程控单结晶体管简介
单结晶体管原理与应用
单结晶体管原理与应用一.单结晶体管的结构和原理杂的N型硅棒上利用扩散工艺形成一个高掺杂P区，在P区与N区接触面形成PN结，就构成单结晶体管(UJT)。
引出的电极为发射极E；N型半导体的两端引出两个电极，分别为基极B1和基极B2，B1和B2之间的N型区域可以等效为一个纯电阻，即基区电阻R BB。
该的变化而改变。
单结晶体管因有两个基极，故也称为双基极晶体管。
其符号如下图所示。
P区与N型硅棒形成的PN结等效为二极管D；N型硅棒因掺杂浓度很低而呈现高电阻，二极管阴极与基极B2之间的等效电阻为r B2，二极管阴极与基极B 阻值受E-B1间电压的控制，所以等效为可变电阻。
理和特性同线．间加电源VBB，且发射极开路时，A点电位及基极b2的电流为：为单结晶体管的分压比，其数值主要与管子的结构有关，一般在0.5～0.9之间。
电压Ueb1为零或(Ueb1< UA)时，二极管承受反向电压，发射极的电流Ie为二极管的反向电流，记作IEO，使PN结正向电压大于开启电压时，则I E变为正向电流，从发射极e流向基极b1,此时，空穴浓度很高的P区向电子浓度很低的硅棒的b1区注入非平衡与其载流子的浓度紧密相关，注入的载流子使r b1减小；而且r b1的减小，使其压降也减小，导致PN结正向电压增大，I E随之增大，注入的载流子将更多，于大到一定程度时，二极管的导通电压将变化不大，此时U E-B1。
将因r b1的减小而减小，表现出负阻特性。
特性曲线如下：是指输入电压增大到某一数值后，输入电流愈大，输入端的等效电阻愈小的特性。
（常见负阻器件有：可控硅，隧道二极管，单结晶体管等）至U P(峰点电压)时，PN结开始正向导通，U P=U B1+U on；UEB1再增大一点，管子就进入负阻区，随着I E增大，r b1减小，U E-B1减小，直至U E-B1=Uv(谷点电压)。
I 子进入饱和区。
单结晶体管有三个工作区域（见上图）。
体管的应用具有大的脉冲电流能力而且电路简单，因此在各种开关应用中，在构成定时电路或触发SCR等方面获得了广泛应用。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理单结晶体管（Single Crystal Transistor，SCT）是一种基于单晶材料制造的晶体管，其工作原理与普通晶体管相似，但由于采用了单晶材料，具有更好的电子迁移率和更低的漏电流，因此在高频和高速应用中具有更好的性能。
单结晶体管的工作原理主要包括三个方面：电子注入、电子传输和电子输出。
1. 电子注入当单结晶体管处于关闭状态时，基极（Base）与发射极（Emitter）之间的电压较低，导致发射极与基极之间的空间区域形成一个带电荷的屏蔽区。
当向基极施加正向电压时，电子从发射极注入到基极，通过热激发或光激发的方式，使得基极区域的电子浓度增加。
2. 电子传输注入到基极的电子会受到基极与集电极（Collector）之间的电压作用力，向集电极方向移动。
在单结晶体管中，由于单晶材料的特性，电子的迁移率较高，因此电子能够快速地通过基极区域，达到集电极。
3. 电子输出当电子通过基极区域到达集电极时，集电极与发射极之间的电压较高，形成一个电子输出电路。
在这个电路中，电子会从集电极流出，进入外部电路，完成电流的输出。
单结晶体管的工作原理可以通过以下步骤来总结：1. 当单结晶体管处于关闭状态时，发射极与基极之间形成一个带电荷的屏蔽区。
2. 当向基极施加正向电压时，电子从发射极注入到基极，增加基极区域的电子浓度。
3. 注入到基极的电子受到电压作用力，向集电极方向移动。
4. 电子快速地通过基极区域，到达集电极。
5. 集电极与发射极之间形成一个电子输出电路。
6. 电子从集电极流出，进入外部电路，完成电流的输出。
单结晶体管的工作原理使得其在高频和高速应用中具有较好的性能，例如在通信领域中的射频放大器、混频器和频率合成器等电路中广泛应用。
此外，由于单结晶体管具有较低的漏电流，还可以用于低功耗的电子器件和集成电路中。
总之，单结晶体管是一种基于单晶材料制造的晶体管，其工作原理主要包括电子注入、电子传输和电子输出。
单结晶体管工作原理及其应用
单结晶体管工作原理及其应用什么是单结晶体管单结晶体管又叫做双基极二极管，和二极管、三极管一样都属于晶体管的一种。
它是由一个PN结构成发射极并且有两个基极的三端晶体管。
单结晶体管内部结构单结晶体管内部由一个高电阻率的N型硅片，在其两端通过欧姆接触引出两个基极，分别为第一基极B1和第二基极B2，在靠近第二基极B2的一侧有一个PN结，在这个PN结上引出发射极E。
单结晶体管内部结构示意图单结晶体管电路符号及其等效电路单结晶体管电路特性在上面的等效电路中，单结晶体管两个基极之间的电阻称作“基极电阻”，基极电阻的阻值等于第一基极与发射极之间的电阻RB1和第二基极与发射极之间的电阻RB2值之和。
