MOCVD的外延片技术研究报告和工艺流程!
mocvd外延生长步骤
MOCVD外延生长步骤简介MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）是一种常用的半导体外延生长技术，广泛应用于半导体器件制造中。
本文将详细介绍MOCVD外延生长的步骤和相关原理。
基本原理MOCVD是一种化学气相沉积技术，通过在高温下将金属有机化合物和载气反应，从而在衬底上沉积出所需的材料。
整个过程可以分为以下几个步骤：1.衬底预处理：在进行外延生长之前，需要对衬底进行预处理，以去除表面的杂质和氧化物，并提供一个干净平整的基础。
2.加载衬底：将经过预处理的衬底放置在反应室中，并通过真空系统排除其中的空气和水分。
3.加热：使用加热装置将反应室升温至所需温度。
温度通常在500°C到1200°C之间，具体取决于要生长的材料。
4.载气流入：引入适当的载气（如氢气或氮气）到反应室中，以稀释金属有机化合物的浓度，并提供反应所需的气氛。
5.金属有机化合物进入：将金属有机化合物（如三甲基镓、三乙基铝等）通过气体进料系统引入反应室。
这些化合物会在高温下分解，释放出所需的金属元素。
6.生长反应：金属元素与载气中的氢原子发生反应，形成所需材料的沉积物。
反应过程中需要控制温度、压力和流量等参数，以获得理想的生长速率和材料质量。
7.冷却：在完成生长后，将反应室冷却至室温，停止外延生长过程。
8.取出衬底：将外延生长后的衬底从反应室中取出，并进行后续处理和测试。
过程优化为了获得高质量的外延薄膜，需要对MOCVD过程进行优化。
以下是一些常用的优化方法：1.材料选择：选择适当的金属有机化合物和载气组合，以获得所需材料的最佳生长条件。
2.温度控制：通过精确控制反应室的温度，可以调节外延生长速率和材料品质。
温度过高可能导致材料熔化或不稳定，而温度过低则可能影响生长速率和结晶质量。
3.气氛控制：合理选择和调节载气的流量和压力，以提供适当的反应气氛。
过高的压力可能导致材料堆积过厚或形成颗粒，而过低的压力则可能影响生长速率和均匀性。
MOCVD工艺简介
MOCVD金属有机物化学气相淀积（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，简称MOCVD），1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。
该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。
第一章外延在光电产业角色近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。
而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管ＬＥＤ及激光二级管ＬＤ的应用无不说明了Ⅲ－Ⅴ族元素所蕴藏的潜能，表１－１为目前商品化ＬＥＤ之材料及其外延技术，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓ＧａＡｓＰ材料为主。
ＭＯＣＶＤ机台是众多机台中最常被使用来制造ＬＥＤ之机台。
而ＬＥＤ或是ＬＤ亮度及特性的好坏主要是在于其发光层品质及材料的好坏，发光层主要的组成不外乎是单层的ＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子井ＳｉｎｇｌｅＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌ或是多层的量子井ＭｕｌｔｉｐｌｅＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌ，而尽管制造ＬＥＤ的技术一直在进步但其发光层ＭＱＷ的品质并没有成正比成长，其原是发光层中铟Ｉｎｄｉｕｍ的高挥发性和氨ＮＨ３的热裂解效率低是ＭＯＣＶＤ机台所难于克服的难题，氨气ＮＨ３与铟Ｉｎｄｉｕｍ的裂解须要很高的裂解温度和极佳的方向性才能顺利的沉积在ＩｎＧａＮ的表面。
但要如何来设计适当的ＭＯＣＶＤ机台为一首要的问题而解决此问题须要考虑下列因素：１要能克服ＧａＮ成长所须的高温２要能避免ＭＯＧａｓ金属有机蒸发源与ＮＨ３在预热区就先进行反应３进料流速与薄膜长成厚度均。
一般来说ＧａＮ的成长须要很高的温度来打断ＮＨ３之Ｎ－Ｈ的键解，另外一方面由动力学仿真也得知ＮＨ３和ＭＯＧａｓ会进行反应产生没有挥发性的副产物。
MOCVD的外延片技术研究报告和工艺流程!
