电容器参数的基本公式
电容器计算公式范文
电容器计算公式范文
在介绍电容器计算公式之前，我们先来了解一下电容的基本概念。
电容是指电容器在存储电荷时，其两极之间所形成的电势差与所存储电量的比值，即C=Q/V，其中C表示电容，Q表示电荷量，V表示电容器两极之间的电压。
根据电容器的构造和材料性质，电容的计算公式有：
1.平板电容器计算公式：
C=ε0*εr*A/d
2.球形电容器计算公式：
C=4πε0εrR
其中C表示电容，ε0表示真空中的介电常数，εr表示球壳的相对介电常数，R表示球壳的半径。
3.圆柱形电容器计算公式：
C = 2πε0εrln(b/a)
其中ln表示自然对数，C表示电容，ε0表示真空中的介电常数，εr表示电容器的相对介电常数，a表示两个平行板的内半径，b表示两个平行板的外半径。
除了以上三种常见的电容器构造，还有一些特殊的电容器，如电解电容器、可变电容器等，其计算公式也有所不同。
此外，电容器的串联和并联关系也对电容值有影响：
1.串联电容器的电容值Ct可以通过以下公式计算：
1/Ct=1/C1+1/C2+...+1/Cn
其中C1,C2,...,Cn为串联电容器的电容值。
2.并联电容器的电容值Ct可以通过以下公式计算：
Ct=C1+C2+...+Cn
其中C1,C2,...,Cn为并联电容器的电容值。
总结：
电容器的电容值可以通过不同的构造和材料性质来计算。
通常的计算公式包括平板电容器、球形电容器和圆柱形电容器的公式。
电容器的串联和并联关系也影响电容值，在串联电容器中，电容值为各个电容器电容值的倒数之和；在并联电容器中，电容值为各个电容器电容值的总和。
电子电路电容容值计算公式
电子电路电容容值计算公式在电子电路中，电容是一种常用的元件，用于存储电荷和能量。
在设计和分析电路时，计算电容的容值是非常重要的。
本文将介绍电子电路中电容容值的计算公式，并对其应用进行讨论。
电容的容值是指电容器可以存储的电荷量，通常用法拉（Farad）作为单位。
在实际的电子电路中，电容的容值往往是通过其几何尺寸和材料特性来确定的。
对于平行板电容器，其容值可以通过以下公式来计算：C = εA/d。
其中，C表示电容的容值，单位为法拉；ε表示介电常数，单位为法拉/米；A 表示电容器的平行板面积，单位为平方米；d表示平行板之间的距离，单位为米。
在这个公式中，介电常数ε是介质的特性参数，不同的介质具有不同的介电常数。
例如，空气的介电常数约为8.85×10^-12法拉/米，而铝电解电容器的介电常数约为9×10^-12法拉/米。
平行板电容器的面积A和板间距d可以通过实际测量或设计参数来确定。
除了平行板电容器，圆柱形电容器的容值也可以通过类似的公式来计算：C = 2πεl/log(b/a)。
其中，C表示电容的容值，单位为法拉；ε表示介电常数，单位为法拉/米；l 表示圆柱体的长度，单位为米；a和b分别表示内外半径，单位为米。
通过这些公式，我们可以计算出不同形式的电容器的容值，从而在电子电路设计中进行合理的选择和应用。
在实际的电子电路设计中，电容的容值对于电路的性能有着重要的影响。
例如，在滤波电路中，电容的容值决定了滤波器的截止频率；在振荡电路中，电容的容值决定了振荡频率。
因此，正确计算电容的容值对于电路的性能和稳定性至关重要。
此外，电容的容值还会受到温度、频率和电压等因素的影响。
在高温环境下，电容的介电常数可能会发生变化；在高频率下，电容的等效串联电阻和等效串联电感也会对电路性能产生影响；在高电压下，电容的极化效应也需要考虑。
因此，在实际的电路设计中，需要综合考虑以上因素，选择合适的电容器并正确计算其容值。
X电容和放电电阻计算以及Y电容漏电流计算
X电容和放电电阻计算以及Y电容漏电流计算电容和放电电阻计算电容是电路中常用的元件之一，它的作用是储存电能并且能够在需要时释放电能。
在计算电容和放电电阻时，我们需要了解电容的基本参数以及相关公式。
1.电容的基本参数电容的两个重要参数是容量和工作电压。
容量用单位法拉（F）表示，工作电压用单位伏特（V）表示。
电容容量越大，可以储存的电能就越多。
2.电容和放电电阻的计算电容和放电电阻的计算可以使用以下公式：a)电容的计算公式电容的计算公式为：C=Q/V，其中C为电容的容量，Q为电容上储存的电量，V为电容的电压。
根据该公式，我们可以通过电容的容量和工作电压来计算电容上储存的电量。
b)放电电阻的计算公式放电电阻的计算公式为：R=(Rv*C)/(1-e^(-t/RC))，其中R为放电电阻的阻值，Rv为电容上方的电阻，C为电容的容量，t为放电的时间，RC为电容的时间常数。
根据该公式，我们可以通过电容的容量、放电时间以及上方电阻的阻值来计算放电电阻的阻值。
Y电容是一种特殊类型的电容，它的特点是漏电流较大。
在计算Y电容的漏电流时，我们需要了解Y电容的漏电参数以及相关公式。
1.Y电容的漏电参数Y电容的漏电参数主要有漏电容值和漏电电阻值。
漏电容值表示在正常工作电压下，电容器两端的漏失电流占电流的比例。
漏电电阻值表示漏电均衡电路中电容器的等效电阻。
