电子亲和势
半导体物理名词解释

半导体物理名词解释1.单电子近似:假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。
该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。
2.电子的共有化运动:原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠,电子不再完全局限在某一个原子上,可以由一个原于转移到相邻的原子上去,因而,电子将可以在整个晶体中运动。
这种运动称为电子的共有化运动。
3.允带、禁带: N个原子相互靠近组成晶体,每个电子都要受到周围原子势场作用,结果是每一个N度简并的能级都分裂成距离很近能级,N个能级组成一个能带。
分裂的每一个能带都称为允带。
允带之间没有能级称为禁带。
4.准自由电子:内壳层的电子原来处于低能级,共有化运动很弱,其能级分裂得很小,能带很窄,外壳层电子原来处于高能级,特别是价电子,共有化运动很显著,如同自由运动的电子,常称为“准自由电子”,其能级分裂得很厉害,能带很宽。
6.导带、价带:对于被电子部分占满的能带,在外电场的作用下,电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去,形成了电流,起导电作用,常称这种能带为导带。
下面是已被价电子占满的满带,也称价带。
8.(本证激发)本征半导体导电机构:对本征半导体,导带中出现多少电子,价带中相应地就出现多少空穴,导带上电子参与导电,价带上空穴也参与导电,这就是本征半导体的导电机构。
9.回旋共振实验意义:这通常是指利用电子的回旋共振作用来进行测试的一种技术。
该方法可直接测量出半导体中载流子的有效质量,并从而可求得能带极值附近的能带结构。
当交变电磁场角频率W等于回旋频率Wc时,就可以发生共振吸收,Wc=qB/有效质量10.波粒二象性,动量,能量P=m0v E=12P2m0P=hk1.间隙式杂质:杂质原子位于晶格原子间的间隙位置,称为间隙式杂质。
2.替位式杂质:杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处,称为替位式杂质。
3.施主杂质与施主能级:能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。
它们称为施主杂质或n型杂质。
低电子亲和势的场助热电子发射阴极

满足电视显示要求的平板显示器件中, 被人们 广泛看好的是等离子体显示 (PD P ) 、大屏幕液晶显 示器 (L CD ) 以 及 预 想 中 的 廉 价 场 发 射 显 示 器 件 ( FED ) 。2002 年, 日本开始政府支持的大屏幕有机 发光二极管 (OL ED ) 计划, 瞄准以有机薄膜晶体管 ( T FT ) 为基础的 152 cm 器件。 到目前为止, 还没有完全满足 HD TV 各项要求 的显示器件, 而指标上最接近上述条件的仍然是阴 极射线显像管 (CR T ) 。CR T 在使用期间亮度、 色度 没有可觉察到的变化这一点是其他任何显示器无法 比拟的。 虽然可以实现 100 cm 以上的大尺寸, 但体 积和质量始终是 CR T 面临的一个大问题。 FED 在 原理上最接近 CR T , 应该具备 CR T 的优良性能, 这 就是虽然遇到了许多困难, 人们仍然坚持研究 FED 的原因之一。 FED 分微尖型 ( Sp ind t ) 、碳纳米管型 (CN T ) 、 弹道表面发射型 (B SD ) 、表面传导发射型 (SED ) 和 薄膜场助热电子发射 (FA H ED ) 型等[ 1~ 7 ]。 其中, 微 尖型工艺技术复杂, 碳纳米管型发射和显示均匀性 差, 后 3 种发射电流小, 显示亮度低。 显示器件对均 匀性的要求是非常高的, 通常情况下, 邻近像素亮度 不均匀性不应超过 3% , 高性能器件的要求更高。 在 这一性能上, FA H ED 最具优势, 它是所有 FED 中显 示图像最均匀的。提高 FA H ED 的阴极发射电流成了 必须大力解决的问题, 也是本文的主要研究内容。
构, 其中 A l2O 3 只有 10 nm 左右, A u 膜厚度小于 10 nm 。当极间电压为 10V , 电场强度高达 1V nm 时, 电子从 A l 下电极注入到 A l2O 3 中, 并在其中得 到加速。 部分过热电子可以穿过 A u 电极薄膜发射 到真空中。 由于电子在 A l2O 3 中的自由程很小, 不到 1 nm , 加之在A u 膜中散射, 能够发射到真空中的比 例很小, 一般小于 0. 1% 。由于 A l2O 3 中电场太强, A u 膜中的原子能扩散到 A l2O 3 中, 降低其耐压强 度, 导致击穿, 寿命只有数十分钟。 将单层 A u 膜换 成复合 Ir P t A u 薄膜, 不但可以阻止 A u 原子的扩 散, 还能有效提高发射比例[ 5 ]。 一般将发射电流和上 绝缘层中传导电流之比定义为发射率, 采取上述措 施后, 发射率达到 0. 3% , 采用简单矩阵寻址就基本 满足一般显示的要求。
南京理工大学-光电检测技术总结

南京理⼯⼤学-光电检测技术总结习题01⼀、填空题1、通常把对应于真空中波长在(0.38m µ)到(0.78m µ )范围内的电磁辐射称为光辐射。
2、在光学中,⽤来定量地描述辐射能强度的量有两类,⼀类是(辐射度学量),另⼀类是(光度学量)。
3、光具有波粒⼆象性,既是(电磁波),⼜是(光⼦流)。
光的传播过程中主要表现为(波动性),但当光与物质之间发⽣能量交换时就突出地显⽰出光的(粒⼦性)。
4、光量Q :?dt φ,s lm ?。