其中，RB1的阻值随着发射极E的电流变化而变化，而RB2的阻值不受发射极电流的影响。
在两个基极之间施加一定的电压VBB，则A点电压VA=[RB1/(RB1 RB2)]VBB=(RB1/RBB)VBB=ηVBB；其中η成为分压比，其数值根据不同型号的晶体管一般在0.5到0.9之间。
•当发射极电压VE<ηVBB时，发射结处于反偏状态，此时晶体管截止；•当发射极电压VE>ηVBB 二极管管压降VD时，PN结处于正向导通状态，RB1的阻值迅速减小，VE会随之下降，此时晶体管出现负阻特性，晶体管由截止进入负阻特性的临界点称为“峰点”；•随着发射极E电流的上升，发射极电压VE会不断下降，当下降到一个点之后便不再下降，这个点称为“谷点”；单结晶体管的型号命名方式以常用型号BT35为例，单结晶体管的型号命名方式如下图：单结晶体管型号命名方式单结晶体管封装及引脚识别单结晶体管采用金属直插封装，在其引脚端有引脚识别标志。
面向引脚，靠近凸起的为发射极E，逆时针方向分别为第二基极B2和第一基极B1。
单结晶体管实物单结晶体管引脚排序单结晶体管应用电路以电子驱蚊器电路为例，了解单结晶体管的应用。
超声波驱蚊器电路以上为单结晶体管BT33构成的电子驱蚊器电路图，其工作原理为：当电源开关SW闭合后，电池正极通过可调电阻RP和固定电阻R1向电容C1充电，当C1两端电压达到BT33的峰点电压时，单结晶体管导通，此时C1会通过电阻R3放电，单结晶体管截止；电池正极再次通过电阻向C1充电，当电压达到峰点电压后，晶体管再次导通。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理单结晶体管（Single Crystal Transistor, SCT）是一种常用于电子器件中的晶体管结构。
它的工作原理基于半导体材料中的载流子输运和控制。
在单结晶体管中，通常使用硅（Si）作为半导体材料。
单结晶体管的工作原理可以简单地描述为：通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的电流流动。
在单结晶体管中，栅极、源极和漏极分别对应晶体管的三个电极。
当栅极电压为零时，源极和漏极之间没有电流流动，此时单结晶体管处于关闭状态。
当栅极电压增加到某个阈值以上时，栅极会吸引半导体材料中的自由电子或空穴，形成一个导电通道。
这个导电通道连接了源极和漏极，允许电流流动，此时单结晶体管处于开启状态。
在单结晶体管中，栅极电压的变化会导致源极和漏极之间的电流变化。
当栅极电压增加时，导电通道的导电能力增强，电流也随之增加。
当栅极电压减小或降为零时，导电通道的导电能力减弱或消失，电流也随之减小或停止。
单结晶体管的工作原理可以通过以下步骤进一步解释：1. 构造单结晶体管：首先，在半导体晶体中选择一个具有良好晶格结构的区域，通过化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等技术生长出一块单晶硅片。
然后，通过刻蚀和沉积工艺，制作出栅极、源极和漏极等电极结构。
2. 关闭状态：当栅极电压为零时，栅极不吸引半导体材料中的自由电子或空穴，导电通道处于关闭状态。
此时，源极和漏极之间没有电流流动。
3. 开启状态：当栅极电压增加到某个阈值以上时，栅极开始吸引半导体材料中的自由电子或空穴，形成一个导电通道。
这个导电通道连接了源极和漏极，允许电流流动。
栅极电压的增加会增强导电通道的导电能力，从而使电流增加。
4. 控制电流：通过调节栅极电压的大小，可以控制源极和漏极之间的电流大小。
栅极电压的增加会增大导电通道的导电能力，从而增加电流。
栅极电压的减小或降为零会减小或停止电流。
单结晶体管的工作原理使其在电子器件中具有广泛的应用。
例如，在集成电路中，单结晶体管可以作为开关或放大器使用。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理单结晶体管（Single Crystal Transistor）是一种重要的电子器件，广泛应用于集成电路和电子设备中。
它的工作原理是基于单晶材料的特性，通过控制晶体管的电流来实现信号的放大和开关功能。
本文将详细介绍单结晶体管的工作原理及其相关特性。
一、单结晶体管的结构单结晶体管由三个区域组成：源区（Source），漏区（Drain）和栅极区（Gate）。
源区和漏区之间通过栅极区隔离，形成一个PN结。
栅极区上有一层绝缘层，用于隔离栅极与源漏区。
二、单结晶体管的工作原理当单结晶体管处于截止状态时，栅极区的电场不足以使PN结反向偏置，因此电流无法通过晶体管。
当栅极施加正向电压时，栅极区的电场足够强，使得PN结反向偏置，形成一个导电通道，电流可以从源区流向漏区。
当栅极施加的电压逐渐增大，导电通道的电阻减小，电流也随之增大。
这是因为栅极电压越高，栅极区的电场越强，PN结反向偏置得更大，导致导电通道的电阻减小。
