晶体二极管和二极管整流电路

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最新 年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案

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《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间:60分钟 总分: 分 班级: 班 命题人:一、判断题1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别,若提高环境温度导电能力会减弱。

(错误)2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

(正确)3. N 型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。

(正确)4. P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P 型半导体呈负电性。

(错误)5. PN 结正向偏置时,其内外电场方向一致。

(错误)6. 晶体二极管为一个由p 型半导体和n 型半导体形成的PN 结。

(正确)7. 半导体二极管主要是依靠PN 结而工作的。

(正确) 8. 二极管具有单向导电性。

(正确) 9. 二极管是线性器件。

(错误)10. 二极管和三极管都是非线性器件。

(正确)11. 二极管处于导通状态,呈现很大的电阻,在电路中相当于开关的断开特性。

(错误)12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。

(错误) 13. 二极管的核心是一个PN 结,PN 结具有单向导电特性。

(正确)14. PN 结的单向导电性,就是PN 结正向偏置时截止,反向偏置时导通。

(错误)15. 二极管两端加上反向电压时,反向电流不随反向电压变化而变化,这时二极管的状态为截止。

(正确)16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时,而反向电流基本不变。

(正确)17. 二极管只要工作在反向击穿区,就一定会被击穿损坏。

(错误)18. 点接触型二极管其PN 结的静电容量小,适用于高频电路。

(正确)19. 整流二极管多为面接触型的二极管,结面积大、结电容大,但工作频率低。

(正确)20. 整流二极管多为点接触型的二极管,结面积小、结电容大,但姓名: 考号: 班级:工作频率低。

(错误)21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。

(错误)22. 制作直流稳压电源元件中,整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。

晶体二极管的作用

晶体二极管的作用

晶体二极管的作用晶体二极管(Diode)是一种半导体器件,它有着极其特殊的电学性质,被广泛应用于各种电子电路中。

它由一个P型半导体区和一个N型半导体区组成,形成一个PN结。

正向偏置时,它能够导电,反向偏置时则不能导电。

晶体二极管可以起到限流、整流、削波、稳压等重要作用。

1.整流作用最常见的就是晶体二极管的整流作用。

在交流电源的电路中,只需将一个晶体二极管接在负载电路的正向,就可以将交流信号变成单向的直流信号,这种装置就是晶体二极管整流电路。

整流电路适用于安装需要单向电流供应的场合,如通信和发射功率调整,无源放大器、送放控制设备中,它常常与电容、电感等器件组成滤波电路,使输出直流电压更加平稳。

2.削波作用当同时加以交流电压和正向直流电压时,晶体二极管呈现出的电流形象是一个波形。

因波形只能转化为单向的直流流动,因而波形的负半周期无法通过二极管。

这时,只是将波形最高处的峰值电压所对应的电路电压传递下来。

这是晶体二极管起到的削波作用。

削波可以使用单个二极管或者多个二极管连接使用。

二极管削波电路能够使输入变成干净的脉冲或方波,被广泛应用于瞬态脉冲信号的接收和处理,如雷达灌频、电视机图像扫描等。

在电路中,当需要限制电流时,就可以使用晶体二极管起到限流作用。

晶体二极管的正向电压方向流电流,反向电压方向不流电流,因此可以通过二极管来控制流经负载的电流。

在使用限流电路时,需要对二极管的最大电压和功率进行规定,这样可以使二极管正常工作,同时不会损坏二极管。

4.稳压作用晶体二极管具有一定的稳压特性,可以使用稳压二极管在电路中实现电压稳定的目的。

稳压二极管具有在一定范围内几乎恒定的反向电压导通能力。

当电路的输入电压变化时,稳压二极管能够自动调节输出电压以保持输出电压恒定。

稳压二极管被广泛应用于像色相信号放大器、音频信号放大器、直流电源电路等电子电路中。

总之,晶体二极管在电子电路中有着非常广泛的应用,可以起到限流、整流、削波、稳压等重要作用。

二极管试题

二极管试题

一、晶体二极管和二极管整流电路一、填空1、纯净的半导体称为,它的导电能力很。

在纯净的半导体中掺入少量的价元素,可形成P型半导体,又称型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为。

