模拟电子线路期末复习填空题

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模拟电子试题库及答案

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模拟电子试题库及答案一、选择题1. 在模拟电子电路中,运算放大器的虚短特性指的是:A. 虚地B. 虚短C. 虚断D. 虚接答案:B2. 以下哪个不是模拟电路的特点?A. 线性B. 非线性C. 可处理模拟信号D. 数字信号处理答案:D二、填空题1. 理想运算放大器的输入电阻是_________。

答案:无穷大2. 模拟信号的频率范围通常比数字信号_________。

答案:宽三、简答题1. 简述模拟电子电路与数字电子电路的区别。

答案:模拟电子电路主要处理模拟信号,其特点是连续性、线性和可处理模拟信号。

而数字电子电路主要处理数字信号,其特点是离散性、非线性和数字信号处理能力。

2. 描述运算放大器的基本应用之一:放大器。

答案:运算放大器作为放大器使用时,其增益可以通过外部电阻来设置,具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点,广泛应用于信号放大。

四、计算题1. 给定一个理想运算放大器构成的反相放大器电路,输入电压为2V,反馈电阻Rf为10kΩ,求输出电压。

答案:根据反相放大器的增益公式,输出电压Vout = - (Rf/Rin) * Vin,其中Rin为输入电阻,理想运放的Rin为无穷大,因此Vout = -2V。

2. 如果一个非理想运算放大器的输入偏置电流为1μA,输入偏置电压为1mV,求该运放的输入偏置电阻值。

答案:输入偏置电阻值Rin可以通过输入偏置电压Vbias和输入偏置电流Ibias来计算,即Rin = Vbias / Ibias = 1mV / 1μA = 1kΩ。

五、分析题1. 分析以下电路图,并说明其工作原理。

[电路图略]答案:[根据电路图进行分析并给出答案,包括电路的组成部分、各部分的作用以及整个电路的工作原理。

]2. 给定一个差分放大器电路,输入信号为差分信号,分析其放大倍数。

[差分放大器电路图略]答案:[根据差分放大器的工作原理,分析其放大倍数的计算方法,并给出具体的计算步骤和结果。

]六、实验题1. 设计一个简单的低通滤波器电路,并说明其设计参数。

(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

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模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流,小 的电路是②,输出电阻最小 的电路是③② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③;只能放大电压,不能放大电流 的电路是②。

2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系BEQ数为β,B- E 间动态电阻为 r 。

填空:beV CC U BEQ( 1)静态时, I 的表达式为BQ, I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ;,U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L (2)电压放大倍数 的表达式为A u,输入电阻 的表达式为r be,输出电阻 的表达式为R R // r be R R ;0 Ci B(3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将iC ,A B CQ bc u R 将 B 。

oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 BA 失真。

A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻A u为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。

i(2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。

增大或将截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。

模拟电子线路期末考试题库

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《模拟电子线路》题库一、判断题(每题2分,共20分)1、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

()2、因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。

()3、稳压二极管在稳压工作时,只要反向击穿,不需要限流。

()4、N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

()5、二极管的正向偏置电压升高时,其正向电阻增大。

()6、未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。

()7、运算放大电路中一般引入正反馈。

()8、凡是运算放大电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

()9、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

()10、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。

()11、晶体管的参数不随温度变化。

()12、放大电路没有直流偏置不能正常工作。

()13、多级放大电路总的电压放大倍数,等于各级空载电压放大倍数的乘积。

()14、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。

()15、放大电路在低频信号作用时,放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。

()16、射极跟随器的放大倍数为1,因此在电路不起任何作用。

()17、多级放大电路的级数越多,其放大倍数越大,且其通频带越宽。

()18、理想运放的共模抑制比为无穷大。

()19、通用型集成运放的输入级采用差分放大电路,这是因为它的电压放大倍数大。

()20、在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。

()21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

()22、负反馈放大电路可能产生自激振荡。

()23、电流负反馈既然稳定输出电流,那么必然稳定输出电压。

()24、若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。

()25、要稳定放大电路静态工作点,可以引入交流负反馈。

()26、在功率放大电路中,输出功率越大,功放管的管耗功率就越大。

()27、通常采用图解法分析功率放大电路。

()28、功率放大电路工作在大信号状态,要求输出功率大,且转换效率高。

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模拟电子线路一、单项选择题1、PN结加正向电压时,空间电荷区将( A )。

