第六章 半导体存储器汇总
第六章 习题及参考答案

第六章习题及参考答案
1. 某半导体存储器容量16K ×8位,可选芯片容量为4K×4/片。
地址总线A15-A0(低),双向数据线D7-D0(低),由R
W/线控制读写。
请设计并画出该存储器逻辑图,注明地址分配、片选逻辑式及片选信号极性。
参考答案:
(1) 芯片选取与存储空间分配:
共需8片“4K×4/片”的芯片,存储空间分配如下图所示:
(2).地址分配与片选逻辑如下图所示:
(3).存储器逻辑图如下图所示:
2. 某半导体存储器总容量15k ×8位,其中固化区8k ×8,选用EPROM芯片4K ×8/片,可随机读写区7K ×8,可选用SRAM芯片有:4K ×4/片、2K ×4/片、1K ×4/片。
地址总线A15∼A0,双向数据总线D7∼D0,由R
W/线控制读写,MREQ为低电平时允许存储器工作。
请设计并画出该存储器逻辑图,注明地址分配、片选逻辑式及片选信号极性。
参考答案:
(1)芯片选取与存储空间分配如下图所示:
(2)地址信号与片选逻辑如下图所示:
(4)存储器逻辑图如下图所示:。
《半导体存储器》课件

嵌入式系统中的应用
半导体存储器广泛应用于 嵌入式系统,如智能家居、 汽车电子和工业控制。
计算机内存
半导体存储器是计算机主 存储器的重要组成部分, 用于临时存储数据和程序。
智能手机内存
手机内存运行应用程序和 存储数据,半导体存储器 提供了高速和可靠的数据 存取。
未来半导体存储器的发展方向
1 3D垂直存储器
《半导体存储器》PPT课 件
半导体存储器PPT课件大纲
什么是半导体存储器?
半导体存储器定义
半导体存储器是指使用半导体材料制造的存储器,它可以将数据存储在芯片内部的电子元件 中。
存储器的分类
常见的半导体存储器包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和 闪存存储器。
常见的半导体存储器
通过增加垂直堆叠层数来增加存储容量,提高存储密度和性能。
2 非易失性存储器
开发更加稳定和可靠的非易失性存储器,提供更长久的数据存储和保护。
3 全新器件技术
研发新型的器件结构和材料,以满足不断增长的存储需求和更高的速度要求。
总结
半导体存储器的重要性
半导体存储器在现代计算和通信领域发挥着关键作用,对技术和社会的发展产生积极影响。
静态随机存取存储器 (SRAM)
SRAM具有快速读写速度和较 短的访问时间,适用于高性 能的应用。
动态随机存取存储器 (DRAM)
DRAM具有较大的存储容量和 较低的成本,广泛应用于个 人电脑和服务器。
闪存存储器
闪存存储器具有非易失性和 较高的耐用性,适用于便携 设备的存储需求。
半导体存储器的工作原理
1
SRAM的工作原理
SRAM使用触发器实现数据的存储和读取,具有较快的访问速度和数据保持能力。
半导体存储器

第7章半导体存储器内容提要半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路,本章主要介绍了(1)顺序存取存储器(SAM)、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)的工作原理。
(2)各种存储器的存储单元。
(3)半导体存储器的主要技术指标和存储容量扩展方法。
(4)半导体存储器芯片的应用。
教学基本要求掌握:(1)SAM、RAM和ROM的功能和使用方法。
(2)存储器的技术指标。
(3)用ROM实现组合逻辑电路。
理解SAM、RAM和ROM的工作原理。
了解:(1)动态CMOS反相器。
(2)动态CMOS移存单元。
(3)MOS静态及动态存储单元。
重点与难点本章重点:(1)SAM、RAM和ROM的功能。
(2)半导体存储器使用方法(存储用量的扩展)。
(3)用ROM实现组合逻辑电路。
本章难点:动态CMOS反相器、动态CMOS移存单元及MOS静态、动态存储单元的工作原理。
