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晶振32.768k

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石英晶振的原理与电路组成设计摘要:石英晶振是一种高精度、高稳定度的振荡器,是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振组件,以取代L C选频电路,频率稳定度高达10-9~10-11,广泛应用于各类电子产品的振荡电路中,如通信系统中的频率发生器等。

作用:为数据处理设备产生时钟信号,提供系统振荡脉冲,稳定频率,选择频率。

本文将对石英晶振的基本特性、稳频条件、及电路设计方面做简单介绍。

一、水晶材料基本特性石英晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片,在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳,就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、振。

其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、瓷或塑料封装的石英晶体谐振器结构石英晶体在压力作用下产生形变,同时产生电极化。

其极化强度与压力成正比,这种现象就称“正压电效应”。

反之,在电场作用下,晶体产生形变,其形变大小与电场强度成正比,这种现象称“逆压电效应”。

(a)压电效应( b)正压电效应(c)逆压电效应在二十多类具有压电效应的晶体中 ,石英晶体是无线通讯设备中最为满意的材料之一。

它的机械强度高 ,物理化学性能稳定 ,内损耗低等 ,用它制成的器件被广泛用在频率控制和频率选择电路中。

石英片的取向不同 ,其压电特性、性特性和强度特性就不同 ,用它来制造的谐振器的性能也不一样 ,现已发现了几十种有用的切割方式。

二、英谐振器的稳频条件石英晶振的频率稳定度与以下三方面有关 :负载电容、励电平和频率温度特性。

1、载电容。

石英谐振器一般作为电感组件在振荡电路中起稳频作用 ,而电路的其它组件均可等效为一个负载电容与石英谐振器的等效参数及频率稳定度带来影响。

从石英晶振元件两脚向振荡电路方向看进去的所有有效电容 ,就是该振荡电路加给石英晶振的负载电容。

负载电容同石英晶振共同决定电路的工作频率。

晶振电路设计

晶振电路设计

模拟电路部分晶振设计1. 振荡器原理振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。

从能量的角度来说,正弦波振荡器是通过自激方式把直流电能转换为特定频率和幅度的正弦交变能量的电路。

对于任何一个带有反馈的放大电路,都可以画成下图所示结构:图4 振荡器 当增益满足1≥⨯a f ,且相位条件满足πβα2=+时,构成正反馈环路,起振条件得以满足。

上图即构成一个振荡器。

2. 晶振原理当在晶体两端加上一定的交变电场,晶片就会产生机械形变, 石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应制的一种谐振器件, 若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形。

同时这个机械形变又会产生相应的交变电压,并且其特征频率下的振幅比其他频率点的振幅大得多。

根据这个特点,为了得到低的起振电压和短的起振时间,在晶体两端施加的交变电压的频谱能量应主要集中在晶体的特征频率附近。

在一般情况下,晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振。

石英晶体振荡器的等效电路如图5 所示。

当用石英晶体组成并联谐振电路时,晶体表现为 感性,其等效品质因数Q 值很高。

等效阻抗2频率特性如图6所示。

图5 晶振等效电路图6 晶振等效阻抗图6中,Fr 为串联谐振点。

在频率为)2/(1LC F r π=时,图2中串联的L 、C 谐振,串联支路等效为一个纯电阻。

Fa 为并联谐振点,此时串联支路等效为电感,与并联的C0谐振,0/1C C F F r a +=。

此时等效阻抗趋于无穷大。

通常这两个频率点之间的差值很小。

总的来说,可以认为晶振在串联谐振时表现为电阻,在并联谐振时表现为电感。

这里建议设计时采用并联谐振。

3. Pierce Oscillator图7 振荡电路倒相器作为放大器,同时提供180度的相移。

而晶振及负阻电容作为反馈回路,提供剩下的180度相移。

R F 为反馈电阻,用来决定倒相器的直流工作点,使之工作在高增益区(线性区)。

晶振手册-2015年A版

晶振手册-2015年A版

军用 > 航空航天 > 导航 > 通信 > 测控 > 仪器与设备产品选型手册XO - 晶体振荡器OCXO - 恒温晶体振荡器TCXO - 温补晶体振荡器VCXO - 压控晶体振荡器AVXO - 抗振晶体振荡器MXO - 倍频晶体振荡器PLXO - 锁相晶体振荡器成都世源频控技术有限公司是一家高端射频与微波产品整体解决方案提供商。