MOCVD的外延片技术研究报告和工艺流程!MOCVD市场研究报告刘根第一章引言...................................................................... (2)第二章 LED概述 ................................................................. .. (2)第一节 LED简介 ..................................................................... (2)第二节 LED发光原理 ..................................................................... . (3)一、P-N结 ..................................................................... (3)二、LED发光原理 ..................................................................... .. (3)第三章 LED产业链 ................................................................. . (4).................................................................... ............... 4 第一节 LED产业链概述 .第二节 LED上游 ..................................................................... (4)一、LED外延片生长 ..................................................................... . (5)二、MOCVD机台制造LED之介绍 (6)三、 MOCVD工艺流程图 (11)第三节 LED下游 ..................................................................... . (11)一、LED芯片封装形式 ..................................................................... . (11)第四章 LED的应用12第五章市场分析………………………………………………………… …..13第一节客户概况..................................................................... .13 第二节原材料厂商................................................... . (15)2010年9月4日1第一章引言半导体技术已经改变了世界，半导体照明技术将再一次改变我们的世界。
MOCVD工艺简介
MOCVD工艺简介MOCVD设备将Ⅱ或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族元素的氢化物相混合后通入反应腔，混合气体流经加热的衬底表面时，在衬底表面发生热分解反应，并外延生长成化合物单晶薄膜。
与其他外延生长技术相比，MOCVD技术有着如下优点：（1）用于生长化合物半导体材料的各组分和掺杂剂都是以气态的方式通入反应室，因此，可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等。
可以用于生长薄层和超薄层材料。
（2）反应室中气体流速较快。
因此，在需要改变多元化合物的组分和掺杂浓度时，可以迅速进行改变，减小记忆效应发生的可能性。
这有利于获得陡峭的界面，适于进行异质结构和超晶格、量子阱材料的生长。
（3）晶体生长是以热解化学反应的方式进行的，是单温区外延生长。
只要控制好反应源气流和温度分布的均匀性，就可以保证外延材料的均匀性。
因此，适于多片和大片的外延生长，便于工业化大批量生产。
（4）通常情况下，晶体生长速率与Ⅲ族源的流量成正比，因此，生长速率调节范围较广。
较快的生长速率适用于批量生长。
（5）使用较灵活。
原则上只要能够选择合适的原材料就可以进行包含该元素的材料的MOCVD生长。
而可供选择作为反应源的金属有机化合物种类较多，性质也有一定的差别。
（6）由于对真空度的要求较低，反应室的结构较简单。
（7）随着检测技术的发展，可以对MOCVD的生长过程进行在位监测。
实际上，对于MOCVD和MBE技术来说，采用它们所制备的外延结构和器件的性能没有很大的差别。
MOCVD技术最吸引入的地方在于它的通用性，只要能够选取到合适的金属有机源就可以进行外延生长。
而且只要保证气流和温度的均匀分布就可以获得大面积的均匀材料，适合进行大规模工业化生产。
MOCVD技术的主要缺点大部分均与其所采用的反应源有关。
首先是所采用的金属有机化合物和氢化物源价格较为昂贵，其次是由于部分源易燃易爆或者有毒，因此有一定的危险性，并且，反应后产物需要进行无害化处理，以避免造成环境污染。
MOCVD生长GaN基蓝光LED外延片的研究
LED外延片及知名生产企业介绍外延生长的大体原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（要紧有蓝宝石（Al2O3）和SiC，Si）上，气态物质In,Ga,Al,P有操纵的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
目前生长技术要紧采纳有机金属化学气相沉积方式。
大体原理Ⅲ-V族氮化合物InN、GaN、AIN及其合金材料，其带隙宽度从至，覆盖了可见光及紫外光光谱的范围。
GaN材料系列是一种理想的短波长发材料，对GaN材料的研究与应用是现今全世界研究的前沿和热点，市场上的及紫光LED都是采纳GaN基材料生产出来的。
GaN是极稳固的化合物和坚硬的高熔点材料，也是直接跃迁的宽带隙半导体料，不仅具有良好的物理和化学性质，而且具有电子饱和速度高、热导率好、禁带宽度大和介电常数小等特点和强的抗辐照能力，可用来制备稳固性能好、寿命长、耐侵蚀和耐高温的大器件，目前普遍应用于子、蓝光LED、紫光探测器、高温大功率器件和高频微波器件等光电器件。
制备高质量的GaN基材料和薄膜材料，是研制和开发发光外延材料及器件性能的前提条件。
目前市场上尚未哪家公司能生产两寸的高质量的GaN单晶衬底，即便有GaN单晶衬底，价钱也相当的昂贵。