5、光通量φ:光辐射通量对⼈眼所引起的视觉强度值,单位:流明lm 。
6、发光强度I :光源在给定⽅向上单位⽴体⾓内所发出的光通量,称为光源在该⽅向上的发光强度,ωφd d /,单位:坎德拉)/(sr lm cd 。
7、光出射度M :光源表⾯单位⾯积向半球⾯空间内发出的光通量,称为光源在该点的光出射度,dA d /φ,单位:2/m lm 。
8、光照度E :被照明物体单位⾯积上的⼊射光通量,dA d /φ,单位:勒克斯lx 。
9、光亮度L :光源表⾯⼀点的⾯元dA 在给定⽅向上的发光强度dI 与该⾯元在垂直于给定⽅向的平⾯上的正投影⾯积之⽐,称为光源在该⽅向上的亮度,)cos /(θ?dA dI ,单位:2/m cd。
10、对于理想的散射⾯,有Ee= Me 。
⼆、概念题1、视见函数:国际照明委员会(CIE )根据对许多⼈的⼤量观察结果,⽤平均值的⽅法,确定了⼈眼对各种波长的光的平均相对灵敏度,称为“标准光度观察者”的光谱光视效率V (λ),或称视见函数。
2、辐射通量e φ:是辐射能的时间变化率,单位为⽡ (1W=1J/s),是单位时间内发射、传播或接收的辐射能。
3、辐射强度e I :从⼀个点光源发出的,在单位时间内、给定⽅向上单位⽴体⾓内所辐射出的能量,单位为W /sr(⽡每球⾯度)。
4、辐射出射度e M :辐射体在单位⾯积内所辐射的通量,单位为2/m W。
功函数基本概念

《负电子亲和势光电阴极及应用》贾欣志编著. ——北京:国防工业出版社,2013.5第二章功函数与电子亲和势P20固体物理中,功函数定义为将一个电子从固体中移到紧贴固体表面外一点所需的最小能量(或者从费米能级将一个电子移动到真空所需的能量)。
与功函数定义类似,半导体电子亲和势定义为将一个电子从导带底移到固体表面真空能级所需的最小能量。
固体的电子亲和势一般是正值,它是一个电子势垒,防止电子逸出体外。
功函数的测试方法1开尔文探针方法2交流阻滞场方法3 紫外光电发射能谱(UPS)法4 扫描隧道显微镜测试法功函数的基本概念1. 什么是功函数把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。
功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。
同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。
功函数的单位:电子伏特,eV(功函数结构示意图。
参考:M.S.Xue et al.,Physica B 406 (2011) 4240--4244)功函数(work function)又称功函、逸出功,在固体物理中被定义成:把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。
真空能级:电子达到该能级时完全自由而不受核的作用。
功函数:真空能级与费米能级之差。
2. 功函数的分类一般情况下功函数指的是金属的功函数,非金属固体很少会用到功函数的定义,而是用接触势来表达。
功函数与金属的费米能级密切关联,但并不完全相等。
这是由于固体自身具有表面效应,原包中靠近表面的电荷分布与理想的无限延伸重复排列的布拉菲格子固体想必严重扭曲。
一般将功函数按照电子能量的来源,或者说是电子受激发的方式将功函数分为“热功函数”和“光电功函数”。
(1)当电子从热能中吸收能量,激发到达表面我们称之为热功函数。
(2)当电子从光子中吸收能量,激发到达表面时我们称之为光电功函数。
3. 功函数的作用(1)当金属与半导体接触,金属与半导体之间功函数差相对很小时(同时半导体有高浓度的杂质),也就是说接触面势垒很窄的情况下,形成欧姆接触。
半导体物理名词解释

1.单电子近似:假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。
该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。
2.电子的共有化运动:原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠,电子不再完全局限在某一个原子上,可以由一个原于转移到相邻的原子上去,因而,电子将可以在整个晶体中运动。
这种运动称为电子的共有化运动。
3.允带、禁带:N个原子相互靠近组成晶体,每个电子都要受到周围原子势场作用,结果是每一个N度简并的能级都分裂成距离很近能级,N个能级组成一个能带。
分裂的每一个能带都称为允带。
允带之间没有能级称为禁带。
4.准自由电子:内壳层的电子原来处于低能级,共有化运动很弱,其能级分裂得很小,能带很窄,外壳层电子原来处于高能级,特别是价电子,共有化运动很显著,如同自由运动的电子,常称为“准自由电子〞,其能级分裂得很厉害,能带很宽。
6.导带、价带:对于被电子局部占满的能带,在外电场的作用下,电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去,形成了电流,起导电作用,常称这种能带为导带。
下面是已被价电子占满的满带,也称价带。
8.〔本证激发〕本征半导体导电机构:对本征半导体,导带中出现多少电子,价带中相应地就出现多少空穴,导带上电子参与导电,价带上空穴也参与导电,这就是本征半导体的导电机构。
9.盘旋共振实验意义:这通常是指利用电子的盘旋共振作用来进行测试的一种技术。
该方法可直接测量出半导体中载流子的有效质量,并从而可求得能带极值附近的能带结构。
当交变电磁场角频率W等于盘旋频率Wc时,就可以发生共振吸收,Wc=qB/有效质量10.波粒二象性,动量,能量P=m0v E=12P2m0P=hk1.间隙式杂质:杂质原子位于晶格原子间的间隙位置,称为间隙式杂质。