A.变窄B.不变C.变宽D.不确定2、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A.温度B.掺杂工艺的类型C.杂质浓度D.晶体中的缺陷3、在掺杂半导体中,少子的浓度受( A )的影响很大。

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷4、N型半导体( C )。

A.带正电B.带负电C.呈中性D.不确定5、半导体二极管的重要特性之一是( B )。

A.温度稳定性B.单向导电性C.放大作用D.滤波特性6、实际二极管与理想二极管的区别之一是反向特性中存在( B )。

A.死区电压B.击穿电压C.门槛电压D.正向电流7、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( C )。

A.基本不变B.明显减小C.明显增加D.不确定变化8、二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将( D )。

A.右移B.左移C.上移D.下移9、关于BJT的结构特点说法错误的是( C )。

A.基区很薄且掺杂浓度很低B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D.集电区面积大于发射区面积10、某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管工作在( C )。

8V2.5VA.饱和状态B.截止状态C.放大状态D.击穿状态11、小信号模型分析法不适合用来求解( A )。

A .静态工作点B .电压增益C .输入电阻D .输出电阻12、利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的( B )。

A .直流参数C .静态工作点 B .交流参数D .交流和直流参数13、某单管放大器的输入信号波形为,而输出信号的波形为,则该放大器出现了( C )失真。

A .交越B .截止C .饱和D .阻塞性14、交流信号从b 、c 极之间输入,从e 、c 极之间输出,c 极为公共端的放大电路是( D )。

A .共基极放大器B .共模放大器C .共射极放大器D .共集电极放大器15、以下不是共集电极放大电路的是( D )。

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

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《模拟电子技术基础(一)》期末试题〔A 〕一、填空题(15分)1.由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。

2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。

3.从信号的传输途径看,集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。

4.某放大器的下限角频率L ω,上限角频率H ω,则带宽为 Hz 。

5.共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。

6.在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。

7.电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的 输出状态发生 次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。

8.直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。

二、单项选择题(15分)1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 。

[ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。

[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。

[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响4.差动放大电路的主要特点是 。

[ ] A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号 C 有效放大共模信号,有力抑制差模信号;D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。

5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。

[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。

[ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻 7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。

[ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8.当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时,放大倍数的数值将下降到中频时的 。

模拟电子线路智慧树知到期末考试章节课后题库2024年山东师范大学

模拟电子线路智慧树知到期末考试章节课后题库2024年山东师范大学

模拟电子线路智慧树知到期末考试答案章节题库2024年山东师范大学1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

答案:错2.在半导体内部,只有电子是载流子( )答案:错3.答案:饱和失真,静态工作点选择太高4.差动放大电路是为了而设置的。

答案:克服零点漂移5.答案:对6.答案:错7.晶体三极管具有能量放大作用( )答案:对8.由于控制输入电流就能控制输出电流,因此常将BJT称为电流控制器件。

()答案:对9.集成运算放大电路既可以双端输入,又可以单端输入。

()答案:对10.多级放大电路比单级放大电路的通频带()。

答案:窄11.晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,则三极管所处的状态是()答案:放大状态12.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()答案:饱和区13.二极管的阳极电位是20V,阴极电位是10V,则该二极管处于()。

答案:正偏14.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则答案:阻当层变厚,反向电流基本不变15.答案:16.晶体三极管放大电路可实现电压或者电流的放。

答案:对17.双极型三极管同场效应管相比,输入电阻大,热稳定性好。

()答案:错18.判断N沟道MOS管的夹断电压U>0, P沟道MOS管的夹断电压U<0. ()答案:错19.答案:对20.当三极管的两个PN结都正偏时,三极管处于饱和状态。

()答案:对21.场效应管属于电压控制型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制型器件。

()答案:对22.高通滤波器的通频带是指电压的放大倍数不变的频率范围。

()答案:错23.答案:对24.稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态答案:反偏25.二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好答案:错26.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