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世源频控技术致力于通过专业的产品及良好的服务,注重客户意见,持续极力为客户提升价值。

1. 恒温晶体振荡器(OCXO)------------------------------------------------------------------第04页~第30页2. 温补晶体振荡器(TCXO)--------------------------------------------------------------------第31页~第41页3. 压控晶体振荡器(VCXO)-------------------------------------------------------------------第42页~第43页FCOX2系列<超高稳定度,超低老化率,50.8mm 50.8mm H mm>-----------------------------------------第05页~第06页 FCOX3系列<极低相位噪声,50.8mm 50.8mm 19.0mm,SMA-F>-----------------------------------------第07页~第08页 FCOX4系列<超低相位噪声,38.1mm 38.1mm 12.7mm>--------------------------------------------------第09页~第10页 FCOX5系列<超低相位噪声,38.1mm 38.1mm 12.7mm>--------------------------------------------------第11页~第12页 FCOX7系列<超低相位噪声,小体积,25.4mm 25.4mm 12.7mm>-----------------------------------------第13页~第14页 FCOX8系列<超低相位噪声,超小体积,20.320.39.7(or 11.4)mm>--------------------------------------第15页~第16页FCOX9系列<极低相位噪声,试验室级应用,74.6344.4525.4mm>--------------------------------------第17页~第18页FCOX10系列<低相位噪声,超小体积,25.415.249.7(or 11.4)mm>--------------------------------------第19页~第20页FCOX12系列<低相位噪声,表面贴,25.522.210.0mm>---------------------------------------------------第21页~第22页FCOX17系列<超低相位噪声,35.4mm 26.7mm 12.7(or 13.6)mm>--------------------------------------第23页~第24页 FCOX18系列<超高稳定度,超低老化率,51.3.0(or 25.4)mm>-----------------------------------第25页~第26页 FCOX101系列<超低功耗,超小体积,低相位噪声,插件,21.013.6.5mm>------------------------------第27页~第28页FCOX102系列<超低功耗,超小体积,低相位噪声,表面贴,25.415.24.7mm>-------------------------第29页~第30页FCTX8系列<超低相位噪声,20.3mm 20.3mm 9.7(or 11.4)mm>------------------------------------------第32页~第33页 FCTX9系列<超低相位噪声,25.4mm 15.24mm 9.7(or 11.4)mm>----------------------------------------第34页~第35页 FCTX10系列<超低相位噪声,表面贴,27.4mm 17.8mm 5.9mm>-----------------------------------------第36页~第37页 FCTX12系列<超低相位噪声,表面贴,25.5mm 22.2mm 6.7mm>-----------------------------------------第38页~第39页 FCTX13系列<低相位噪声,超小体积,表面贴,17.014.0 6.0mm>-----------------------------------------第40页~第41页FCVX3系列<低相位噪声,表面贴,27.4mm 17.8mm 5.9mm>---------------------------------------------第42页~第43页×××××××××××××××××××××41.3×19××8××8××××××××××××晶体振荡器QUARTZ CRYSTAL OSCILLATOR5. 