详解单结晶体管的基本工作原理和特性
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理引言概述：单结晶体管是一种重要的电子器件，其工作原理是通过控制电场或者电流来实现信号的放大、开关和调制。
本文将详细介绍单结晶体管的工作原理，并分别从导电性、控制电场和电流、信号放大、开关和调制等几个方面进行阐述。
一、导电性1.1 材料选择：单结晶体管通常采用半导体材料，如硅、锗等。
这些材料具有较高的电导率和较小的禁带宽度，能够在一定条件下实现导电。
1.2 能带结构：单结晶体管的导电性与其能带结构密切相关。
在半导体材料中，价带和导带之间存在禁带，惟独通过施加电场或者电流，使得电子跃迁至导带，才干实现导电。
1.3 杂质掺杂：通过掺入少量的杂质，可以改变单结晶体管的导电性质。
N型材料中掺入五价元素，如磷，可以增加自由电子的浓度；P型材料中掺入三价元素，如硼，可以增加空穴的浓度。
二、控制电场和电流2.1 门电极：单结晶体管中的门电极用于控制电场或者电流。
当施加正向电压时，门电极与半导体材料之间形成电场，改变材料的导电性质。
2.2 管道：单结晶体管中的管道是电流的通道。
当门电极施加正向电压时，管道中的电子或者空穴受到电场的作用，从而改变导电性。
2.3 极化：通过控制门电极的电压，可以调节单结晶体管的导通与截止状态。
当门电极施加适当电压时，使得电子或者空穴能够流动，实现信号的放大或者开关操作。
三、信号放大3.1 放大器结构：单结晶体管可以作为放大器使用，其结构普通由三个电极组成：发射极、基极和集电极。
通过控制基极电流，可以实现对输入信号的放大。
3.2 放大原理：当输入信号施加到基极时，通过控制电流或者电场，可以调节集电极电流的大小，从而放大输入信号。
3.3 放大倍数：单结晶体管的放大倍数取决于其结构和工作状态。
通常可以通过控制基极电流或者电压来调节放大倍数。
四、开关和调制4.1 开关特性：单结晶体管具有优秀的开关特性，可以实现高速开关操作。
通过控制门电极的电压，可以使单结晶体管在导通和截止状态之间切换。
单结晶体管触发电路工作原理
单结晶体管触发电路工作原理单结晶体管触发电路由一个单极性晶体管组成，其结构和工作原理类似于普通的集电极放大电路。
晶体管由三个区域组成：发射区、基区和集结区。
基区接入触发信号电源，而集结区接入电源，形成偏置电压。
当输入信号电压通过基区施加到晶体管时，集结结区的二极管就会被极化。
当输入信号电压高于一定阈值时，集结结区的二极管会开始导通，从而导致晶体管进入饱和状态。
1.稳定偏置：通过集结区的偏置电压来稳定晶体管的工作点。
这个偏置电压可以使集结结区的二极管处于正向偏置状态。
2.输入信号：通过将输入信号电压附加在基区时，可以改变集结结区二极管的电场分布。
当输入信号电压高于一些阈值时，集结结区二极管开始导通。
3.晶体管饱和：当集结结区二极管导通时，基区的电流会极大增加，导致晶体管进入饱和状态。
在饱和状态下，晶体管的集电极电流将近似于直流驱动电流。
4.输出信号：晶体管的饱和状态使得输出电压趋近于接近集电极电流的电源电压。
根据以上的工作原理，单结晶体管触发电路具有以下特点：1.简单：单结晶体管触发电路只需要一个晶体管和少量的外部元件，所以它的设计和实施都相对简单。
2.快速：由于晶体管本身的快速开关特性，单结晶体管触发电路可以实现高速开关操作，适用于需要快速开关的应用领域。
3.高可靠性：晶体管是一种稳定可靠的元件，所以单结晶体管触发电路在稳定性和可靠性方面具有优势。
4.小尺寸：由于单结晶体管触发电路仅由一个晶体管和少量的外部元件组成，所以它的尺寸相对较小，适用于空间有限的应用场景。