7.1 半导体存储器及分类半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路,是现代数字系统的重要组成部分。
半导体存储器分类如下:按制造工艺分,有双极型和MOS型两类。
双极型存储器具有工作速度快、功耗大、价格较高的特点。
MOS型存储器具有集成度高、功耗小、工艺简单、价格低等特点。
按存取方式分,有顺序存取存储器(SAM)、随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)三类。
(1)顺序存取存储器(简称SAM):对信息的存入(写)或取出(读)是按顺序进行的,即具有“先入先出”或“先入后出”的特点。
(2)随机存取存储器(简称RAM):可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。
根据所采用的存储单元工作原理的不同,又将随机存储器分为静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。
DRAM存储单元结构非常简单,它所能达到的集成度远高于SRAM。
(3)只读存储器(简称ROM):信息被事先固化到存储器内,可以长期保留,断电也不丢失。
它在正常运行时,只能读出信息,而不能写入。
只读存储器有固定ROM和可编程ROM两类。
存储器接口 (2)

地把双端口RAM看作是本地RAM一样进行访问,不 仅方便了软件设计,还大大地提高了系统的工作 效率。
二、半导体存储器的主要性能指标 主要从一下几方面考察: 1、存储容量 2、速度 3、功耗 4、集成度 5、可靠性
三、存储芯片的组成
1、地址译码器:接收来自CPU的N位地址信息, 经译码后产生2的N次方个地址选择信号对片内 寻址。
/CS=0,/OE=0时为读; /CS=0,/WE=0时为写。 /WE和/OE分别接CPU的/WR和/RD信号。
2、存储器与CPU数据总线的连接 根据存储器结构选择连接CPU的数据总线。
6.3 主存储器接口
主存储器的类型不同,则接口不同。以 EPROM、SRAM、DRAM为例分别介绍。
一、EPROM与CPU的接口 目前广泛使用的典型EPROM芯片有Intel公
(1)Tc=总容量/N×8/M=128K/8K×8/8 =16片
(2)Tc=128K/8K×16/8=32片
6.2存储器接口技术
一、存储器接口中应考虑的问题
1、存储器与CPU的时序配合
几个问题: (1)什么是总线周期?(2)什么 是时钟周期?(3)什么是T状态?(4)如何实 现二者之间的时序配合?(5)设计产生等待信 号电路应注意那些问题?(见图6-3)
2、如何完成寻址功能?
要完成寻址功能必须具备两种选择:
(1)片选:即首先要从众多存储器中,选中要 进行数据传输的某一存储器芯片,称为片选。一 般由接口电路中的端口译码产生。
(2)字选:然后从该芯片内选择出某一存储单 元,称为字选。由存储器内部的译码电路完成。
3、片选控制的译码方法
常用方法有:线选法、全译码法、部分译码法、 混合译码法等。
或列出地址分配表; ③根据地址分配图或分配表确定译码方法并画出
第六章 半导体存储器

例如: 某存储器能存储1024个字 ,每个字4位, 那它的存储容量就为1024×4=4096,即该存 储器有4096个存储单元。
存储器写入(存)或者读出(取)时,每次
只能写入或读出一个字。若字长为8位,每次
必须选中8个存储单元。选中哪些存储单元,
由地址译码器的输出来决定。即由地址码来决
定。
7
地址码的位数n与字数之间存在2n=字数的 关系。如果某存储器有十个地址输入端,那 它就能存210=1024个字。 2、存取周期 连续两次读(写)操作间隔的最短时间称 为存取周期。
• 固定ROM:在制造时根据特定的要求做成固 定的存储内容,出厂后,用户无法更改,只 能读出。
10
• PROM:存储内容可以由使用者编制写入, 但只能写入一次,一经写入就不能再更改。