倍频晶体振荡器(MXO)---------------------------------------------------------------------第51页~第55页MXO4系列<极低相位噪声,极低杂散,50.0mm 50.0mm mm>-------------------------------------------第52页~第53页MXO7系列<双路输出,低相位噪声,低杂散,50.8mm 50.8mm mm>------------------------------------第54页~第55页××H ××H 倍频晶体振荡器MULTIPLIED CRYSTAL OSCILLATOR4. 抗振晶体振荡器(AVXO)-------------------------------------------------------------------第44页~第50页AVXO3系列<抗振设计,优秀动态相位噪声,38.138.119.0(or 16.0)mm>-------------------------------第45页~第46页 AVXO4系列<抗振设计,优秀动态相位噪声,38.138.119.0(or 16.0)mm>-------------------------------第47页~第48页 AVXO6系列<抗振设计,卓越动态相位噪声,50.850.827.0mm>-----------------------------------------第49页~第50页××××××抗振晶体振荡器ANTI-VIBRATION CRYSTAL OSCILLATORNEW !NEW !NEW !NEW !6. 锁相晶体振荡器(PLXO)----------------------------------------------------------------第56页~第60页PLXO1系列<内置PLL,极低相位噪声,50.8mm 50.8mm 19.0mm,SMA>----------------------------第57页~第58页 PLXO2系列<内置PLL,小体积,低相位噪声,35.4mm 26.7mm 12.7mm>----------------------------第59页~第60页××××锁相晶体振荡器PHASE LOCKED CRYSTAL OSCILLATOR7. 客户订货信息表---------------------------------------------------------------------------------第61页客户订货信息表8. 新产品发布专栏--------------------------------------------------------------------------------第62页新产品发布专栏---NEW PRODUCTS RELEASE敬请关注!-恒温晶体振荡器<OVEN CONTROLLED CRYSTAL OSCILLATOR>超短预热时间FCOX350.8mm X 50.8mm X19.1mmFCOX17FCOX7FCOX8FCOX10FCOX10121.0X13.6X8.5mmFCOX10225.4X15.24X8.7mmNEW !NEW !NEW!FCOX12NEW !OCXOFCOX2产品数据手册 Rev A电性能参数输出信号(客户定义)标称频率 5~20MHz 输出波形 正弦波或方波输出功率,正弦波 0~+13.0dBm 初始频率准确度 ±0.05~±0.3ppm 谐波,正弦波 -30dBc max.杂波,正弦波 -70dBc max.相位噪声(客户定义)OSC @ 10MHz@1Hz -85~-110dBc/Hz @10Hz -110~-140dBc/Hz @100Hz -135~-155dBc/Hz @1KHz -145~-165dBc/Hz @10KHz -150~-166dBc/Hz @100KHz -150~-168dBc/Hz @1MHz -150~-168dBc/Hz稳定度(客户定义)温度稳定度 ±短期稳定度 ±1E-10~±5E-13/s 老化率 ±1E-7~±1E-8/y50~±0.1ppb 电源电压(客户定义)工作电压 +5.0V 或+12.0V 或+15.0V 最大工作电流 500~1500mA max.稳定工作电流 200~700mA max.预热特性 1~15分钟,达到±1E-7~±1E-8频率调节(客户定义)频率调节方式 电调节(EFC )压控电压范围 0~2.5~5.0V 频率牵引范围 ±0.3~±1.0ppm 频率牵引斜率 正输入阻抗 100k Ω min.环境适应性(客户定义)工作温度范围 最宽-55℃~+85℃机械冲击 GJB-360B,方法213,15g,11ms,半正弦温度冲击 GJB-360B,方法107,-55℃~+85℃,5次2随机振动 GJB-360B,方法214,0.04g /Hz,3个轴向存储温度范围-55℃~+100℃.标签纸,位于产品外壳顶部,包括生产厂家标识、产品型号、标称频率、序列号、生产日期等信息。