2.替位式杂质:杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处,称为替位式杂质。
3.施主杂质与施主能级:能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。
它们称为施主杂质或n型杂质。
电子亲和势

2018/8/17
3.1.2 光电效应
(2)爱因斯坦定律
爱因斯坦定律阐明了发射光电子的最大动能E 与入射光频率v (或波长λ)和光电发射材料逸出功 (W)之间的关系。发射光电子最大动能与光的强度 无关,而随入射光频率的提高而线性增加:
m V2 E 2 h W max
适当控制掺杂浓度,就有 可能使Ed>EA2,EAef<0。
负电子亲和势能带模型
EA1 EA2 Ed E0 EC2
耗尽区 表面:N型 :
EV2
2018/8/17
3.1.2 光电效应
当光作用到物质表面时,与光电材料中的电子 相互作用,改变了电子的能量状态,从而引起各种 电学参量变化,这种现象统称为光电效应。 光电效应又分为内光电效应与外光电效应两类。 外光电效应:物质在光辐射作用下,被光激发产生 的电子逸出物质表面的现象。 内光电效应:受到光照射的物质内部电子能量状态 发生变化,光子激发产生的载流子仍保留在材料内 部,不存在表面发射电子的现象,包括光电导效应 和光伏效应。
2018/8/17
3.1.3 二次电子发射的基本原理
当足够能量的电子轰击固体表面时,就有一定 数量的电子从固体表面发射出来。 我们称入射的电子为一次电子,发射的电子为 二次电子。二次电子发射系数定义为发射的二次电 子数NS和入射的一次电子数Ne之比:
NS Ne
倍增极的二次电子发射模型
一次电子 二次电子 二次电子发射面
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3.1.2 光电效应
(1)斯托夫定律
当入射光的频谱成份不变时(同一波长的单色光 或者相同频谱的光线),光电阴极的饱和光电发射 电流Ik与被阴极吸收的入射光的光通量φ成正比:
I K S K
负电子亲和势氮化镓光电阴极

负电子亲和势氮化镓光电阴极第27卷第2期2007年6月光电子技术OPTOEIECTRONICTECHNOLOGYV o1.27No.2Jun.2007摘绍和分析延材料的与输入光负电子亲和势氮化镓光电阴极李慧蕊,申屠军,戴丽英,马建一(中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京,210016)要:负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景.本文在介负电子亲和势GaN光电阴极的特点,工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外结构和阴极制作工艺.指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长,窗的融焊,衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯,氧激活.关键词:超高真空;激活;负电子亲和势;GaN光电阴极;紫外敏感;光电探测中图分类号:0462.3文献标识码:A文章编号:1005—488X(2OO7)O2—0073—05 GaNBasedNegativeElectronAffinityPhotocathodeLIHui—rui,SHEN—Tujun,DAIIA—ying,MAJian—yi(The55thResearchInstituteofChinaElectronicTechnologyGroupCorporation,Nanjing,210016,CHN)Abstract:GaNbasednegativeelectronaffinity(NEA)photocathodesshowextensiveprospe ctinul—travioletsignaldetection.WedescribeheretheprincipleofGaNbasednegativeelectronaffini typhoto—cathodeandanalyzeitsenergybandstructure.ConstructionofGaNmaterialandtechniquefor photo—cathodeprocessingarethendesigned.ItisalsoshownthatthekeypointsforGaNbasedNEAp hoto—cathodeprocessingarematerialgrowth,vacuumprocessingandCs(O)activation. Keywords:ultrahighvacuum;activation;negativeelectronaffinity;GaNphotocathode;ultr avio—letsensitive;photodetection引言近年来随着电子对抗技术的发展,紫外探测器在机载,舰载,地面装备以及预警机和空间紫外通讯等领域都有广阔的应用前景.例如,完全由我国白行研制的紫外日盲像增强管作为探测器的紫外预警系统已开始投入装备,而且与红外探测技术相比,紫外系统还具有抗干扰能力强,虚警率低等明显优势.传统的光发射型紫外探测器在技术上已经比较成熟,但和基于负电子亲和势GaN阴极的电子发射型紫外探测器相比,存在探测灵敏度不够高,151盲效果不理想,光电转换效率低等缺点.因此,对与其用于同一系统的其余部件(如滤光片系收稿151期:2007—03—30作者简介:李慧蕊(1954一),女,研究员级高级工程师.