2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导体。

3、如图,这是材料的二极管的曲线,在正向电压超过 V后,二极管开始导通,这个电压称为电压。

正常导通后,此管的正向压降约为 V。

当反向电压增大到 V时,即称为电压。

其中稳压管一般工作在区。

4、二极管的伏安特性指和_____后,二极管导通。

正常导通后,硅管约为 V,锗管约为 V。

5、二极管的重要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管导通;给二极管加电压,二极管截止。

6、PN结的单向导电性指,当反向电压增大到时,反向电流会急剧增大,这种现象称。

7、二极管的主要参数有 ________、_________和,二极管的主要特性是。

8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。

两次测的阻值相差越大,则说明二极管的性能越好。

9、整流是指_______________________________________,整流电路分可为:和电路。

将交流电转换成较稳定的直流电,一般要经过以下过程:___________ →____________ →____________ →____________10、有一直流负载RL =9Ω,需要直流电压VL=45V,现有2CP21(IFM =3000mA,VRM=100V)和2CP33B(IFM=500mA, VRM=50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路,应选用型二极管只。

11、稳压二极管的稳压特性指,动态电阻rZ越大,说明稳压性能越。

12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去,获得比较的直流电,通常接在电路的后面。

《电工与电子技术基础》电子部分习题

《电工与电子技术基础》电子部分习题

第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管(第一课时)一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是()A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为()A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。

2、PN结具有的性能,即:加电压时PN结导通;加的电压时PN结截止。

三、解答题1、图所示的电路中,哪些灯泡能发亮?第一节晶体二极管(第二课时)一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V,负极电位是-5V,则该二极管处于()A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于()A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应该把欧姆挡拨到()A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门槛电压,则晶体二极管相当于()A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时,该二极管相当于()A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为V,锗二极管的正向压降为V。

2、晶体二极管因所加电压过大而。

并出现的现象,称为热击穿。

3、下面每小题后面的括号内,提供几种答案,选择正确的填在相应的横线上。

(1)简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结?(能;不能;不一定)(2)二极管导通时,则二极管两端所加的是电压。

(正向偏置;反向偏置;无偏置)(3)当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时,二极管才能导通。

(击穿;饱和;门槛)(4)二极管两端的反向偏置电压增高时,在达到电压以前,通过的电流很小。

(击穿;最大;短路)第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中,试分析输入端a、b间输入交流电压υ时,通过R1、R2两电阻上的是交流电,还是直流电?2、若将单相桥式电路接成如图的形式,将会出现什么结果,应如何改正?3、如图所示两个电路中,设V1、V2均为理想二极管(即正向导通时其正向电阻和正向压降为零,反向截止时其反向电阻无穷大的二极管),试判断两图中的二极管是截止的还是导通的,A、B两端的电压V AB=?C、D端的电压V CD=?4、画出半波整流电路图。

2015年电子招收中职毕业生题库二

2015年电子招收中职毕业生题库二

2015年湖北省普通高等学校招收中职毕业生技能高考电子类技能考试样库第一章•晶体二极管及二极管整流电路第一节.识记二极管单向导电性,二极管伏安特性和主要参数;A:判断题:1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别,若降低环境温度导电能力会减弱。

()2.用万用表测试晶体管时,选择欧姆档RX10K档位。

()3.在P型半导体中,少数载流子是空穴,多数载流子是电子。

()4.用万用表测试晶体管时,选择欧姆档RX0K档位()。

5.PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。

()6.N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。

()7 .二极管和三极管都是非线性器件。

()8.二极管加反向电压时,形成很小的反向电流,在电压不超过某一范围时,二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变()9.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。

()B:选择题1.P型半导体的多数载流子是()。

A.电子B.空穴C.电荷D.电流2.晶体硅或锗中,参与导电的是()。

A.离子B.自由电子C.空穴D.B和C3.下列说法正确的是()。

A.N型半导体带负B.P型半导体带正C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场,短接两端会有电流产生4.N型半导体的多数载流子是()。

A.电流B.自由电子C.电荷D.空穴5.关于P型.N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是()。

A.无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B.P型半导体中只有空穴导电C.N型半导体中只有自由电子参与导电D.在半导体中有自由电子•空穴•离子参与导电6.稳压二极管是利用PN结的()来实现稳压性能的。

A.反向击穿特性B.正向导通性C.反向截止性D.单向导电性7.锗二极管导通时,它两端电压约为()。

A.1VB.0.7VC.0.3VD.0.5V8.关于N型半导体的下列说法,错误的是()。

A.自由电了是多数载流子B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼,可形成N型半导体D.在PNP型晶体管中,基区是N型半导体9.半导体的导电能力随温度升高而(),金属导体的电阻随温度升高而()A.降低/降低B.降低/升高C.升高/降低D.升高/升高10.PN结呈现正向导通的条件是()。