2.Y电容漏电流的计算公式Y电容漏电流的计算公式为：IL=I*C2/C1，其中IL为漏电流，I为电源电流，C1为Y电容的容量，C2为漏电电容的容量。
根据该公式，我们可以通过电源电流、Y电容的容量以及漏电电容的容量来计算漏电流的大小。
需要注意的是，Y电容的漏电流较大，因此在实际应用中需要特别注意安全问题，并采取合适的措施来避免漏电造成的危险。
总结电容和放电电阻计算以及Y电容漏电流计算是电容相关参数的计算方法。
通过以上公式和参数，我们可以计算出电容的容量、放电电阻的阻值以及Y电容的漏电流。
电容选型计算公式
电容选型计算公式
电容选型计算公式是指在电路设计过程中，根据电容的工作条件、电路参数等计算出需要使用的电容值的公式。
常用的电容选型计算公式有以下几种：
1. 电容器的容量
C=Q/V
其中，C为电容器的容量，Q为电容器所能存储的电荷量，V为
电容器所存储电荷的电势差。
2. 串联电容器的等效电容值
1/Ceq=1/C1+1/C2+...1/Cn
其中，Ceq为串联电容器的等效电容值，C1、C2、为串联
电容器的实际电容值。
3. 并联电容器的等效电容值
Ceq=C1+C2+
其中，Ceq为并联电容器的等效电容值，C1、C2、为并联
电容器的实际电容值。
4. 交流电容器的容抗
Xc=1/(2πfC)
其中，Xc为交流电容器的容抗，f为电路中交流信号的频率，C
为电容器的实际电容值。
以上便是常见的电容选型计算公式。
在实际应用中，根据电路设计的需求和具体情况选择合适的电容器并通过计算公式计算出正确
的电容值，有助于提高电路的性能和稳定性。
电力电容电流的计算方法
关于电力电容器的计算公式和产品选型说明1．补偿功率（无功输出）：Q=√3IU=2πfCU²(带n为额定值或标称值，如Qn、Un；不带n的为实际值，如Q、U) 如：BZMJ0.4-30-3电容器参数如下Qn=30KVarUn=0.4KVIn=43.3Af=50HzCn=596.8μF (制造商根据此值生产电容器，Cn一般不变)2．当电网电压变化时，电容器实际无功输出：Q=√3IU=2πfCnU²=(U/Un)²Qn （一般情况下，0.4KV的电容器使用在电压400V的线路上）▲如：Un=400V，U=440V （即0.4KV的电容器使用在电压440V的线路上）Q=（440/400）²×Qn=1.21Qn （此时电容器过载，电容器严重发热，寿命缩短）▲如：Un=450V，U=400V （即0.45KV的电容器使用在电压400V的线路上）Q=（400/450）²×Qn=0.79Qn （此时电容器为降额使用，无功输出不足，用户投资不经济，但可靠性提高，电容器寿命延长。
目前电容柜均为分组自动补偿，只要总的电容量充足，提高电容器额定电压不影响电容柜的补偿效果，产品寿命五年左右）3．当电网有谐波时，总电流增大或谐波电流分量增大。
如：I=1.4In，U=UnQ=√3IU=√3×1.4InUn=1.4Qn （此时电容器严重过载，电容器很快损坏失效）所以当用户发现电网存在谐波或使用有产生谐波的大功率负载（如中频炉，大型变频器、整流器等）或电容器上级的保护装置经常动作（如热继电器动作，保险丝熔断等），如检测电容器电流大于电容器额定电流的1.1倍以上，建议用户改用额定电压等级较高的电容器，如0.525KV等级：此时U=（400/525）Un=0.76Un，Q=√3IU=√3×1.4In×0.76Un=1.06Qn电容器过载不多，能勉强应付使用。
电容器公式
电容器公式电容器是一种被广泛应用于电子设备中的电子元件，它能够储存电荷并在需要的时候释放。
电容器的主要特点是它的电容量，即它可以存储的电荷量。
电容器的电容量与其结构和材料有关，并可以通过公式来计算。
在本文中，我们将介绍电容器的公式及其应用。
首先，让我们来研究电容器的基本结构。
电容器由两个电极（一正一负）和一层介质构成，介质可以是空气、塑料或其他绝缘材料。
电容器的结构决定了它的电容量。
电容量的单位是法拉（F），它表示电容器存储的电荷量。
电容器的公式是：C = Q/V其中，C表示电容量，Q表示储存的电荷量，V表示电容器的电压。
电容量可以通过电容器的结构和材料属性计算得出。
例如，平行板电容器是一种常见的电容器类型，由两个平行的金属板和一层绝缘材料（介质）构成。
对于平行板电容器，电容量可以通过以下公式计算：C = εA/d在这个公式中，C表示电容量，ε表示介质的介电常数，A表示两个金属板之间的面积，d表示两个金属板之间的距离。
根据上述公式，我们可以看出，电容器的电容量与介质的介电常数成正比，与金属板之间的面积成正比，与金属板之间的距离成反比。
因此，在设计和选择电容器时，我们可以通过调整介质的选择、金属板的尺寸和距离来控制电容量。
除了电容器的电容量，我们还可以通过电容器的电压来计算储存的能量。
电容器的能量（E）可以使用以下公式计算：E = 0.5CV^2在这个公式中，E表示能量，C表示电容量，V表示电容器的电压。
通过这个公式，我们可以看到，电容器的能量与电容量成正比，与电压的平方成正比。
这意味着，增加电容量或电压可以增加储存的能量。
电容器的公式在电子工程中有广泛的应用。
它们被用于各种电子设备，如电路板、电源、放大器等。