长期从事真空光电器件的研究开发和技术管理.申屠军(1972一),男,高级工程师.主要从事真空光电器件的研究开发.(E—mail:*************)戴丽英(1963一),女,高级工程师.长期从事真空光电器件的研究开发.74光电子技术第27卷统)就提出了较高的要求,甚至在某些恶劣条件下限制了它的应用范围.同时,由于紫外光在大气中传输时衰减很快,探测系统中通常采用的紫外光电管,紫外微通道板光电倍增管,日盲像增强管这类光发射型器件,虽然已具有噪声低,增益高,时间特性好等特点,并在大气中能探测到很微弱,且速度达皮秒量级的紫外光信号,但由于现代战争对紫外预警系统性能提升的要求愈来愈迫切,因此紫外真空探测领域面临的技术进步的压力也愈来愈大.作为紫外探测的升级技术,国外20世纪90年代中期就已开始研究负电子亲和势GaN光电阴极技术.它与碲铯,碲铷等传统的光电阴极相比,具有更好的日盲特性和更高的量子效率,而且灵敏度也更高I】].伴随着负电子亲和势氮化镓(GaN)阴极研究的深入和最终的成功以及与其相应的探测器的开发问世,各类探测系统必能得到更广泛的应用,从而为各类紫外火焰监测以及燃烧控制,导弹尾焰识别,太阳紫外线辐射测量,紫外准分子激光能量测试,紫外分析仪器,臭氧检测仪,环境监控等应用系统提供更可靠的探测器件.1负电子亲和势GaN阴极1.1负电子亲和势GaN阴极的特点负电子亲和势(NegativeElectronAffnia简称NEA)GaN阴极技术,在国外也属前瞻性技术.它对制作设备的真空度以及表面净化要求非常苛刻;而且GaN材料又无法制备成单晶,需要在异质衬底如蓝宝石上外延生长;此外还应该由一个重P型掺镁的发射层和高铝含量的滤光层及几个周期的超晶格组成;另外对发射层的厚度及电子的扩散长度都有一定的要求.所有这些因素造成了负电子亲和势GaN阴极制作难度的增加,当然随着国内外研究工作的深入,这些技术取得最终突破不是没有可能.在理论上,负电子亲和势(NEA)阴极的灵敏度可达到传统阴极的几倍以上.迄今为止,具有负电子亲和势特征的典型材料主要为Ⅲ一V族化合物半导体材料,如:GaAs(砷化镓),GaN(氮化镓)及其多元化合物A1GaAs(铝镓砷),InGaN(铟镓氮)等.作为对紫外光敏感的日盲阴极材料,GaN及其相关的Ⅲ一V族氮化物材料, 包括:二元的InN,GaN,AlN,三元的InGaN,Al—GaN和四元的InGaA1N等都是近几年发展迅速, 极具潜力的Ⅲ一V化合物半导体材料.GaN的禁带宽度为3.4eV,根据光电阴极光谱响应范围阈值波长的计算公式:≈(1)式中:为阈值波长,E为带隙能.可知:GaN光电阴极光谱响应的阈值波长为365nm,因此只对紫外光有响应;另外通过调整外延材料的组份比或掺铝含量,带隙能可以从1.9~6.2eV之间连续可调,与此对应其阈值波长也有一个变化范围;如果是多元合金的外延材料,通过Cs与0的交替处理,探测光谱可覆盖200~650 nm(即紫外到可见光一个相对较宽的光谱范围); 选择特定的外延结构和能带范围,可使阈值波长降至290nm,达到完全日盲的效果,还可省去现在常用的滤光片,且适用于太阳盲区的光谱探测;利用超高真空技术,实现GaN外延层原子级表面的洁净,铯氧处理,能使紫外光电转换的效率更高.此外GaN紫外真空探测器在苛刻的物理,化学环境中的高稳定性,如:抗腐蚀,耐温度冲击的能力强等,使得它在近年来备受关注.从目前国内外对GaN紫外探测器的研究现状来看,主要有两个发展方向,一个是基于负电子亲和势(NEA)阴极的探测器件;另一个是源于光伏或光导效应的GaN固体器件.真空器件具有响应速度快,噪声低,增益高,可探测的光下限更低等优点I2],而固体器件则具有体积小,功耗低,结构简单,易实现批量生产等特点.正是由于这两种器件适合于不同的场合且各有优势,就如同真空成象器件与固体CCD,微波大功率真空管与固体功率器件相互推动,共同发展那样,美欧等国都在同步开展这方面的研究,而不是简单的予以替代.国内除中国电子科技集团公司第五十五研究所已开展多年的光发射型紫外器件的研制,还有多家单位相继开展固体GaN器件的研制不能不说是受此趋势激励的缘故.1.2负电子亲和势GaN光电阴极的工作原理理想的半导体材料,如图1所示能带结构是平直的,但实际上由于半导体材料晶格排列的周期性在表面遭到了破坏,而且其表面极易氧化或被杂质污染, 所以会在禁带中引入附加的表面能级,引起半导体材料表面处的能带弯曲.如图2所示的P型半导体,其第2期李慧蕊等:负电子亲和势氮化镓光电阴极75表面的能带弯曲,对体内的光电子发射是有影响的. 换句话说,有效的电子亲和势(真空能级与体内导带底之间的能量差)随着表面能带的弯曲而增减.真空能级价带图1电子亲和势为正值的半导体表面能带图Fig.1Surfaceenergydiagramwhileelectronaffinity ispositive导带图2电子亲和势为负值的半导体表面能带图Fig.2Surfaceenergydiagramwhileelectronaffinity isnegative图中:为能带隙,EA为电子亲和势,为逸出功,为费米能级与价带顶之间的能量差,E为产生光电子的最小能量.对于n型半导体材料,施主能级上的电子有的要跃迁到表面能级时,半导体表面将产生一个负的空间电荷区.而距离表面稍远一点的体内则分布有等量正的体电荷,因此表面能带向上弯,使得体内光电子发射变得更困难.此外,n型半导体材料的费米能级较靠近导带底,热电子功函数较小,所以以它为基底材料制作的光电阴极的暗发射也相应较大.对于P型半导体材料,情况正好相反.表面能级中能量高于受主能级的电子有的要跃迁到受主能级上,于是半导体表面即产生一个正的空间电荷区,距离表面稍远一点的体内则分布有等量的负电荷,因此表面能带向下弯.