模电第一章练习习题
模电第一章练习习题
模电第一章练习习题(总14页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（√）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。
（√）（6）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（×）解：二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）B （4）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
图解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U≈－2V。
O6四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图解：(a)图能击穿稳压，U O1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O2＝5V 。
五、电路如图所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝。
试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝ （2）若T 临界饱和，则R b ≈解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBE BB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O ＝U CE ＝2V 。
模电 练习题
11
第一章 练习题
3.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该 三极管（）。 A.处于放大区域 B.处于饱和区域 C.处于截止区域 D.已损坏
答案：D
12
第一章 练习题
4. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位 分别为0V、－10V和－9.3V，则该管为（ ）。 A、NPN硅管 B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管
A：C极，B：B极，C：E极，NPN管
10
第一章 练习题
2. 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地 电位分别为VA＝-9V，VB＝-6V，VC＝-6.2V，试分 析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、并 说明此BJT是NPN管还是PNP管。
A：C极，B：E极，C：B极，PNP锗管
答案：A
13
第一章 练习题
5.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对 于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作 在（ ）。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、倒置状态
答案：C
14
第一章 练习题
场效应管判断类型
方法：
N、P沟道判断：看iD正负（正N、负P） 增强、耗尽型判断：uGS=0时有无电流（有耗尽、无增强） 结型、绝缘栅判断：uGS=0时，如果电流最大值（结型），无iD 最大值（绝缘栅）
D1处于截止状态、D2处于导通状态 VAO＝－6V。
5
第一章 练习题
4. 试判断图中的二极管是导通还是截止，为什么？ （假设二极管是理想的）
VA＝1V VB＝1+2.5＝3.5V D处于反向截止状态。
6
第一章 练习题
VA＝1V VB＝2.5－1＝1.5V D处于反向截止状态。
模电第一章课后习题答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB cCESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术第一章练习题
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
_
V1
6 V V2
18 V
_
当12 V＜ uI ≤ 18 V时，D1、D2均导通 uO= uI
当uI >18 V时，D1导通、D2截止 uO=18 V
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模拟电子技术基础
uO/V
18 12
uO~uI关系曲线
0
12 18
18 V
_
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模拟电子技术基础
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
_
V1 6 V V2
18 V
_
[解] 当D1、D2均导通时
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模拟电子技术基础
代入有关数据得
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
R 2 kW UAB V1 15 V
V2
10 V _
B
(b)
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模拟电子技术基础
[例3] 电路如图所示, 设D1 、D2 的性能均理想，输入电 压uI的变化范围为0~30 V。画出电路的传输特性曲线。
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
_
V1 6 V V2
电路中的二极管是导通还是截止，并求出A、B两点之
模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案
1半导体二极管自我检测题一. 选择和填空1．纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体, 掺入杂质后称杂质半导体。
若掺入五价杂质, 其多数载流子是电子。
2. 在本征半导体中, 空穴浓度 C 电子浓度；在N型半导体中, 空穴浓度B 电子浓度；在P型半导体中, 空穴浓度 A 电子浓度。
（A．大于, B．小于, C．等于）3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决..，而少数载流子的浓度..关系十分密切。
（A. 温度, B. 掺杂工艺, C. 杂质浓度）4.当PN结外加正向电压时，扩散电..漂移电流，耗尽. . ；当PN结外加反向电压时，扩散电..漂移电流，耗尽.. .（A. 大于, B. 小于, C. 等于, D. 变宽, E. 变窄, F不变）5. 二极管实际就是一个PN结, PN结具有单向导电性, 即处于正向偏置时, 处于导通状态；反向偏置时, 处于截止状态。
6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_.，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A. 0.1～0.3V, B. 0.6～0.8V, C. 小于, D. 大于）7.已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度.T1时的伏安特性如图中虚线所示。
在25℃时，该二极管的死区电压. 0..伏，反向击穿电压. 16. 伏，反向电流.10-. 安培。
温度T.小..25℃。
（大于、小于、等于）图选择题78. PN结的特性方程是。
普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。
二. 判断题（正确的在括号内画√, 错误的画×）1. N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
（×）2. 在P型半导体中, 掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。
（√）3．P型半导体带正电, N型半导体带负电。
（×）4. PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
浙大模电1篇1章习题解答
