封装常识常用封装术语解释(终审稿)
电子元件封装大全及封装常识
电子元件封装大全及封装常识2010-04-12 19:33一、什么叫封装封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。
因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。
由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。
封装时主要考虑的因素：1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；2、引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；3、基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。
从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC （小外形集成电路）等。
从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装二、具体的封装形式1、 SOP/SOIC封装SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。
常见的封装技术与IC 封装名词解释
常见的封装技术与IC 封装名词解释从foundry厂得到圆片进行减薄、中测打点后，即可进入后道封装。
封装对集成电路起着机械支撑和机械保护、传输信号和分配电源、散热、环境保护等作用。
芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。
近年来电子产品朝轻、薄、短、小及高功能发展，封装市场也随信息及通讯产品朝高频化、高I/O 数及小型化的趋势演进。
由1980 年代以前的通孔插装(PTH)型态，主流产品为DIP(Dual In-Line Package)，进展至1980 年代以SMT(Surface Mount Technology)技术衍生出的SOP(Small Out-Line Package)、SOJ(Small Out-Line J-Lead)、PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、QFP(Quad Flat Package)封装方式，在IC 功能及I/O 脚数逐渐增加后，1997 年Intel 率先由QFP 封装方式更新为BGA(Ball Grid Array，球脚数组矩阵)封装方式，除此之外，近期主流的封装方式有CSP(Chip Scale Package 芯片级封装)及Flip Chip(覆晶)。
BGA(Ball Grid Array)封装方式是在管壳底面或上表面焊有许多球状凸点，通过这些焊料凸点实现封装体与基板之间互连的一种先进封装技术。
BGA封装方式经过十多年的发展已经进入实用化阶段。
1987年，日本西铁城（Citizen）公司开始着手研制塑封球栅面阵列封装的芯片（即BGA）。
而后，摩托罗拉、康柏等公司也随即加入到开发BGA的行列。
1993年，摩托罗拉率先将BGA应用于移动电话。
半导体封装和质量术语
半导体封装和质量术语封装和质量术语以下是TI 常见封装组、系列和偏好代码的定义，此外还有在评估TI 封装选项时可能十分有用的其他重要术语。
常见封装组定义BGA球栅阵列CFP同时包括定型和不定型 CFP = 陶瓷扁平封装LGA基板栅格阵列PFM塑料法兰安装封装QFP四方扁平封装SIP单列直插式封装OPTO*光传感器封装 = 光学RFID射频识别设备CGA柱栅阵列COF薄膜覆晶COG玻璃覆晶DIP双列直插式封装DSBGA芯片尺寸球栅阵列（WCSP = 晶圆级芯片封装）LCC引线式芯片载体NFMCA-LID带盖的基体金属腔PGA针栅阵列POS基板封装QFN四方扁平封装无引线SO小外形SON小外形无引线TO晶体管外壳ZIP锯齿形直插式uCSP微型芯片级封装DLP数字光处理模块模块TAB载带自动键合封装封装系列定义CBGA陶瓷球栅阵列CDIP玻璃密封陶瓷双列直插式封装CDIP SB侧面钎焊陶瓷双列直插式封装CPGA陶瓷针栅阵列CZIP陶瓷锯齿形封装DFP双侧引脚扁平封装FC/CSP倒装芯片/芯片级封装HLQFP热增强型低厚度 QFPHQFP热增强型四方扁平封装HSOP热增强型小外形封装HTQFP热增强型薄型四方扁平封装HTSSOP热增强型薄型紧缩小外形封装HVQFP热增强型极薄四方扁平封装JLCC J 形引线式陶瓷或金属芯片载体LCCC无引线陶瓷芯片载体LQFP低厚度四方扁平封装PDIP塑料双列直插式封装SOJ J 形引线式小外形封装SOP小外形封装（日本）SSOP紧缩小外形封装TQFP薄型四方扁平封装TSSOP薄型紧缩小外形封装TVFLGA薄型极细基板栅格阵列TVSOP极薄小外形封装VQFP极薄四方扁平封装DIMM*双列直插式内存模块HSSOP*热增强型紧缩小外形封装LPCC*无引线塑料芯片载体MCM*多芯片模块MQFP*金属四方扁平封装PLCC*塑料引线式芯片载体PPGA*塑料针栅阵列SDIP*紧缩双列直插式封装SIMM*单列直插式内存模块SODIMM*小外形双列直插式内存模块TSOP*薄型小外形封装VSOP*极小外形封装XCEPT*例外 - 可能不是实际封装产品偏好代码定义P首选封装。
IC封装术语大全
IC 封装术语大全青春之歌1、BGA(ball grid array)球形触点陈列,表面贴装型封装之一.在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封.也称为凸点陈列载体(PAC).引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装.封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小.例如,引脚中心距为 1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方.而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题. 该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及.最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225.现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA. BGA 的问题是回流焊后的外观检查.现在尚不清楚是否有效的外观检查方法.有的认为, 由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理.Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC).2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装.QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形.美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装.引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP).3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA).4、C-(ceramic)表示陶瓷封装的记号.例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP.是在实际中经常使用的记号.5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路.带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等.引脚中心距2.54mm,引脚数从8 到42.在日本,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思).6、Cerquad表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路.带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路.散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许 1.5~ 2W 的功率.但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍.引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多种规格.引脚数从32 到368.7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形. 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等.此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ).8、COB(chip on board)板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性.虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术.12、DIP(dual in-line package)双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种. DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. 引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64.封装宽度通常为15.2mm.有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP).但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP.另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。
