光电子中的半导体材料
半导体发光材料
半导体发光材料半导体发光材料是一种在电流或电场的作用下能够发出可见光的材料。
它们通常是由半导体材料构成的，具有直接能隙结构，能够实现电子和空穴的复合，从而产生光子。
半导体发光材料在现代光电子技术中具有广泛的应用，如LED、激光器、光电探测器等。
本文将从半导体发光材料的基本原理、材料种类以及应用领域等方面进行介绍。
半导体发光材料的基本原理是通过外加电场或电流使得电子和空穴发生复合，从而释放出能量，产生光子。
这种发光过程是一种固体物理学中的直接能隙辐射过程。
在半导体材料中，电子和空穴可以通过外加电场或电流被激发到激子态，当激子复合时，就会释放出光子，产生发光现象。
根据材料的不同，半导体发光材料可以分为多种类型，包括有机发光材料、无机发光材料、量子点发光材料等。
有机发光材料通常是指含有碳、氢、氧、氮等元素的有机化合物，如聚合物发光材料、有机小分子发光材料等。
无机发光材料则是指由无机化合物构成的发光材料，如氧化锌、氮化镓等。
而量子点发光材料是一种新型的半导体纳米材料，具有优异的光电性能和发光特性。
半导体发光材料在LED、激光器、光电探测器等领域有着广泛的应用。
LED作为一种新型的绿色照明光源，具有节能、环保、寿命长等优点，已经逐渐取代了传统的白炽灯和荧光灯。
激光器则是一种高亮度、高单色性、高方向性的光源，被广泛应用于通信、医疗、制造等领域。
光电探测器则是利用半导体发光材料的光电特性来实现光信号的转换和检测，广泛应用于光通信、光谱分析、遥感探测等领域。
总的来说，半导体发光材料作为一种重要的光电功能材料，具有广泛的应用前景。
随着科技的不断进步和发展，相信半导体发光材料将会在更多的领域得到应用，并为人类社会的发展做出更大的贡献。
半导体材料举例
半导体材料举例半导体材料是一种特殊的材料，具有介于导体和绝缘体之间的电导率。
它们在现代电子学中扮演着重要的角色，被广泛应用于电子器件、光电器件、太阳能电池等领域。
下面列举了一些常见的半导体材料。
1. 硅（Si）：硅是最常见的半导体材料之一，具有良好的电学性能和化学稳定性。
它被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
2. 碳化硅（SiC）：碳化硅是一种新型的半导体材料，具有高温、高压、高频等特殊性能。
它被广泛应用于电力电子、汽车电子等领域。
3. 氮化镓（GaN）：氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有高电子迁移率和高饱和漂移速度。
它被广泛应用于LED、激光器等领域。
4. 磷化镓（GaP）：磷化镓是一种窄禁带半导体材料，具有良好的光电性能。
它被广泛应用于光电器件、太阳能电池等领域。
5. 砷化镓（GaAs）：砷化镓是一种高速、高频半导体材料，具有良好的电学性能和光电性能。
它被广泛应用于微波器件、光电器件等领域。
6. 氮化铝（AlN）：氮化铝是一种宽禁带半导体材料，具有良好的热导率和机械性能。
它被广泛应用于高功率电子器件、LED等领域。
7. 氮化硼（BN）：氮化硼是一种高温、高硬度半导体材料，具有良好的热导率和化学稳定性。
它被广泛应用于高温电子器件、陶瓷材料等领域。
8. 氧化锌（ZnO）：氧化锌是一种宽禁带半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。
它被广泛应用于光电器件、传感器等领域。
9. 硒化铟（In2Se3）：硒化铟是一种新型的半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。
它被广泛应用于太阳能电池、光电器件等领域。
10. 硫化镉（CdS）：硫化镉是一种窄禁带半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。
它被广泛应用于太阳能电池、光电器件等领域。
半导体材料在现代电子学中扮演着重要的角色，不同的半导体材料具有不同的特殊性能，可以满足不同领域的需求。
