场效应管检验标准
判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路中场效应管的好坏，可以采用以下步骤：
1. 外观检查：检查场效应管的封装是否有损坏，标识是否清晰。
2. 极性检查：使用万用表检查场效应管的三个电极（栅极、源极和漏极），以确认其极性。
3. 性能检测：将万用表调至合适的电阻档，对场效应管的三个管脚两两进行测量。
如果测量结果显示两个管脚之间存在阻值，则说明场效应管正常工作。
4. 温升检测：通过红外测温仪或热电偶测量仪测量场效应管的表面温升，以判断其工作状态。
如果温升过高，则可能是由于电流过大或散热不良引起的。
5. 电路连接检测：检查场效应管是否与其他元件正常连接，无短路或断路现象。
6. 故障分析：如果场效应管损坏，可能出现开路、击穿或性能变差等问题。
具体表现为丧失其在电路中的作用、工作点电压变化或整机电流增加等。
通过以上步骤，可以初步判断智能手机电路中场效应管的好坏。
如果仍有问题，建议寻求专业技术人员的帮助。
场效应管怎么测量好坏
场效应管怎么测量好坏
场效应管测量好坏有以下方法：
方法一将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。
场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S （源极）。
将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。
用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。
方法二将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。
黑表笔接D极，红表笔接S极，此时，应显示一个数值，一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。
然后，再对换表笔，应无显示，为“1”。
然后，黑表笔接D极，红表笔先去触碰一下G极，然后红表笔再接到S极上，此时，会发现显示的数值与原来相比，变小了许多，一般为100多Ω到几十Ω之间。
这说明，此场效应管已被触发导通了。
在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。
这说明，此场效应管是完好的。
如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。
一般情况下，D极和S极击穿的比较常见。
用数字万用表的“二极管”档测，会听到蜂鸣器的响声。
场效应管好坏的判断方法
场效应管好坏的判断方法摘要：一、场效应管的基本概念二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断2.动态性能判断3.栅极电阻判断4.漏极电流判断5.线性度判断三、实际应用中的注意事项四、总结正文：场效应管（FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，具有良好的线性度、高输入电阻和低噪声等特点。
在实际应用中，正确判断场效应管的好坏至关重要。
本文将介绍几种判断场效应管好坏的方法。
一、场效应管的基本概念场效应管是依据半导体材料的电子运动方式分类的一种晶体管，它主要由三个区域组成：源极、漏极和栅极。
在栅极与漏极之间存在一个绝缘层，绝缘层上的电压控制着漏极的电流。
根据绝缘层的材料，场效应管可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、增强型绝缘栅场效应管（EGBT）等。
二、场效应管好坏的判断方法1.静态参数判断静态参数是指场效应管在静态工作状态下的电气特性。
主要包括阈值电压、漏极电流、栅极电阻等。
良品场效应管的静态参数应符合设计要求。
2.动态性能判断动态性能是指场效应管在开关过程中响应速度和稳定性。
可以通过测试场效应管的过渡频率、上升时间、下降时间等指标来判断其动态性能。
优质场效应管的动态性能应较好。
3.栅极电阻判断栅极电阻是场效应管的一个重要指标，它影响着器件的功耗和稳定性。
良品场效应管的栅极电阻应较大。
4.漏极电流判断漏极电流是场效应管在截止状态下流过栅极的电流。
优质场效应管的漏极电流应较小。
5.线性度判断场效应管的线性度是指其在一定范围内输入电压与输出电流的线性关系。
优质场效应管的线性度应较好。
三、实际应用中的注意事项1.选择合适的场效应管类型：根据电路需求，选择合适的场效应管，如MOSFET、EGBT等。
2.注意静态参数：确保选用的场效应管静态参数符合电路设计要求。
3.考虑动态性能：在高速应用场合，应注意场效应管的动态性能。
4.散热设计：场效应管在工作过程中会产生热量，应设计合理的散热结构。
5.电源电压：合理选择电源电压，避免过高的电压导致场效应管损坏。
场效应管好坏测量
场效应管好坏测量1．判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。
若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2．判定源极S、漏极D由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S 极与D极。
用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
检查跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。
对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。
例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。
适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。
以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
场效应管怎样测量好坏
场效应管怎样测量好坏?1.结型场效管的判别将万用表置于RXlk档，用黑表笔接触假定为栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。
若阻值均比较小(约5'--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。
如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。
同样也可以判别出P沟道的结型场效应管。
2.金属氧化物场效应管的判别(1)栅极G的判定用万用表Rxl00挡，测量功率场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值，其中一次测量中两引脚电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚是D极与S极，则另一引脚未接表笔为G极。
(2)漏极D、源极S及类型的判定用万用表RxlokD,挡测量D极与S极之间正、反向电阻值，正向电阻值约为0.2x10kfl，反向电阻值在(5—∞)x10kfl。
在测反向电阻时，红表笔所接引脚不变，黑表笔脱离所接引脚后，与G极触碰一下，然后黑表笔去接原引脚，此时会出现两种可能：若万用表读数由原来较大阻值变为零，则此时红表笔所接为S极，黑表笔所接为D极。
用黑表笔触发G极有效(使功率场效应管D极与S极之间正、反向电阻值均为012)，则该场效应管为N沟道型。
