费米能级与金属接触势差
固体物理知识点

d 2 E dK 2
,是一种表观质量,并不意味着电子质量的
改变,是由于周期场对电子运动的 影响,使得导带底和价带顶的能量不一样,得出导带底 和价带顶的电子有效质量不一样。 25、晶体中原胞数目与声学波和光学波数目的关系。 26、晶系、布喇菲格子、空间群、空间点阵的数目。 27、 简单立方原胞、 面心立方原胞、 体心立方原胞的正倒格子的相互关系、 基矢与体积。 28、晶体中原胞与格波、振动频率的关系。 29、声子的角频率、能量和动量的表示方法。 30、光学波声子的分类及其含义。 31、金属一维运动的自由电子波函数、能量以及波矢的表示式。 32、能量标度下和动量标度下费米自由电子气系统的态密度。
-1-
r r r
r r r
r r r
固体物理知识点
16、 金刚石的结构特点: 金刚石晶胞中由于位于四面体中心的原子和顶角原子价键的取 向各不相同(即中心原子和顶角原子的周围情况不同) ,所以是复式格子。这种复式格子是 由两个面心立方格子沿体对角线方向位移 1/4 体对角线长度套构而成的。 17、声子:晶格振动能量是量子化的,以 hν l 为单位来增减能量, hν l 就称为晶格振动 能量的量子,即声子。 18、非简谐效应:在晶格振动势能项中,考虑了 δ 以上 δ 高次项的影响,此时势能曲
2
线是非对称的,因此原子振动时会产生热膨胀和热传导。 19、点缺陷的分类:
⎧本征热缺陷: 弗伦克尔缺陷、肖脱基缺陷 ⎪ ⎪杂质缺陷: 置换型、填隙型 晶体点缺陷⎨ ⎪色心 ⎪极化子 ⎩
20、极化子:一个携带者四周的晶格畸变而运动的电子,可看作为一个准粒子(电子+ 晶格的极化畸变) ,叫做极化子。 21、布里渊区:在波矢空间中倒格矢的中垂线把波矢空间分成许多不同的区域,在同一 区域中能量是连续的,在区域的边界上能量是不连续的,把这样的区域称为布里渊区。 22、费米能级:是温度和电子数目的函数。费米面是绝对零度时电子填充最高能级的能 量位置,从统计的观点来看,费米面就是电子填充几率为二分之一的能级位置。 23、 布洛赫波: 电子在晶格的周期性势场中运动的波函数是一个按晶格的周期性函数调 幅的平面波。 24、电子的有效质量: m = h
金属与半导体接触后费米能级一样吗

金属与半导体接触后费米能级一样吗全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:金属与半导体是两种具有不同导电特性的材料,它们在电子性质方面存在着显著的差异。
金属是指导电子较多的材料,其费米能级处于导带之内,电子能够轻松地在导带内传导电流。
而半导体是指导电子较少的材料,其费米能级处于禁带内,需要受到外界激发才能使电子跃迁至导带中进行导电。
当金属与半导体接触时,由于两者性质的不同,费米能级也会发生变化。
在接触界面处,金属的费米能级与半导体的费米能级会发生调节,以达到能量平衡。
这个调节过程是通过电子的迁移和再分布来实现的。
在金属-半导体接触处,电子从金属中向半导体注入,直到两者的费米能级相等。
尽管金属与半导体接触后费米能级会趋于一致,但在实际情况中并不会完全相等。
这是因为金属与半导体是两种本质上不同的材料,它们的晶格结构、电子构型、导电机制等都存在差异,所以费米能级不会完全相等。
而费米能级的不同也会导致金属与半导体接触处的电子传输性质有所差异。
在金属-半导体接触中,金属的导电性会对半导体的电子输运性质产生影响。
当金属与半导体接触时,金属中的自由电子会向半导体中输运,增加半导体的导电性。
这种现象被称为肖特基势垒,通过肖特基势垒的形成,金属与半导体接触处会形成一个电子能量梯度,促使电子从金属流向半导体。
而这个能量梯度的存在也意味着金属-半导体接触处的费米能级并不是完全一致的。
金属与半导体接触后,由于两者的特性差异,还会产生其它现象,如反向漏电流、接触电势差等。