晶振知识大全

晶振知识大全

晶振知识大全(总17页) -CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面,使用请直接删除晶振的定义: 晶振的英文名称为crystal. 石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成,主要是为电路提供频率基准的元器件。

晶振的分类:1.按制作材料,分为石英晶振和陶瓷晶振。

石英晶振:利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本结构大致是从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。

其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

陶瓷晶振:指用陶瓷外壳封装的晶振,跟石英晶振比起来精度要差一些,但成本也比较低,主要用在对频率精度要求不高的电子产品中。

陶瓷晶振就是晶体逆压电效应原理,陶瓷谐振器的工作原理就是既可以把电能转换为机械能,也可以把机械能转换为电能。

目前陶瓷谐振器的类型按照外形可以分为直插式和贴片式两中。

2. 从功能上分晶振分为无源晶振和有源晶振。

无源晶振即为石英晶体谐振器,而有源晶振即位石英晶体振荡器。

无源晶振只是个石英晶体片,使用时需匹配相应的电容、电感、电阻等外围电路才能工作,精度比晶振要低,但它不需要电源供电,有起振电路即可起振,一般有两个引脚,价格较低。

有源晶振内部含有石英晶体和匹配电容等外围电路,精度高、输出信号稳定,不需要设计外围电路、使用方便,但需要电源供电,有源晶振一般是四管脚封状,有电源、地线、振荡输出和一个空置端。

使用有源晶振时要特别注意,电源必须是稳压的且电源引线尽量短,并尽量与系统中使用晶振信号的芯片共地。

3、从封装形式上分有直插型(DIP)和贴片型(SMD)。

4、按谐振频率精度,分为高精度型、中精度型和普通型晶振。

5、按应用特性,分为串联谐振型晶振和并联谐振型晶振。

晶振资料总结无源晶振和有源晶振

晶振资料总结无源晶振和有源晶振

晶振资料总结无源晶振和有源晶振晶振资料总结(无源晶振和有源晶振)2010-12-04 11:03无源晶振:就是一个晶振,依靠配合其他IC内部振荡电路工作。

有源晶振:晶振+振荡电路,封装在一起。

给他供上电源,就有波形输出。

1、无源晶体--无源晶体需要用DSP片内的振荡器,在datasheet上有建议的连接方法。

无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体,这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。

无源晶体相对于晶振而言其缺陷是信号质量较差,通常需要精确匹配外围电路(用于信号匹配的电容、,更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。

建议电感、电阻等) 采用精度较高的石英晶体,尽可能不要采用精度低的陶瓷警惕。

2、有源晶振--有源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路。

有源晶振通常的用法:一脚悬空,二脚接地,三脚接输出,四脚接电压。

相对于无源晶体,有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的,需要选择好合适输出电平,灵活性较差,而且价格高。

对于时序要求敏感的应用,个人认为还是有源的晶振好,因为可以选用比较精密的晶振,甚至是高档的温度补偿晶振。

有些DSP内部没有起振电路,只能使用有源的晶振,如TI的6000系列等。

有源晶振相比于无源晶体通常体积较大,但现在许多有源晶振是表贴的,体积和晶体相当,有的甚至比许多晶体还要小。

几点注意事项:1、需要倍频的DSP需要配置好PLL周边配置电路,主要是隔离和滤波;2、20MHz以下的晶体晶振基本上都是基频的器件,稳定度好,20MHz以上的大多是谐波的(如3次谐波、5次谐波等等),稳定度差,因此强烈建议使用低频的器件,毕竟倍频用的PLL电路需要的周边配置主要是电容、电阻、电感,其稳定度和价格方面远远好于晶体晶振器件;3、时钟信号走线长度尽可能短,线宽尽可能大,与其它印制线间距尽可能大,紧靠器件布局布线,必要时可以走内层,以及用地线包围;4、通过背板从外部引入时钟信号时有特殊的设计要求,需要详细参考相关的资料。

晶振基础知识word版

晶振基础知识word版

1、晶体元件参数1. 1等效电路作为一个电气元件,晶体是 由一选泄的晶片,连同在石英上 形成电场能够导电的电极及防护 壳罩和内部支架装這所组成。

晶体谐振器的等效电路图见 图1。

等效电路由动态参数L l . C 1. R l 和并电容C 。

组成。

这些参数之间都是有联系的,一个参数 变化时可能会引起其他参数变化。

而这些等效电路的参数值跟晶体的切型、振动模式、工作 频率及制造商实施的具体设计方案关系极大。

下面的两个等式是工程上常用的近似式:角频率 ω=l∕λ∕L 1C 1 品质因数Q= 3 L ι∕Rι其中LI 为等效动电感,单位mHCI 为等效电容,也叫动态电容,单位fF RI 为等效电阻,一般叫谐振电阻,单位Q图2、图3、图4给岀了各种频率范围和各种切型实现参数L 1. C 1. R I 的范囤。