答案:错27.在二极管特性的正向导通区,二极管相当于()。

答案:接通的开关28.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为10V、5.3V和5V,则该三极管的类型为硅NPN型。

电子线路试题及答案完整版

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电子线路试题及答案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】电工与电子技术试题一、填空题(每空1分)1、若各门电路的输入均为A和B,且A=0,B=1;则与非门的输出为_________,或非门的输出为_________。

2、一个数字信号只有________种取值,分别表示为________ 和 ________ 。

3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的,数字信号在时间与幅值上是________的。

4、根据逻辑功能的不同特点,逻辑电路可分为两大类: ________ 和 ________。

5、二进制数A=1011010;B=10111,则A-B=____。

6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的 ________ 有关,而与________ 无关。

7、将________变成________ 的过程叫整流。

8、在单相桥式整流电路中,如果负载平均电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是______A。

9、单相半波整流电路,已知变压器二次侧电压有效值为22V,负载电阻RL=10Ω,则整流输出电压的平均值是______;流过二极管的平均电流是______;二极管承受的最高反向电压是______。

10、三极管是________控制元件,场效应管是________控制元件。

11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为 _______。

12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V C E 一定时, 与之间的关系。

13、作放大作用时,场效应管应工作在 区。

14、 放大电路的静态工作点通常是指_ _、 和_ 。

15、 某三级放大电路中,测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是 _。

16、已知某小功率管的发射极电流IE=1.3mA ,电流放大倍数=49,则其输入电阻rbe= 。

17. 画放大器的直流通路时应将电容器视为 。

模拟电子技术基础期末试题填空选择复习题

模拟电子技术基础期末试题填空选择复习题

填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为,导通后在较大电流下的正向压降约为;锗二极管的门槛电压约为 ,导通后在较大电流下的正向压降约为;2、二极管的正向电阻小;反向电阻大 ;3、二极管的最主要特性是单向导电性 ;PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄 ;4、二极管最主要的电特性是单向导电性 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻 ;5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术;6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强 ;PN具有具有单向导电特性;7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为伏;其门坎电压V th约为伏;8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成;9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对 ;10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴P半导体和电子N半导体两大类;11、二极管的最主要特性是单向导电性 ,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压 ;12、在常温下,硅二极管的开启电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V;15、N型半导体中的多数载流子是电子 ,少数载流子是空穴 ;16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型;17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容;18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则I BQ增大 ,I CQ增大 ,U CEQ减小 ;19、三极管的三个工作区域是截止 , 饱和 , 放大 ;集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路;20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压V a= , V b = , V c = , 试问该三极管是硅管管材料, NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的 C ;22、三极管实现放大作用的外部条件是:发射结正偏、集电结反偏 ;某放大电路中的三极管,测得管脚电压V a = -1V,V b =, V c =, 这是硅管硅、锗, NPN型,集电极管脚是a ;23、三种不同耦合方式的放大电路分别为:阻容RC耦合、直接耦合和_变压器耦合_,其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号;24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载 ,而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻 ;25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ ;26、为了保证三极管工作在放大区,要求:①发射结正向偏置,集电结反向偏置;②对于NPN型三极管,应使V BC<0 ;27、放大器级间耦合方式主要有阻容RC耦合、直接耦合和变压器耦合三大类;28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,共射组态有电流放大作用, 共射和共集组态有倒相作用;共集组态带负载能力强, 共集组态向信号源索取的电流小, 共基组态的频率响应好;29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射 ;30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合 , 阻容耦合 , 变压器耦合 ;31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察V O和V I的波形,则V O和V I的相位差为1800;当为共集电极电路时,则V O和V I的相位差为0 ;32、放大器有两种不同性质的失真,分别是饱和失真和截止失真;33、晶体管工作在饱和区时,发射结a ,集电结a;工作在放大区时,集电结b ,发射结a ;填写a正偏,b反偏,c零偏34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态;35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大 ,热稳定性好37、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置;38、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态;40、场效应管从结构上分成结型FET和MOSFET两大类型,它属于电压控制型器件;41、场效应管属于电压控制电流型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件;42、场效应管是电压控制电流器件器件,只依靠多数载流子导电;43、根据场效应管的输出特性,其工作情况可以分为可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区四个区域;44、当栅源电压等于零时,增强型FET 无导电沟道,结型FET的沟道电阻最小 ;45、FET是电压控制器件,BJT是电流控制器件;46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为甲类 ;47、一个输出功率为10W的扩音机电路,若用乙类推挽功放,则应选额定功耗至少应为2W的功率管2只;48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为甲类 ,为了消除交越失真常采用甲乙类电路;49、乙类功放的主要优点是效率高 ,但出现交越失真,克服交越失真的方法是采用甲乙类 ;50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真;51、双电源互补对称功率放大电路OCL中V CC=8v,R L=8Ω,电路的最大输出功率为4W ,此时应选用最大功耗大于功率管;52、差动放大电路中的长尾电阻Re或恒流管的作用是引人一个共模负反馈;53、已知某差动放大电路A d=100、K CMR=60dB,则其A C= ;集成电路运算放大器一般由差分输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成;54、差分式放大电路能放大直流和交流信号,它对差模信号具有放大能力,它对共模信号具有抑制能力;55、差动放大电路能够抑制零漂和共模输入信号 ;57、集成运放通常由输入级、中间级;输出级、偏置级四个部分组成;58、正反馈是指反馈信号增强净输入信号;负反馈是指反馈信号减弱净输入信号 ;59、电流并联负反馈能稳定电路的输出电流 ,同时使输入电阻减小 ;60、负反馈对放大电路性能的改善体现在:提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带、改变输入电阻和输出电阻;61、为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈:①降低电路对信号源索取的电流:串联负反馈 ;②当环境温度变化或换用不同 值的三极管时,要求放大电路的静态工作点保持稳定: 直流负反馈 ;③稳定输出电流: 电流负反馈 ;62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ,同时使输入电阻 大 ;63、某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000,反馈系数F=,则闭环放大倍数f A ≈ 100 ;65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 ;66、为稳定电路的输出信号,电路应采用 负 反馈;为了产生一个正弦波信号,电路应采用 正 反馈;67、理想集成运算放大器的理想化条件是A ud = ∞ 、R id = ∞ 、K CMR = ∞ 、R O = 068、理想运算放大器的理想化条件中有A vd = 无穷 ,K CMR = 无穷 ;69、电流源电路的特点是,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 ;70、电流源的特点是输出电流 恒定 ,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 ;71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是 虚断 和 虚短 ;72、理想运算放大器,A d = 无穷大 、R i = 无穷大 、R o = 0 ;73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状态;78、集成运算放大器在 线性 状态和 理想工作 条件下,得出两个重要结论,它们是: 虚断 和 虚短 ;79、通用型集成运算放输入级大多采用 差分放大 电路, 输出级大多采用 共集 电路;91、直流电源是将电网电压的 交流电 转换成 直流电 的能量转换电路;92、三端集成稳压器7815输出电压 +15 V,7905输出电压 -5 V;93、直流电源一般由下列四部分组成,他们分别为:电源变压器、滤波电路、 稳压 电路和 整流 电路;稳压集成电路W7810输出电压 +10 V;94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路;半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压即变压器副边电压有效值的 倍;全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压即变压器副边电压有效值的 倍;95、三端集成稳压器7915的输出电压为 -15 伏;96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 输出取样电压 ;97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 调整管的的状态不同 ;98、小功率稳压电源一般由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波器 、 稳压电路 等四部分构成;单项选择题1、半导体二极管加正向电压时,有 AA 、电流大电阻小B 、电流大电阻大C 、电流小电阻小D 、电流小电阻大2、PN 结正向偏置时,其内电场被 AA 、削弱B 、增强C 、不变D 、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于AA 、反向偏置击穿状态B 、反向偏置未击穿状态C 、正向偏置导通状态D 、正向偏置未导通状态4、在本征半导体中掺入 A 构成P 型半导体;A 、3价元素B 、4价元素C 、5价元素D 、6价元素5、 PN 结V —I 特性的表达示为 AA 、)1(/-=T D V v S D e I iB 、D v S D e I i )1(-=C 、1/-=TD V v S D e I i D 、T D V v D e i /=7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12k Ω的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 CA 、 10k ΩB 、2k ΩC 、4k ΩD 、3k Ω8、三极管工作于放大状态的条件是 AA 、发射结正偏,集电结反偏B 、发射结正偏,集电结正偏C 、发射结反偏,集电结正偏D 、发射结反偏,集电结反偏9、三极管电流源电路的特点是A 、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小B 、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大C 、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大10、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC应当 AA、短路B、开路C、保留不变D、电流源11、带射极电阻R e的共射放大电路,在并联交流旁路电容C e后,其电压放大倍数将 BA、减小B、增大C、不变D、变为零12、有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大;在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的 BA、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入 CA、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路14、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示,当V CE=6V,其电流放大系数β为 B图1A、β=100B、β=50C、β=150D、β=2515、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、、2V,见图2所示则此三极管为 D图2A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管16、多级放大电路的级数越多,则其 AA、放大倍数越大,而通频带越窄B、放大倍数越大,而通频带越宽C、放大倍数越小,而通频带越宽D、放大倍数越小,而通频带越窄17、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为A、20倍B、-20倍C、-10倍D、倍18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时,要求AA、独立信号源短路,负载开路B、独立信号源短路,负载短路C、独立信号源开路,负载开路D、独立信号源开路,负载短路19、场效应管放大电路的输入电阻,主要由C决定A、管子类型B、g mC、偏置电路D、V GS20、场效应管的工作原理是DA、输入电流控制输出电流B、输入电流控制输出电压C、输入电压控制输出电压D、输入电压控制输出电流21、场效应管属于 