这些现象都表明金属与半导体接触处的费米能级虽然会趋于一致,但并不会完全相等。
金属与半导体接触后,费米能级并不会完全一致,而是会受到各种因素的影响而有所差异。
金属与半导体接触处的电子传输性质也因此会发生变化,这对于半导体器件的设计和性能有着重要的影响。
在研究金属-半导体接触时,需要考虑各种因素的综合作用,以更好地理解和控制金属与半导体接触处的费米能级和电子传输性质。
自由电子论

ne2 1 0 ' i " m 1 i 1 i
0
ne2
m
其中 0 是直流电导率。以上推导见阎守胜书 p22
'
1
0 2
2
,
"
0 1 2
2
,
实数部分体现了与电压同位相的电流,也就是产生焦耳热
的那个电流,而虚部则体现的是与电压有 2 位相差的电流, 也就是感应电流。
—— Richardson-Dushman公式
其中
A
mekB2
2 2 3
W V0 EF0
在上面的推导中,用到两个积分公式:
exp
mv
2 y
2kBT
dvy
exp
mvz2 2kBT
dvz
2 kBT
i t
H
0
i
E t
故相对介电常数为:r
0
1
i
0
将上面求出的交流电导率代入该式,有:
r r ' ir " 1 0
0 1 2 2
i
0
0 1 2 2
示为: Ey E0 exp i qx t
运动方程的稳态解为:
e 1 v y m 1 it E y
电流密度 jy n e vy
ne2 1 0 ' i " m 1 i 1 i
费米能级的设计和金属的接触势差

外一点钟接触势差,内接触势差U12 ’’,把金属中的自由电子当作经典理想气 体近似处理,得: U12 ’’= e ln n 1
2
KT
n
其中n1 、n2 分别为M1 、M2 的自由电子数密度,K 为波尔兹曼常数,T 为绝对温度,因此总的接触势差为 U12 =U12 ’+U12 ’’=e W2 − W1 + e ln n 1
h2 3n 0 2 π
)3
式中: h —普朗克常量 m —粒子质量 n0 —粒子密度
f(E) —能量为 E 的能级被自旋相反的两个电子占据的几率
f E =
1 exp
E −E f kT
+1
式中 k —波尔兹曼常数 图中 n E 为电子按能量分布的分布密度,由上述公式可以看出,当温度 T 趋于 0K 时, f E =1,(E ≤ Ef0 ) f(E)=0,(E > Ef0 ) 而在一般温度下, T>0K 时,费米分布图如图所示
二、 金属的接触势差
1、 逸出功
电子克服原子核的束缚,从材料表面逸出所需要的最小能量。
2、
金属的接ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ势差
有两种不同金属M1 、M2 构成的非闭合回路,在真空中靠近两金属表面
处的两点间存在着因金属逸出功不同而产生的外接触电势差为 U12 ’=e W2 − W1 其中 e 为电子电荷的绝对值,W2 、W1 分别为M1 、M2 的脱出功,同时 两金属接触点处存在着印两金属单位体积中的自由电子数不同而产生的另
2
1
KT
n
当两块费米能级不同的金属相接触时,会产生电子的转移,知道两金 属的费米能级相同,达到平衡时,电子的转移过程也就停止了。 参考文献: 【1】 吴代鸣 固体物理基础 高等教育出版社 2009.01 【2】 黄昆 固体物体 北京科技出版社 2010.07 【3】 唐碧玉 关于接触电势差的推导 1983.07 【4】 李昱材,张国英,魏丹 金属电极电位与费米能级的对应关系 2007.01 【5】 孙汪点 金属接触电势差问题的讨论 暨南大学学报 1989 第三期 【6】 欧阳锋 热电偶接触势差的机理浅谈 1991.12
费米能级的设计及金属的接触势差

因为:
N=
E0 F 0
g(E)dE
m
2 3