此外，单结晶体管触发电路还常用于时序电路和计时器中。
由于其高速开关特性和稳定可靠性，它可以实现精确的时序控制和计时功能。
因此，在电子钟、计时器、频率计等应用中也经常使用单结晶体管触发电路。
总而言之，单结晶体管触发电路是一种功能强大、可靠性高、适用范围广的电子元件。
它的工作原理简单明了，应用场景广泛，是电子电路设计和实施中不可或缺的一部分。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理单结晶体管（Single Crystal Transistor, SCT）是一种常用于电子器件中的晶体管结构。
它的工作原理基于半导体材料中的载流子输运和控制。
在单结晶体管中，通常使用硅（Si）作为半导体材料。
单结晶体管的工作原理可以简单地描述为：通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的电流流动。
在单结晶体管中，栅极、源极和漏极分别对应晶体管的三个电极。
当栅极电压为零时，源极和漏极之间没有电流流动，此时单结晶体管处于关闭状态。
当栅极电压增加到某个阈值以上时，栅极会吸引半导体材料中的自由电子或空穴，形成一个导电通道。
这个导电通道连接了源极和漏极，允许电流流动，此时单结晶体管处于开启状态。
在单结晶体管中，栅极电压的变化会导致源极和漏极之间的电流变化。
当栅极电压增加时，导电通道的导电能力增强，电流也随之增加。
当栅极电压减小或降为零时，导电通道的导电能力减弱或消失，电流也随之减小或停止。
单结晶体管的工作原理可以通过以下步骤进一步解释：1. 构造单结晶体管：首先，在半导体晶体中选择一个具有良好晶格结构的区域，通过化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等技术生长出一块单晶硅片。
然后，通过刻蚀和沉积工艺，制作出栅极、源极和漏极等电极结构。
2. 关闭状态：当栅极电压为零时，栅极不吸引半导体材料中的自由电子或空穴，导电通道处于关闭状态。
此时，源极和漏极之间没有电流流动。
3. 开启状态：当栅极电压增加到某个阈值以上时，栅极开始吸引半导体材料中的自由电子或空穴，形成一个导电通道。
这个导电通道连接了源极和漏极，允许电流流动。
栅极电压的增加会增强导电通道的导电能力，从而使电流增加。
4. 控制电流：通过调节栅极电压的大小，可以控制源极和漏极之间的电流大小。
栅极电压的增加会增大导电通道的导电能力，从而增加电流。
栅极电压的减小或降为零会减小或停止电流。
单结晶体管的工作原理使其在电子器件中具有广泛的应用。
例如，在集成电路中，单结晶体管可以作为开关或放大器使用。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理单结晶体管（Single Crystal Transistor）是一种重要的电子器件，广泛应用于集成电路和电子设备中。
它的工作原理是基于单晶材料的特性，通过控制晶体管的电流来实现信号的放大和开关功能。
本文将详细介绍单结晶体管的工作原理及其相关特性。
一、单结晶体管的结构单结晶体管由三个区域组成：源区（Source），漏区（Drain）和栅极区（Gate）。
源区和漏区之间通过栅极区隔离，形成一个PN结。
栅极区上有一层绝缘层，用于隔离栅极与源漏区。
二、单结晶体管的工作原理当单结晶体管处于截止状态时，栅极区的电场不足以使PN结反向偏置，因此电流无法通过晶体管。
当栅极施加正向电压时，栅极区的电场足够强，使得PN结反向偏置，形成一个导电通道，电流可以从源区流向漏区。