AA、单极性电压控制型器件B、双极性电压控制型器件C、单极性电流控制型器件D、双极性电压控制型器件22、如图3所示电路为 CA 、甲类OCL 功率放大电路B 、乙类OCL 功率放大电路C 、甲乙类OCL 功率放大电路D 、甲乙类OTL 功率放大电路23、与甲类功率放大方式比较,乙类OCL 互补对称功放的主要优点是 CA 、不用输出变压器B 、不用输出端大电容C 、效率高D 、无交越失真24、与乙类功率放大方式比较,甲乙类OCL 互补对称功放的主要优点是 DA 、不用输出变压器B 、不用输出端大电容C 、效率高D 、无交越失真25、在甲乙类功放中,一个电源的互补对称电路中每个管子工作电压CE V 与电路中所加电源CC V 关系表示正确的是 BA 、CC CE V V =B 、CC CE V V 21= C 、CC CE V V 2= D 、以上都不正确 26、通用型集成运放适用于放大BA 、高频信号B 、低频信号C 、任何频率信号D 、中频信号27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是 AA 、反相输入端为虚地B 、输入电阻大C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是 DA 、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路B 、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路C 、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路D 、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路29、共模抑制比K CMR 越大,表明电路CA 、放大倍数越稳定B 、交流放大倍数越大C 、抑制温漂能力越强D 、输入信号中的差模成分越大30、差动放大器由双端输入变为单端输入,差模电压增益是 CA 、增加一倍B 、为双端输入时的一半C 、不变D 、不确定31、电流源的特点是直流等效电阻BA 、大B 、小C 、恒定D 、不定32、并联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的BA 、1+AF 倍B 、1/1+AF 倍C 、1/F 倍D 、1/AF 倍33、为了使放大电路的输入电阻增大,输出电阻减小,应当采用 AA 、电压串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流串联负反馈D 、电流并联负反馈34、为了稳定放大电路的输出电流,并增大输入电阻,应当引入 AA 、电流串联负反馈B 、电流并联负反馈C 、电压串联负反馈D 、电压并联负反馈35、如图4为两级电路,接入R F 后引入了级间 AA 、电流并联负反馈 图4 图4B 、电流串联负反馈C 、电压并联负反馈D 、电压串联负反馈36、某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选 AA 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈37、某传感器产生的电压信号几乎不能提供电流,经过放大后希望输出电压与信号成正比,此放大电路应选A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈38、桥式整流电路若变压器二次电压为t u ωsin 2102=V,则每个整流管所承受的最大反向电压为AA 、210VB 、220VC 、20VD 、2V45、在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,则 CA 、输出电压约为2U DB 、输出电压约为U D /2C 、整流管将因电流过大而烧坏D 、变为半波整流46、直流稳压电源中滤波电路的目的是 CA 、将交流变为直流B 、将高频变为低频C 、将交、直流混合量中的交流成分滤掉D 、保护电源47、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U 2为其输入电压,输出电压的平均值约为BA 、U 0=B 、U 0=C 、U 0=D 、U 0=部分选择题一、单项选择题1.图示晶体管T 处于放大工作状态,从各个电极的电位值,可判定它是 D硅管硅管锗管锗管2.某一差动放大电路的输入信号u i1=10mV,u i2=-5mV,则该差放电路的共模信号u c和差模信号u d分别为A15mV ,15mV, ,5mV3.负反馈放大电路中引入电压串联负反馈措施后,放大电路的输入及输出电阻值r i及r0的变化情况是 C、r0均增大、r0均降低增大、r0降低降低、r0增大4.对于桥式全波整流电路,正确的接法是BA. B.C. D.5.PN结加正向电压时,空间电荷区将 A ;A. 变窄B. 基本不变C. 变宽6.稳压管的稳压区是其工作在 B ;A. 反向截止B.反向击穿C. 正向导通7.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 C ;A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者也正偏C. 前者正偏、后者反偏8.选用差分放大电路的原因是 A ;A.克服温漂B. 稳定放入倍数C. 提高输入电阻9.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的 C ;A.增强差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用 C ;A.共基放大电路 B. 共集放大电路C.共射放大电路12.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大 C ;A.直流功率B.交流功率C.平均功率13.功率放大电路的转换效率是指 C ;A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比C.最大输出功率与电源提供的平均功率之比。