中职《电子线路》课件:1.2 晶体二极管整流电路

中职《电子线路》课件:1.2  晶体二极管整流电路

选管条件:
(1)二极管允许的最大反向电压应大于承受的反向峰值 电压;
(2)二极管允许的最大整流电流应大于流过二极管的实 际工作电流。
电路缺点:电源利用率低,纹波成分大。 解决办法:全波整流
1.2.2 单相全波整流电路 (一)变压器中心抽头式单相全 波整流电路
1. 电路如图 1.2.2:
全波整流桥 变压 式器中心抽头式 V1 、 V2 为 性 能 相 同 的 整 流 二极管;T为电源变压器,作用 是产生大小相等而相位相反的 v2a和v2b。
3.负载和整流二极管上的电压和电流
(1)负载电压VL
VL = 0.45 V2 (2)负载电流IL
(1.2.1)
IL
VL RL
0.45V2 RL
(1.2.2)
(3)二极管正向电流IV和负载电流IZ
IV
IL
0.45V2 RL
(1.2.3)
(4)二极管反向峰值电压VRM
VRM 2V2 1.41V2
(1.2.4)
整流元件组合件称为整流堆,常见的有: (1)半桥:2CQ型,如图1.2.8(a)所示; (2)全桥:QL型,如图1.2.8(b)所示。
优点:电路组成简单、可靠。
图1.2.8 半桥和全桥整流堆
(3)二极管的平均电流IV
IV
1 2
IL
(1.2.9) (1.2.10) (1.2.11)
(4)二极管承受反向峰值电压 VRM
VRM 2V2 (1.2.12)
优点:输出电压高,纹波小,VRM 较低。应用广泛。
[例1.2.1] 有一直流负载,需要直流电压 VL 60V,直
流电流 I L 4 A。若采用桥式整流电路,求电源变压器次
可见,在v1一周期内,流过二极管的电流iV1 、iV2叠加形 成全波脉动直流电流iL,于是RL两端产生全波脉动直流电压 vL。故电路称为全波整流电路。

晶体二极管和二极管整流电路试题

晶体二极管和二极管整流电路试题

晶体二极管一、选择题(每题分,计分)1.二极管正向导通时,呈现 ············································································ ( )A. 较小电阻B. 较大电阻C. 不稳定电阻D. 无法确定2.硅稳压管稳压电路适用于 ············································································ ( )A. 输出电流较大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合B. 输出电流不大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合C. 输出电流不大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合D. 输出电流较大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合3.关于晶体二极管的正确叙述是 ······································································ ( )A. 普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏B. 普通二极管发生热击穿,不发生电击穿C. 硅稳压二极管只发生电击穿,不发生热击穿,所以要串接电阻降压D. 以上说法都不对4.硅材料二极管的正向压降一般为( ) VA. 0.2B. 0.3C. 0.5D. 0.75.通常要求二极管正反向电阻相差 ··································································· ( )A. 越小越好B. 越大越好C. 无差别较好D. 无穷大最好6.判别二极管的极性是用万用表的 ··································································· ( )A. 电阻挡B. 直流电压挡C. 直流电流挡D. 交流电流挡7.二极管两端加正向电压时 ············································································ ( )A. 一定导通B. 超过死区电压才导通C. 超过0.7V导通D. 超过0.3V才导通8.二极管的正向电阻与反向电阻关系是 ····························································· ( )A. 正向电阻远大于反向电阻B. 正向电阻远小于反向电阻C. 正向电阻等于反向电阻D. 无法确定9.用万用表判断发光二极管正负性时,一般选用电阻量程 ····································· ( )A. R×1B. R×10C. R×100或R×1KD. R×10K10.如图,电源接通后,正确说法为·································································· ( )A. H1、H2、H都可能亮B. H1、H2、H都不亮C. H1可能亮,H2、H不亮D. H不亮,H1、H2可能亮11.下列说法正确的是···················································································· ( )A. N型半导体带负电B. P型半导体带正电C. PN结型半导体为电中性体D. PN结内存在着内电场,短接两端会有电流产生12.PN结的主要特性为 ·················································································· ( )A. 正向导通特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性D. 反向截止特性13.当环境温度升高时,半导体二极管的反向饱和电流将 ······································ ( )A. 减小B. 不变C. 增大D. 消失14.从二极管的伏安特性可以看出,二极管两端压降大于( ) 时,处于正向导通状态A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降15.半导体在外电场作用下,( ) 做定向移动形成电流A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 无法确定16.单相半波整流电容滤波电路,当负载开路时,输出电压为 ································ ( )C. 0.45U2D. U2A. 0B.17.当温度升高时,二极管反向饱和电流将························································· ( )A. 增大B. 减小C. 不变D. 等于零18.二极管导通后,当流过它的电流增加一倍时,它两端的电压将 ·························· ( )A. 增加一倍B. 略有增加C. 增加一倍以上D. 不变19.用万用表的“R×10”档和“R×100”档测量同一个二极管的正向电阻,两次测得的值分别为R1和R2,则二者相比 ············································································ ( )A. R1>R2B. R1=R2C. R1<R2D. 说不清哪个大20.晶体二极管正向偏置是指··········································································· ( )A. 正极接高电位,负极接低电位B. 正极接低电位,负极接高电位C. 二极管没有正负极之分D. 二极管的极性任意接21.半导体中的导电粒子有·············································································· ( )A. 自由电子B. 正电荷C. 空穴D. 自由电子和空穴22.如图,V为理想二极管,描述正确的是························································· ( )A. V导通,V AB=0VB. V导通,V AB=15VC. V截止,V AB=12VD. V截止,V AB=3V23.二极管内部是由( ) 所构成的。