当栅极施加的电压逐渐增大，导电通道的电阻减小，电流也随之增大。
这是因为栅极电压越高，栅极区的电场越强，PN结反向偏置得更大，导致导电通道的电阻减小。
因此，单结晶体管可以实现信号的放大功能。
三、单结晶体管的特性1. 噪声特性：单结晶体管的噪声系数通常较低，可以实现高信噪比的放大。
2. 高频特性：由于单结晶体管的结构紧凑，具有较高的开关速度和频率响应，适用于高频应用。
3. 低功耗：单结晶体管的功耗较低，能够节约能源并延长电池寿命。
4. 温度稳定性：单结晶体管的工作温度范围广，能够在极端环境下稳定工作。
四、单结晶体管的应用1. 集成电路：单结晶体管广泛应用于各种集成电路中，如处理器、存储器和逻辑电路等。
2. 电子设备：单结晶体管也被应用于各种电子设备中，如电视、手机、计算机等。
3. 通信系统：单结晶体管在无线通信系统中扮演重要角色，用于信号放大和调制解调等功能。
4. 传感器：单结晶体管可以用作传感器的信号放大器，提高传感器的灵敏度和精确度。
总结：单结晶体管是一种重要的电子器件，其工作原理是通过控制晶体管的电流来实现信号的放大和开关功能。
单结晶体管调光电路
单结晶体管调光电路引言：单结晶体管调光电路是一种常用的电路设计，用于调节光源的亮度。
它基于单结晶体管的特性，通过控制电流来改变亮度，具有调节灵敏、稳定性好等优点。
本文将介绍单结晶体管调光电路的工作原理、电路设计和应用领域。
一、工作原理单结晶体管调光电路的工作原理基于PN结的导电特性。
当PN结正向偏置时，电流会通过结，并且电压降在结上较低；当PN结反向偏置时，电流很小，几乎不通过结，并且电压会在结上形成较大的电压降。
在单结晶体管调光电路中，光敏电阻（LDR）充当光源的感应器，当光照强度改变时，LDR的电阻值也会相应变化。
当光照强度较强时，LDR的电阻变小，导致基极电流增大；当光照强度较弱时，LDR的电阻变大，导致基极电流减小。
基于上述原理，当光照强度增加时，单结晶体管的基极电流增大，导致集电极电流也增大，从而提高了光源的亮度；当光照强度减小时，基极电流减小，集电极电流也减小，光源的亮度降低。
通过控制单结晶体管的电流，可以实现对光源亮度的精确调节。
二、电路设计单结晶体管调光电路的设计相对简单，主要包括光敏电阻、单结晶体管和电阻器等元件。
1. 光敏电阻（LDR）：用于感应光照强度的变化，其电阻值随光照强度变化而变化。
2. 单结晶体管：作为调光电路的核心元件，通过控制电流来改变光源的亮度。
选择合适的单结晶体管类型和参数，以满足具体的应用需求。
3. 电阻器：用于限制电流，保证电路的稳定性和可靠性。
根据具体的电路要求，选择合适的电阻值。
电路连接方式如下：将光敏电阻与单结晶体管的基极相连，光敏电阻的另一端通过电阻器与电源负极相连，单结晶体管的发射极通过负载电阻与电源负极相连，单结晶体管的集电极与光源相连。
三、应用领域单结晶体管调光电路广泛应用于各种照明设备和电子产品中，如LED灯、LCD背光、投影仪等。
1. LED灯：单结晶体管调光电路可以通过控制LED灯的亮度，实现室内照明的调节，提高照明效果和舒适度。
2. LCD背光：LCD背光的亮度对显示效果和能耗有着重要影响。
单结晶体管原理
维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve＜Vv， 管子重新截止。二、单结晶体管的主要参数 （1）基极间 电阻Rbb 发射极开路时，基
极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度 上升而增大。（2）分压比η 由管子内部结构决定的常数， 一般为0.3--0.