随着科技的不断发展，相信半导体材料的应用领域会越来越广泛。
三五族半导体材料
三五族半导体材料三五族半导体材料，是指由三阶(half filled)及五阶(filled)元素组成的半导体材料，因其具有优异的物理特性，如高载流子迁移率、高电导率、高光电效应等，被广泛应用于光电子器件、光伏器件、光纤通信等领域。
自20世纪60年代初开始，三五族半导体材料得到了快速发展。
最早的三五族半导体是砷化镓(GaAs)和磷化镓(GaP)，它们具有高载流子迁移率和高电导率，适用于高频电子器件和光电子器件。
之后又发展出了多种三五族半导体材料，如氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、砷化铝(AlAs)、磷化铝(AlP)、氮化铝(AlN)、磷化铟(InP)等。
三五族半导体材料的物理特性主要取决于其晶格结构和化学成分。
这些材料具有多种晶格结构，如锌切石英型、菱面体型、蓝宝石型、闪锗石型等。
此外，它们的化学成分中含有三五族元素和其他元素，如氮、硅、碳等。
这些元素的掺杂会导致材料的特性发生变化，如改变材料的导电性、光电性等。
三五族半导体材料的光电性质是其最重要的特性之一。
这些材料可以通过控制其能带结构来实现光电器件中所需的特性。
例如，将掺杂量调整到相应的浓度范围内可以实现发光二极管(LED)和激光器。
此外，这些材料还可以用于光伏器件中，通过光电转换将光能转化为电能。
其中，砷化镓太阳能电池以其高效率和长寿命而备受关注。
除了光电性质外，三五族半导体材料的热学和力学性质也是它们被广泛应用的原因之一。
例如，碳化硅具有高热传导性和高抗腐蚀性，适用于高温、高速和高压环境中的电子器件。
此外，磷化铟的载流子迁移率非常高，可以用于制造高速晶体管和场效应晶体管。
总的来说，三五族半导体材料具有多种物理特性，可应用于光电子器件、光伏器件、光纤通信等领域。
随着科技的不断进步，它们的应用领域还将不断扩大。
半导体材料有哪些
半导体材料有哪些半导体材料是一类介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电学和光学性质，被广泛应用于电子器件、光电子器件、太阳能电池等领域。
半导体材料的种类繁多，常见的半导体材料包括硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅等。
下面将对这些常见的半导体材料进行介绍。
硅（Si）。
硅是最常见的半导体材料，其晶体结构稳定，制备工艺成熟，价格相对较低。
硅材料广泛应用于集成电路、太阳能电池、光电子器件等领域。
同时，硅材料的性能也在不断提升，如多晶硅、单晶硅等新型硅材料的研究和应用不断推进。
砷化镓（GaAs）。
砷化镓是一种III-V族化合物半导体材料，具有较高的电子迁移率和较小的能隙，适用于高频器件和光电子器件。
砷化镓材料在微波通信、激光器、光电探测器等领域有着重要的应用。
氮化镓（GaN）。
氮化镓是一种III-V族化合物半导体材料，具有较大的能隙和较高的电子迁移率，适用于高功率、高频率的器件。
氮化镓材料被广泛应用于LED照明、激光器、功率器件等领域，并在照明、通信、医疗等领域展现出巨大的市场潜力。
碳化硅（SiC）。
碳化硅是一种宽禁带半导体材料，具有优异的热稳定性、耐辐照性和高电场饱和漂移速度，适用于高温、高压、高频的电子器件。
碳化硅材料在电力电子、汽车电子、新能源领域有着广阔的应用前景。
除了上述常见的半导体材料外，还有许多新型半导体材料在不断涌现，如氮化铝镓、氮化铟镓、铜铟镓硒等化合物半导体材料，以及石墨烯、硒化铟、氧化铟锡等新型二维材料，它们在光电子器件、柔性电子器件、传感器等领域展现出独特的优势和潜力。
总的来说，半导体材料的种类繁多，每种材料都具有独特的性能和应用优势。
随着科技的不断进步和创新，新型半导体材料的研究和应用将会不断拓展，为电子信息、能源、医疗等领域的发展带来更多可能性。
半导体主要材料有哪些
