三极管工作状态判定方法

三极管工作状态判断ppt课件

江阴
模拟电子技术
学
院
1
三极管输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
江
即： IC=IB , 且 IC = IB
阴
学院
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V
(3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
江 IB
阴学院
IC IB
IE
VC
VB VE NPN
IC
IE
VE
VB
VC PNP 5
三极管处于饱和状态时的电位关系
江阴
IB
学
院
IC
IB IE
VB VC VE NPN
IC
VE
VC
IE
VB
PNP 6
判断以下三极管的工作状态。
江
阴学
0.7V
院
4V 0.7V
0.3V
0
0
放大
饱和
4V 0
0
截止
7
判断图示各电路中三极管的工作状态。
Rc
江 Rb
阴
学院
EB
VT
EC
发射结反向偏置,
集电结反向偏置,
三极管工作在截止区,
可调换 EB 极性。
Rb Rc VT
7V
EC
0.3V
VT
发射结反向偏置,
两PN结均
三极管工作在截止区, 正偏三极管工作在
可调换 EC 极性,
饱和区。
或将VT更换为PNP型。 8
2
三极管工作状态判断方法：
RB

三极管状态判断

三极管状态判断NPN管:放大状态Vc>Vb>Ve,饱和状态Vb>ve,Vb>vc,截止状态Vc=+V,Vb=0PNP管:放大状态Ve>Vb>Vc,饱和状态Vb<ve,Vb<vc,截止状态Vc=-V(负电源供电)饱和状态时Vce为0.2V(npn和pnp管都是一样的)静态工作点可以测量出来发射结和集电结都是正向偏置时就已经饱和了.此时,Ube>Uce.当晶体管的Ube增大时,Ic不是明显的增大说明进入饱和状态,对于小功率管,可以认为当Uce=Ube,即Ucb=0时,处于临界饱三极管简介晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。

基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。

发射极箭头向外。

发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。

硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

三极管状态判断

三极管状态判断NPN管:放大状态Vc>Vb>Ve,饱和状态Vb>ve,Vb>vc,截止状态Vc=+V,Vb=0PNP管:放大状态Ve>Vb>Vc,饱和状态Vb<ve,Vb<vc,截止状态Vc=-V(负电源供电)饱和状态时Vce为0.2V(npn和pnp管都是一样的)静态工作点可以测量出来发射结和集电结都是正向偏置时就已经饱和了.此时,Ube>Uce.当晶体管的Ube增大时,Ic不是明显的增大说明进入饱和状态,对于小功率管,可以认为当Uce=Ube,即Ucb=0时,处于临界饱三极管简介晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。