因此，单结晶体管可以实现信号的放大功能。
三、单结晶体管的特性1. 噪声特性：单结晶体管的噪声系数通常较低，可以实现高信噪比的放大。
2. 高频特性：由于单结晶体管的结构紧凑，具有较高的开关速度和频率响应，适用于高频应用。
3. 低功耗：单结晶体管的功耗较低，能够节约能源并延长电池寿命。
4. 温度稳定性：单结晶体管的工作温度范围广，能够在极端环境下稳定工作。
四、单结晶体管的应用1. 集成电路：单结晶体管广泛应用于各种集成电路中，如处理器、存储器和逻辑电路等。
2. 电子设备：单结晶体管也被应用于各种电子设备中，如电视、手机、计算机等。
3. 通信系统：单结晶体管在无线通信系统中扮演重要角色，用于信号放大和调制解调等功能。
4. 传感器：单结晶体管可以用作传感器的信号放大器，提高传感器的灵敏度和精确度。
总结：单结晶体管是一种重要的电子器件，其工作原理是通过控制晶体管的电流来实现信号的放大和开关功能。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理单结晶体管（Single Crystal Transistor，SCT）是一种基于单晶材料创造的晶体管，其工作原理是通过控制电场来调节电流的流动。
本文将详细介绍单结晶体管的工作原理及其应用。
一、工作原理单结晶体管由三个主要部份组成：基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。
其中，基极是控制电流的输入端，发射极是电流的输出端，集电极则是电流的采集端。
当电压被施加到基极时，基极和发射极之间形成一个电场，这个电场会影响基极和发射极之间的载流子（通常是电子）的流动。
当电场足够强时，它将吸引起射极中的电子，使之从发射极流向基极。
这个过程被称为电子注入。
当电子注入到基极时，它们将在基极中形成一个电子云。
同时，基极和集电极之间形成另一个电场，这个电场会影响电子云中的电子的流动。
当电场足够强时，它将加速电子云中的电子，使之从基极流向集电极。
这个过程被称为电子漂移。
当电子漂移到集电极时，它们会形成一个电流，这个电流可以被外部电路所利用。
通过控制基极和集电极之间的电压，我们可以调节电子的注入和漂移过程，从而控制电流的大小和方向。
二、应用领域单结晶体管具有不少优点，如高频特性好、噪声低、功耗低等，因此在不少领域得到了广泛应用。
1. 通信领域单结晶体管在通信领域中被广泛应用于放大器、混频器、振荡器等电路中。
其高频特性好的特点使得它可以处理高频信号，从而实现无线通信和卫星通信等应用。
2. 计算机领域单结晶体管在计算机领域中被用于构建逻辑门电路、存储器等关键部件。
其快速响应和低功耗的特点使得它可以实现高速计算和低能耗的计算机系统。
3. 传感器领域单结晶体管可以作为传感器的核心部件，用于测量温度、压力、湿度等物理量。
其高灵敏度和低噪声的特点使得它可以实现高精度的测量。
4. 光电子领域单结晶体管在光电子领域中被用于构建光电转换器件，如光电二极管、光电晶体管等。
其高灵敏度和快速响应的特点使得它可以实现高效的光电转换。
单结晶体管
什么是 UJT单结晶体管单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件。
在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。
为了分析方便，可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联。
值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。
如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A 点的电压UA为：若发射极电压UE<UA，二极管VD截止；当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD ＋UA)时，二极管VD导通，发射极电流IE注入RB1，使RB1的阻值急剧变小，E点电位UE随之下降，出现了IE增大UE反而降低的现象，称为负阻效应。
发射极电流IE继续增加，发射极电压UE不断下降，当UE下降到谷点电压UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。
为了说明它的工作原理，我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图1)。
它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。
合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。