此刻大多数公司利用的衬底材料都是兰宝石（Al2O3），尽管它与GaN失配达%，在兰宝石衬底上生长的GaN 薄膜材料会有超级高的位错密度，但本钱低、价钱低廉，工艺也比较成熟，在高温下有良好的稳固性。
工艺金属有机物化学气相淀积（Metal-OrganicChcalVaporDeposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物单品薄膜的新技术。
该设备集周密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、、化学、多学科为一体，是一种程度高、价钱昂贵、技术集成度高的尖端子专用设备，要紧用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有进展前途的专用设备之一。
mocvd半导体外延生长流程
mocvd半导体外延生长流程英文回答：Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Semiconductor Epitaxy Growth Process.Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) is a chemical vapor deposition (CVD) technique used to deposit thin films of semiconductors. In MOCVD, metalorganic precursors are used as the source of the metal atoms, and a carrier gas is used to transport the precursors to the growth substrate. The precursors react with each other on the substrate surface to form the desired semiconductor material.The MOCVD process can be divided into three main steps:1. Precursor delivery: The metalorganic precursors are vaporized and transported to the growth substrate by a carrier gas. The precursors are typically heated to a hightemperature to ensure that they vaporize completely.2. Surface reaction: The precursors react with eachother on the substrate surface to form the desired semiconductor material. The reaction conditions, such asthe temperature and pressure, are carefully controlled to ensure that the desired material is deposited.3. Film growth: The semiconductor material is deposited on the substrate surface in a thin film. The thickness ofthe film is controlled by the deposition time and the flow rate of the precursors.MOCVD is a versatile technique that can be used to deposit a wide variety of semiconductor materials. The process is well-suited for the deposition of thin filmswith precise control over the film composition and thickness. MOCVD is used in the fabrication of a variety of electronic devices, including LEDs, lasers, and transistors.中文回答：金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 半导体外延生长流程。
LED芯片MOCVD外延生长
LED芯片具有高效、节能、环保 、寿命长等优点，广泛应用于照 明、显示、背光等领域。
MOCVD外延生长在LED芯片制造中的重要性
01
02
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实现高效发光
通过MOCVD外延生长技 术，可以在合适的衬底上 生长出高质量的发光层， 实现高效发光。
提高芯片性能
MOCVD外延生长技术可 以精确控制材料组分和厚 度，从而优化LED芯片的 性能。
MOCVD技术具有较低的成本和较高的经济 效益，使得LED芯片更具市场竞争力。
缺点
设备成本高
MOCVD设备成本较高，增加 了LED芯片的生产成本。
外延层质量不稳定
由于各种因素的影响，外延层 的质量有时会出现不稳定的情 况，影响LED芯片的性能和可靠 性。
操作难度大
MOCVD技术的操作难度较大 ，需要专业技术人员进行操作 和维护。
LED芯片MOCVD外延生 长
• MOCVD外延生长技术简介 • LED芯片与MOCVD外延生长的关系 • LED芯片MOCVD外延生长的过程 • LED芯片MOCVD外延生长的优缺点 • LED芯片MOCVD外延生长的未来发展
01
MOCVD外延生长技术简介
MOCVD技术的定义
MOCVD（Metallorganic Chemical Vapor Deposition）即金属有机化合物化学 气相沉积技术，是一种在半导体材料表面上进行外延生长的技术。
MOCVD技术可用于制备高效太阳能电池，如异质结太阳能电池、多结太阳能电池等，提 高光电转换效率。
光电子器件
MOCVD技术还可用于制备光电子器件，如激光器、探测器等，广泛应用于光通信、光传 感等领域。
02
LED芯片与MOCVD外延生长的关系
LED芯片MOCVD外延生长
2021/10/10
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MOCVD及相关设备技术发展现状