得: 得:
N=
0 EF
8π V 3
3
( 2π 2 h 2 )
3N
2
0 (E= [2V/(2π)2 ](2m/h2 )3 解得费米能级为
h 2 3 2 N EF 2m V
2/3
从上式可以看出,费米能级只与单位体积固体中的电子数有关。因此,我们 可以通过改变固体中的电子数从而达到设计费米能级的效果。 由于不同金属的价电子数不同由于合金中的价电子是整个合金共有的, 当具 有不同价电子的金属组成合金时,固体中单位体积的电子数量会发生变化。 当在基体金属中掺杂价电子数比基体金属少的金属时: 单位体积中价电子数 减少,费米能级降低。
当在基体金属中掺杂价电子数比基体金属多的金属时: 单位体积中价电子数 增多,费米能级增大。 既可以通过合金化达到设计固体费米能级的目的。
金属的接触势差
任意两块不同的金属Ⅰ和Ⅱ接触,或者以导线相连时,两块金属就会带电并 产生不同电势VⅠ 和VⅡ ,称为接触势差。 脱出功 在金属的内部, 电子电子受到正离子的吸引,但由于各离子的吸引力互相抵 消, 使电子受到的净吸引力为零, 在金属表面处, 由于正离子的均匀分布被破坏, 电子将在金属表面处受到净吸引力,阻止他逸出金属的表面,这相当于金属表面 形成深度为E0 的势垒,金属中电子可看成是处于深度为E0 的势井中的电子系统, 电子的费米能级为EF 。 热电子发射问题就相当于电子跨越高度为E0 的势垒问题。 电子要越出金属至 少要从外界得到的能量为 Φ = E0 − EF —Φ称为脱出功或脱出函数。 0 T = 0k 时,所有的电子能量都不超过EF ,无电子可脱出金属。 随着温度的升高, 有一部分电子可获得大于的能量,这一部分电子可能逸出 金属表面形成热电子发射流。 热电子发射电流密度 j = 4πe
接触电动势和温差电动势的产生原理

接触电动势和温差电动势的产生原理1. 概述电动势是指导致电荷在导体中移动的力,是电动力和电荷单位正电荷之间的关系。
电动势可以由多种方式产生,其中包括接触电动势和温差电动势。
本文将重点探讨接触电动势和温差电动势的产生原理及其相关知识。
2. 接触电动势的产生原理接触电动势是由两种不同金属直接接触时产生的电动势。
在接触处,金属之间的电子会发生迁移,导致带电情况发生变化,从而产生电动势。
接触电动势的产生原理主要包括以下几点:2.1 费米能级对齐原理费米能级是指在固体中,占据能级和未占据能级之间的分界线。
当两种不同金属直接接触时,它们的费米能级会趋向对齐。
如果两种金属的费米能级相差较大,电子将会从费米能级较低的金属向费米能级较高的金属转移,产生电势差。
2.2 阻隔层效应在两种不同金属直接接触时,通常会形成一个非导电的氧化层或其他低导电性物质的薄膜,称为阻隔层。
这个阻隔层会阻碍电子的自由传输,从而产生电势差。
2.3 温度效应接触电动势还会受到温度的影响。
温度升高会使金属内部的电子迁移速度增加,从而增强接触电动势的大小。
3. 温差电动势的产生原理温差电动势是在金属导体中,由于导体两端温度不同而产生的电动势。
其产生原理主要包括以下几点:3.1 热电效应热电效应是温差电动势产生的基础。
当导体两端温度存在差异时,导体中的自由电子会受到热运动的影响,从而产生电势差。
热电效应是温差电动势产生的主要机制之一。
3.2 Seebeck效应Seebeck效应是指在金属导体中,当两个不同金属导体的温度存在差异时,会产生由温度差引起的电势差。
Seebeck效应是温差电动势的重要表现形式,也是温差电动势产生的重要原理之一。
3.3 Thompson效应Thompson效应是指在导体内部存在温度梯度时,会产生由温度梯度引起的电势差。
Thompson效应也是导致温差电动势产生的重要原理之一。
4. 总结接触电动势和温差电动势的产生原理是电磁学中的重要知识点,对于理解电动势的产生机制与特性具有重要意义。