第一篇 第1章习题题1.1.1 有一电流控制电流源电路如图题1.1.1所示，图中i sI I β=，50=β，Ω=k R L 2。
当mA I i 1.0=时，试计算L R 两端的电压o V 和功率o P 。
图题1.1.1解：负载电阻R L 两端电压为：V k R I R I V L i L S O 1021.050=⨯⨯===β负载电阻上消耗的功率为：mW R V R I V I P LOL SO S O 5022====题1.1.2 有一电压控制电流源电路如图题1.1.2所示，图中i m s V g I =，V mA g m 5=，Ω=k R L 2。
当V V i 0.1=时，试计算L R 两端的电压o V 和功率o P 。
图题1.1.2解：电阻阻端的电压为：V V mA R V g R I V L i m L S O 1021/5=⨯⨯===负载电阻上消耗的功率为：mW R V R I V I P LOL SO S O 5022====题1.1.3 电路如图题1.1.3所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。
设二极管D 的导通压降V D =0.7 V ，求出D 导通时电流I D 的大小。
（1）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1= 2 k Ω，R 2= 3 k Ω； （2）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1=R 2= 3 k Ω； （3）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1= 3 k Ω，R 2= 2 k Ω。
图题1.1.3解：（1）求出二极管两端的开路电压，如开路电压使二极管正偏，则二极管导电，然后再求出流过二极管的电流。
二极管开路后流过R 1和R 2的电流：mA R R V V I CC CC 4.25122121==++=，则二极管两端的开路电压V IR V V IR V CC CC 2.11122=-=-=，由于二极管两端开路电压大于0.7V ，所以二极管导电,导电后，二极管二端压降为0.7V 。
模拟电子技术——第1章习题及答案
思考与习题11.1填空题1.Si或载流子；另一类是在Si或Ge是多数载流子，___单向导电性___3.二极管的PN型二极管适用于高频、小电流的场合，面触4.稳压二极管主要工作在_反向击穿_______限流。
5.，其反向，正常工作电流为6.7.两种载流子，在本征半导体中掺入三价元素，可形成P型半导体。
8.11.12.13.普通二极管工作时要避免工作于反向击穿状态，而稳压管通常工作于16.W7805的输出电压为 5 V17.1.1 选择题1.在N型半导体中，多数载流子为电子，则N型半导体（C）A．带正电 B.带负电 C.不带电 D.不能确定2.在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为。
（C）A．本征半导体 B.P型半导体 C.N型半导体 D.半导体3.PN结加正向电压时，其正向电流是由的。
（A）A．多数载流子扩散形成 B．多数载流子漂移形成C ．少数载流子扩散形成D ．少数载流子漂移形成4.当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。
（ C ）A ．大于 变宽 B. 小于 变窄C. 大于 变窄D. 小于 变宽5.从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时，处于正向导通状态。
A ．0V 电压B ．死区电压C ．反向击穿电压D ．正向压降6.二极管的反向电阻（ B ）。
A ．小B ．大C ．中等D ．为零 7.稳压管的稳压区是其工作在 。
（ C ）A. 正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区8.在单相桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为10V ，则每只整流二极管承受的最大反向电压为（ .B ） A.10V B.210 V C. V D.20V9.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V ，此时，输出的电压约为( A )A.24VB.18VC.9VD.28.2V10.两个硅稳压管，U z1 = 6V ，U z2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（.D ）。
模电答案第一章
作业作业：：1-9．各元件的情况如图所示各元件的情况如图所示。
（1）若元件A 吸收功率a 解：电压电流为关联参考方向电压电流为关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：V AWI P U I U P a a 10110===→= （2）若元件B 吸收功率10W 10W，，求：I b =?=?解：电压电流为非关联参考方向电压电流为非关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：A VWU P I UI P b b 11010−=−=−=→−= （3）若元件C 吸收功率吸收功率--10W 10W，，求：I c =?=? 解：电压电流为关联参考方向电压电流为关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：A VW U P I UI P c c 11010−=−==→= （4）求元件D 吸收功率吸收功率：：P=?P=?解：电压电流为非关联参考方向电压电流为非关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：W mA mV UI P 61020210−×−=×−=−=（5）若元件E 输出的功率为10W 10W，，求：I e =?=? 解：电压电流为关联参考方向电压电流为关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：A VWU P I UI P e e 11010−=−==→= （6）若元件F 输出功率为输出功率为--10W 10W，，求：U f =?=?解：电压电流为非关联参考方向电压电流为非关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：V AWI P U I U P f f 10110−=−=−=→−= （7）若元件G 输出功率为10mW 10mW，，求：I g =?=? 解：电压电流为关联参考方向电压电流为关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：mA VmW U P I UI P g g 11010−=−==→= （8）试求元件H 输出的功率输出的功率。
解：电压电流为非关联电压电流为非关联参考方向参考方向参考方向，，吸收功率吸收功率：：mW mA V UI P 422−=×−=−=故输出功率为4mW 4mW。
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第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（√）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。
（√）（6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。
（×）解：二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）B （4）A C第一章题解－1三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z mi n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图T1.4解：(a)图能击穿稳压，U O1＝6V；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O2＝5V。
第一章题解－2第一章题解－3五、电路如图T1.5所示，V CC ＝15V ，β＝100，U B E ＝0.7V 。
试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？ （2）若T 临界饱和，则R b ≈？ 解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBEBB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O ＝U C E ＝2V 。
