晶体二极管及其应用
第二讲 半导体二极管及应用
导通:u 导通 D=Uon+ID×rD 截止: 截止 iD=0
2、交流小信
Q
UD
ID
id
+
id
+ -
uD =UD +ud
uD
-
rd
ud
交流小信号模型
当在二极管的工作点上叠加有低频交流小信号电压ud时， 只要工作点选择合适， 足够小，可将Q点附近的伏安特性 只要工作点选择合适，且ud足够小，可将 点附近的伏安特性 线性化)， 曲线看成直线(线性化 曲线看成直线 线性化 ，则交流电压与电流之间的关系可用一 来近似。 个线性电阻rd来近似。 rd ——工作点处的交流电阻。 rd = UT / ID 工作点处的交流电阻。 ★注意：小信号模型只能反映交流电压和电流之间的关系， 注意：小信号模型只能反映交流电压和电流之间的关系， 不能反映总的电压与电流的关系。 不能反映总的电压与电流的关系。
3、二极管的伏安特性曲线与材料和温度的关系： 二极管的伏安特性曲线与材料和温度的关系： iD 锗 硅 iD 80 20
0
uD
0
uD
材 料 硅 锗
导通 反向饱 开启 电压 压降 和电流 0.5V 0.6~0.8V <1A 0.1V 0.2~0.3V 几十 几十A
温度升高， 增大(1倍 ° 温度升高， IS增大 倍/10°C) 下降， 温度升高， 温度升高，Uon下降， 正向曲线左移2~2.5mV/ °C。 正向曲线左移 。
IZ
电击穿有两种： 电击穿有两种： 雪崩击穿 齐纳击穿
击穿 低掺杂的 高掺杂的 结 结 原因 PN结， PN结，价 价电子被 电子被场 碰撞电离 致激发 如果反向击穿时，电流过大， 如果反向击穿时，电流过大，使 >6V <4V 击穿 管子消耗的平均功率超过二极管 电压 容许值，会使管子过热而烧毁， 容许值，会使管子过热而烧毁， >0 <0 温度 为不可逆击穿。 称为热击穿，为不可逆击穿。 电击穿可利用，热击穿需避免。 *电击穿可利用，热击穿需避免。 系数
晶体二极管的作用
晶体二极管的作用晶体二极管（Diode）是一种半导体器件，它有着极其特殊的电学性质，被广泛应用于各种电子电路中。
它由一个P型半导体区和一个N型半导体区组成，形成一个PN结。
正向偏置时，它能够导电，反向偏置时则不能导电。
晶体二极管可以起到限流、整流、削波、稳压等重要作用。
1.整流作用最常见的就是晶体二极管的整流作用。
在交流电源的电路中，只需将一个晶体二极管接在负载电路的正向，就可以将交流信号变成单向的直流信号，这种装置就是晶体二极管整流电路。
整流电路适用于安装需要单向电流供应的场合，如通信和发射功率调整，无源放大器、送放控制设备中，它常常与电容、电感等器件组成滤波电路，使输出直流电压更加平稳。
2.削波作用当同时加以交流电压和正向直流电压时，晶体二极管呈现出的电流形象是一个波形。
因波形只能转化为单向的直流流动，因而波形的负半周期无法通过二极管。
这时，只是将波形最高处的峰值电压所对应的电路电压传递下来。
这是晶体二极管起到的削波作用。
削波可以使用单个二极管或者多个二极管连接使用。
二极管削波电路能够使输入变成干净的脉冲或方波，被广泛应用于瞬态脉冲信号的接收和处理，如雷达灌频、电视机图像扫描等。
在电路中，当需要限制电流时，就可以使用晶体二极管起到限流作用。
晶体二极管的正向电压方向流电流，反向电压方向不流电流，因此可以通过二极管来控制流经负载的电流。
在使用限流电路时，需要对二极管的最大电压和功率进行规定，这样可以使二极管正常工作，同时不会损坏二极管。
4.稳压作用晶体二极管具有一定的稳压特性，可以使用稳压二极管在电路中实现电压稳定的目的。
稳压二极管具有在一定范围内几乎恒定的反向电压导通能力。
当电路的输入电压变化时，稳压二极管能够自动调节输出电压以保持输出电压恒定。
稳压二极管被广泛应用于像色相信号放大器、音频信号放大器、直流电源电路等电子电路中。
总之，晶体二极管在电子电路中有着非常广泛的应用，可以起到限流、整流、削波、稳压等重要作用。