半导体物理第七章总结复习_北邮分析

第七章一、基本概念1.半导体功函数: 半导体的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差。
金属功函数:金属的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差2.电子亲和能: 要使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量。
3. 金属-半导体功函数差o: (E F )s-(E F )m=Wm-Ws4. 半导体与金属平衡接触平衡电势差: q W W V sm D -=5.半导体表面空间电荷区 : 由于半导体中自由电荷密度的限制,正电荷分布在表面相当厚的一层表面层内,即空间电荷区。
表面空间电荷区=阻挡层=势垒层6.电子阻挡层:金属功函数大于N 型半导体功函数(Wm>Ws )的MS 接触中,电子从半导体表面逸出到金属,分布在金属表层,金属表面带负电。
半导体表面出现电离施主,分布在一定厚度表面层内,半导体表面带正电。
电场从半导体指向金属。
取半导体内电位为参考,从半导体内到表面,能带向上弯曲,即形成表面势垒,在势垒区,空间电荷主要有带正电的施主离子组成,电子浓度比体内小得多,因此是是一个高阻区域,称为阻挡层。
【电子从功函数小的地方流向功函数大的地方】7.电子反阻挡层:金属功函数小于N 型半导体功函数(Wm<Ws )的MS 接触,电子从金属流向半导体,半导体表面带负电,金属表面带正电,电场方向指向半导体。
从半导体内到表面,能带下弯曲,半导体表面电子浓度比体内高(N 型反阻挡层)。
8.半导体表面势垒(肖特基势垒)高度:s m s D W W qV qV -=-=9.表面势垒宽度:10.半导体表面势: 取半导体体内为参考电位,半导体表面的势能Vs 。
11 .表面态: 在半导体表面处的禁带中存在着表面态,对应的能级称为表面能级。
表面态一般分为施主型和受主型两种。
若能级被电子占据时呈中性,施放电子后呈正电性,成为施主型表面态;若能级空着的时候为电中性,接收电子后带负电,则成为受主型表面态。
费米能级的设计和金属的接触势差

f E, T = e (E −u )
1
k BT
+1
它表示在温度 T 达到热平衡时,能量为 E 的电子态被电子占据的概率。式中 u 为化学式,它 的定义为
u = ( ∂N )
∂F
T,V
表示在保持 T,V 不变时体系自由能 F 随电子总数 N 的变化率。 在分布函数中 u 是一个决定电 子在各能级中分布的参量,它由电子总数 N 应满足的条件
M1、 M2 间形成了静电场, 使金属 M1 的电势高于金属 M2, 其电势差即通常所说的接触电势差。 这时候金属 M1,中的电子附加上在正的静电场中的能量 (负值) , 同时金属 M2 中的电子附 加上在负的静电场中的能量(正值) , 恰好使两金属的费米能级相同, 达到平衡, 电子的 净转移过程也就停止了。 设 φ为两金属接触后产生的电势差附加到两金属中电子上的能量之差,则我们可以得到
费米能级的设计和金属的接触势差
摘要: 本文考虑了有效电子相关能, 计算了费米能级与电子密度及温度的关系。 并通过对此 的分析进行费米能级的相关设计。 同时解释了有关金属接触势差的问题, 指出金属接 触势差完全由两金属的脱出功决定, 不存在由脱出功以外的电子密度不同这一因素而 造成的所谓内接触电势差。 关键词:费米能级、金属接触势差、 脱出功 一、费米能级的设计 在讨论费米能级的设计之前,我们要对“费米能级”有一个基本的了解。 在能带模型中, 费米能级是指电子占据几率为 1/2 的能量状态。 如果费米能级是处于禁带 正中,则空穴数与自由电子数相等,这是材料是本征的。如果费米能级靠近导带,则自由电 子数多于空穴数,材料为 N 型;反之,如果费米能级靠近价带,则空穴数多于自由电子数, 材料为 P 型。 费米能级的大小是以它到禁带中心的距离来衡量的。所以费米能级的位置与温度有关。 另一方面,自由电子气应服从 Fermi-Dirac 统计分布,分布函数为