当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。
随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。
这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。
此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电过程。
这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。
调节RP可以改变振荡周期。
为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。
程控单结晶体管(PUT)和可控硅(SCR)的区别
可控硅一、概述一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。
又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（谷称“死硅”）更为可贵的可控性。
它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损髦显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
二、可控硅元件的结构和型号1、结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。
见图1。
它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件图1、可控硅结构示意图和符号图2、型号目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。
表一 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表KP型可控硅的电流电压级别见表二表二、KP型可控硅电流电压级别示例：（1）KP5-10表示通态平均电流5安，正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。
（2）KP500-12D表示通态平均电流500安，正、反向重复峰值电压1200伏，通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。
（3）3CT5/600表示通态平均电流5安，正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅元件。
三、可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图2所示图2、可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理单结晶体管是一种半导体器件，广泛应用于电子设备中，如放大器、开关、振荡器等。
它是由一块单晶硅制成的，具有高频率、低噪声、低失真等优点，因此在通信、广播、电视等领域得到了广泛应用。
单结晶体管的工作原理主要涉及PN结、电场效应和空间电荷区等方面。
首先，当PN结处于正向偏置状态时，少数载流子（即空穴或电子）将被注入到另一侧，并在电场的作用下形成电流。
其次，当PN结处于反向偏置状态时，电场效应将导致载流子在晶体管中的运动，从而实现对电流的控制。
最后，空间电荷区的形成使得晶体管具有放大、开关等功能。
在实际应用中，单结晶体管的工作原理可以简单地概括为三个步骤，输入信号的注入、电场效应的调控和输出信号的放大。
当输入信号通过基极注入到晶体管中时，会在发射结和集电结之间形成电流。
随着输入信号的变化，电流也会相应地发生变化。
通过控制基极电流，可以改变发射结和集电结之间的电场分布，从而实现对输出信号的放大或调制。
除了放大作用外，单结晶体管还可以作为开关来控制电路的通断。
当基极电流为零时，晶体管处于截止状态，电路中没有电流通过；而当基极电流为正时，晶体管处于饱和状态，电路中允许通过大量电流。
这种开关特性使得单结晶体管在数字电路中得到了广泛应用，例如逻辑门、触发器、计数器等。
总的来说，单结晶体管的工作原理是基于半导体材料的PN结、电场效应和空间电荷区的作用。
通过对输入信号的控制，晶体管可以实现信号的放大、调制和开关等功能，从而在电子设备中发挥着重要的作用。
随着科技的不断发展，单结晶体管的工作原理也在不断完善和深化，为电子技术的发展提供了坚实的基础。
单结晶体管的工作原理
单结晶体管的工作原理单结晶体管，又称单晶体管、场效应管，是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子、通信、计算机等领域。