晶体二极管及应用练习题
第一题晶体二极管及应用练习题一、填空题。
1、物质按其导电性能分为、、。
2、半导体具有、、。
3、本征半导体是指的半导体。
其内部自由电子数空穴数。
4、自由电子带一个单位的电荷，空穴带一个单位的电荷，它们电性，电量。
5、运载电荷，形成电流的微粒称为。
6、半导体中的载流子有和两种。
7、N型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。
其内部自由电子数空穴数。
8、P型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。
其内部自由电子数空穴数。
9、在一块本征半导体基片上，采用特殊方式，使一边形成P型半导体区域，另一边形成N型区域，在P区和N区交界面附近形成一个特殊薄层。
这个薄层就是。
10、PN结的内电场方向是。
11、如果给PN结加上电压称为给PN结以。
12、若PN结的P区接电源的极，N区接电源极，称为正向偏置，简称；若PN结的P区接电源的极，N 区接电源极，称为反向偏置，简称。
13、PN结的特性是。
即。
14、二极管的内部结构，究其本质而言，它就是一个。
15、二极管的伏安特性是指：。
16、在直角坐标系中，用横轴表示，纵轴表示。
将流过二极管的电流随偏置电压变化而变化的关系特性，以曲线的形式描述出来，这个曲线称为。
17、二极管的正向特性是指：在偏置电压作用下，流过二极管的电流随电压变化而变化的关系特性。
其正向特性是：在正偏压较低（即：低于）时，正向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内，正向电流正偏压变化而变化，其等效电阻；当正偏压大于后，流过二极管的正向电流随正偏电压变化而变化，此区域为，其等效电阻。
在此区域，二极管两端的正偏电压变化不大，近似为一个固定值，硅管约为，鍺管约为。
18、二极管的反向特性是指：在偏置电压的作用下，流过二极管的随电压的变化而变化的关系特性。
其反向特性是指：在反偏压较低（即低于）时，流过二极管的反向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内流过二极管的反向电流反偏压变化，其等效电阻。
当反偏压大于后，流过二极管的反向电流，此区域称为。
二极管,三极管,晶体管概念和用途
二极管、三极管、晶体管概念和用途一、二极管的概念和用途二极管是一种具有两个电极的半导体器件，它具有单向导电特性。
当施加正向电压时，二极管正向导通，电流通过；当施加反向电压时，二极管反向截止，电流基本不通过。
二极管主要用于整流、稳压、开关和检波等电路中。
1、整流在交流电路中，二极管可以将交流信号转换为直流信号。
通过二极管整流，可以将交流电源转换为直流电源，以满足电子设备对直流电源的需求。
2、稳压二极管还可以作为稳压器使用。
在稳压电路中，通过合理连接二极管和电阻，可以实现对电压的稳定。
3、开关由于二极管具有导通和截止的特性，可以将其应用到开关电路中。
在开关电路中，二极管可以控制电流的通断，实现对电路的控制。
4、检波二极管还可以用作检波器。
在无线电接收机中，二极管可以将射频信号转换为音频信号，实现信息的接收和解调。
二、三极管的概念和用途三极管是一种具有三个电极的半导体器件，分为发射极、基极和集电极。
三极管具有放大、开关等功能，是现代电子设备中不可或缺的器件。
1、放大在放大电路中，三极管可以对输入信号进行放大处理。
通过合理设置电路参数，可以实现对电压、电流和功率等信号的放大。
2、开关与二极管类似，三极管也可以用作开关。
通过控制基极电流，可以实现对集电极与发射极之间的电流通断控制。
3、振荡在振荡电路中，三极管可以实现信号的自激振荡。
通过反馈电路的设计，可以使三极管产生稳定的振荡信号。
4、调制在通信系统中，三极管可以用于信号的调制。