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费米能级设计及金属的接触势差
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院(1091900416)
摘要:由量子电子理论,对Fermi-Dirac 分布函数推导出费米能级的计算公式,得出费米能级依赖于电子密度n ,进而对费米能级进行设计。
接触电势差来源于两块金属的费米能级不一样高,应用公式推导从而得出金属接触势差与费米能级的关系。
关键词:费米能级;电子密度;金属接触势差
费米能级是指对于金属,绝对零度下,电子占据的最高能级就是费米能级;也可以理解为绝对零度时金属中电子的化学势。
金属接触势差为两种不同的金属相互接触时在它们之间产生的电势差。
一、 费米能级及费米能级的设计
自由电子气服从Fermi-Dirac 统计分布规律,满足下式:
(,)f E T =
()/1
1E kT
e
μ-+
它表示温度在T 的热平衡石,能量处于E 的电子态被电子所占据的概率。
K 为波尔兹曼常数,T 为热力学温度,μ为化学势,定义为:
μ=,(
)T V
F N
∂∂
表示温度T 和压力V 一定是,体系自由能F 与电子数目N 的变化率。
在分布函数中,μ是一个决定电子在各能级分布的函数,它与N 的关系满足:
1/2
3/2
2
2
()/0
2(,)()(
)
21E kT
V m E dE N f E T g E dE e
μπ
∞∞-=
=
+⎰
⎰
当T=0K 时,体系处于基态,也就是体系能量的最低函数,分布函数为:
1,(0)
0,(0)
(,){lim
E E T f E T μμ<>→=
μ(0)为T-=0体系的化学势。
可见能量大于μ(0)的轨道是空的,而能量小于μ(0)的轨道被电子所填满。
由于Pauli 不相容原理,每个轨道只能容纳自旋相反的两个电子,所以电子只能按照能量从低到高的规律填充在各轨道中。
μ(0)为基态时电子能量最高的轨道。
通常称为Fermi 面。
由公式0
()()N f E g E dE ∞
=
⎰
()F E N E dE =
⎰
=
1
20
()F E C E d E ⎰
=
3
2
2()3
F C E ()()
3
232
2
3
23F V m E π=
所以有
()2
3
2
32
2
22
3322F N E n m V m
ππ⎛⎫= ⎪
⎝⎭= =2
2
F 2m k 21/3(3)F k n π= F
k 称为Fermi 波矢,它只依赖于电子密度n ,从而Fermi 能级F E 也完全由n 决
定。
所以费米能级的设计依赖于对电子密度的改变。
金属中电子浓度的改变可通过
掺杂价态不同于基体金属价态的元素来调节基体金属的电子浓度。
但应该考虑两者之间的固溶程度。
二、 金属的接触势差
有两种不同金属1M 和2M 构成的非闭合回路(图1),在真空中靠近金属表面的a 和b 存在着因为金属逸出功不同而存在的势差12U '
如图所示。
其中:
12U ' =
211()
W W e
-
e 为电子电荷的绝对值,1W 、2W 分别为1M 、2M 的逸出功。
同时在两金属接触的地方(如图c,d 两点),存在着因两金属单位体积中的自由电子数不同而产生的另一种接触势差——内接触势差12U '',把金属中的自由电子当作经典理想气体近似处理,得到:
1122
ln n K T U e n ''-
其中1n 、2n 分别为1M 、2M 自由电子数密度,K 为Boltzman 常数,T 为热力学温度(K )。