• EPROM:存储内容可以改变,但EPROM所 存内容的擦去或改写,需要专门的擦抹器和 编程器实现。在工作时,也只能读出。
• E2PROM:可用电擦写方法擦写。
11
6.2.1 固定只读存储器(ROM)
ROM由地址译
地 址
码器、存储矩阵、输 入
输出和控制电路
组成,如图6-1
所示。
地
W0
址
存贮矩阵
译 码
N× M
器
WN-1
D0
DM-1
输出及控制电路
数据输出
图6-1 ROM结构图
12
地址译码器
地址译码器
A0
1
&
W0
A1
1
&
W1
&
W2
&
W3
+VDD
存储矩阵
字 线
字线
存 储 矩 阵
《半导体存储器》课件

制造设备
用于将掺杂剂引入硅片。
用于在硅片上生长单晶层 。
掺杂设备 外延生长设备
用于切割硅片。
晶圆切割机
制造设备
光刻机
用于将电路图形转移到硅片上。
刻蚀机
用于刻蚀硅片表面。
镀膜与去胶设备
用于在硅片表面形成金属层或介质层,并去 除光刻胶。
测试与封装设备
用于对芯片进行电气性能测试和封装成最终 产品。
分类
根据存储方式,半导体存储器可分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器( ROM)。
历史与发展
1 2 3
早期阶段
20世纪50年代,半导体存储器开始出现,以晶 体管为基础。
发展阶段
随着技术的进步,20世纪70年代出现了动态随 机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器 (SRAM)。
当前状况
现代半导体存储器已经广泛应用于计算机、移动 设备、数据中心等领域。
物联网和边缘计算
在物联网和边缘计算领域应用半导体存储器,实现高 效的数据存储和传输。
CHAPTER
05
案例分析:不同类型半导体存 储器的应用场景
DRAM的应用场景
01
DRAM(动态随机存取存储器)是一种常用的半导体存储器,广泛应 用于计算机和服务器等领域。
02
由于其高速读写性能和低成本,DRAM被用作主内存,为CPU提供快 速的数据存取。
外延生长
在硅片上生长一层或多 层所需材料的单晶层。
掺杂
通过扩散或离子注入等 方法,将掺杂剂引入硅 片。
制造流程
01
光刻
利用光刻胶将电路图形转移到硅片 上。
镀膜与去胶
在硅片表面形成金属层或介质层, 并去除光刻胶。
第6章半导体存储器-PPT文档资料42页
6.2.1 静态随机存储器
1.电路结构
SRAM主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分 组成。
地 址 A0 ~ Ai 输
行 地 址 译
入
码
存储矩阵
读
/
写
I/O
控
制
列地址译码
Ai+1 ~ An 地址输入
CS R /W
SRAM结构示意图
行
地 址 A0 ~ Ai
地 址
输
译
入
码
说明:
存储矩阵
读
/
2.单管动态MOS存储单元电路
字选线
V CS
位线D
CO输出电容
(数据线)
单管动态MOS存储单元
构成:
由一个NMOS管和存储电容器CS构成, CO是位线上 的分布电容(CO>>CS)。 显然,采用单管存储单元的 DRAM,其容量可以做得更大。
工作原理:
字选线
写入信息时,字线为高电平,V导通,位 线D上的数据经过V存入CS。
2作所.,经存到历完的储成时速该间度操作
的最小时间间隔
存储器的存储速度可以用两个时间参数表示 : “存取时间”(Access Time) TA 和“存储周 期”(Memory Cycle)TMC ,存储周期TMC略大于存取时 间TA。
6.2随机存储器
随机存取存储器也称随机存储器或随机读/写存储器 (RANDOM - ACCESS MEMORY ),简称RAM。RAM工作 时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息, 分为静态随机存取存储器 ( SRAM ) 和动态随机存取存储器 ( DRAM ) 。
32个存储单元的半导体存储器