倘若P型半导体表面吸附有带正电性的原子(例如铯原子)时,表面上偶电层正电性在外,能带弯曲就更厉害.这种表面能带弯曲对于体内的光电子发射十分有利.因此,现在各种实用的光电阴极几乎全是用P型半导体材料为衬底,然后在它的表面上再蒸涂上带正电性的金属而制成的.这样,就能得到向下弯曲的表面能带,减小逸出功.如果此时能带弯曲比材料吸收系数的倒数还小得多,则光电子发射主要来自于体内的本征吸收.这时,量子效率比单纯能带弯曲要大得多.另外,强P型半导体的费米能级十分靠近于价带,这可有效地减少热电子发射(即暗电流因此而变小).在重掺杂P型GaN表面蒸涂一薄层Cs,可形成负电子亲和势阴极.价带中的电子吸收光子能量,跃迁到导带底以上,成为热电子(受激电子能量超过导带底的电子).在向表面运动的过程中,由于热电子与晶格相互作用释放声子,每次损失能量3O~60meV,故很快就落到导带底而变成冷电子(能量在导带底几十个meV范围内的电子).热电子的平均寿命非常短,约1O~10s.如果在这么短的时间内受激电子能够运动到真空表面且其能量高于光电阴极的真空能级,自然能够逸出成为光电子,但是其逸出深度只有几十纳米左右.绝大部分受激电子来不及到达真空表面,就已经落到导带底变成冷电子.对传统光电阴极而言,这就意味着大部分受激电子无法转换为有效的光生电子,量子效率很低.冷电子的平均寿命比较长,约1O~10s,其逸出深度可达微米量级.由于NEA光电阴极的体内冷电子能量仍高于真空能级,所以它们运动到真空表面时,可以很容易地逸出.因此NEA 光电阴极的量子效率比传统光电阴极要高得多.1.3负电子亲和势GaN阴极的能带分析半导体材料光电转换的工作模式通常分为三步:一是价带电子吸收入射光的能量而被激发到导带的某个高能态上;二是受激电子向表面迁移;三是迁移电子克服表面势垒逸人真空.由光电子发射机理可知:当处于光电阴极表面的真空能级低于发射电子的导带底时,有效的电子亲和势(即E)为负值,这类光电阴极被称作负电子亲和势阴极,即NEA阴极.电子亲和势的大小对光电转换效率的影响可以清楚地从上述图中看出:假如表面能带弯曲到可使E值变为负值,则半导体材料受光照射,且与入射光子发生了能量交换后的受激电子, 扩散到能带弯曲区边缘的几率就高,而位于该能带弯曲区的电子逃逸时无需过剩的动能,就可直接逸光电子技术第27卷入真空;再者由于在NEA条件下,受激电子寿命长,逃逸深度范围变宽,可逃逸的电子数目相应增多.光电阴极的量子效率计算公式为:rP厂Y=一等(1一R)(2)10』十"』D式中:y为量子效率,t,为光电发射电流,,.为入射光强,尸为逃逸几率,a为光的吸收系数,为载流子扩散长度;尺为反射率.由式(2)也可得知, 对于同一种材料,同一种薄膜结构,光电转换的量子效率只与逃逸几率成正比.总之,上述诸多因素决定了NEA阴极的光电转换量子效率比传统光电阴极要大得多,理论上超过了百分之九十.显然,实现负电子亲和势光电阴极,就是基于P型GaN薄膜表面特殊的能带结构及其宽带隙的特征,使得电子向真空跃迁所需的能量降低,从而实现量子效率的提高.它的关键就是要降低表面势垒,即减小材料的逸出功.铯(Cs)是金属中逸出功最低的材料,仅为i.4eV,用铯或铯氧(O)交替覆盖在超高真空中解理出的P型GaN(0001)原子级洁净的表面,可以降低表面逸出功约2~3eV,使能带向下发生弯曲,形成负电子亲和势结构,从而使电子向真空跃迁所需的能量降低,实现量子效率的大幅度提高.这就是NEA光电阴极所具有的特征,采用这种技术可以获得具有紫外探测灵敏度高的光电阴极及相关的探测器件.由图3可以看出,经洁净处理的化合物半导体材料GaN表面的电子亲和势为3.3eV.由于P型镁掺杂工艺以及表面处理工艺的不同,表面能级向下弯曲的程度也有所不同.根据资料[3报道就有1.2eV和3.1eV两种.以图3为例,由于表面能一籀净表面)2eV—一E(cs激活)+一E(cs,O激活)2.8eV…图3GaN光电阴极的表面能带图Fig.3EnergydiagramoftheGaNphotocathodesur- face级向下弯曲了1.2eV,洁净表面的真空能级相对GaN半导体体内导带底的有效电子亲和势就减小为2.1eV.通过Cs激活,真空能级降低2.2eV,可以获得约为负0.1eV的有效电子亲和势.通过Cs,O激活,真空能级降低2.8eV,此时真空能级和GaN半导体体内导带底之间就产生了一个至少为负0.7eV的有效电子亲和势.图中:E为能带隙,E为真空能级,E为电子亲和势,EAefr为有效的电子亲和势.2负电子亲和势GaN外延层结构选择蓝宝石作为异质生长GaN外延层材料的衬底,这也是国际上目前较为成熟的工艺.我们设计的材料结构如图4所示,首先在蓝宝石衬底上低温生长一层A1N缓冲层,而后升高温度,生长一层高温AlN;为了减少位错和缺陷,接着生长几个周期的AlGaN/AlN,再在其上生长质量较好的光电活性层AlGaN和GaN.因为P型杂质Mg在Al—GaN材料中的电离能比在GaN材料中大,因此掺杂更困难,故掺杂浓度应降低1个量级;GaN层是直接铯一氧激活层,掺Mg浓度应尽可能高],才能产生明显的负电子亲和势效应,制作出较好的紫外光电阴极.A1GaN层的Al质含量要求大于0.4, 其光谱响应才能进入日盲波段.但是掺Al的不易性,使Al质含量大于0.4的A1GaN层的生长变得很困难,还有生长厚度也不能大,否则会出现龟裂现象.另外,光电活性层中杂质的激活也是一个关键技术.