通过三极管的放大和调制功能，可以实现对射频信号等信息的传输。
三、晶体管的概念和用途晶体管是一种半导体器件，是二极管的发展和改进，是现代电子技术的重要组成部分，被广泛应用于放大、开关、振荡和数字逻辑电路等领域。
1、放大晶体管可以作为放大器使用，实现对信号的放大处理。
晶体管的放大能力较强，可以应用于音频放大、射频放大等领域。
2、开关晶体管也可以用作开关。
与三极管类似，晶体管可以实现对电路的控制，用于开关电源、数码电路等领域。
晶体管的特性与应用
特性
适用范围
超快速二极管
反向恢复时间较短，正向压降 主要应用在开关电源中作高 较低，反向击穿电压（耐压值） 频整流、续流元件，高频电 较高 路中的限幅、嵌位等
萧特基二极管 耐压比较低，反向漏电流比 主要应用在高频低压电路
较大，反向恢复时间较短， 开关损耗小 中
整流二极管
允许通过的电流比较大，反 广泛应用于处理频率不高 向击穿电压比较高，但PN结 的电路中 电容比较大
限幅元件
正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为 0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元 件，可以把信号幅度限制在一定范围内。用于 电压波动较大的地方。
UPS中电压波动较大的地 方有市电侦测，电池电压 侦测，温度侦测等，所以 在送入单片机检测端时须 限幅，厂内一般使用 IN4148( 0.15A 75V) 、作为 限幅元件。
1 2 3
三极管的特性与应用
晶体三极管又称双极器件（Bipolar Junction Transistor,用BJT表示），它的基本组成部分是 两个靠得很近且背对背排列的PN结。根据排列 的方式不同，晶体三极管分为NPN和PNP两种 类型。晶体三极管和晶体二极管一样都是非线 性器件，但它们的主要特性却截然不同。晶体 二极管的主要特性是单向导电性，而晶体三极 管的主要特性则与其工作模式有关。
肖特基二极管其主要特点是正向导通压降小 （约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小， 存在的问题是耐压比较低，反向漏电流比较大。 目前应用在功率变换电路中的肖特基二极管的 大体水平是耐压在150V以下，平均电流在 100A以下，反向恢复时间在10～40ns。肖特基 二极管应用在高频低压电路中，是比较理想的。
晶体管开关损耗 △P ＝ ic * uc
二极管原理范文范文
二极管原理范文范文二极管是一种半导体器件，也称为晶体二极管，其原理是基于半导体的PN结特性。
理解二极管的工作原理是电子学基础知识的重要组成部分，因此在学习电子学和电路设计方面起着关键作用。
下面将详细介绍二极管的原理及其应用。
首先，我们需要了解二极管的结构。
二极管由两种不同类型的半导体材料组成，其中P型材料带正电荷，N型材料带负电荷。
当P型和N型材料相互结合时，形成PN结。
PN结的结构是二极管工作的关键部分，可以将这种结构看作一个电子场效应晶体管。
在PN结中，电子从N区域流向P区域，空穴则从P区域流向N区域，这种电子和空穴的运动形成了一个电场，使得二极管产生导电效果。
二极管的原理是基于PN结的特性而来。
当二极管处于正向偏置时，即P端连接正极，N端连接负极，电流可以流经二极管，二极管呈导通状态。
而当二极管处于反向偏置时，即P端连接负极，N端连接正极，电流无法流经二极管，二极管处于截止状态。
这是因为在正向偏置时，电流可以克服PN结的势垒，而在反向偏置时，势垒阻止电流通过。
二极管的工作原理可以用电子能级图来解释。
在二极管的PN结中，形成一个势垒，即禁带宽度，当二极管处于正向偏置时，电子由势垒的高能级移动到低能级，形成电流。
而当二极管处于反向偏置时，电子无法通过势垒，因此电流无法流通。
二极管有许多应用，其中最常见的是整流器。
二极管可以将交流电信号转换为直流电信号，因为在正半周时，二极管导通，电流可以流过；而在负半周时，二极管截止，电流无法流通。