IC芯片封装术语解析
IC芯片封装术语解析1、BGA(ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。
而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。
最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。
现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。
BGA 的问题是回流焊后的外观检查。
现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。
有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。
引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。
封装资料
一、定义1、什么叫封装封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。
芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。
由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
2、单位1mil=1/1000inch=0.00254cm=0.0254mm二、直插1、AXIAL - 两脚直插（电阻等）AXIAL就是普通直插电阻的封装，也用于电感之类的器件。
后面的数字是指两个焊盘的间距。
标准电阻封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 ,一般用AXIAL0.42、电容1）、RB-.1/.2，.1/.3，.2/.4，.2/.5，.3/.6直插电解电容有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0. 一般<100uF用例如从“RB-.2/.4”到“RB-.5/.10”，其后缀的第一个数字表示封装模型中两个焊盘间的距离，第二个数字表示电容外形的尺寸，单位为“英寸”。
2）、RAD-0.1”“RAD-0.2”“RAD-0.3”“RAD-0.4”等，其后缀的数字表示封装模型中两个焊盘间的距离，单位为“英寸”封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，一般用RAD0.13、二极管DIODE0.2、DIODE 0.4、DIODE 0.74、TO - 直插直插场效应管TOP221用TO-220，三极管78L05用TO-92。
5、SIP单排直插式封装用于直插排阻，单排插针等等。
引脚数为2-206、DIP双排直插式封装广泛应用于各种ic芯片。
半导体封装常用词汇表
半导体封装常用词汇表BQFP缓冲四方扁平封装有缓冲器的四方扁平封装CA V . BGA 腔体 球栅矩阵放置芯片的型腔 带焊球格栅矩阵CBGA 陶瓷球栅矩阵陶瓷带焊球格栅矩阵CDIP陶瓷双列直插封装陶瓷双列直插封装CERDIP陶瓷双列直插封装陶瓷双列直插封装. 是一种密封封装，由两片干压陶瓷包围带已加工倾角的引线框组成CERPAK陶瓷组件式封装结构与Cerdip 相似。
但引脚外形是未加工的扁平形。
引脚从两边或是四边引出。
Chip ScalePackaging芯片尺寸级封装是一种高密度封装，封装尺寸近似芯片尺寸，有更高的芯片/封装面积比率（大于50％）COB芯片板上贴装芯片直接贴装在电路板上CPGA 陶瓷针栅阵列陶瓷针栅阵列CQUADJ 形陶瓷四方封装J 形引脚陶瓷四方封装CQFP 陶瓷四方扁平封装陶瓷四方扁平封装DCA芯片直接贴装芯片直接贴装DIP Dia D/A双列封装 直径 芯片贴装腔体双列封装 直径 芯片贴装腔体Epoxy Seal E/O环氧树脂密封 只是末端一种非气密性的密封方法。
将周边用硫化环氧树脂与封装密封。
. 只是末端Flip Chip 倒装芯片 半导体芯片倒置（面朝下）封装连接到基板或是电路板。
通常在芯片外围（在键合盘上）带有焊球或是设计成矩阵形.FritSeal GR/GRDH/S L/F LD熔接密封接地端热沉引线架引线一种气密密封的方法，将陶瓷盖板用重熔的玻璃与陶瓷封装密封连接接地端热沉引线架引线LDCC有引线芯片载体有引线芯片载体LLCC无引线芯片载体无引线芯片载体MBGA金属球栅阵列封装金属球栅阵列封装mBGA微球形格栅阵列微球形格栅阵列MCM-PBGA多芯片模块－塑料球栅阵列多芯片模块－塑料球栅阵列MCP Mfg多芯片封装生产商多芯片封装生产商MQFP公制四方扁平封装公制四方扁平封装MQUAD NC NEO Ni金属四方扁平封装 无注释 仅靠末端 镍金属四方扁平封装 无注释 仅靠末端 镍lPBGA 塑料球栅阵列塑料球栅阵列PMCM 塑料多芯片模块塑料多芯片模块PQFP塑料四方扁平封装塑料四方扁平封装PDIP 塑料双列封装塑料双列封装PGA 针栅阵列针栅阵列PLCC Proj PPGA 塑料有引线芯片载体 凸缘 塑料针栅阵列塑料有引线芯片载体 焊接凸缘 塑料针栅阵列PWB 印刷电路板 印刷电路板QFP S/R四方扁平封装 密封环一种表面安装封装，四边均有引线，封装体可以是陶瓷，金属或是塑料。
ic封装术语
ic封装术语IC封装术语IC（集成电路）封装是将芯片封装成实际可应用的器件的过程。
在IC封装过程中，使用了许多术语来描述不同的封装类型、尺寸和特性。
本文将介绍一些常见的IC封装术语，以帮助读者更好地理解和选择合适的封装。
1. DIP封装（Dual In-line Package）DIP封装是最早也是最常见的IC封装类型之一。
它采用两排引脚，引脚以直线排列，适用于手工插入和焊接。
DIP封装通常用于较大的芯片，如微控制器和存储器芯片。
2. SOP封装（Small Outline Package）SOP封装是一种比DIP封装更小型的封装类型。
它采用表面贴装技术，引脚以直线或弯曲排列。
SOP封装适用于对空间要求较高的应用，如移动设备和计算机外围设备。
3. QFP封装（Quad Flat Package）QFP封装是一种较大的表面贴装封装类型。
它采用四个方向平均分布的引脚，具有较高的引脚密度和良好的散热性能。
QFP封装适用于需要处理大量信号的芯片，如通信芯片和图形处理器。
4. BGA封装（Ball Grid Array）BGA封装是一种先进的表面贴装封装类型。
它采用小球形引脚，以网格状排列在芯片底部。
BGA封装具有更高的引脚密度和更好的散热性能，适用于高性能处理器和FPGA芯片。
5. LGA封装（Land Grid Array）LGA封装是一种类似于BGA封装的表面贴装封装类型。
它采用金属焊盘而不是小球形引脚，以更好地支持高频率和高速信号传输。
LGA封装适用于需要较高信号完整性的应用，如服务器和网络设备。
6. CSP封装（Chip Scale Package）CSP封装是一种尺寸更小的封装类型，接近芯片的尺寸。
它采用直接焊接或粘贴技术将芯片封装成器件。
CSP封装适用于对尺寸和重量要求极高的应用，如智能卡和便携式设备。
7. QFN封装（Quad Flat No-leads）QFN封装是一种无引脚的封装类型，引脚隐藏在芯片的底部。
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封装常识常用封装术语解释文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-1、BGA(ballgridarray)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm 见方。
而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。
最初，BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。
现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。
BGA的问题是回流焊后的外观检查。
现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。
有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。
2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。
引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。
带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。
在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。
带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。
散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。
但封装成本比塑料QFP高3～5倍。
引脚中心距有 1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。
引脚数从32到368。
7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。