它基于半导体材料的特性，通过电场控制电流的流动，实现信号放大、开关控制等功能。
本文将介绍单结晶体管的工作原理、结构特点、应用场景等方面内容。
一、单结晶体管的工作原理单结晶体管的工作原理基于场效应原理，即利用电场控制载流子的浓度和移动方向，从而改变电流的大小和方向。
其主要由源极、漏极和栅极三个电极组成，其中栅极与半导体材料之间存在一层绝缘层，通常采用氧化铝或硅酸盐等材料。
当外加电压使栅极与源极之间形成一定电势差时，栅极下方的半导体材料中的载流子浓度和移动方向发生改变，从而影响源、漏极之间的电流大小和方向。
当栅极电势为负时，半导体中的空穴被吸引到接近栅极的区域，形成一个空穴沟道，导致电流从源极流向漏极；当栅极电势为正时，半导体中的电子被吸引到接近栅极的区域，形成一个电子沟道，导致电流从漏极流向源极。
因此，通过改变栅极电势，可以实现对电流的控制。
二、单结晶体管的结构特点单结晶体管的结构特点如下：1. 三极管结构单结晶体管的主要由三个电极组成，即源极、漏极和栅极。
与双极管相比，单结晶体管的栅极起到了控制电流的作用。
2. 半导体材料单结晶体管的半导体材料通常采用硅或砷化镓等材料，具有电阻率高、能带宽度适中等特点。
此外，单结晶体管的半导体材料必须是单晶体，这意味着它具有一定的晶体结构和晶格定向性。
3. 绝缘层单结晶体管的栅极与半导体材料之间存在一层绝缘层，通常采用氧化铝或硅酸盐等材料。
这种绝缘层可以防止电流从栅极到半导体材料中，从而保证栅极的控制作用。
三、单结晶体管的应用场景单结晶体管具有放大、开关控制等功能，广泛应用于电子、通信、计算机等领域。
具体应用场景如下：1. 放大器单结晶体管可以作为放大器使用，可以放大电压、电流、功率等信号。
由于其具有高输入阻抗、低输出阻抗、宽带等特点，因此在射频、微波等高频场合中应用广泛。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
程控单结晶体管(PUT)应用及原理
程控单结晶体管PUT（Programmable Uniguction Tr-ansistor），又称可编程单结晶体管或可调单结晶体管，程控单结晶体管实质上是一个N极门控晶闸管的功能，但因它与单结晶体管的用途相近，故纳入单结管之列。
它与单结晶体管也有重工区别。
单结管一经制成，从外部就无法改变rB1、rB2、RBB、ηV、IP、IV等参数值，加之工艺的离散性导致同类单结管的ηV值总会存在一定的偏差，这就给用记带来不便。
程控单结晶体管圆满解决了上述问题，它是用外部电阻R1、R2取代内基极电阻rB1、rB2，只需改变二者的电阻比，即可从外部调整其参数值。
正是由于PUT器件使用灵活，用途广泛，因此颇受使用者欢迎。
PUT器件的外形与小功率晶体管相同，也有金属壳和塑料两种封装形式，见图。
国产型号为BT 40、XG 901 D等，国外典型产品有2 N 6027、2 N 6028。
国外还研制成外形尺寸为1.1×1.5×2.9(mm)的超小型程控单结晶体管。
下面介绍其工作原理及检测方法。
1.工作原理
程控单结晶体管的结构、等效电路及符号如下图所示。
它属于PNPN四层、三端、具有负阻特性的半导体器件。
三个引出端分别是阳极A，阴极K，门极G。
门极是从靠近阳极的N型半导体上引出①。
PUT等效于由PNP硅管T1和NPN硅管T2构成的互补晶体管。
当VA＞VG+0.7V(0.7V是T1的发射结正向压降VEB)时，T1导通，IC1↑，使T2导通，IC2↑，这就进一步促使T1导通，形成正反馈，导致A-K间电阻急剧下降，呈现负阻特性。
程控单结晶体管与单结晶体管的性能比较见表1。
BT 40型主要参数见表。
程控单结晶体管具有参数可调、触发灵敏度高、漏电流小、脉冲上升时间快（约60ns）、输出功率较大等优点，不仅能构成可控制脉冲波或锯齿波发生器、过压保护器、长延时器，还能触发晶闸管及大功率晶体管。
下图给出两种典型用法。
2.检测方法
(1)识别程控单结晶体管的电极
由图2不难看出，仅在阳极A与门极G之间有一个PN结，而在A-K、G-K之间都有多个正、反向串联的PN结。
据此可首先确定A、G两电极，剩下的电极肯定是阴极K。
将万用表拨至R×1k档，两支表笔各任意接一个电极。
只要测得低电阻值，证明测的是PN结正向电阻，这时黑表笔接的是阳极，红表笔接门极。
这是因为G-A之间反向电阻趋于无穷大，A-K间电阻也总是无穷大，均不会出现低阻的情况。
（2）检查程控单结晶体管的触发能力
因为程控单结晶体管的触发灵敏度很高，所以在开路时只要门极上有感应电压，也能使A、K导通。
为此可参照上图所示电路，预先给A、G之间加一根短路线，强迫器件关断。
这时将万用表置于R×1档，黑表笔接A极，红表笔接K极，读数应为无穷大。
然后断开短路线，用手指触摸G极，利用人体感应电压使管子导通，A、K之间的电阻值应降成几欧姆。
由此证明管子已被触发。
否则说明管子已损坏。