另外，二极管还可用作电压调节器，稳压电源等。
总之，二极管是一种重要的电子器件，其工作原理基于PN结的特性。
通过正向偏置和反向偏置，二极管可以实现电流的导通和截止。
二极管在电子学和电路设计领域有着广泛的应用，是电子技术的基础。
理解二极管的工作原理对于深入学习电子学和电路设计非常重要。
希望本文可以帮助读者更好地理解二极管的原理及应用。
二极管的用途和种类
二极管的用途和种类二极管是一种只可以让电流在一个方向上流通的电子器件，被广泛应用于各种电子设备和电路中。
它是由N型半导体和P型半导体组成的晶体管，具有单向导电特性，可以在电子学中光偶合、整流、变频、检波、限幅、稳压、电压调节、放大等方面进行应用。
下面我们将详细介绍二极管的种类和应用。
1.普通二极管普通二极管是最基本的二极管器件，它的主要特点是正向电压小，反向电压大。
常用于整流、限流、稳压等电路中。
2.肖特基二极管肖特基二极管也被称为热电子二极管，由于它的构造与普通二极管不同，特点是正向导通电压低，截止电压高，反向漏电流小。
常用于高频电路和微波电路。
3.恢复二极管5.隧道二极管隧道二极管又被称为双基势垒二极管，它的主要特点是负电阻特性，可以在信号放大、振荡、开关电源等方面进行应用。
6.光电二极管光电二极管也被称为光敏二极管，它的主要特点是将光能转化为电能。
它经过改良可以用于太阳能电池、红外线探测器和光电传感器等方面。
肖特基光伏二极管又被称为太阳电池，它是一种将光能转化为电能的半导体器件，在太阳能领域得到了广泛的应用。
8.集成二极管集成二极管是一种被集成在芯片上的电子器件，可用于微处理器、存储器、数字信号处理器等领域。
1.整流普通二极管经常被应用于整流电路中，可以将交流电转变为直流电。
2.稳压肖特基二极管、肖特基势垒二极管、恢复二极管、稳压管等可以被用于稳压电路中，协助电路实现稳定的电压输出。
3.放大隧道二极管由于具备负电阻特性，因此可以被应用于放大电路中。
4.开关二极管在电路中还可以被用于开关电路中，可以进行快速的打开和关闭操作。
总结：二极管是一种经典的电子器件和半导体材料科学中的基础研究领域，其种类繁多，应用广泛，再加上它具有单向导电特性，因此在电子学中得到了广泛的应用。
这使得二极管成为电子学中不可或缺的元件之一。
二极管及其应用PPT课件
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37
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2 半导体二极管的模型
半导体二极管是一种非线性器件 理想二极管模型
(a)伏安特性曲线 (b)代表符号(c)正向偏置
时的电路模型 (d)反向偏置时的电路模型
图13 理想模型
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39
例1 电路如图14所示。
三只性能相同的
二极管 D1、D2、D3和三只
220V，40W 的灯泡 L1、L2、
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31
2、二极管的主要参数
（1）最大整流电流 IF 在规定散热条件下，二极管长期使用时，
允许通过二极管的最大正向平均电流。由 PN 结的面积和散热条件决定，如果电流超 过这个值，很可能烧坏二极管。
（2）最高反向工作电压 URM 二极管工作时允许加的最大反向电压。
为确保管子安全运行，通常规定URM约为击 穿电压UBR的一半。
++ + +
多数载流子——自由电子
少数载流子—— 空穴
.
施主离子
10
（2） P型半导体（空穴型半导体）
在本征半导体中掺入三价的元素（硼）
空穴
空穴
+4
+4
+4
ห้องสมุดไป่ตู้
+4
+4
+43
+43
+4
+4
+4
+4
+4
.