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期末复习填空题(共177空)1、BJT三极管内部有个PN结,JFET三极管内部有个PN结,MOS场效应管共有种类型。

将。

2、当场效应管的漏极静态电流增大时,它的低频跨导gm3、本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力。

电子型半导体称型半导体。

4、二极管最主要的特性。

温度升高时,二极管的反向饱和电流。

5、PN结加正向电压,空间电荷区将;PN结加反向电压,空间电荷区将。

6、稳压管通常工作在区,反向电流在较大范围内变化时,两端电压。

7、BJT三极管是控制器件,除共射连接外还有共基和共集连接方式。

场效应管是控制器件。

8、P型半导体是在本征半导体中掺入了原子(填“受主”或“施主”)形成的杂质半导体,其少子是。

9、杂质半导体的导电性能决定于。

10、PN结反偏电压越大其势垒电容越。

11、N型半导体是在本征半导体中掺入了 5 价元素的原子,其多数载流子是。

12、二极管的伏安特性方程为。

13、BJT三极管工作在放大状态时,发射结偏,集电结偏;当温度升高时,三极管电流放大倍数变化的趋势是。

14、P型半导体是在本征半导体中掺入价元素的原子,其多数载流子是。

≈;二极管的整流作用是利用了PN结的15、二极管正向导通时的交流电阻rd____特性。

16、BJT三极管工作在饱和状态时,发射结偏,集电结偏。

17、当温度升高时,BJT三极管集射极之间的穿透电流I CEO变化的趋势是。

18、N型半导体是在本征半导体中掺入了原子(填“受主”或“施主”),其少数载流子是。

19、PN结有两种电容效应,除扩散电容外还存在电容。

20、一般二极管作稳压二极管使用;稳压二极管作一般二极管使用(填“能”或“不能”)。

21、三极管工作在放大状态时,发射结电流是电流,集电结电流是电流(填“正向”或“反向”)。

22、按结构不同场效应管分为型和型两大类。

23、温度升高时,杂质半导体中的(填“少子”或“多子”)浓度明显增加。

24、二极管在温度升高时,正向特性曲线移;反向特性曲线移。

25、稳压管是利用了二极管的反向击穿特性制成的。

26、在JFET、增强型MOSFET及耗尽型MOSFET中,U=0V时能够工作在恒流区的FETGS是 JFET 和耗尽型MOSFET 。

27、如果BJT三极管电极电位分别为-2.5V,-3.2V,-9V,则可以判断此三极管为PNP 型三极管。

28、由NPN管组成的单管共射放大电路中,当静态工作电流太时,易产生饱和失真,输出电压波形被削去;饱和失真时集电结偏。

29、图1所示是N沟道JFET的转移特性曲线,其饱和漏极电流I DSS= mA,夹断电U GS(off)= V。

图130、图2所示场效应管可能工作在区(填“夹断”或“恒流”)。

图231、在NPN型单管共射放大电路中,当信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图3所示,则该电路产生了失真(填“饱和”或“截止”)。

图332、图4所示场效应管可能工作在区(填“夹断”或“恒流”)。

图433、在NPN型单管共射放大电路中,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图5所示,说明电路产生了失真(填“饱和”或“截止”)。

图534、图6所示场效应管可能工作在区(填“夹断”或“恒流”)。

图635、在PNP型单管共射放大电路中,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图7所示,说明电路产生了失真(填“饱和”或“截止”)。

图736、在图8所示的电路中,稳压管DZ 的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,输入电压UI =12V,电阻R=100Ω,在稳定条件下IL的数值最大不应超过 mA 。

图837、两个电流放大系数分别为β1和β2的晶体管复合,其复合管的β值约为。

38、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中,电路频带较宽(填“共射”、或“共基”或“共集”)。

39、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中,电路功率放大较强(填“共射”、或“共基”或“共集”)。

40、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中,电路带负载能力较强(填“共射”、或“共基”或“共集”)。

41、在BJT多级放大电路中,已知第一级电压放大倍数为10,第二级电压放大倍数为(-10),第三级电压放大倍数为1,总的电压放大倍数为,第一级是组态放大电路,第二级是组态放大电路,第三级是组态放大电路。

42、若三级放大电路中第一、第二及第三级的增益分别为30dB,20dB,10dB,则其总电压增益为 dB。

43、复合晶体管还称为管,其主要作用是。

44、若差分放大电路反相输入端和同相输入端的输入信号分别是uI1=20mV,uI2=30mV,则该差分放大电路的共模输入电压uIC = mV,差模电压uId= mV。

45、在差分放大电路中,发射极耦合电阻Re对信号的放大作用无影响,对信号具有抑制作用。

差分放大器的共模抑制比KCMR=。

46、产生零点漂移的主要原因温度变化引起的半导体器件参数的变化,在电路结构上采用差分放大器能够有效抑制零点漂移。

47、差分放大电路的主要功能是对差模信号,对共模信号。

48、集成运放通常将互补输出(共集)电路放置于输出级,其主要原因是输出电压线性范围宽,输出电阻小,非线性失真小。

49、集成运放通常将差分放大电路放置于输入级,其主要原因是减小温漂。

50、作低频放大器,应优先使用集成运放;作内阻为100kΩ信号源的放大器,应优先使用集成运放;作宇航仪器中所用放大器,应优先使用集成运放(填:高压型、大功率型、高精度型、通用型、高速型、低功耗型、高阻型)。