对谐振电阻来说,供应商对同一型号的任何一批中可以有3: 1的差别,批和批之间的差别 可能会更大。

对于一给左的频率,采用的晶体盒越小,则R :和L :的平均值可能越髙。

图1 简化了的石英鴿体元件等效电路图2常用切型晶体的电感范用1. 2晶体元件的频率,晶体元件的频率通常与晶体盒尺寸和振动模式有关。

一般晶体尺寸越小可获得的最低频率越高。

晶体盒的尺寸确左了所容纳的振子的最大尺寸,在选择产品时应充分考虑可实现的可能性,超出这个可能范圉,成本会急剧增加或成为不可能,当频率接近晶体盒下限时,应与供应商沟通。

下表是不同晶体盒可实现的频率范围。

图4充有一个大气压力气体(90%氮.10%M)气密晶体元件的频率、切型和晶体盒型号振动模式频段(MHZ)HC-49UAT基频 1. 8432-30 BT基频20-40 AT三次泛音20-85 AT五次泛音50-180HC-49SAT基频 3. 579-30 AT三次泛音20-65 AT五次泛音50-150SMD7 × 5AT基频6-40 AT三次泛音33-100 AT五次泛音50-180SMD6×3. 5AT基频8-40 AT三次泛音35-100 AT五次泛音50-180SMD5 X3.2AT基频12-45 AT三次泛音35-100 AT五次泛音60-1801.3频差规左工作温度范I丙及频率允许偏差。

晶振电路设计及案例分享

晶振电路设计及案例分享

晶振匹配电路原理分析案例分享讲解内容:预期目的�晶振原理及分类�晶振电路分析�设计中注意事项�案例分享�掌握振荡电路的原理,了解电路元器件的作用。

�掌握时钟电路的设计。

�掌握时钟电路的调测和问题定位。

主讲人:杨万里晶体的构造晶体为什么会振荡?细节了解?晶体为什么装在金属壳中?继续振荡电路及振荡器�什么是振荡电路~_~能产生大小和方向都随周期变化的电流的电路�振荡器与“有源晶振”有源晶振是振荡器的一种�晶振选频特性很出色谐振频率(特性频率),谐振时损耗为0(或最小)-------对谐振频点的信号衰减为0(或最小(阻抗最小)。

概念互通器件的品质因数是如何定义的?高频电路中如何正确选择电感?晶振的分类按照振荡模式,晶体可分为基频晶体和泛音晶体。

��其他分类方式此处不讨论。

�为什么会有泛音晶体~_~基频晶体和泛音晶体相对来说哪种的输出时钟更�加稳定?4晶体的等效电路及说明?晶体的等效电路及说明C0-----静态(未工作时)晶片两极板之间的等小电容。

?晶体的等效电路及说明R:等效动态电阻,表述振荡过程中的能量损耗-----------对芯片端的驱动能力小值限制量化(R越小越容易起振,芯片负阻应该是R的6倍左右?)。

C0:静态(未工作时)晶片两极板之间的等小电容。

?晶体的等效电路及说明R:等效动态电阻,表述振荡过程中的能量损耗-----------对芯片端的驱动能力小值限制量化(R越小越容易起振,芯片负阻应该是R的6倍左右?)。

C0:静态(未工作时)晶片两极板之间的等小电容。

?L:表示晶片振动时的惯性晶振的等效电路及说明R:等效动态电阻,表述振荡过程中的能量损耗-----------对芯片端的驱C0:静态(未工作时)?晶片两极板之间的等小电容。