在设计这些电子设备时，电容器的选择和使用是非常重要的。
通过了解电容器的公式，工程师可以根据需求来选择合适的电容器，并计算所需的电容量和能量。
总结：电容器是一种常见的电子元件，可以储存电荷并在需要的时候释放。
电容换算公式
电容换算公式电容换算公式是电容器中电容值与电压和电荷之间的数学关系的表达式。
电容换算公式的基本形式为C = Q/V，其中C表示电容值，Q 表示电荷量，V表示电压。
这个公式揭示了电容器中存储电荷的能力与电压和电荷量之间的关系。
电容器是一种用于存储电荷的装置，它由两个导体板（通常是金属）之间夹着一层绝缘材料（通常是电介质）构成。
当电容器接通电源时，电荷会从一块导体板流向另一块导体板，导致电容器中储存电荷。
电容值表示电容器储存电荷的能力，单位是法拉(F)。
电容换算公式的意义在于可以通过已知的电荷量和电压值来计算电容值，或者通过已知的电容值和电压值来计算电荷量。
这对于电路的设计和分析非常重要。
当我们知道电容值和电压值时，可以利用电容换算公式计算电荷量。
例如，如果一个电容器的电容值为10微法，电压为5伏特，根据电容换算公式可以计算出电荷量为50微库仑。
同样地，如果已知电容值和电荷量，可以利用电容换算公式计算电压值。
例如，如果一个电容器的电容值为20微法，电荷量为100微库仑，根据电容换算公式可以计算出电压为5伏特。
电容换算公式的应用非常广泛。
在电子电路中，电容器常用于滤波、耦合、调谐等电路中。
通过选择合适的电容值，可以实现对电路的频率响应、信号幅度等特性的调节和控制。
在电力系统中，电容器常用于无功补偿，改善电力因数，提高电网的稳定性和效率。
在通信系统中，电容器也常用于电源滤波、信号隔离和保护等方面。
除了基本的电容换算公式外，还有一些衍生公式和概念与电容器的特性相关。
例如，与电容器的电荷量相关的概念有电容器的电荷密度、等效串联电容和等效并联电容。
与电容器的电压相关的概念有电容器的电场强度、等效串联电压和等效并联电压。
这些概念和公式在电路设计和分析中也有重要的应用。
电容换算公式是描述电容器中电容值与电压和电荷之间关系的重要工具。
通过电容换算公式，我们可以计算出电容器的电荷量、电压值等重要参数。
电容换算公式的应用广泛，涉及电子电路、电力系统、通信系统等领域。
电容器参数的基本公式
电容器参数的基本公式1、容量(法拉)英制： C = :(0.224 x K • A) / TD公制： C = :(0.0884 x K • A) / TD2、电容器中存储的能量E = ? CV23、电容器的线性充电量I = C (dV/dt)4、电容的总阻抗(欧姆)Z = V [ R S2 + (X C - X L) 2 ]5、容性电抗(欧姆)X C = 1/(2 nc)相位角①理想电容器：超前当前电压90°理想电感器：滞后当前电压90°理想电阻器：与当前电压的相位相同7、耗散系数(％)D.F. = tg S (损耗角)=ESR / X C=(2nC)(ESR)8、品质因素Q = cotan S = 1/ DF9、等效串联电阻ESR (欧姆)ESR = (DF) XC = DF/ 2 nC10、功率消耗Power Loss = (2 nCV2) (DF)11、功率因数PF = sin S (loss angle) —cos ①(相位角)12、均方根rms = 0.707 x V p13、千伏安KVA (千瓦)KVA = 2nCV2 x 10-314、电容器的温度系数T.C. = [ (C t — C25)/ C25 (T t — 25) ] x 10615、 容量损耗（％）CD = [ （C i - C 2） / C i ] X 100 16、 陶瓷电容的可靠性L o / L t = (V t / V o ) X (T t / T o )Y 17、 串联时的容值n 个电容串联：1/C T = 1/C 1 +1/C 2 + ….+ 1/C n两个电容串联：C T = C 1• C 2 / (C 1 + C 2)18、 并联时的容值C T = C 1 + C 2 + ….+ C n19、 重复次数(Againg Rate )A.R. = % ^C / decade of timeX , Y =电压与温度的效应指数电容的等效串联电阻 ESR普遍的观点是：一个等效串联电阻（ESR ）很小的相对较大容量的外部电容能很好地吸收快速转换时的峰值（纹波）电流。