几个周期A1GaN,A超晶格P~-GaN(0.5lam)P:5×10I/cmP-A1GaN(0.3~o.5um)P:5×10'',cm'A1N层AlN缓冲层蓝宝石衬底图4GaN外延层结构示意图Fig.4StructureofGaNepilayer3负电子亲和势GaN阴极的工艺负电子亲和势GaN阴极的量子效率虽然比传统的紫外阴极要高得多,但其表面能级受晶体的表面态影响很大,激活工艺中给的Cs,O原子必须在一个原子洁净级的表面上才能被充分沉积,吸附和卜_-第2期李慧蕊等:负电子亲和势氮化镓光电阴极生长成最佳的Cs,O层结构,所以其制备,真空处理,激活等工艺也比传统阴极要复杂得多L6].若有其他杂质原子吸附在GaN表面上,必然会导致表面功函数升高,灵敏度下降.根据气体分子运动学理论,处于无规则热运动中的气体分子或原子,不断随机地碰撞着GaN表面,并以一定的概率被粘附在该表面上.如果设吸附系数为1,则真空环境为10Pa时,GaN表面吸附一个原子层外来原子所需的时间为10000S.可见,为了使激活处理和其后的制管工艺充分有效地进行,为了保证制管后的GaN光电阴极能够长时间地稳定工作,制管(含激活工艺)使用的真空转移装置及相应的超高真空处理工艺必须保证系统在激活过程中真空度好于lO一.pa[.此外,GaN半导体材料在移入真空转移装置进行激活之前,需要对其进行一系列机械和化学处理,难免会损坏晶格分布的周期性,同时还会在表面残留某些有害的化合物和微量杂质以及Ga和N的氧化物.激活前,如不彻底去除这些有害杂质,恢复晶格阵列的周期性排列,将会妨碍Cs沉积时与GaN晶格点阵形成强键结合,达不到NEA 光电阴极表面的最佳结构;此外,外来有害杂质原子会在表面产生一附加电位,影响Cs,O附着层降低负电子亲和势的效果,减少了光电子逸出概率; 同时,在光电子向真空界面运动的过程中,增加了与这些有害原子的各种相互作用,从而损失了宝贵的能量.这一切因素最终均会影响高灵敏度,高稳定性GaN光电阴极的形成.为了达到原子洁净级表面,研究和生产中普遍采用高温热清洗法.对于GaN表面,热清洗规范的温度为500℃,600℃,650℃和700_C,时间长短取决于样品制备过程,系统抽气速率和极限真空度. 此外Cs,O激活是形成所需NEA表面态的最后一道工序.采用小电流放大器原位监控激活过程中的光电流变化,一般要达到光电流不再增加时终止激活.在激活过程中,要随时观察暗电流的变化情况, 防止引起对光电流的误判根据负电子亲和势GaN光电阴极制作的要求,主要的工艺设计内容包括以下几个方面:1)GaN外延层与输入光窗的粘接工艺;2)欧姆电极制备工艺;3)真空除气和表面洁净工艺;4)铯,氧激活工艺.4结束语负电子亲和势GaN光电阴极与碲铯,碲铷等传统的紫外光电阴极相比,具有更好的日盲特性,更高的量子效率(185nm处量子效率40[83,200nm处量子效率30[9)以及更高的灵敏度等优点.但是,由于其工作原理是利用GaN材料的表面特性,这种表面特性对阴极制备所需的各种处理工艺及相关设备提出了很高的要求.受此影响,研制负电子亲和势GaN光电阴极的难度非常之大.参考文献[1]Siegmund0HW.TremsinAS,MartinA,eta1.GaNphoto—cathodesforuVdetectionandimaging[c]∥SPIE,San Diego,2003,5164:134—143,[2]UlmerMP,WesselsBW,SiegmundOHW.Progressinthe fabricationofGaNPhotocathodes[c]∥SPIE,SanJose, 2001,4288246—253.[3]WuCI,KahnA.Electronicstatesandeffectivenegativeelec—tronaffinityatcesiatedp-GaNsurface[J].J.Appl,Phys,, 1999,86(6):3209—3212.[4]EyckelerM,MonchW,KampenTU,eta1.Negativeelec—tronaffinityofcesiatedp-GaN(0001)surfaces[J].J.V ac.Sci.Techno1.B,1998,16(4):2224—2228.[5]KorotkovRY,GregieJM,WesselsBW.Electricalproper—tiesofp-typeGaN:Mgcodopedwithoxygen[J].App1.Phys. 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名词解释(半导体物理)

直接带隙半导体:导带边和价带边处于k空间相同点的半导体通常被称为直接带隙半导体。
电子要跃迁的导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。
例子有GaAs,InP,InSb。
间接带隙半导体:导带边和价带边处于k空间不同点的半导体通常被称为间接带隙半导体。
形成半满能带不只需要吸收能量,还要该变动量。
例子有Ge,Si。
准费米能级:非平衡态的电子与空穴各自处于热平衡态--准平衡态,可以定义EFn、EFp分别为电子和空穴的准费米能级。
有效质量:在讨论半导体的载流子在外场力的作用下的运动规律时,由于载流子既受到外场的作用,又受到晶体内部周期性势场的作用,只要将内部势场的复杂作用包含在引入的有效质量中,并用它来代替惯性质量,就可以方便地采用经典力学定律来描写。
由于晶体的各向异性,有效质量和惯性质量不一样,它是各向异性的。
有效质量是半导体内部势场的概括。
纵向有效质量和横向有效质量:由于半导体材料的k空间等能面是椭球面,有效质量是各向异性的。
在回旋共振实验中,当磁感应强度相对晶轴有不同取向时,可以得到为数不等的吸收峰,在分析时引入纵向有效高质量和横向有效质量表示旋转椭球等能面在长轴方向和短轴方向上的有效质量的差别。
是晶体各向异性的反映。