半导体存储器
一、静态RAM
(一)六管静态存 储电路
Q7
Q8
图6-2 静态RAM存储单元电路
(二)静态RAM器件的组成
静态RAM器 件可分成三个部 分,分别是存储 单元阵列、地址 译码器和读/写控 制与数据驱动/缓 冲。一个典型的 静态RAM的示意 图如右图所示。
右图是一个1K×1 位的静态RAM器件的组 成框图。该器件总共可 以寻址1024个单元,每 个单元只存储一位数据。
数据(字操作,使用AD0~AD15),也可以只 传送8位数据(字节操作,使用AD0~AD7或 AD8~AD15)。
仅A0为低电平时,CPU使用AD0~AD7, 这是偶地址字节操作;仅为低电平时,CPU使用 AD8~AD15,这是奇地址字节操作。
若和A0同时为低电平时,CPU对AD0~ AD15操作,即从偶地址读写一个字,是字操作; 如果字地址为奇地址,则需要两次访问存储器。 如下表所示
2、Intel 2114是一个容量为1024×4位的静态 RAM ,Intel 2114是一个容量为1024×4位的静 态RAM其引脚和逻辑符号如下图所示。
引脚图
逻辑符号
(四)静态RAM与CPU的连接
进行静态RAM存储器模块与CPU的连接电路 设计时,需要考虑下面几个问题:
1、CPU总线的负载能力 2、时序匹配问题 3、存储器的地址分配和片选问题 4、控制信号的连接
若存储容量较小,可以 将该RAM芯片的单元阵 列直接排成所需要位数
的形式,每一条行选择 线(X选择线)代表一 个字节,每一条列选择 线(Y选择线)代表字 节的一个位,故通常把
行选择线称为字线,而 列选择线称为位线。
(三)静态RAM的例子
1、Intel 6116是CMOS静态RAM芯片,属双列直 插式、24引脚封装。它的存储容量为2K×8位,其 引脚及功能框图如下图所示。
半导体存储器介绍
04
价格竞争: 各厂商通过 调整产品价 格来争夺市
场份额
05
市场趋势: 随着市场需 求的扩大, 市场竞争将
更加激烈
发展趋势
01
市场规模不断扩大,需 求持续增长
03
市场竞争激烈,企业并 购和整合频繁
05
政策支持,推动半导体 存储器产业发展
02
技术进步,存储密度和 速度不断提高
04
应用领域不断拓展,如 人工智能、物联网等
存储速度:半导体存储器的存储速度取 决于其内部电路的运行速度和数据传输 速度。
存储技术:半导体存储器有多种存储技术, 如DRAM、SRAM、Flash等,每种技术 都有其独特的存储容量和速度特点。
发展趋势:随着技术的进步,半导体存 储器的存储容量和速度也在不断提高, 以满足不断增长的数据存储需求。
半导体存储器市场
0 3 存储单元:由晶体管和电容器组 成,用于存储数据
0 4 存储方式:分为随机存取存储器 (RAM)和只读存储器(ROM)
0 5 存储容量:取决于存储单元的数 量和每个单元的存储能力
0 6 存储速度:取决于存储单元的访 问速度和数据传输速度
存储容量和速度
存储容量:半导体存储器的存储容量取 决于其内部存储单元的数量和每个存储 单元的存储容量。
数据不丢失
EEPROM(电可擦除
4
可编程只读存储器):
可擦除和重新编程,断
电后数据不丢失,速度
较慢
Flash Memory(闪
5
存):可擦除和重新编
程,断电后数据不丢失,
速度快,广泛应用于U
盘、SD卡等设备
半导体存储器特点
01
存储速度快:半导 体存储器的读写速 度远高于磁性存储
数字电路与逻辑设计 徐秀平 第六章答案
读/写信号: W R 片选信号: CS
地址线: A0 ~ A7 , A8 , A9 读/写信号: W R
五邑大学
6.3 半导体存储器容量扩展
每一片256×8的A0~ A7可提供28=256个地址,为0~0到1~1,用扩展 的字A8、 A9构成的两位代码区别四片256×8的RAM,即将A8、 A9译成四 个低电平信号,分别接到四片256×8RAM的CS ,如下表 数
内容丢失),不能随便撕下。 586以后的ROM BIOS多采用E2PROM(电可擦写只