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电容器参数的基本公式1、容量（法拉）英制：C = ( 0.224 ×K ·A) / TD公制：C = ( 0.0884 ×K ·A) / TD2、电容器中存储的能量E = ? CV23、电容器的线性充电量I = C (dV/dt)4、电容的总阻抗（欧姆）Z = √[ R S2+ (X C–X L)2]5、容性电抗（欧姆）X C= 1/(2πfC)相位角Ф理想电容器：超前当前电压90o理想电感器：滞后当前电压90o理想电阻器：与当前电压的相位相同7、耗散系数(%)D.F. = tg δ（损耗角）= ESR / X C= (2πfC)(ESR)8、品质因素Q = cotan δ= 1/ DF9、等效串联电阻ESR（欧姆）ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC10、功率消耗Power Loss = (2πfCV2) (DF)11、功率因数PF = sin δ(loss angle) –cos Ф(相位角) 12、均方根rms = 0.707 ×V p13、千伏安KVA （千瓦）KVA = 2πfCV2×10-314、电容器的温度系数T.C. = [ (C t–C25) / C25(T t–25) ] ×10615、容量损耗(%)CD = [ (C1–C2) / C1] ×10016、陶瓷电容的可靠性L0/ L t= (V t/ V0) X (T t/ T0)Y17、串联时的容值n 个电容串联：1/C T= 1/C1+ 1/C2+ …. + 1/C n两个电容串联：C T= C1·C2/ (C1+ C2)18、并联时的容值C T= C1 + C2+ …. + C n19、重复次数（Againg Rate）A.R. = % ΔC / decade of time上述公式中的符号说明如下：K = 介电常数 A = 面积TD = 绝缘层厚度V = 电压t = 时间RS = 串联电阻f = 频率L = 电感感性系数δ= 损耗角Ф= 相位角L0 =使用寿命Lt = 试验寿命V t= 测试电压V0 = 工作电压T t= 测试温度T0= 工作温度X , Y = 电压与温度的效应指数。
电容的等效串联电阻ESR普遍的观点是：一个等效串联电阻（ESR）很小的相对较大容量的外部电容能很好地吸收快速转换时的峰值（纹波）电流。
但是，有时这样的选择容易引起稳压器（特别是线性稳压器LDO）的不稳定，所以必须合理选择小容量和大容量电容的容值。
永远记住，稳压器就是一个放大器，放大器可能出现的各种情况它都会出现。
由于DC/DC 转换器的响应速度相对较慢，输出去耦电容在负载阶跃的初始阶段起主导的作用，因此需要额外大容量的电容来减缓相对于DC/DC 转换器的快速转换，同时用高频电容减缓相对于大电容的快速变换。
通常，大容量电容的等效串联电阻应该选择为合适的值，以便使输出电压的峰值和毛刺在器件的Dasheet 规定之内。
高频转换中，小容量电容在0.01μF 到0.1μF 量级就能很好满足要求。
表贴陶瓷电容或者多层陶瓷电容（MLCC）具有更小的ESR。
另外，在这些容值下，它们的体积和BO M 成本都比较合理。
如果局部低频去耦不充分，则从低频向高频转换时将引起输入电压降低。
电压下降过程可能持续数毫秒，时间长短主要取决于稳压器调节增益和提供较大负载电流的时间。
用ESR 大的电容并联比用ESR 恰好那么低的单个电容当然更具成本效益。
然而,这需要你在PCB 面积、器件数目与成本之间寻求折衷。
电容器的选择及分类通常，应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢？应基于以下几点考虑：1、静电容量；2、额定耐压；3、容值误差；4、直流偏压下的电容变化量；5、电容的类型；6、电容的规格。
那么，是否有捷径可寻呢？其实，电容作为器件的外围元件，几乎每个器件的Datasheet 或者Solutions，都比较明确地指明了外围元件的选择参数，也就是说，据此可以获得基本的器件选择要求，然后再进一步完善细化之。
其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装，具体要看产品所使用环境，特殊的电路必须用特殊的电容。
下面是chip capacitor 根据电介质的介电常数分类，介电常数直接影响电路的稳定性。
NP0 or CH （K < 150）：电气性能最稳定，基本上不随温度﹑电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的高频电路。
鉴于K 值较小，所以在0402、0603、0805 封装下很难有大容量的电容。
如0603 一般最大的10nF以下。
X7R or YB （2000 < K < 4000）：电气性能较稳定,在温度﹑电压与时间改变时性能的变化并不显著（ΔC < ±10%）。
适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路。
Y5V or YF（K > 15000）：容量稳定性较X7R 差（ΔC < +20% ～-80%），容量﹑损耗对温度、电压等测试条件较敏感，但由于其K 值较大，所以适用于一些容值要求较高的场合。
电容的分类电容的分类方式及种类很多，基于电容的材料特性，其可分为以下几大类：铝电解电容电容容量范围为0.1μF ～22000μF，高脉动电流、长寿命、大容量的不二之选，广泛应用于电源滤波、解藕等场合。
薄膜电容电容容量范围为0.1pF ～10μF，具有较小公差、较高容量稳定性及极低的压电效应，因此是X、Y 安全电容、EMI/EMC 的首选。