扩散长度: 指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离,它由扩散系数和材料的非平衡载流子的寿命决定,即L=√Dt。
牵引长度:是指非平衡载流子在电场E作用下,在寿命t时间内所漂移的的距离, 即L(E)=Eut,有电场,迁移率和寿命决定。
费米能级:表示系统处于热平衡状态时,在不对外做功的情况下,增加一个电子所引起系统能量的变化。
它标志了电子填充能级水平,与温度,材料的导电类型以及掺杂浓度等因素有关。
电子亲和势:表示要使得半导体导带底的电子逃逸出体外(相对于真空能级)所需的最小能量,对半导体材料而言,它与导电类型,掺杂浓度无关。
复合中心:半导体中的杂质和缺陷可以在禁带中形成一定的能级,对非平衡载流子的寿命有很大的影响。
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电子亲和能与电负性的区别是啥?二者都表征元素的非金属性强弱,电负性最大元素的是氟,电子亲和能最大的元素是氯,是否要考虑分解分子那部分能量么,还是要考虑电子呈对核电荷的部分屏蔽呵呵,搞笑,刚刚我还想问一个类似的问题,“电离能和电子亲合能是否一样大?”,结果你问了这个,有趣,有趣affinity 和negativity?affinity是在真空中得到一个电子的能力negativity是指在化学键上吸引电子的能力两者区别就在条件上学这些东西之前要先把概念搞清楚,每个字都不能错其实我一开始也是死记硬背,结果有次口试我就给说错了,被教授要求说出区别,现在才搞懂了还有一个问题,那么,对于金属来说,是否Affinity (亲合势) 和电离能(ionizing energy)相等呢?假设亲合势是原子从基态得到一个电子,释放的能量,而电离能是原子从基态失去一个电子需要的能量,那么两者是否应该相等?QUOTE:原帖由eisenstange 于2006-9-27 13:40 发表还有一个问题,那么,对于金属来说,是否Affinity (亲合势) 和电离能(ionizing energy)相等呢?假设亲合势是原子从基态得到一个电子,释放的能量,而电离能是原子从基态失去一个电子需要的能量,那么两者是否 ...不相等;从定义上理解,电离能是原子失去一个电子需要的最小能量,对金属来说就是指它的功函数,实际上是从费米能级(femi energy)到真空能级(vacuum energy)的能量之差而亲和势则是指在真空中得到一个电子的能力,但是是原子得到一个电子,所释放的能量一个是得电子,一个是失电子,二者的化学价态是不一样的,一个被氧化一个被还原,能量当然不一样恩,我也是这么理解的,这两个正好是逆过程,但是还有一个问题,也是我主要不太明白的问题:有一个概念叫逸出功,用来衡量将电子从原子内拉到真空中需要的能量,德语是Austrittarbeit,在半导体中,这个逸出功等于费米能量级到导带能量级之差,加上掺杂半导体的亲合势,而金属的逸出功就等于亲合势,如果亲合势是表征原子得到电子释放的能量,为什么这里不用电离能呢?谢谢。
我觉得你好像混淆了几个概念。
首先我不知道你说的金属的逸出功是否就是我指的workfunction (功函数),我认为是的,这个的定义是指从femi能级到vacuum能级的差,或者说the minimum energy (usually measured in electron volts) needed to remove an electron from a solid to a point immediately outside the solid surface. 说法不一样,大致区别不大,这个已经是固体范围了,而不是原子的范围,怎么可能逸出功就等于亲和势?我第一次听到这种说法。
另外已经解释了的亲和势和电离能的区别。
还有你上面提到的计算半导体的逸出功,你提到了一个参杂半导体的亲和势,我不知道你对半导体理解多少,但是参杂半导体意味着半导体的费米能级已经相对于本正半导体发生了变化,在近似计算的时候可以使用。
而且对于非米能级在半导体中和在固体物理中二者的定义有所不同。
半导体的费米能级就是到带和价带能量之和的二分之一,而固体物理中,费米能级指的是电子所能填充的最高能级。
如果你想搞懂这方面的东西,最好找一本固体物理的树好好看一下,你的概念还是不是很清楚,一般我认为书要读至少两遍才能真正理解里面的意思没错,你说的对,金属的逸出功等于Workfunktion.我又看了一遍Banddirgram,上面只给出了金属的逸出功,而没有说这个逸出功由亲合势构成,我当时看错了,而另一边在半导体上,逸出功的大小,等于从Fermi级到真空中的能量差,同时也等于从导带低到真空的能量差(这里定义为亲合势),加上Fermi级到导带低的能级差。
半导体在没有掺杂前确实是Fermi能级在禁带的中间,我们管这个能级叫Intrinsich Fermi 级,因为MWG(Massenwirkungsgesetz),如果搀入了三价或者五价的原子后,Fermi级将会向下或者向上移。
对于你的后半段我还是不太明白。
参杂以后为什么费米能级会上移或者下移呢?这个是由donant决定的,如果是n型半导体,则会在本正半导体的价带上方产生一层导带,电子可以直接从夹带跃迁到donor形成的导带中,而费米能级就在两者之间。
p型半导体道理相同,不过在本征半导体的导带下方形成一层价带层,电子可以从这里跃迁到原来的导带中。
实际上费米能级是有它自己的物理意义的,并不是简单的在导带和价带的二分之一处,费米能级是电子所能占有的最高能级,就是说一个固体有若干电子,这些电子根据能量大小占据了不同的能级,就像排队一样,当所有的电子都排完以后,最后最高的能级处,就是费米能级,这是物理上的定义。