85。（3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压 Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。（4）反向 电流Ieo b
标签：晶体管(331)单结晶体管原理单结晶体管（简称UJT） 又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接 触电极的半导体器件，它
的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出 两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作 一个P区作为发射极e。其结构
、符号和等效电路如图1所示。一、单结晶体管的特性 从 图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻： rbb=rb1+rb2式中
1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。（5） 发射极饱和压降Veo 在最大发射极额定电流时，eb1间的 压降。（6）峰点
电流Ip 单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电 压时的发射极电流。
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电流，分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。 Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流， 显然Vp=ηVbb（3
）随着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后， Ve不在降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和 电流，称为谷点电压，Vv
和谷点电流Iv。（4）过了V点后，发射极与第一基极间半 导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie 便缓慢地上升，显然Vv是
单结晶体管的工作原理
单结晶体管的工作原理单结晶体管，又称单晶体管、场效应管，是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子、通信、计算机等领域。
它基于半导体材料的特性，通过电场控制电流的流动，实现信号放大、开关控制等功能。
本文将介绍单结晶体管的工作原理、结构特点、应用场景等方面内容。
一、单结晶体管的工作原理单结晶体管的工作原理基于场效应原理，即利用电场控制载流子的浓度和移动方向，从而改变电流的大小和方向。
其主要由源极、漏极和栅极三个电极组成，其中栅极与半导体材料之间存在一层绝缘层，通常采用氧化铝或硅酸盐等材料。
当外加电压使栅极与源极之间形成一定电势差时，栅极下方的半导体材料中的载流子浓度和移动方向发生改变，从而影响源、漏极之间的电流大小和方向。
当栅极电势为负时，半导体中的空穴被吸引到接近栅极的区域，形成一个空穴沟道，导致电流从源极流向漏极；当栅极电势为正时，半导体中的电子被吸引到接近栅极的区域，形成一个电子沟道，导致电流从漏极流向源极。
因此，通过改变栅极电势，可以实现对电流的控制。
二、单结晶体管的结构特点单结晶体管的结构特点如下：1. 三极管结构单结晶体管的主要由三个电极组成，即源极、漏极和栅极。
与双极管相比，单结晶体管的栅极起到了控制电流的作用。
2. 半导体材料单结晶体管的半导体材料通常采用硅或砷化镓等材料，具有电阻率高、能带宽度适中等特点。
此外，单结晶体管的半导体材料必须是单晶体，这意味着它具有一定的晶体结构和晶格定向性。
3. 绝缘层单结晶体管的栅极与半导体材料之间存在一层绝缘层，通常采用氧化铝或硅酸盐等材料。
这种绝缘层可以防止电流从栅极到半导体材料中，从而保证栅极的控制作用。
三、单结晶体管的应用场景单结晶体管具有放大、开关控制等功能，广泛应用于电子、通信、计算机等领域。
具体应用场景如下：1. 放大器单结晶体管可以作为放大器使用，可以放大电压、电流、功率等信号。
由于其具有高输入阻抗、低输出阻抗、宽带等特点，因此在射频、微波等高频场合中应用广泛。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理单结晶体管（Single Crystal Transistor，SCT）是一种利用单晶材料制造的晶体管。
与普通的多晶材料晶体管相比，单结晶体管具有更高的电子迁移率和更低的电阻。
这使得单结晶体管在微电子器件中具有更好的性能和更广阔的应用前景。
单结晶体管的工作原理基本上与传统的多晶硅晶体管相同，其核心是三层结构的PN结。
PN结由P型半导体和N型半导体材料组成，通过控制PN结上的电场来控制电流。
单结晶体管的三个主要区域分别是源（Source）、栅（Gate）和漏（Drain）。
在源和漏之间的区域形成了通道（Channel），控制PN结的电场通过栅极来实现。
在工作过程中，当栅极施加电压时，源极和漏极之间会形成感应电场，电子将沿着源到漏方向的通道迁移。
在完成电路布局和设计后，通过晶圆制造工艺将晶体管结构形成在衬底上。
通常情况下，半导体材料基底是硅（Si）或者镓砷化物（GaAs）。
然后，在晶体管区域的表面上进行一系列的制造步骤，例如，清洗，拓扑制备和氧栈层。
接下来，在晶体管区域上生长一层单晶材料，即晶体管的材料。
这种生长过程是通过化学气相沉积（CVG）方法实现的。
在CVG过程中，将气相前体分解为原子或分子，并在晶体管的表面形成单原子层。
这个过程可以在高温和真空下进行，以确保晶体管的质量。
然后，在材料表面形成SCT的外延层。
外延层是在晶体管的材料表面上生长的，具有与衬底材料相同的晶格结构。
在外延生长过程中，材料从基底开始形成，逐渐向外生长。
这个过程中，会调整生长条件来控制外延层的厚度和质量。
最后，使用光刻和蚀刻等步骤将晶体管的结构和连接层形成。
通过控制光刻掩模和蚀刻过程，可以在晶体管表面形成源、栅和漏的电极，并与其他器件和线路连接。
接下来，使用金属沉积和高温退火等步骤来形成电极和金属线。
最后，通过测试和封装等步骤完成单结晶体管的制造过程。
总的来说，单结晶体管的工作原理基于PN结和栅电场效应。
可编程单结晶体管
可编程单结晶体管可编程单结晶体管是一种集成电路技术的重要组成部分，它具有灵活性和可重构性，可以根据需要改变其功能和行为。
本文将介绍可编程单结晶体管的原理、应用和发展趋势。
一、可编程单结晶体管的原理可编程单结晶体管（Programmable Unijunction Transistor，PUT）是一种具有特殊结构和特性的电子器件。
它由三个电极和一个P-N 结组成，其中两个电极用于控制器件的工作状态，另一个电极用于输出信号。
PUT的工作原理基于PNP晶体管的正向偏置和反向偏置特性，通过改变控制电极上的电压来控制输出电流。
1. 脉冲发生器：可编程单结晶体管可以被用作脉冲发生器，通过控制电极上的电压脉冲来控制输出信号的频率和幅度。
它在电子钟、计时器和定时器等应用中得到广泛应用。
2. 触发器：可编程单结晶体管可以被用作触发器，通过改变控制电极上的电压来改变输出信号的状态。