半导体主要材料介绍
半导体作为一种重要的材料，在电子行业中扮演着至关重要的角色。
它的特性使得半导体在电子学、光电子学、计算机科学等领域中有着广泛的应用。
本文将介绍半导体的主要材料种类，以便更好地了解半导体材料的特性和应用。
硅（Silicon）
硅是最常见且应用最广泛的半导体材料之一。
它具有良好的半导体特性，化学稳定性高，且价格相对较低。
硅半导体广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
硒化镉（Cadmium Selenide）
硒化镉是一种II-VI族半导体材料，具有优良的光电特性。
它在红外探测、半导体激光器等领域有着重要的应用。
砷化镓（Gallium Arsenide）
砷化镓是一种III-V族半导体材料，其电子迁移率高，适用于高频器件和微波器件。
砷化镓在通信领域和光电子领域中具有广泛的应用。
硒化铟（Indium Selenide）
硒化铟是一种III-VI族半导体材料，具有光电性能优异的特点。
硒化铟在太阳能电池、红外探测等领域有着重要的应用。
氧化锌（Zinc Oxide）
氧化锌是一种广泛应用的半导体材料，具有优良的透明导电性能，适用于透明电子器件、柔性显示屏等领域。
以上介绍了几种常见的半导体材料，每种材料都具有独特的性能和应用特点。
随着科学技术的不断发展，半导体材料的研究和应用也将不断深化，为现代电子科技的发展提供有力支撑。
半导体指的是什么东西
半导体指的是什么东西半导体是一种电子材料，具有介于导体和绝缘体之间的电导率。
它的电导率介于导体和绝缘体之间，当半导体处于不同的电场中或受到光照时，其电导率会发生变化。
半导体在电子学和光电子学领域有着广泛的应用，是现代电子行业中至关重要的材料之一。
半导体的基本特性1.导电性质半导体的导电性介于导体和绝缘体之间，当外加电压或光照作用于半导体材料时，会产生载流子，从而改变其电导率。
这种特性使得半导体可以被用于制造各种电子器件，如晶体管、二极管等。
2.能带结构半导体的导电性取决于其能带结构，包括价带和导带。
在基本结构中，价带中填充了电子，当电子受到激发或加热时，会跃迁到导带中，从而形成电子与空穴对，使半导体具有导电性。
3.半导体材料常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等。
其中，硅是最为广泛应用的半导体材料，其稳定性和可控性较高，适用于各种电子器件的制造。
半导体的应用领域1.微电子器件半导体器件的制造和发展推动了微电子技术的进步，例如集成电路、晶体管等，广泛应用于计算机、通信设备等领域。
2.光电子器件某些半导体材料还具有光电转换特性，可以用于制造激光器、太阳能电池等光电子器件，将光能转化为电能。
3.传感器半导体传感器利用半导体材料的导电性变化来感知温度、压力、光照等物理量，广泛应用于工业控制、汽车电子等领域。
未来发展趋势随着技术的不断创新和发展，半导体材料和器件的研究也在不断向着更高性能、更小尺寸的方向发展。
纳米技术、量子技术等将为半导体领域带来全新的突破，推动电子学、光电子学等领域的进步。
总的来说，半导体作为一种介于导体和绝缘体之间的电子材料，在现代电子领域中发挥着不可替代的作用。
通过不断的研究和应用，将为人类带来更多更好的科技产品和服务。
常用半导体材料有哪些
常用半导体材料有哪些
半导体材料是一类在电子学和光电子学中广泛应用的材料，它们具有介于导体
和绝缘体之间的电学特性。
常用的半导体材料包括硅、锗、砷化镓、砷化铝、碳化硅等。
下面将对这些常用的半导体材料进行介绍。
首先，硅是最常见的半导体材料之一，它在集成电路和太阳能电池等领域有着
广泛的应用。
硅具有良好的稳定性和成本效益，因此被广泛应用于电子设备制造中。
其晶体结构使得硅具有良好的半导体特性，可以通过掺杂来改变其导电性能。
其次，锗是另一种常见的半导体材料，它与硅在周期表中位于同一族，因此具
有类似的物理性质。
锗通常用于红外光电探测器和太赫兹波段的器件中，其导电性能比硅要好，但成本较高。