电子线路晶体二极管整流电路 教案

电子线路晶体二极管整流电路 教案

新课
导通V v = 0.7 V 截止V v = 3 V(反向)
)单相交流电压v1经变压器降压后输出为v2;
正半周时,A为正,B为负。

二极管承受正向电压导通,电路有电流。

.标出电流方向。

.若二极管电压为0,v L与v2的关系如何?
负半周时,B为正,A为负。

二极管随反向电压截止,电路中几乎无电流。

上只有自上而下的单方向电流,即R L的电流为直流电流。

是变压关系,波形为正弦波。

.正向导通时,v L与v2几乎相等,即v L随v2同步变化。

新课
变压器二次若为正半电压,则A端为正,B端为负,且)当输入电压为正半周时,A、B、C三点电位高低如何?
为正时,导通的二极管是V1,V3,截止的是V2,V 为正时的导通电路。

上的电流方向。

2V
新课
.桥式整流电路中,当v2正半波时,哪些二极管承受反向电压?画出等效电路图。

)整流电路分析基本方法。

)各种整流电路的对比。

2-10。

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第1章 晶体二极管和二极管整流电路教学重点1.了解半导体的基本知识:本征半导体、掺杂半导体;掌握PN 结的基本特性。

2.理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。

3.了解几种常用的二极管:硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。

4.掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作原理与性能特点;了解电容滤波电路的工作原理。

5.了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。

教学难点1.PN 结的单向导电特性。

2.整流电路和滤波电路的工作原理。

3.硅稳压管稳压电路的稳压过程。

学时分配1.1 晶体二极管1.1.1 晶体二极管的单向导电特性⎩⎨⎧体三极管等器件:晶体二极管、晶等、变压器、电感电容、元件:电阻电子元器件T)()()()(L C R1.晶体二极管 (1) 外形如图1.1.1(a )所示,晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。

管体外壳的标记通常表示正极。

(2) 图形、文字符号如图1.1.1(b )所示,晶体二极管的图形由三角形和竖杠所组成。

其中,三角形表示正极,竖杠表示负极。

V 为晶体二极管的文字符号。

2.晶体二极管的单向导电性 动画 晶体二极管的单向导电性(1) 正极电位>负极电位,二极管导通; (2) 正极电位<负极电位,二极管截止。

即二极管正偏导通,反偏截止。

这一导电特性称为二极管的单向导电性。

[例1.1.1] 图1.1.3所示电路中,当开关S 闭合后,H 1、H 2两个指示灯,哪一个可能发光?解 由电路图可知,开关S 闭合后,只有二极管V 1正极电位高于负极电位,即处于正向导通状态,所以H 1指示灯发光。

1.1.2 PN 结二极管由半导体材料制成。

动画 PN 结 1.半导体导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。

如硅(Si )或锗(Ge )半导体。

半导体中,能够运载电荷的的粒子有两种:—载流子—均可运载电荷量的正电空穴:带与自由电子等自由电子:带负电⎭⎬⎫⎩⎨⎧ 载流子:在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴,统称载流子。

