铝不透明
material material=Aluminum imag.index=1000
#设置硅的性质
#衬底硅中电子、空穴的复合寿命为1e-6s
material material=Silicon taun0=1e-6 taup0=1e-6
#光照性质定义
#定义光线是单色光,出发点为(10.0,-2.0),垂直入射,且太阳光谱文件来自外部文件(指文件
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