▪ MOCVD技术自二十世纪六十年代首先提出以来，经过七十 至八十年代的发展，九十年代已经成为砷化镓、磷化铟等光 电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、 磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家 Nakamura将MOCVD应用氮化镓材料制备，利用他自己研 制 的MOCVD设备(一种非常特殊的反应室结构)，于1994年 首先生产出高亮度蓝光和绿光发光二极管，1998年实现了室 温下连续激射10,000小时，取得了划时代的进展。到目前为 止，MOCVD是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主 流方法，从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本 等主要指标来看，还没有其它方法能与之相比。
2021/10/10
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Al2O3衬底
▪ 目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是Al2O3，其优 点是化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制 造技术相对成熟；不足方面虽然很多，但均一一被 克服，如很大的晶格失配被过渡层生长技术所克服， 导电性能差通过同侧P、N电极所克服，机械性能差 不易切割通过激光划片所克服，很大的热失配对外 延层形成压应力因而不会龟裂。但是，差的导热性 在器件小电流工作下没有暴露出明显不足，却在功 率型器件大电流工作下问题十分突出。
[2]界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性强； [3]化学稳定性好，在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀； [4]热学性能好，包括导热性好和热失配度小； [5]导电性好，能制成上下结构； [6]光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小； [7]机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等； [8]价格低廉； [9]大尺寸，一般要求直径不小于2英吋。
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可在形状复杂的基材 衬底 上形成均匀镀膜,结构密致,附着力良好之优点,因此MOCVD已经成为工业界主要的镀膜技术。MOCVD制程依用途不同,制程设备也有相异的构造和型态。整套系统可分为：
a.进料区
进料区可控制反应物浓度。气体反应物可用高压气体钢瓶经MFC精密控制流量,而固态或液态原料则需使用蒸发器使进料蒸发或升华,再以H2、Ar等惰性气体作为carrier而将原反应物带入反应室中。
金属有机物化学气相沉积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD），
如:MOCVD外延图示
1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。
b.反应室
反应室控制化学反应的温度与压力。在此反应物吸收系统供给的能量,突破反应活化能的障碍开始进行反应。
7.依照操作压力不同,MOCVD制程可分为:
I常压MOCVDAPCVD
II低压MOCVDLPCWD
III超低压MOCVDSLCVD。
依能量来源区分为热墙式和冷墙式,如分如下:
(I)热墙式 由反应室外围直接加热,以高温为能量来源
LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
第二节
一、
半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。
我国是世界照明电器第一大生产国、第二大出口国，半导体照明产业有很强的产业基础，而且政策明确表示对行业的支持，因此未来我国LED将面临巨大的发展机遇。中国的LED产业2003年以来快速发展，已覆盖外延、芯片、封装、应用产品等上下游产业链，“一头沉”的状态正在发生改变，中国LED上游产业得到了较快的发展，其中芯片产业发展最为引人注目。从产业规模看，2006年中国LED产业包括了衬底、外延、芯片、封装四个环节。其中，封装仍是中国LED产业中最大的产业链环节，但产值所占比例相对以前有了很大的改善，并在将来的发展中，芯片（MOCVD）占的比重将持续得到提升，封装环节占的比重将逐年下降。中国LED产业结构正在由较低端的封装转向附加值更高、更具核心价值的芯片（MOCVD）环节。
第三章
第一节
LED产业一般按照材料制备、芯片制备和器件封装与应用分为上、中、下游。虽然产业环节不多，但其涉及的技术领域广泛，技术工艺多样化，上下游之间的差异巨大，上游环节进入壁垒大大高于下游环节(上游外延片制备的投资规模比一些下游应用环节高出上千倍)，呈现金字塔形的产业结构。
其中，上游和中游技术含量较高，资本投入密度大。从上游到下游，产品在外观上差距相当大。LED发光顏色与亮度由磊晶材料决定，且磊晶占LED制造成本70%左右，对LED产业极为重要。
但要如何来设计适当的MOCVD机台为一首要的问题而解决此问题须要考虑下列因素：
1.要能克服GaN成长所须的高温
2.要能避免MO Gas金属有机蒸发源与NH3在预热区就先进行反应
3.进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说GaN的成长须要很高的温度来打断NH3之N-H的键解,另外一方面由动力学仿真也得知NH3和MO Gas会进行反应产生没有挥发性的副产物。了解这些问题之后要设计适当的MOCVD外延机台的最主要前题是要先了解GaN的成长机构,且又能降低生产成本为一重要发展趋势。
二．MOCVD机台之介绍
目前国际上MOCVD设备厂商为德国,美国,英国,日本等少数国家中数量非常有限的企业可以生产,一台24片机器的价格高达数千万元(当前价格约300万美圆)
以往欧美厂商主要包括德国Aixtron,美国Emcore和英国ThomasSwan.1992年德国Aixtron根据Philips授权专利生产出第一台多片式行星式Байду номын сангаас应室的MOCVD机.此后,Emcore被美国Veeco收购,ThomasSwan被德国Aixtron收购.