读ROM),通过跳线开关和系统配带的驱动程序盘,可
以对E2PROM进行重写,方便地实现BIOS升级。
五邑大学
6.1 半导体存储器的分类
ROM存储器的应用实例
数 字 电 路 与 逻 辑 设 计
• U盘是采用flash memory(也称闪存)存储技术的USB设备. USB (Universal Serial Bus)指“通用串行接口”,用 第一个字母U命名,所以简称“U盘”。 • 最新的数码存储卡是一种不需要电来维持其内容的固态
1
2
1
0
D1 W1 W2 W3
1
0
D2 W0 W2 W3
D3 W1 W3
存 储 内 容 D3 D2 D1 D0
3
1
0
1
0
0
1 0 1
1
0 1 1
0
1 1 1
1
0 1 0
存储器的容量:存储器的容量=字数(m)×字长(n)
五邑大学
6.3 半导体存储器容量扩展
1.位扩展
数 用8片1024(1K)×1位RAM构成的1024×8位RAM系统。 字 I/O I/O I/O 电 I/O I/O I/O 路 ... 102 4×1R AM 102 4×1R AM 102 4×1R AM 与 A A ... A R/W CS A A ... A R/W CS A A ... A R/W CS 逻 辑 A A 设A 计 R/W
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A0
A1
地 W1=A1A0 址 译 W =A A 2 1 0 码 器 W3=A1A0
m0
m1 m2 m3 无二极管
D3 D2 D1 D0
地址译码:与阵列
A0 A1 A0 _ A0 A1 _ A1 W0 W1 W2 W3
A0 A0 A1
A0A1
A1
W3 W3
字数很少,一级译码 字数较大,采用多级译码 ROM字数很大时,译码系统很复杂。
按存取方式分类
只读存储器ROM分类
内存 细分 掩膜ROM 信息存取方式 内容只能读出,不能改变. 特点 半导体厂家用掩膜技术写入程序 成本低, 用户使用特殊方法进行编程,只 能写一次,一次编程不能修改。 用途 适用于批量生产 不适用研究工作 适用于批量生产 不适用研究工作 适用于研究工作 不适用于批量生 产。
《数字电子技术》
第6章 半导体存储器
6-1 概述 6-2 只读存储器(ROM) 6-3 随即存储器(RAM)
第6章 半导体存储器
存储器的分类及特点 主要内容 ROM的电路结构及工作原理 RAM的电路结构及工作原理 ROM、RAM常见芯片及容量扩展
本章内容的特点: 了解性的内容多、具有一般常识性, 重点在于应用(容量扩展)
存储电路或阵列可以画为:
W0 W1 W2 W3 B0
W0W2
W0 W1 W2 W3 B0 B1 B2 B3
+
B0
+ +
PROM ——与阵列固定、或阵列可编程
三、 存储器的技术指标 存储容量: 存储容量 = N(字数)× M(位数)
例如,一个 32 8 的 ROM,表示它有 32 个字, 字长为 8 位,存储容量是 32 8 = 256。
存取周期: 指两次连续读取(或写入)数据之间的间隔时间 间隔时间越短,说明存储周期越短,工作速度越高。
6.2 只读存储器 一、 掩膜只读存储器ROM
(1)随机存储器RAM RAM的特点:是可读可写,但关机后存储的 信息将自动消失。 RAM分为:动态存储器DRAM和静态存储器SRAM
◆动态存储器DRAM
DRAM主要用于主存储器(俗称内存条)的制造。 ◆静态存储器SRAM SRAM主要用于高速缓存,其存取速度比DRAM分 快得多。
(2)只读存储器ROM 它存储的信息一般由厂商在制造时写入的。只能读出 信息而不能修改,其所存信息在断电后仍能保持。 3.外存储器 特点:外存储器与内存储器相比,存储容量大,可 靠性高,价格低,在脱机情况下可永久保存信息。 但速度较内存储器慢得多,它属外部设备。 主要有:软盘存储器、硬盘、光盘等。
PROM可编程ROM
内容只能读出,不能改变.