返11 回
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
当反向电压增加到反向击穿电压UBR时，反向电流急剧增大，这种 现象称为“反向击穿”。反向击穿破坏了二极管的单向导电性，如果 没有限流措施，二极管可能因电流过大而损坏。
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2.二极管的交流小信号模型
iD Q点附近的一定范围内伏 安特性曲线可近似看成 直线， 交流电压ud和电流id之间的 关系可用一个线性电阻来 近似，这就是二极管的小 信号模型。 二极管小信号模型就是 工作点处的交流电阻rd， id rd
1．3．4 二极管应用电路举例
1．二极管限幅电路 假设输入信号ui (t)是振幅为3V的正弦电压 + R ui(t) + 3V D1 D2 uo(t) ui(t) Si二极管D1和D2可以用恒压源 近似(UON ≈0．7V)
t
3V 当| ui (t)| < UON时，D1和D2均未导通，视为开路，故限 0.7V 流电阻R上电流为零，此时uo(t)=ui(t) 当ui (t)> UON时，D1导通(D2仍截止)，使uo(t)保持0．7V不变 当ui(t)< -UON时，D2导通(D1截止)，uo(t)保持在-0．7V不变 这是一种双向限幅电路
2．二极管钳位电路
钳位电路是一种能改变信号的直流电压成分的电路 ui(t)是幅度为±2．5V的方波 uc=2．5V ui - + 2.5V C ui(t) t RR uo(t) D -2.5V 充电
放 电
uo
5V 但只要RR>>RD，这种失 当ui(t)为负半周时，二极管导通 真并不大 t 当ui(t)为正半周时，二极管截止， 钳位电路有时也叫直流 由于二极管导通电阻RD很小，使 电容无法放电， 恢复电路 电容C被迅速充电到ui(t)的峰值电 u当ui(t)下一个负半周到来时， 5V o uo(t) = ui(t)+ 2．5V= 5V 因电容上电压已是2．5V， 压2．5V (应满足条件：T／2比 采用钳位电路就能将行 使二极管上电压为 RDC大数倍，T为输入方波的周期)。 同步脉冲的顶部 “钳 ” t 实际电路在二极管反偏截止时会有一个等效的反偏电阻RR，这使得在ui (t)的正半 uo(t) = ui(t)+ 2．5V=0 V，二 在同一电平上 周二极管截止时电容会经RR放电，当ui(t)负半周到来时电容又被充电到峰值，即 极管仍然不会导通
U Im ax U Z R
R
U Im in iD /mA UZ
S i I Z min 20 R R L min 15 U10 in U Z Im R R 5 I Z min U Z L min R L min
U Im in U Z 1.0 uR / V IIZmin U D L min R L min Z min Z
IIZmax Zmax
2 稳压管电路
整流滤波电路 D C R
UoRL是用电负载+IL)R =UZ=UI - (IZ IR
IZ UZ DZ IL RL Uo + R称为限流电阻i S 输入电压UI必须大于 击穿电压
uD / V iD
稳压管稳压电路 当RL一定
设UI
UZ
IZ
(IZ+IL)R
Uo变化很小
uD
1
rd
di D du D
Q
i D I S (e
UT
1)
代人式 iD
rd
UT ID
ΔI Q（UD，ID）
对线性电阻而言，直流电阻 与交流电阻其值相同。二极 管的交流电阻rd与直流电阻 RD是两个不相同的概念
uD ΔU
3．二极管的其他参数 最大平均整流电流IF 最大反向工作电压UR ：二极管反偏电压过大可能发生反向击穿
1μ A 1.0
0.7V
uD /V
0.3V 当uD<0．5V时，正向电流实际很小，不能认为PN结 而当uD>0．6V以后，正向电流急剧增大，PN结呈现 硅PN结导通电压为0．7V 锗PN结导通电压为0．3V 真正导通 较陡的伏安特性
（2)反偏PN结伏安特性方程
反偏时（即uD<0）， 且当uD＜＜-4UT时， ①二极管反偏时，Ge U e 1 管的反向饱和电流至 少比Si管大三个数量 二极管的反偏伏安特性方程 i D I S 级以上 反向电流不随反向偏压而变化， ②温度增加时，二极 反偏时PN结仅有很小的反向饱 管的反向饱和电流明 和电流，相当于截至、可看成 显增大 一个高阻抗的元件
RD U
D Q
iD
ID2
ID1 Q1
Q2
ID
即RDl =UD1/ID1 ，RD2 = UD2/ID2 。 显然，RD2<RDl ID|Q RD
UD1 UD2