基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。

发射极箭头向外。

发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。

硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

三极管检测方法

三极管检测方法三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。

它具有放大、开关和稳压等特性，被称为电子领域的"万能元件"。

而三极管检测方法就是用来判断三极管性能的一种技术手段。

下面我们来详细介绍一下三极管检测的方法。

我们需要了解一下三极管的基本结构和工作原理。

三极管由三个区域组成，分别为基区、发射区和集电区。

当输入信号加在基极上时，三极管就会工作起来。

它的工作可以分为三种模式：放大模式、截止模式和饱和模式。

在放大模式下，三极管可以对输入信号进行放大，起到信号放大的作用。

在截止模式下，三极管不对输入信号进行放大，输出电流几乎为零。

在饱和模式下，三极管的输出电流达到最大值，不再随输入信号的变化而变化。

针对不同的检测需求，可以采用以下几种方法对三极管进行检测。

第一种方法是静态检测法。

这种方法主要通过测量三极管的静态工作点来判断其工作状态。

静态工作点可以通过测量三极管的电流和电压来确定。

一般来说，通过在基极、发射极和集电极之间分别接入电阻，然后测量这些电阻两端的电压，再结合一些计算公式，就可以获得静态工作点的相关参数。

通过对比这些参数与标准值的差异，可以判断三极管是否正常工作。

第二种方法是动态检测法。

这种方法主要通过对三极管输入和输出信号的波形进行观察和分析来判断其工作状态。

一般来说，可以通过示波器来观察信号波形。

在放大模式下，输入信号经过三极管放大后，输出信号会有明显的变化。

通过观察输入和输出信号的波形，可以判断三极管是否处于放大模式。

第三种方法是参数检测法。

这种方法主要通过测量三极管的一些参数来判断其工作状态。

常用的参数包括电流放大倍数、最大集电极电流和最大功耗等。

通过测量这些参数的数值，可以判断三极管是否正常工作。

例如，如果电流放大倍数明显低于标准值，就说明三极管可能存在故障。

除了以上几种常用的检测方法外，还有一些其他的方法，如热测法、噪声测试法、频率响应测试法等。

这些方法主要适用于特定的检测需求和特殊的工作环境。

第1章例题

例1.3.2 试求电路中电流 I1、I2、IO和输出电压UO的值。和输出电压的值。解：假设二极管断开 P N UP = 15V R R 3 I2 1kΩ L Ω UN = × 12 = 9 (V) 15V U 1+ 3 3kΩ O Ω VDD1 VDD2 12V UP > UN 二极管导通等效为0.7 等效为 V 的恒压源 UO= VDD1 − UD(on)= 15 − 0.7 = 14.3 (V) IO= UO / RL= 14.3 / 3 = 4.8 (mA) I1 I2 = (UO − VDD2) / R = (14.3 − 12) / 1 = 2.3 (mA) I1= IO + I2= 4.8 + 2.3 = 7.1 (mA) IO
由于IB<IBS，故三极管VT处于放大状态。
=50， =12V，例： β=50， USC =12V，
IC
哪个区？哪个区？解：
RB =70kΩ， RC =6kΩ =70kΩ =6kΩ 2V，2V，5V时当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于
IB RB USB
C B UBE E
Vi < 3V时，D截止，vo = vi
Vi > 3V时，D导通，vo = 3V
例：理想二极管电路中 vi=V m sinωt V，求输出波形v0。
vi
Vm V1 0 V2
t
Vi>V1时，D1导通、D2截止，Vo=V1。 Vi<V2时，D2导通、D1截止，Vo=V2。 V2<Vi<V1时，D1、D2均截止，Vo=Vi。
•ＵＣ •VCC •UCES<UC<VC
C
•UCES

三极管工作状态判断

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2
三极管工作状态判断方法：
RB
江
+
阴学院
v iB i
-
VCC RC
+
iC
vO
-
v ＜0.7V时，截止
①当 BE ≥0.7V时，放大或饱和
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3
三极管工作状态判断方法：
RB
江
+
阴
学院
v iB i
-
VCC RC
+
iC
vO
-ห้องสมุดไป่ตู้
v ＜0时，放大
②当 BC ≥0时，饱和
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4
4V 0.7V
0.3V
0
0
放大
饱和
4V 0
0
截止
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判断图示各电路中三极管的工作状态。
Rc
江 Rb
阴
学院
EB
VT
EC
发射结反向偏置,
集电结反向偏置,
三极管工作在截止区,
可调换 EB 极性。
Rb Rc VT
0.7V
EC
0.3V
VT
发射结反向偏置,
两PN结均
三极管工作在截止区, 正偏三极管工作在
三极管处于放大状态时的电位关系
江 IB
阴学院
IC IB
IE
VC
VB VE NPN 精选ppt
IC
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VC PNP 5
三极管处于饱和状态时的电位关系
江阴
IB
学
院
IC
IB IE
VB VC VE NPN
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三极管的工作状态

晶体三极管的三种工作状态
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。

三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

1脚就是栅极，这个栅极就是控制极，在栅极加上电压和不加上电压来控制2脚和3脚的相
通与不相通，N沟道的，在栅极加上电压2脚和3
脚就通电了，去掉电压就关断了，而P沟道的刚好相反，在栅极加上电压就关断（高电位），去掉电压（低电位）就相通了！我们常见的2606主控电路图中的电源开机电路中经常遇到的就是P沟道MOS管。

三极管开关电路的工作状态分析，快速判断，以及计算方法！

三极管开关电路的工作状态分析，快速判断，以及计算方法！一、三极管的工作状态分析三极管有三个工作区域，分别是：截止区：基极电压小于开启电压（0.6~0.7V）或基极电路小于开启电流，供应不足；饱和区：注入基极的电流不断聚集，超过了需求量，供大于求；放大区：介于截止和饱和区之间的一个阶段，注入基极的电流不断上升，对应的集电极电流成比例（三极管的放大倍数）增加，供需平衡。

图1.1、典型的NPN三极管开关电路如图1.1，三极管的放大倍数为A,则Ic=A*Ib，然后Vout=Vcc-Ic*R3。

当Ib持续增加，Ic会成比例(A*Ib)增加，然后Vout=(Vcc-Ic*R3)会持续地减小，此时三极管处于放大区。

显然，Vout的减小是有一个下限的，这个下限是三极管的Vce的饱和值（Vce_sat），一般在0.2V 左右。

总之，Ib增大到一定数值之后，Ic不会再增加，Vout会被限制在Vce_sat处，此时三极管处于饱和区。

当三极管可以在饱和区和截止区之间自由切换，那么这个三极管电路可以作为一个数字开关来使用。

图 1.1，是一个典型的三极管开关电路，R1=20Kohm,R2=10Kohm,R3=10Kohm,U1=BC847C。

图1.2、典型的NPN三极管开关电路基于图1.2，为了测试开关电路的开关特性，在输入端注入三角波，然后可以得到其中的控制逻辑关系如图1.3所示。

图1.3、三极管开关电路的逻辑关系如果将R1由20Kohm增大到150Kohm，电路的特性发生了很大变化，虽然还能实现开关，但是开关过程已经变得不再干脆，显得“粘滞”。

图1.4、增大R1=150Kohm之后的三极管电路继续增大R1至160Kohm之后，情况进一步恶化，已经无法达到开关的目的了，如图1.5所示。

图1.5、增大R1=160Kohm之后的三极管电路由此可见，R1就像一个阀门，如果三极管的目的是被用作数字开关使用，那么阀门的开口必须足够大。