动能力小值限制量化(R越小越容易起振,芯片负阻应该是R的6倍左?右?)。

L:表示晶片振动时的惯性C:表示晶片振动时的弹性晶体的等效电路及说明手接触到晶体金属外壳会影响晶振的振荡频率,是如何变化的?如何更加准确的测量晶振的频偏?晶体的Q值为什么很高?什么是负阻?通常说的晶振(Crystal)严格的讲应该称为晶体;晶体在时钟电路中的作用究竟是什么?晶体应用电路晶体应用电路分析:R2:电阻是为了使反相放大器工作在线性状态,一定程度上避免过驱动损坏晶振。

石英晶体振荡器设计报告

石英晶体振荡器设计报告

石英晶体振荡器设计报告张炳炎09微电03 目录1 设计要求2 设计方案论证a.电路形式的选取b.参数的设计、估算c. 设计内容的实现3 电路的工作原理4 晶体振荡器的特点5 电路设计制作过程中遇到的主要问题及解决方法、心得和建议6 参考文献7 附录1设计要求(1)晶体振荡器的工作频率在100MHZ以下(2)振荡器工作可调,反馈元件可更换(3)具有三组不同的负载阻抗(4)电源电压为12V(5)在10K负载上输出目测不失真电压波形Vopp>=4V,振荡器频率读出5为有效数字2设计方案论证a.电路形式的选取: 串联型石英晶体振荡器串联型石英晶体振荡器交流等效电路石英晶体的物理和化学性能都十分稳定,等效谐振回路具有很高的标准性,Q值很高,对频率变化具有极灵敏的补偿能力具有.利用石英晶体作为串联谐振元件,在谐振时阻抗接近于零,此时正反馈最强,满足振荡条件.因此,电路的振荡频率和频率稳定度都取决于石英晶体的串联谐振频率.b.参数的设计、估算选用石英晶体(6M)作为串联谐振元件,提高振荡器的标准性,三极管为高频中常用的小功率管9018,作为放大电路的主要器件,选用阻值较大的可调电阻Rp(50k)来调节电路的静态工作点,使输出幅值达到最大而不失真,在LC 组成的谐振回路加可变电容(100p)调节谐振频率。

三组负载分别为1k、10k、110k,用来比较对振荡器频率及幅值的影响。

c. 设计内容的实现○1输入电源电压12V,测试电路的静态工作点, 三极管Vbe>0.7v,Vc>Vb>Ve,三极管工作在放大区。

○2输出端接上示波器,观察到正弦波,通过改电位器、可变电容使输出的幅值达到最大。

○3改变负载值,测量不同负载下电路输出的频率及幅值大小。

可知,负载几乎对频率没有影响,因为输出的频率主要由石英晶体决定,而幅值随着负载的减小而略微下降,当空载时幅值最大。

3 电路的工作原理石英晶体振荡器总原理图如上图,C6,C7和L2组成π型滤波器,对外部直流电源进行滤波而只通过直流量,防止其对电路产生干扰。

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晶振设计
1.振荡器类型
振荡方式
低功耗振荡LP(Low Power)
标准晶体振荡XT(Crystal/Resonator)
高速晶体振荡HS (High Speed)
阻容振荡 RC(Resistor/Capacitor)
1.1典型的外部并行谐振振荡电路.
74AS04反相器以来实现振荡器所需的180°相移,4.7KΩ的电阻用来提供负反馈给反相器,10KΩ的电位器用来提供偏压,从而使反相器74AS04工作在线性范围内。

1.2典型的外部串行谐振振荡电路.
74AS04反相器用来提供振荡器所需的180°相移, 330Ω的电阻用来提供负反馈,同时偏置电压。

1.3 RC振荡:
如果R EXT低于2.2KΩ,振荡器将处于不稳定工作状态,甚至停振。

而R EXT大于1M[时,振荡器又易受噪声、湿度、漏电流的干扰。

因此,电阻R EXT取值最好在3KΩ~100KΩ范围内。

在不接外部电容时,振荡器仍可工作,但为了抗干扰及保证稳定性,建议接一20PF以上的电容。

其中,EN 为势能信号,其 Active 为“1”,振荡频率取决于 R C 的值,经验近似估算值为 T=2.2RC,在实际IC DESIGN 时,常常把 R C 都做在 IC 内部,但是,留两个PAD在外面,可以通过调整并联在外的电阻值来微调频率。