如图1.1.4所示。

2.本征半导体不加杂质的纯净半导体晶体。

如本征硅或本征锗。

本征半导体电导率低,为提高导电性能,需掺杂,形成杂质半导体。

3.杂质半导体为了提高半导体的导电性能,在本征半导体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。

根据掺杂的物质不同,可分两种:(1) P 型半导体:本征硅(或锗)中掺入少量硼元素(3价)所形成的半导体,如P 型硅。

其中,多数载流子为空穴,少数载流子为电子。

图1.1.4 半导体的两种载流子图1.1.3 [例1.1.1]电路图图1.1.1 晶体二极管的外形和符号(2) N 型半导体:本征硅(或锗)中掺入少量磷元素(5价)所形成的半导体,如N 型硅。

其中,多数载流子为电子,少数载流子为空穴。

将P 型半导体和N 型半导体使用特殊工艺连在一起,形成PN 结。

4.PN 结N 型和P 型半导体之间的特殊薄层叫做PN 结。

PN 结是各种半导体器件的核心。

如图1.1.5所示。

PN 结具有单向导电特性。

即:P 区接电源正极,N 区接电源负极,PN 结导通;反之,PN 结截止。

晶体二极管之所以具有单向导电性,其原因是内部具有PN 结。

其正、负极对应于PN 结的P 型和N 型半导体,如图1.1.5所示。

1.1.3 二极管的伏安特性动画 二极管的伏安特性 1.定义二极管两端的电压和流过的电流之间的关系曲线叫作二极管的伏安特性。

2.测试电路:如图1.1.6所示。

3.伏安特性曲线:如图1.1.7所示。

4.特点 (1) 正向特性① 正向电压V F 小于门坎电压V T 时,二极管V 截止,正向电流I F =0;其中,门槛电压⎩⎨⎧=(Ge) V 0.2(Si)V 5.0T V② V F > V T 时,V 导通,I F 急剧增大。

导通后V 两端电压基本恒定:⎩⎨⎧=(Ge)0.3V (Si)V 7.0on V 导通电压结论:正偏时电阻小,具有非线性。

(2) 反向特性反向电压V R < V RM (反向击穿电压)时,反向电流I R很小,且近似为常数,称为反向饱和电流。

V R > V RM 时,I R 剧增,此现象称为反向电击穿。

对应的电压V RM 称为反向击穿电压。

结论:反偏电阻大,存在电击穿现象。

1.1.4 二极管的简单测试图1.1.5 PN 结图1.1.6 测试二极管伏安特性电路图1.1.7 二极管伏安特性曲线用万用表检测二极管如图 1.1.8所示。

1.判别正负极性万用表测试条件:R ⨯ 100 Ω 或R ⨯ 1 k Ω; 将红、黑表笔分别接二极管两端。

所测电阻小时,黑表笔接触处为正极,红表笔接触处为负极。

2.判别好坏万用表测试条件:R ⨯ 1 k Ω。

(1) 若正反向电阻均为零,二极管短路; (2) 若正反向电阻非常大,二极管开路。

(3) 若正向电阻约几千欧姆,反向电阻非常大,二极管正常。

1.1.5 二极管的分类、型号和参数1.分类(1) 按材料分:硅管、锗管;(2) 按PN 结面积:点接触型(电流小,高频应用)、面接触型(电流大,用于整流); (3) 按用途:如图1.1.9所示, 例如利用单向导电性把交流电变成直流电的整流二极管;利用反向击穿特性进行稳压的稳压二极管;利用反向偏压改变PN 结电容量的变容二极管;利用磷化镓把电能转变成光能的发光二极管;将光信号转变为电信号的光电二极管。

2.型号举例如下 整流二极管——2CZ82B稳压二极管——2CW50 变容二极管——2AC1等等。

3.主要参数 (1) 普通整流二极管① 最大整流电流I FM :二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。

② 最高反向工作电压V RM :二极管允许承受的反向工作电压峰值。

③ 反向漏电流I R :规定的反向电压和环境温度下,二极管反向电流值。

(2) 稳压二极管主要参数:稳定电压V Z 、稳定电流I Z 、最大工作电流I ZM 、最大耗散功率P ZM 、动态电阻r Z 等。

图1.1.8 万用表检测二极管图1.1.9 二极管图形符号1.2 晶体二极管整流电路整流:把交流电变成直流电的过程。

二极管单相整流电路:把单相交流电变成直流电的电路。

整流原理:利用二极管的单向导电特性,将交流电变成脉动的直流电。

⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧倍压整流桥式变压器中心抽头式全波整流半波整流单相整流电路种类 1.2.1 单相半波整流电路动画 单相半波整流电路1. 电路如图1.2.1(a )所示。