此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
8、COB(chiponboard)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如T A B和倒片焊技术。
9、DFP(dualflatpackage)双侧引脚扁平封装。
是SOP的别称(见SOP)。
以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、DIC(dualin-lineceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).11、DIL(dualin-line)DIP的别称(见DIP)。
欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(dualin-linepackage)双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。
封装宽度通常为15.2mm。
有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。
但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。
另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。
13、DSO(dualsmallout-lint)双侧引脚小外形封装。
SOP的别称(见S O P)。
部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dualtapecarrierpackage)双侧引脚带载封装。
TCP(带载封装)之一。
引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。
由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。
常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。
另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。
在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。
15、DIP(dualtapecarrierpackage)同上。
日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
16、FP(flatpackage)扁平封装。
表面贴装型封装之一。
QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。
部分半导体厂家采用此名称。
17、flip-chip倒焊芯片。
裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。
封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。
是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。
但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。
因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、FQFP(finepitchquadflatpackage)小引脚中心距QFP。
通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。
部分导导体厂家采用此名称。
19、CPAC(globetoppadarraycarrier)美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)带保护环的四侧引脚扁平封装。
塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。
在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。
这种封装在美国Motorola公司已批量生产。
引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。
21、H-(withheatsink)表示带散热器的标记。
例如，H S O P表示带散热器的S O P。
22、pingridarray(surfacemounttype)表面贴装型PGA。
通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。
表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。
贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。
因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI用的封装。
封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。
以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、J L C C(J-leadedchipcarrier)J形引脚芯片载体。
指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。
部分半导体厂家采用的名称。
24、LCC(Leadlesschipcarrier)无引脚芯片载体。
指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。
是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。
25、LGA(landgridarray)触点陈列封装。
即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。
装配时插入插座即可。
现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LSI电路。
LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。
另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。
但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。
预计今后对其需求会有所增加。
26、LOC(leadonchip)芯片上引线封装。
LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。
与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)薄型QFP。
指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
28、L－QUAD陶瓷QFP之一。
封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。
封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。
是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。
现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。
29、MCM(multi-chipmodule)多芯片组件。
将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。
MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。
布线密度不怎么高，成本较低。
MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。
两者无明显差别。
布线密度高于MCM－L。
MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。
布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(miniflatpackage)小形扁平封装。
塑料SOP或SSOP的别称(见SOP 和S S O P)。
部分半导体厂家采用的名称。
31、MQFP(metricquadflatpackage)按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP进行的一种分类。
指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm的标准QFP(见QFP)。
32、MQUAD(metalquad)美国Olin公司开发的一种QFP封装。
基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。
在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W的功率。
日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。
33、MSP(minisquarepackage)QFI的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。
QFI是日本电子机械工业会规定的名称。
34、OPMAC(overmoldedpadarraycarrier)模压树脂密封凸点陈列载体。