51、恒流源电路在集成运放中除了为各级放大电路提供静态电流外,还可作为共射电路或共基电路负载以提高。

52、当放大电路的输入信号频率等于截止频率时,放大电路的电压放大倍数的大小约下降到中频时的,即增益下降 dB。

53、场效管的高频特性比晶体管的高频特性要(填“好”或“差”)。

54、放大电路在提高放大倍数的同时,其频带宽度将变。

55、晶体管极间电容越,则其高频特性越好。

56、影响放大电路低频特性的电容是电容;影响放大电路高频特性的电容是电容。

57、BJT三极管的特征频率fT 越大,说明其高频特性越;fT与电流放大倍数的上限频率f 的关系近似为。

58、已知某放大电路如图9所示,电路中D1和D2管的作用是消除。

图959、功率放大电路的两个主要性能参数是和。

60、功率放大电路的转换效率是指。

61、如图10所示的功率放大电路处于类工作状态;其静态功耗为 0 ;电路的最大输出功率约为。

图1062、互补功率放大器,设置静态工作点使两管均工作在乙类状态,将会出现 的不良现象。

63、在多级耦合放大电路中阻容耦合具有 优点。

64、在多级耦合放大电路中变压器耦合具有 实现阻 优点。

65、在多级耦合放大电路中光电耦合具有 优点。

66、理想运算放大器的差模输入电阻等于_ _,开环增益等于______。

67、同相比例运放电路中引入了 负反馈网络。

68、电压比较器以阈值来分类有 电压比较器和 电压比较器。

69、放大电路中引入 负反馈,可以实现电压—电流转换。

70、放大电路中引入 负反馈,可以实现电流—电压转换。

71、电压比较器电压传输特性的三要素是 最大和最小输出电压 ; 阀值电压: ;电压传输特性 。

72、反相比例运放电路,引入了 负反馈网络。

73、设一阶有源滤波电路的电压传递系数为)20001/(20)fj f A u +=(,则此滤波器为 滤波器,其通带放大倍数为 ,截止频率为 Hz 。

74、在信号处理电路中,当有用信号频率低于100Hz 时,可选用 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 滤波器。

75、乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ = 、静态时的电源功耗P DC = 。

这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 7 。

76、当集成运放工作于线性状态时可用 和 两个特点来分析运放电路,而工作于非线性状态只能运用 这个特点来分析电路。

77、负反馈对放大电路的主要影响 改变输入和输出电阻 、 稳定放大倍数 、展宽频率 、 减小非线性失真 。

78、按滤波电路的元器件分类滤波器可分 滤波器和 滤波器;按滤波电路中有无放大电路分 滤波器和 滤波器。

79、交流电流并联负反馈放大电路,可以稳定输出 , 输入电阻, 输出电阻;交流电压串联负反馈放大电路可以稳定输出 , 输入电阻, 输出电阻。

80、直流电源的主要技术指标稳压系数定义r S 为 负载一定时,稳压电路输出电压相对变化量与其输入电压相对变化量的比值 。

81、PWM 开关电源是指 开关电源。

82、集成芯片LM7805是 电路。

83、集成芯片LM7812是 电路。

84、直流电源的主要技术指标电压调整率定义为 在额定负载且输出电压产生最大变化的条件下,输出电压产生的变化量 。

85、开关电源中DC-DC 电路是 电路。

86、集成电路LM317是 电路。

87、直流电源的主要技术指标电压调整率(以mV 为单位)定义为 在负载恒定条件下,输入电压产生的最大变化时输出电压的变化量。

88、直流电源的主要技术指标电流调整率(以mV为单位)定义为在输入电压稳定的条件下,输出电流变化最大时输出电压的变化量。

89、直流电源以调整管的工作状态分为线性稳态电源和开关型稳压型电源两种,两种电源中开关型稳压型电源的效率要高。

90、集成三端稳压器的输入电压比输出电压最低应高 3 V。

91、为消除互补功率放大器交越失真现象,一般采取保护措施。

92、集成三端稳压器LM7909的输出电压为 -9 V。

LM7824的输出电压 24 V。

93、直流电源通常采用电容元件滤除高频噪声信号。

94、在图11所示电路中,输出电压最大值的表达式为。

图1195、为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用直接耦合方式,为了实现阻抗变换,使信号与负载间有较好的匹配,放大电路应采用变压器 _ 耦合方式。

96、对于单相桥式整流电路,若其输入交流电压有效值为10V,则整流后的输出电压平均值等于___9_ ___V;整流滤波以后的输出电压平均值约等于 13 V。

97、开关电源稳压电路按电路连接方式分为串联型稳压电路和并联型稳压电路,前者为降压型开关电源,后者为升压型开关稳压电源。

98、PFM开关电源是指脉冲频率调制型开关电源。

99、开关电源比线性电源应用广,是因为电路工作效率高。

100、直流电源一般由电源变压器;整流电路;滤波电路及稳压电路四部分组成。

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