除了硅和锗，砷化镓也是一种重要的半导体材料。
砷化镓具有较高的电子迁移
率和较高的饱和漂移速度，因此在高频和微波器件中有着广泛的应用，比如射频功率放大器和微波集成电路等。
另外，砷化铝是一种III-V族半导体材料，具有较大的禁带宽度和较高的电子
迁移率，因此被广泛应用于光电子器件中，比如激光器和光电探测器等。
最后，碳化硅是一种新型的半导体材料，具有较高的击穿电场强度和较高的热
导率，因此在高温、高频和高功率电子器件中有着广泛的应用，比如功率器件和射频器件等。
总的来说，常用的半导体材料包括硅、锗、砷化镓、砷化铝和碳化硅，它们在
电子学和光电子学领域有着广泛的应用，每种材料都具有独特的物理性质和适用范围。
随着科学技术的不断发展，半导体材料的研究和应用也将不断取得新的突破和进展。
光电子材料
光电子材料引言光电子材料是指具有光控制特性的材料，广泛应用于光电子器件、光通信、能源存储等领域。
光电子材料具有高光响应度、高转换效率、较宽的光谱响应范围等优点，因此被视为未来光电技术发展的关键材料。
本文将介绍光电子材料的分类、主要特性以及应用领域，以帮助读者更好地了解和应用光电子材料。
光电子材料的分类光电子材料可以根据其物理性质、化学成分、结构等不同特性进行分类。
以下是一些常见的光电子材料分类：1.光敏材料：光敏材料能够对光信号进行感应和转换，包括光电转换材料、光致变色材料等。
光敏材料常用于光电传感器、激光器、光电存储器等器件中。
2.半导体材料：半导体材料是一类具有特殊电子能带结构的材料。
光电子器件中常用的半导体材料包括硅、锗、砷化镓、硒化镉等。
3.光学玻璃材料：光学玻璃材料具有良好的透光性和光学性能，用于制造光学器件如透镜、棱镜、滤光片等。
4.量子点材料：量子点材料是一种特殊的半导体材料，具有量子尺寸效应。
量子点材料在光电器件中具有优异的性能，如较高的发光效率、较宽的发光波长范围等。
光电子材料的主要特性光电子材料具有以下主要特性：1.光响应度（Responsivity）：光电子材料的光响应度指材料对光信号的感应程度，是衡量光电转换效率的重要参数。
2.光电转换效率（Conversion Efficiency）：光电转换效率是指光能转化为电能的效率，是评价光电子材料性能优劣的关键指标之一。
3.光谱响应范围（Spectral Response Range）：光电子材料的光谱响应范围指材料能够有效感应的光波长范围。
4.光学透过率（Optical Transparency）：光学透过率是指材料对特定波长的光线的透过程度，影响着光学器件的光学性能。
光电子材料的应用领域光电子材料广泛应用于以下领域：1.光电通信：光电子材料在光纤通信和无线通信中发挥着重要作用。
光电子材料的高转换效率和宽光谱响应范围使其成为高速光通信系统的核心材料。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
• (hcp)铅锌矿(wurtzite)结构: GaN, ZnO,… 高压下会发生结构相变：zincblende<->wurtzite<->rocksalt
Fcc Bravais格子的基矢
A
1 a1 a( j k ) 2 1 a 2 a (i k ) 2 1 a3 a(i j ) 2
光纤通信具有高速、大容量、信息多的特点，是构筑“信 息高速公路”的主干，大于2.5G比特/秒的光通信传输系统， 其收发系统均需要采用GaAs超高速专用电路。 随着光电子产业和自动化的发展，用作显示器件LED、测 距、玩具、条形码识别等应用的高亮度发光管、可见光激 光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器等均有极大市 场需求，还有GaAs基高效太阳能电池的用量也十分大，对 低阻低位错GaAs产业的需求十分巨大而迫切。我国数十亿 只LED管芯，所有的可见光激光器、高亮度发光管、近红 外激光器等几乎都依靠进口，因此生产高质量的低阻GaAs 单晶，促进LED管芯、可见光激光器、高亮度发光管和高 效率高效太阳能电池的商品化生产，将有力地发展我国民 族的光电子产业。