若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰G极，然后红表笔接回原引脚，此时万用表读数由原采阻值较大变为0，则此时黑表笔所接为S极，红表笔所接为D极。
用红表笔触发G，极有效，该场效应管为P沟道型。
(3)金属氧化物场效应管的好坏判别用万用表Rxlkll挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。
如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为0xkll)，则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阻值较小(一般为数百欧姆)，其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。
用万用表Rxlkfl挡测量D 极与S极之间的正、反电阻值。
对于N沟道管，红表笔接S极，黑表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值。
若测得正、反向电阻值均为0fl，该管为好的，对于P沟道管，黑表笔接S极，红表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值，若测得正、反向电阻值均为01l，则该管是好的。
场效应管的检测
⑦ 极限漏极电流ID
是漏极能够输出的最大电流，相当于普通三极管的 ICM ， 其值与温度有关，通常手册上标注的是温度 为25℃时的值。一般指的是连续工作电流，若为瞬 时工作电流，则标注为IDM ，这个值通常大于ID 。
⑧ 最大漏源电压UDSS
是场效应管漏源极之间可以承受的最大电压(相当 于普通晶体管的最大反向工作电压UCEO )，有时也 用UDS表示。
态，焊接完后才可把短接线去掉； 从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体
接地(如采用接地环等)； 如果能采用静电电烙铁来焊接场效应管是比较方便
的，并且可以确保安全； 不能带电插拔。
9ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
4．场效应管的安装
注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件； 管脚引线在弯曲时，应在距离根部5 mm外进行，
由于输入阻抗极高，在运输、贮藏中必须将引脚短 路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅 极击穿，同时注意防潮。
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3．使用场效应管时必须注意
为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪 器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好接地；
在焊接管脚时，先焊源极； 在连入电路之前，管子的全部引线保持互相短接状
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四、使用场效应管的注意事项
1．在设计电路时应注意的问题
管子的实际工作条件，不能超过其最大漏极功耗 PDM 、极限漏极电流ID 、最大漏源电压UDSS等参数 的极限值。
要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源 漏之间是P N结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟 道管栅极不能加负偏压，等等。
2 ．场效应管的运输与储存
以防止弯断管脚和引起漏气等。 对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为
功率场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够 的散热器，确保壳体温度不超过额定值，以使器件 长期稳定可靠地工作。
场效应管检测方法
场效应管检测方法
场效应管（也叫MOSFET）的检测方法如下：
1. 使用万用表检测场效应管的极性。
将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。
如果万用表的示数没有变化或者非常小，说明场效应管是P型的；如果示数明显有变化，说明场效应管是N型的。
2. 使用万用表检测场效应管导通。
将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。
如果万用表的示数为低阻值，说明场效应管导通；如果示数为高阻值，说明场效应管截止。
3. 使用数字万用表或示波器检测场效应管的漏极/集电极电压和栅极/基极电压。
将黑表笔接触到场效应管的TO（源/栅/发射）引脚，将红表笔依次接触到场效应管的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。
通过读取数字万用表上的电压示数或示波器上的波形变化，可以确定场效应管所处的工作区域（截止、饱和或放大）。
以上是常用的场效应管检测方法，具体方法可以根据具体的测试设备和需求进行适当的调整。
如何测试判断场效应管好坏？
如何测试判断场效应管好坏？1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。
4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。
主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
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定
项
目
检验内 容
判定标准
检验方法
CR
MA
MI
外
观
1、引脚无氧化、斑点（以上锡试验良好为允收）
√
手感
2、厂商标志与规格型号是否与样品相符
√
目视、试验
3、引脚垂直、不可变形影响插件作业
√
目视、实装
4、本体上的所有标识是否清晰
√
目 视
特
性
1、按相关的确认单参数测试耐压是否符合标准
√
测试
2、按相关的确认应管
检验标准
制定日期：
修改日期：
版本版次
页次
核准
审核
作成
制定部门
A0
1/1
一、目的：为了使场效应管材料达到本厂之品质要求而统一制定判定标准和缺点判定标准。
二、检验工具：1、游标卡尺2、HZ4832晶体管特性图示仪
三、抽样计划按MIL—STD—105E（II）正常抽样，CR＝0 MA＝0.4MI＝1.0
√
测试
3、各尺寸规格（主体、脚径、散热片的孔径、脚长）是否符合样品确认单、脚径、脚长尺寸以实装为主）
√
卡尺、实装
五、检验作业指导（功能检测）：
5.1、选用HZ4832晶体管特性图示仪。
5.2、功能检测：①导通电压（VGS）；②耐压（BVDSS）；
5.3、导通电压检测：
5.3.1、按材料确认单的要求调整：①峰值电压；②功耗电阻；③X轴；④Y轴；⑤阶梯信号；⑥输入档位；⑦电流一电压/级；⑧调零、级/簇旋扭。
5.3.2、将待测试的场效应管插入测试夹的B、C、E孔内。
5.3.3、用手旋转旋扭：测VGS在2-4V时晶体管触发导通，每1格为1V
5.4、耐压检测。
5.4.1、按材料确认单的要求调整：①峰值电压；②功耗电压；③X轴；④Y轴；⑤输入按扭；⑥阶梯极性；⑦重复方式。
5.4.2、将待测试的场效应管插入测试夹的B、C、E孔内。
5.4.3、用手旋转旋扭，要求在规定的电压内不击穿。
六、可焊性试验：
取10PCS场效应管，引脚先点助焊剂后浸锡2-3秒，观察引脚是否上锡面积≥95％且光亮。
四、检验项目及判定标准：