此为单稳态形振荡器,必须输入一个触发信号VIN,“HIGH”PULSE,其宽度要求大于门延迟(GATE DELAY)一倍以上即可,之后便可以一直振荡下去,除非VIN输入端为固定高电平时才停止振荡
有 GATE 的传输延迟形成自激振荡,这样,只要能调整延迟时间的大小,就可控制振荡频率。

振荡器基本上是一个具负反馈的放大器,由于 Loop Gain 在大小上大于“1”,而相位等于 360 度时,此时不需要外界的信号,自然就造成一稳定的振荡信号,因此振荡器的结构必须包括:
A、在振荡频率下具有功率增益的主动元件。

B、振荡频率的决定元件。

C、振荡振幅的限制、稳定元件。

2.常见问题分析
2.1:如何选择晶体?
对于一个高可靠性的系统设计,晶体的选择非常重要,尤其设计带有睡眠唤醒(往往用低电压以求低功耗)的系统。

这是因为低供电电压使提供给晶体的激励功率减少,造成晶体起振很慢或根本就不能起振。

这一现象在上电复位时并不特别明显,原因时上电时电路有足够的扰动,很容易建立振荡。

在睡眠唤醒时,电路的扰动要比上电时小得多,起振变得很不容易。

在振荡回路中,晶体既不能过激励(容易振到高次谐波上)也不能欠激励(不容易起振)。

晶体的选择至少必须考虑:谐振频点,负载电容,激励功率,温度特性,长期稳定性。

Clock Source Accuracy Advantages Disadvantages
Crystal Medium to High Low cost Sensitive to EMI, vibration, damp Drive circuit matching
Crystal Oscillator Module Medium to High
Insensitive to EMI, damp.
No additional components or
matching issues.
High cost
High power consumption Sensitive to
Vibration Large size
Ceramic Resonator Medium Lower cost Sensitive to EMI, vibration, damp Drive circuit matching
Silicon Oscillator Low to Medium Insensitive to EMI,
vibration, damp Fast startup
Small size/no additional
components or matching
issues.
Temperature sensitivity generally
worse than crystal and ceramic
resonator types.
High supply current with some types.
RC Oscillator Very Low Lowest cost Usually sensitive to EMI, vibration,
2.2:如何判断晶振是否被过分驱动?
电阻RS常用来防止晶振被过分驱动。

过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电镀,这将引起频率的上升。

可用一台示波器检测OSC输出脚,如果检测一非常清晰的正弦波,且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要,则晶振未被过分驱动;相反,如果正弦波形的波峰,波谷两端被削平,而使波形成为方形,则晶振被过分驱动。

这时就需要用电阻RS来防止晶振被过分驱动。

判断电阻RS值大小的最简单的方法就是串联一个5k或10k的微调电阻,从0开始慢慢调高,一直到正弦波不再被削平为止。

通过此办法就可以找到最接近的电阻RS值。

2.3:如何选择电容C1,C2?
(1):因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。

(2):在许可范围内,C1,C2值越低越好。

C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。

(3):应使C2值大于C1值,这样可使上电时,加快晶振起振。

这里介绍一种AM发射机电路,频率稳定、电路简单、制作容易、无须调试即可成功。

可用于收音机调试及刻度盘校对等。

发射机电路采用一片CD4049反向器,使电路特别简单。

电路射频振荡器使用反向器III,射频振荡器的频率受到1MHz 晶振的控制。

IV和V号反向器组成放大整形电路,以改善效果。

I和II号反向器以及外围的R1、R2、C1组成音频振荡器,对射频信号进行调治。

天线可以使用几英寸长的电线。

只要改变晶振的振荡频率就可以改变发射器的频率(晶振的频率可以取2MHz、3MHz等等,最大可以到10MHz),因此只要换上合适的晶振,电路也可以校验收音机的SW频段。

(注:素材和资料部分来自网络,供参考。

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