图T1.5 （2）设临界饱和时U C E S ＝U B E ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45A 6.28mA 86.2BmaxBEBB b CmaxBmaxcCESCC Cmax I U V R I I R U V I μβ六．测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
表T1.7管 号 U G S （t h ）/VU S /V U G /V U D /V 工作状态T 1 4 －5 1 3 T 2 －4 3 3 10 T 3－465解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS 管。
根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T1.7所示。
解表T1.7管号U G S（t h）/V U S/V U G/V U D/V 工作状态T1 4 －5 1 3 恒流区T2－4 3 3 10 截止区T3－4 6 0 5 可变电阻区习题1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。
A.增大看P43图B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.2 电路如图P1.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.2第一章题解－4解图P1.2解：u i和u o的波形如解图P1.3所示。
1.3 电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.3解图P1.3解：波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示，二极管导通电压U D＝0.7V，常温下U T≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流I D＝（V－U D）/R＝2.6mA其动态电阻r D≈U T/I D＝10Ω第一章题解－5第一章题解－6故动态电流有效值I d ＝U i /r D ≈1mA 图P 1.41.5 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.6 已知图P1.6所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Z m i n ＝5mA ，最大稳定电流I Z ma x ＝25mA 。
（1）分别计算U I 为10V 、24V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝24V 时，稳压管中的电流大于最 图P 1.6 小稳定电流I Z m i n ，所以U O ＝U Z ＝6V 同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I Z M ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.7 在图P1.7所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1.5V ，正向电流在5～15mA 时才能正常工作。
试问： （1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取值范围是多少？ 解：（1）S 闭合。
第一章题解－7（2）R 的范围为。
Ω=-=Ω≈-=700)(233)(DminD max Dmax D min I U V R I U V R图P 1.71.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出两只晶体管的电流放大系数β。
图P 1.8解：答案如解图P1.8所示。
解图P 1.81.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
第一章题解－8图P 1.9解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.9所示。
解表P1.9管号 T 1T 2 T 3 T 4 T 5 T 6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料SiSiSiGeGeGe1.10 电路如图P1.10所示，晶体管导通时U B E ＝0.7V ，β=50。
试分析V B B 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。
解：（1）当V B B ＝0时，T 截止，u O ＝12V 。
（2）当V B B ＝1V 时，因为 60bBEQBB BQ =-=R U V I μAV9mA 3 C CQ CC O BQ CQ =-===R I V u I I β所以T 处于放大状态。
（3）当V B B ＝3V 时，因为46.057.03=-=B I mA 3.1117.012max =-=C I mA ＜2346.050=⨯=B I β mA ，所以T 处于饱和状态。
第一章题解－91.11 电路如图P1.11所示，晶体管的β＝50，|U B E |＝0.2V ，饱和管压降|U C E S |＝0.1V ；稳压管的稳定电压U Z ＝5V ，正向导通电压U D ＝0.5V 。
试问：当u I ＝0V 时u O ＝？当u I ＝－5V 时u O ＝？解：当u I ＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，u O ＝－U Z ＝－5V 。
当u I ＝－5V 时，晶体管饱和，u O ＝0.1V 。
因为mA24μA 480B C bBEI B ===-=I I R U u I βCC C C CC EC V R I V U ＜-=图P 1.111.12 分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
图P 1.12解：（a ）可能 （b ）可能 （c ）不能（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。
（e）可能1.13已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。
试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型），并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。
解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如解图P1.13所示。
解图P1.131.14已知场效应管的输出特性曲线如图P1.14所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图P1.14解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.14（a）所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及U G S值，建立i D＝f（u G S）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图P1.14（b）所示。
第一章题解－10解图P1.141.15 电路如图1.15所示，场效应管T的输出特性如图P1.14所示，分析当u I＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解：据图P1.14所示输出特性可知，其开启电压为5V，据图P1.15电路可知u G S＝u I。
当u I＝4V时，u G S小于开启电压，故T截止。
当u I＝8V时，据输出特性可知i D≈0.6mA，管压降u D S≈V D D－i D R d≈10V，T工作在恒流区。
当u I＝12V时，T工作在可变电阻区。
1.16分别判断图P1.16所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
第一章题解－11图P1.16解：（a）可能（b）不能（c）不能（d）可能第一章题解－12。