钽电容电容容量范围为2.2μF ～560μF，低等效串联电阻（ESR）、低等效串联电感（ESL）。
脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容，是高稳定电源的理想选择。
陶瓷电容电容容量范围为0.5pF ～100μF，独特的材料和薄膜技术的结晶，迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。
超级电容电容容量范围为0.022F ～70F，极高的容值，因此又称做“金电容”或者“法拉电容”。
主要特点是：超高容值、良好的充/放电特性，适合于电能存储和电源备份。
缺点是耐压较低，工作温度范围较窄。
电容器在电路中的作用作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种：1、应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用。
下面分类详述之：1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。
就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。
为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。
这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。
地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
2）去藕去藕，又称解藕。
从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。
如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。
去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。
旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。
高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。
这应该是他们的本质区别。
3）滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。
但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。
有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。
电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。
电容越大低频越容易通过，电容越大高频越容易通过。
具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。
曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。
由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。
它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。
滤波就是充电，放电的过程。
4）储能储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。
电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的B43504 或B 43505）是较为常用的。
根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。
2、应用于信号电路，主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用：1）耦合举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗，这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。
2）振荡/同步包括RC、LC 振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。
3）时间常数这就是常见的R、C 串联构成的积分电路。
当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。
而其充电电流则随着电压的上升而减小。
电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：i = (V / R)e - (t / CR)本文档部分内容来源于网络，如有内容侵权请告知删除，感谢您的配合！。