固化程序用紫外线光照5~ 15分钟擦除, EPROM光可擦除PROM 擦除后可以重新固化新的程 序和数据。
用户可以对芯片进行多次编程 和擦除。
ROM
E2PROM电可擦除 PROM 实现全片和字节擦写改写,
集成度和速度不及EPROM, 价格高, 擦写在原系统中在线进行。 CMOS 低功耗; 编程快(每个字节编程100μs 整个芯片0. 5s); 擦写次数多(通常可达到10万) 与E2PROM比较:容量大、价格 低、可靠性高等优势。
6.1 概述
一、半导体存储器的分类
双极型存储器 按制造工艺分类 MOS(单极型)存储器 工艺简单、集成度高、功耗低 工作速度快、功耗大
掩模只读存储器 (ROM) 可编程只读存储器 (PROM) (EPROM) 只读存储器(ROM) 可擦除可编程只读存储器 (EEPROM) 快闪存储器 (FLASH) 静态随机存储器(SRAM) 随机存储器(RAM) 动态随机存储器(DRAM)
0 0 1
1 导通 0 1 0 1
D3 W1 W3
D2 W0 W2 W3
D1 W1 W3
D0 W0 W1
3. ROM的阵列图
存储矩阵是一个“或”逻辑阵列
D0 W0 W1
D1 W1 D3 W1 W3
(2)字节 通常将8个二进制位称为一个字节,简称B (Byte的缩写),是表示的基本单元。 1KB=210B=1024B 1MB=220B=1024KB 1GB=230B=1024MB (3)字 1TB=240B=1024MB
计算机在执行存储、传送等操作时,作为一个整 体单位进行操作的一组二进制,称为一个计算机字,
三、 存储器的技术指标 存储容量: 是指存储器存放数据的多少,即存储单元的总数 存储容量 = N(字数)× M(位数) 存储器的字数通常采用K、M、G为单位 1K=210=1024 1M=220=1024×1024=1024K 1G=230=1024M 存储容量也可以用如下的几种形式表示: 256×8 1K×4 1M×1
只读存储器(ROM) ,它存储的信息是固定不 变的。工作时,只能读出信息,不能随时写入信息。 ROM功能
存放固定信息 •程序,常数,指令,......
ROM的优点
信息非“易失”(Nonvolatile) 简单,容量大
1. ROM结构
ROM 的电路结构图
2. ROM的工作原理
导通 1 0
0
0
作为非易失性 RAM使用。
用于PC机内装操 作系统和系统不 能丢失初始功能 的专门领域。 需要周期性地修 改被存储的数据 表的场合。
Flash Memory 快速电擦写存储器
可以整体电擦除(时间1S) 和按字节重新高速编程。
二、计算机中信息的表示方法 1.信息单位 计算机系统中,对信息表示的单位有位、字节、 字、字长等,它们是用来表示信息的量的大小以及 信息存储传输方式的基本概念。 (1)位 计算机系统中,一个二进制的取值单位称为二 进制位,简称“位”,用b表示(bit的缩写),是表 示信息的最小单位。
简称字。
(4)字长
每个字所包含的位数称为字长。
一般计算机的字长越大,其性能越高。 2.内存储器(主存储器)
内存储器是数据和代码的临时存放设备。
内存储器可分为RAM(Random Access Memory , 随机存储器)和ROM(Read Only Memory ,只读
存储器)。
目前,内存储器一般为半导体存储器。