uD
二极管反偏时因电流极小，故反偏时直 流电阻很大
2．交流电阻rd 在二极管将工作点处电压的微变增量与相应的电流微变增量 的比值称为二极管在该点处的交流电阻rd 二极管在工作点（Q）处的交流（动态）电阻rd被表示为 rd ≈Δ U／Δ I 将
T
uD
iD I S (e
iD /mA T2 20 Ge
UT
1)
uD
iD /mA
T1
Si
15 10 5
1μ A 1.0 uD /V
T2 >T1
温度升高时，正向伏 PN结的伏安特性曲线 安特性曲线左移 每温升10℃，反向饱
T1
Is=0.1 pA
1pA
1.0
T2 和电流增大约一倍 当温度增加时，正向 硅（Si）PN结的反向饱和电流IS在10－9～10－15A量级， 电流也会增大 锗（Ge） PN结IS在uA量级
1．3 晶体二极管及其应用
封 装
二极管的结构 点接触型和面接触型
正 极
P
N
负 极
二极管的电路符号 二极管符号中的箭头 方向就是二极管正向 电流的方向
1．3 ．1 晶体二极管的伏安特性
1 ．二极管的理想伏安特性方程
电流与端电压之间的关系
uD
PN结伏安特性方程
iD I S (e
UT
1)
uD是加在二极管上的端电压，UT为热电压当量，UT＝kT/q, （当T＝300K时UT ＝26mV）。IS即为PN结反向饱和电流，与 少数载流子浓度有关 正偏时取uD>0，反偏时uD代入负值
使输入电压增量的绝大部分都降落在电阻R上 当UI一定 设RL IL (IZ+IL)R UZ IZ Uo变化很小
选择稳压管时应注意
IZ不能过大，应使IZ≤IZmax
IZ也不能太小，应使IZ≥IZmin ， 否则不能稳定输出电压 限流电阻值R必 U Im ax U Z 须满足下列关系 R L max I Z max U Z (1)当UI=UImax和IL=ILmin （即RL=RLmax）时 IZ= IRmax-ILmin< IZmax
IIZmin Zmin
⑤电压温度系数α U 击穿电流大于该值 稳压管就是一种专门工作 /U T 后稳压性能才好 在反向击穿状态的二极管
Z Z
UZ>7V的稳压管一般为雪崩击穿型， 击穿电流不允许超 α为正，Uz<4V的稳压管一般为齐 过该值，否则稳压 稳压管工作时负极要接高 纳击穿型，α为负在(IZmin ～IZmax)范 管会因管耗过大而 DZ rz越小的管子稳压性 围内，稳压管交流 电位，并使其击穿 P ＝ 烧坏(此时管耗 Z UZ 在4V～7V之间的稳压管一般为 能越好 电阻的典型值 + UZ IZmax) 混合击穿型 稳压管电路符号 双稳压管电路符号
（1）正偏PN结伏安特性方程
正偏时（即uD>0）， 且当uD＞4UT时
uD
uD
iD I S (e
iD /mA
UT
1)
e
UT
1
二极管的正偏伏安特性方程
uD
Ge
iD I S e
UT
Si
PN结的伏安特性曲线
正偏PN结存在着一个导 通电压UON ，称为二极 管的正向开启（死区或 门限）电压
UZ
R L max R
IZmax
UZ R L max
I Z max
R L max
整流滤波电路
U Im ax U Z R L max I Z max U Z
D
R IR
(2) 当UI=UI min和IL=ILmax (即RL=RLmin)时 IZ=IRmin-ILmax> IZmin
UR在数值上应小于反向击穿电压U（BR）
反向电流IR ：IR就是反向饱和电流IS
最高工作频率fM
1．3．3 二极管模型 1.二极管伏安特性的分段线性近似模型 Didel (1)理想开关模型 适用于UD>>UON -uD+ uD 正偏时正向电压为零 反偏时反向电流为零 iD
单向
iD
(2)恒压源模型 适用直流电压 伏安特性曲线
-0.7V
ui(t)
t
+ + ui(t) -
R
D1 D2 uo(t) -
限幅电路在脉冲电路中常用 作波形变换，如将正弦电压 变为方波。在模拟电子设备 中，限幅电路可作保护电路。 例如接收机输入端在遇到强 电压干扰时，可能造成电路 不能正常工作甚至损坏设备。 若在输入端加入限幅器，则 可避免这种情况。对正常接 收的信号，由于输入信号幅 度很小，限幅器并不起作用。
雪崩击穿电压较高，一般高于6V。温度升高时，击穿电压增大 齐纳击穿电压较低，一般小于4V。温度升高时，击穿电压减小 空间电荷区 空间电荷区
1．3．2 二极管的直流电阻和交流电阻
1．直流电阻RD
一般把加在二极管上的直流偏置电 压UD和直流偏置电流ID称为二极管 的工作点（Q）
二极管的直流电阻RD定义为：该工作 点处的直流电压和直流电流的比值
(3) 折线近似模型