第二章
第一节
LED（Light Emitting Diode），中文名：发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。当初多用作为指示灯、显示板等；随着白光LED的出现，也被用作照明。它被誉为21世纪的新型光源，具有效率高，寿命长，不易破损等传统光源无法与之比较的优点。加正向电压时，发光二极管能发出单色、不连续的光，这是电致发光效应的一种。改变所采用的半导体材料的化学组成成分，可使发光二极管发出在近紫外线、可见光或红外线的光。
2010年9月4日
第一章
半导体技术已经改变了世界，半导体照明技术将再一次改变我们的世界。作为一种全新的照明技术，LED是利用半导体芯片作为发光材料、直接将电能转换为光能的发光器件。自20世纪60年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来，LED照明由于具有寿命长、节能、色彩丰富、安全、环保的特性，被誉为人类照明的第三次革命。
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称P-N结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。
P-N结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 P-N 结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的P-N结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。
技术指标：高真空反应沉积室，极限真空度优于：6.7×10-5Pa（经烘烤除气）
反应沉积室：尺寸：φ200×240mm
样品加热器：样品尺寸为：φ50mm
沉积温度：800~1200℃
温度精度：±1℃
真空室漏率：小于5×10-8Pa.l/s
工作气体为五路，其中3路为有机源，气态源为2路，由进口质量流量控制器控制
而行业内最领先的日本企业对技术严格封锁,其中GaN材料研究最成功的日本 日亚化学和丰田合成(ToyodaGosei)的MOCVD设备则根本不对外销售,另一家技术比较成熟的日本 酸素(Sanso)公司的设备只限于日本境内出售.
1.美国维易科（Veeco）精密仪器公司(Veeco Instruments):
上海办事处：新金桥路1888号7号楼505室
电话: (86) 21-5531-8005传真: (86) 21-3872-0056
新型设备TurboDisc K465 GaN（量产型）金属有机化学汽相沉积系统:
TurboDisc K465 GaN MOCVD外延生长系统与K300外延生长系统共享同一系统平台，拥有目前业界批量生产GaN-基蓝、绿光LEDs和蓝光激光器的最大产能。K465采用了Veeco最先进的TurboDisc反应室技术，其产能优于其他同类系统约50%.
3.MOCVD机台产品利用率比对情况：
上表为：全球LED厂家安装MOCVD的增长情况（单位：千/反应器）
最好的情况最差的情况
MOCVD反应器使用率（％）
4.按目前MOCVD外延生长的技术，2英寸外延片的成本在2000元人民币左右，国际市场价格在3000元人民币左右。
5．而LED或是LD亮度及特性的好坏主要是在于其发光层品质及材料的好坏,发光层主要的组成不外乎是单层的In GaN/ GaN量子井（Single Quantum Well）或是多层的量子井（Multiple Quantum Well）,而尽管制造LED的技术一直在进步但其发光层MQW的品质并没有成正比成长,其原因是发光层中铟（Indium）的高挥发性和氨NH3的热裂解效率低是MOCVD机台所难于克服的难题,氨气NH3与铟的裂解须要很高的裂解温度和极佳的方向性才能顺利的沉积在InGaN的表面。
第
LED上游产品分为单晶片和磊晶片，其中单晶片是作为材料的基板（衬底），磊晶片（外延片）长相大概是一个直径六到八公分宽的圆形，厚度相当薄，就像是一个平面金属一样。上游磊晶制程顺序为：单芯片(III-V族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。
一
LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。LED主要的外延生长技术包括LPE液相外延、VPE气相外延和MOCVD金属气相外延三种。前两者主要用来生产传统LED，后者用于生产高亮度LED。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法（MOCVD）。
MOCVD市场研究报告
刘根
三、MOCVD工艺流程图…………………………………………………………….11
第五章市场分析……………………………………………………………..13
第一节客户概况…………………………………………………………….13
第二节原材料厂商……………………………………………………….15
(II)等离子辅助MOCVD
(III)电子回旋共振是电浆辅助
(IV)高周波MOCVD
(V)Photo－MOCVD
(VI)others
其中(II)至(VI)皆为冷墙式
8.废气处理系统
通常以淋洗塔、酸性、碱性、毒性气体收集装置、集尘装置和排气淡化装置组合成为废气处理系统,以吸收制程废气,排放工安要求,对人体无害的气体。
AIXTRON与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片，在6x6寸AIX2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上，产量增加约30%（相较于传统42x2-inch的架构），不但均匀性较好，也减少了边缘效应(edge effect)。不过就现阶段而言，大多数的困难仍然在于6寸的基板价格偏高与外延片切割技术的挑战。