室温下激子结构稳定,可以实现室温或高温下高效的激子受激发光 激子结合能 Eb = 60 meV (ZnSe: 18 meV, GaN: 25meV)
ZnO半导体材料特点
高温特性，在300℃正常工作（非常适用于 航天、军事和其它高温环境） 耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境） 高压特性（耐冲击，可靠性高） 大功率（对通讯设备是非常渴望的）
ZnO材料性质及特点与应用
第三代宽禁带光电功能材料的代表之一 ZnSe(1990), SiC(1992), GaN(1994), ZnO(1996) 1）直接带隙的宽禁带半导体材料 2）能隙 3.37eV, 束缚激子能 60 meV,
与其它几种宽禁带发光材料如ZnSe(束缚激子能22 meV), ZnS(40 meV)和GaN (25 meV)相比, ZnO是一种合适的用 于室温或更高温度下的紫外光发射材料
铅锌矿(wurtzite)结构(GaN,ZnO,…)
1 a1 a( j 2 1 a2 a ( j 2 a3 ck 3 j) 2 3 j) 2
B A
对铅锌矿结构来说，由这三个基矢构成的原胞含有四个 原子，其位置在基矢空间中表示为： 1 : A 0a1 0a2 0a3 (0,0,0) 2 : B 0a1 0a2 ua3 (0,0, u ) 2 1 1 3 : A a1 a2 a3 (0.6667 0.33330.5) , , 3 3 2 2 1 1 4 : B a1 a2 ( u )a3 (0.6667 0.33330.5 u ) , , 3 3 2
发光二极管中的半导体材料
组员：韩进涛 09272034 陈泽君 09272032
发光二极管 (LED)
发光二极管LightEmitting Diode 是由数 层很薄的掺杂半导体材 料制成。
当通过正向电流时，n区 电子获得能量越过PN结 的禁带与p区的空穴复合 以光的形式释放出能量。
发光二 级管作 为装饰 已悄然 兴起
LED照明的优点
发光效率高，节省能源 耗电量为同等亮度白炽灯的 10%-20%，荧光灯的 1/2。 绿色环保 冷光源，不易破碎，没有电磁干扰，产生废物少 寿命长 寿命可达10万小时 固体光源、体积小、重量轻、方向性好 单个单元尺寸只有3~5mm 响应速度快，并可以耐各种恶劣条件 低电压、小电流
LED应用
半导体白光照明 车内照明 交通信号灯 装饰灯 大屏幕全彩色显示系统 太阳能照明系统 其他照明领域 紫外、蓝光激光器 高容量蓝光DVD、激光打 印和显示、军事领域等
LED照明灯将珠宝行照的美轮美奂
半导体照明是21世纪最具发展前景 的高技术领域之一
地区＼条件· 效益 条件 能源节约 降低二氧化碳排放
以硅Si为代表的半导体材料为第一代半导体 材料 以砷化镓GaAs为代表的化合物半导体材料 为第二代半导体材料
以氮化镓GaN、ZnO为代表的宽带隙化合 物半导体材料为第三代半导体材料
半导体光电子材料的晶体结构
半导体材料中，最常见的Bravais格子是fcc格子和hcp格子 • fcc Bravais格子：Si, Ge, GaAs,… • hcp Bravais格子：GaN, ZnO,… 相应的晶体结构： • (fcc)金刚石结构: Si, Ge, C,… • (fcc)闪锌矿(zincblende)结构: GaAs,…
1 a1 a( j k ) 2 1 a 2 a (i k ) 2 1 a3 a(i j ) 2
B A
对闪锌矿结构来说，由这三个基矢构成的原胞含有两个 原子，其位置在基矢空间中表示为：
A 0a1 0a2 0a3 (0,0,0)
1 1 1 B a1 a2 a3 (0.25,0.25,0.25) 4 4 4
盐岩(rocksalt)结构
1 a1 a( j k ) 2 1 a 2 a (i k ) 2 1 a3 a(i j ) 2
参考文献