在半导体物理中和一些工程计算中,为了计算中的方便,便定义费米能级为导带和价带的中间。
希望你能明白我说的意思你说的那些亲和势和逸出功的关系,实际上你画一个图就很好理解了,因为导带的最低处是电子能占有的最低能级,所以他到真空能级的差就是得到一个电子所能放出的最高能量。
而逸出功是从费米能级处算得,所以加上这部分能量,自然就是逸出功的大小了。
我觉得你好像这些东西并不理解,都是在死记硬背,这样子考试的时候会出问题的,恕我直言恩,这个地方确实我不太能理解,因为问题多多。
如果说导带最低处是一个电子能占据的最低能级,那当电子在共价键中也就是Valenz Bond中的能量又比导带的能量来的更低。
而且在当一个电子在共价键中得到足够的能量,共价键被打破以后,除了一个电子跳到导带上,在禁带又出现了一个Defektelektorn,即我们所谓的空穴,这个空穴竟然也有能量,这就对我来说很难理解。
因为空穴实际上是两个原本应该共享两个电子的两个质子现在却只共享了一个电子,凭什么人们认为这个空穴是电子的能量表现,同时能量级是在价带呢?其次在我们学的Fermi-Dirac统计中,Ferimi级,实际上是所有电子和空穴的平均能量级的统计平均值,而不是单个电子的最高能级,因为势必有电子在导带,也有空穴(Defektelektron)在禁带。
这是从微观到宏观的转化的函数。
对于排队的,我觉对更像是波尔-索末菲的原子模型,和电子按照的四个量子数来占据轨道。
最后,如果导带的最低处是电子能占据的最低能级,而他从导带底到真空的状态变换,我认为应该是半导体原子失去了一个电子,而不是得到一个电子,从而导致了我对这个亲合势的不理解,为什么不是电离能?你说错了,费米能级是电子能占有的最高能级,但并不是导带的最低能级,而是价带的最高能级,这样你的疑惑应该会解决了吧另外,Fermi-Dirac统计理论我们没有学,学的主要是固体物理中的定义,因为在计算DOS以及理解能级的理论的时候是需要这个定义的。
确实并不是轨道完全排满以后才排下一个电子,但是这个讲起来就有复杂了,有好多个模型,比如openshell, close shell 之类的,你要是不涉及这些应该不需要管。
有可能,确实我在看其他的书的时候,有看到国Ferimi级。
定义不是Fermi-Dirac统计的级。
可能我们讲的不是一个东西。
不过,从导带低到真空的能量差是吸收一个电子的需要的能量,我还是不能理解。
因为在未加电的情况下,半导体都是电中性的,而加了电压后,电子被吸出来,能带电,应该是半导体失去电子,当然动态情况下,另一边Source会补充新的电荷,但在局部,即表面上,很难理解是亲合势。
讲的肯定是一个东西,不过不同的定义,不同的假设而已。
导带的最低能级到真空能级是吸收一个电子所能放出的最大能量,这个不是一个定义,而是根据定义得出的一个结论,你画一个能级图就可以很明显的得出这个结论。
而半导体的这个东西不能这么理解,因为所谓的半导体是指在通常条件下不导电,而在特定条件下导电,电子只是通过半导体移动,这个半导体更可以在加电压的条件下理解为导体。
实际上导体和半导体的定义很模糊的,只是根据能隙的大小给出了一个界限,而导体的导带和价带其实也不完全是连续的,中间也有能隙,不过比较小而以。
所以你不能那样子理解,就像你不能把电线导电理解成是电线发生了氧化还原的过程一样那个亲和势再详细地讲就是,根据定义是在真空中吸收一个电子所能放出的能量,这个电子就是用真空能级到了电中性的原子中,由于原子的价带是满的,电子只能在导带中停留,这样的话,电子所能带的最低能级就是导带中的最低能级,这个能量差就是所放出的能量恩,现在我终于有点明白了,是不是这样。
对于一个中性原子来说,比如一个核为+4,带4个电子的原子,尽管原子外的轨道数的无穷多的,但在正常情况下,它对4个电子的束缚能力最强,虽然有电子能进入他的外轨道,但这个电子和质子的引力是偏弱,在这种情况下,原子吸引一个真空中的电子到它的外轨道,所释放的能量,叫亲合能,同样这个外轨道的电子得到同样的电荷也能离开原子回到真空。
这是亲合势。
总的电荷数是。
(+4,-4)-》(+4,-4)+1,或(+4,-4)-1而电离能是将原属于原子的最外层的电子脱离到真空出去需要的能量,即(+4,-4)-> (+4, -3),这是电离能。
不知我的理解对不对?第二个对的,第一个不大对,是这样的,一个原子比如说氟原子,外层有7个电子,但是通常8个电子才达到饱和,所以这个氟原子很愿意再吸收一个电子从而使外层轨道饱和,这个过程如果发生在真空中的氟原子,那么所放出的能量就是亲和势比如说纳,外层只有一个电子,为了达到饱和,他比较愿意失去一个电子对于轨道,也就是能级,理论上是有无穷多的,只要有自由电子能进入轨道,由于核的吸引力,电子就可以在轨道上停留,但是由于原子本身也有很多点子,电子根电子还有排斥力,所以就要看吸引力和排斥力之间谁占上风了。
那对于钠来说,电离能和亲合势的区别是什么?仅仅是一个得到,一个失去电子么?本来就是这样的啊,难道一个定义对于不同的元素还有不同的结果吗?对于金属来说,这个亲合势是不是通常很大,因为它们基本上都是失去电子?而且它们能否保持这种不稳定状态。
应该是很小,他们不愿意接受电子,electron affinity 很弱亲合能不是释放能量的么,如果很小,Potential Barrier岂不是很低,很easy的就得到电子?这个是释放,不是得到,affinity 是衡量得到电子的一种能力,你google一下再好好看看,我都快被你弄糊涂了是跟两个原子的距离有关,跟自由电子是两回事啊或者我们这样子理解,一个电子在真空中的能量我们可以认为是A,当这个电子被金属吸引后,电子的能量就变成了b,很明显B<A,多余的能量就释放了出来,以什么形式释放我们暂且不考虑。