V :整流二极管,把交流电变成脉动直流电; T :电源变压器,把v 1变成整流电路所需的电压v 2。

2. 工作原理设v 2为正弦波,波形如图1.2.1(b )所示。

(1) v 2正半周时,A 点电位高于B 点电位,二极管V 正偏导通,则v L ≈ v 2;(2) v 2负半周时,A 点电位低于B 点电位,二极管V 反偏截止,则v L ≈ 0。

由波形可见,v 2一周期内,负载只有单方向的半个波形,这种大小波动、方向不变的电压或电流称为脉动直流电。

上述过程说明,利用二极管单向导电性可把交流电v 2变成脉动直流电v L 。

由于电路仅利用v 2的半个波形,故称为半波整流电路。

3.负载和整流二极管上的电压和电流 (1) 负载电压V L = 0.45V 2 (1.2.1)(2) 负载电流 45.0L2L L L R V R V I ==(1.2.2) (3) 二极管正向电流和负载电流L2L V 45.0R V I I == (1.2.3)(4) 二极管反向峰值电压22RM 41.12V V V ≈= (1.2.4)图1.2.1 单相半波整流电路图1.2.2 变压器中心抽头式全波整流电路选管条件:(1) 二极管允许的最大反向电压应大于承受的反向峰值电压;(2) 二极管允许的最大整流电流应大于流过二极管的实际工作电流。

电路缺点:电源利用率低,纹波成分大。

解决办法:全波整流。

1.2.2 单相全波整流电路⎩⎨⎧桥式变压器中心抽头式全波整流一、变压器中心抽头式单相全波整流电路1.电路图变压器中心抽头式单相全波整流电路如图1.2.2所示。

V 1、V 2为性能相同的整流二极管;T 为电源变压器,作用是产生大小相等而相位相反的v 2a 和v 2b 。

2.工作原理(1) v 1正半周时,T 次级A 点电位高于B 点电位,在v 2a 作用下,V 1导通(V 2截止),i V1自上而下流过R L ;(2) v 1负半周时,T 次级A 点电位低于B 点电位,在v 2b 的作用下,V 2导通(V 1截止),i V2自上而下流过R L ;可见,在v 1一周期内,流过二极管的电流i V1、i V2叠加形成全波脉动直流电流i L ,于是R L 两端产生全波脉动直流电压v L 。

故电路称为全波整流电路。

3.负载和整流二极管上的电压和电流(1) 负载电压2L 9.0V V = (1.2.5) (2) 负载电流L2L L L 9.0R V R V I == (1.2.6)(3) 二极管的平均电流 L V 21I I =(1.2.7) (4) 二极管承受反向峰值电压 2RM 22V V = (1.2.8)缺点:单管承受的反向峰值压比半波整流高一倍,变压器T 需中心抽头。

二、单相桥式全波整流电路 动画 桥式全波整流电路 1.电路图图1.2.4 桥式整流电路工作过程图1.2.3 桥式整流电路图1.2.5 桥式整流电路工作波形图单相桥式全波整流电路如图1.2.3所示。

V 1 ~ V 4为整流二极管,电路为桥式结构。

2.工作原理(1) v 2正半周时,如图1.2.4(a )所示,A 点电位高于B 点电位,则V 1、V 3导通(V 2、V 4截止),i 1自上而下流过负载R L ;(2) v 2负半周时,如图1.2.4(b )所示,A 点电位低于B 点电位,则V 2、V 4导通(V 1、V 3截止),i 2自上而下流过负载R L ;由波形图1.2.5可见,v 2一周期内,两组整流二极管轮流导通产生的单方向电流i 1和i 2叠加形成了i L 。

于是负载得到全波脉动直流电压v L 。

3.负载和整流二极管上的电压和电流(1) 负载电压2L 9.0V V = (1.2.9)(2) 负载电流L2L L L 9.0R V R V I == (1.2.10)(3) 二极管的平均电流 L V 21I I =(1.2.11) (4) 如图1.2.6所示,二极管承受反向峰值电压为2RM 2V V = (1.2.12)优点:输出电压高,纹波小,V RM 较低,应用广泛。

桥式整流电路简化画法如图1.2.7所示。

图1.2.6 桥式整流二极管承受的反向峰值电压 图1.2.7 桥式整流电路简化画法[例1.2.1] 有一直流负载,需要直流电压V L = 60 V ,直流电流I L = 4 A 。

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