微电子学材料自编讲义 《薄膜材料——制备原理、技术应用》 （第2版） 唐伟忠著，冶金工业出版社 《半导体材料》 康晋峰
小组分工分工
韩进涛09272034：材料收集、PPT初期制作 陈泽君09272032：材料收集、PPT后期润色
谢谢~~
1 3 a1 a( i j) 2 2 1 3 a2 a ( i j) 2 2 a3 ck
Be, Mg, Zn,…
A
A
对上图所示的晶体结构来讲，由这三个基矢构成的原胞含有2个 原子，其位置在基矢空间中表示为：
1 : A 0a1 0a2 0a3 (0,0,0) 2 1 1 2 : A a1 a2 a3 (0.6667 0.33330.5) , , 3 3 2
3）生长温度较低
Basic properties
化学物理性能稳定：
抗氧化、耐潮、耐高温、与人体无抵触
宽带隙：室温下 Eg = 3.37 eV ，在近紫外波段
半导体激光的波长越短，能在光盘上读写信息的密度就越高
可广泛应用于节能半导体白光照明光源 －－ 绿色能源 （汽车灯，路灯，交通信号灯，甚至家庭用灯等） 透明晶体管
d
B A
理想值：u=3/8
u c/ d
GaAs材料特点
砷化镓晶片与硅晶片主要差别，在于它是一种“高频”传 输使用的晶片，由于其频率高，传输距离远，传输品质好， 可携带信息量大，传输速度快，耗电量低，适合传输影音 内容，符合现代远程通讯要求。 一般讯息在传输时，因为距离增加而使所能接收到的讯号 越来越弱，产生“声音不清楚”甚至“收不到信号”的情 形，这就是功率损耗。砷化镓晶片的最大优点，在于传输 时的功率损耗比硅晶片小很多，成功克服讯号传送不佳的 障碍。 砷化镓具有抗辐射性，不易产生信号错误，特别适用于避 免卫星通讯时暴露在太空中所产生的辐射问题。另外，环 境温度过高时电子迁移速率会降低，但砷化镓材料操作温 度高度200oC，不易因高频所产生的热能影响到产品稳定性。
B
A
对rocksalt结构来说，由这三个基矢构成的原胞含有两个 原子，其位置在基矢空间中表示为：
A 0a1 0a2 0a3 (0,0,0)
1 1 1 B a1 a2 a3 (0.5,0.5,0.5) 2 2 2
hcp Bravais格子的基矢
美国
5％白炽灯及55％日光灯被白 光LED取代
每年节省350亿美元电 费。
每年减少7.55亿吨二氧化 碳排放量。
日本
100％白炽灯被白光LED取 代
可少建1-2座核电厂。
每年节省10亿公升以上的 ％日光灯被 白光LED取代
节省110亿度电，约合1 座核电厂发电量。
半导体材料的分代
ZnO半导体光电器件应用
蓝光激光器（BLD）
蓝光DVD，双面双密度容量为20G，取代现有红 光DVD，是以后数字电视存储的必由之路 激光打印和显示，生物医疗仪器和设备 ，光谱测 量系统 可用于军事领域，450～550nm的蓝-绿光波段对海 水是透光的，所以BLD可通过空间卫星、机载平 台直接用来对海底潜艇通信，大大提高潜艇的隐 蔽性和保密性。这是军事部门长久渴望实现的技 术手段。
近年来,宽禁带半导体材料ZnO的研究已经引起 了人们广泛的关注。ZnO是直接宽带隙(室温下 3.37eV)半导体材料,激子束缚能(60meV)高,远大 于室温热能(26 meV),因而理论上可以在室温条 件下获得高效的紫外激子发光和激光。ZnO具 有高的熔点和热稳定性,良好的机电耦合性能,较 低的电子诱生缺陷,而且原料易得廉价、无毒性。 作为短波长发光器件、低阈值紫外激光器的一 种全新的候选材料,ZnO已经成为当今半导体发 光材料与器件研究中新的热点。
对金刚石结构来说，由这三个基矢构成的原胞含有两个 原子，其位置在基矢空间中表示为： 1 : A 0a1 0a2 0a3 (0,0,0) 1 1 1 2 : A a1 a2 a3 (0.25,0.25,0.25) 4 4 4
闪锌矿结构(GaAs,…)
Fe, Pb, La,…
A
对上图所示的晶体结构来讲，由这三个基矢构成的原胞含有一个 原子，其位置在基矢空间中表示为：
A 0a1 0a2 0a3 (0,0,0)