因此总的接触势差为:
1121212212
1()ln n K T U U U W W e
e n '''=+=
-+
三、金属接触势差与费米能级的关系
1. 把相互接触金属1M 、2M 看成是可以交换粒子,它们在一定温度和压强的通常情况下相互接触后,由于电子交换,一开始整个系统的化学势φ的变化是
1122F F d E dN E dN φ=+
其中1F E 、2F E 和1dN 、2dN 分别为第一、第二系统金属1M 、2M 的Fermi 能级和电子数变化,因为1dN = -2dN ,所以
112()F F d dN E E φ=-
若1F E = 2F E ,d φ=0,相当于平衡态。
若1F E ≠2F E ,系统就不平衡;过渡到平衡态,意味着d φ< 0。
设1F E >2F E ,条件d φ< 0要求1dN < 0,1dN = -2dN > 0,即具有较高Fermi 能级的子系统1M 的电子数将减少,具有较低Fermi 能级子系统2M 的电子数将增加,即电子从1M 流入2M 直至由于电子转移引起金属1M 、2M 的电势发生变化,使两者的Fermi 能级达到一致为止。
因此原来能带位置如(图2)的两种不同金属1M 、2M 接触后,变成如(图3)所示。
结果1M 带正电,电势升高,电子的势能减小;2M 带负电,电势降低,电子的势能增大。
也就是说,由原来的两金属Fermi 能级不同引起的电子转移,在1M 、2M 间形成了静电场,使金属1M 的电势高于金属2M ,其电势差即通常所说的外接触电势差。
这时候金属1M 中的电子附加在正的静电场中的能量(负值),同时金属2M 中的电子附加在负的静电场中的能量(正值),恰好使两金属的Fermi 能级相同,达到平衡,电子的净转移过程也就停止了。
令φ为金属接触后产生的电势差附加到两金属电子的能量差,我们从图可以得出
φ=21
W W -
那么,外接金属电势差满足下式:
12211()
U W W e
e
φ
=
=
-
由于金属逸出功在绝对能量参考系中与Fermi 能级相同,我们可以得出:
1210201()
F F U E E e
=
-
因此,金属接触势差和Fermi 能级相关。
2.既然外接触电势差起源于Fermi 能级差,而Fermi 能级是随温度略有变化的,所以外接触电势差也随温度略有变化。
做经典近似处理我们把Fermi 分布函数写成:
()/()/(,)22F F E E K T
E E K T
f E T e
e
---==
设金属单位体积中的自由电子数为n ,则
/2i E K T
i
z e
-=
∑
相当于经典理论中的电子分配函数,从而我们得到:
1ln F
K T n E z
=
在温度不高的时候:
2
22
012
F F
F
K T E E E π
=-
带入化简得:
2
0/ln
12
F F
n E E KT z π
=-
故在温度T 时,外接金属接触势差的大小:
1020
21
12F F E E W W U e
e
--=
=
2
002110
20
1()(1/ln
1/ln
)
12
F F n n KT E
E e
e
z
z
π=
-+
-
2
0011210
20
1()ln
/(ln
)(ln )
12
F F n n n K T E
E
e
e
n
z
z
π
=-+
金属接触势差与两金属绝对零度时的Fermi 能级,热力学温度T (K )有关。
温度变化,接触金属的费米能级的改变都将改变金属的接触势差。
在一般情况下,KT 较小,忽略温度这一影响因素,则只需讨论两金属的Fermi 能级对金属接触势差的影响。
参考文献
[1]孙汪典 .金属接触电势差问题讨论,暨南大学学报;1989. [2]黄昆,韩汝琦.固体物理学. 北京:高等教育出版社,1988:288—290。