它在数字电路中的触发器电路中起到重要作用，用于存储和控制信息的传输。
3. 控制开关：可编程单结晶体管可以用作控制开关，通过改变控制电极上的电压来控制输出信号的通断状态。
它在电源管理、电路保护和电动机控制等领域中得到广泛应用。
4. 电压控制振荡器：可编程单结晶体管可以用作电压控制振荡器，通过改变控制电极上的电压来控制输出信号的频率。
它在通信系统、无线电设备和音频设备中用于产生可变频率的信号。
三、可编程单结晶体管的发展趋势随着集成电路技术的不断发展，可编程单结晶体管的性能和功能不断提高。
未来可编程单结晶体管有望实现更高的集成度和更低的功耗，以满足多样化的应用需求。
1. 高集成度：可编程单结晶体管的集成度将进一步提高，通过微缩技术和三维集成技术，将更多的器件集成在一个芯片上，提高系统的功能和性能。
2. 低功耗：可编程单结晶体管将进一步降低功耗，通过采用低功耗材料和优化电路设计，减少器件的能耗，延长电池寿命。
3. 高可靠性：可编程单结晶体管的可靠性将不断提高，通过改进材料和工艺，降低器件故障率，提高系统的稳定性和可靠性。
BT33单结晶体管(双基极二极管)原理知识讲解
B T33单结晶体管(双基极二极管)原理单结晶体管（双基极二极管）原理体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。
单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。
应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。
不过准确地判断哪极是B1，哪极是 B2在实际使用中并不特别重要。
即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。
单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。
在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。
而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。
两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15kW之间，R BB一般可分为两段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。
双基极二极管的符号见图1的右侧。
图1 双基极二极管的结构与符号等效电路双基极二极管的工作原理将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。
首先在两个基极之间加电压U BB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压U E，U E可以用电位器R P进行调节。
这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻R B1、R B2组成的等效电路替代。
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单结晶体管原理
摘要：单结晶体管原理单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。
在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。
其结构、符号和等效电呼如图1所示。
图1、单结晶体管一、单结晶体管的特性从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：rbb=rb1+rb2式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值
目录
单结晶体管原理
单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。
在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。
其结构、符号和等效电呼如图1所示。
图1、单结晶体管
一、单结晶体管的特性
从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：
rbb=rb1+rb2
式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。
若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为：
VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb
式中：η----称为分压比，其值一般在0.3---0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图2
图2、单结晶体管的伏安特性
（1）当Ve＜η Vbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流Iceo。
（2）当Ve≥η Vbb+VD VD为二极管正向压降（约为0.7伏），PN结正向导通，Ie显著增加，rb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。
管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对就的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。
Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Vp=ηVbb
（3）随着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不在降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压，Vv和谷点电流Iv。
（4）过了V点后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie便缓慢地上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve＜Vv，管子重新截止。
二、单结晶体管的主要参数
（1）基极间电阻Rbb 发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。
（2）分压比η 由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。
（3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。
（4）反向电流Ieo b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。
（5）发射极饱和压降Veo 在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。
（6）峰点电流Ip 单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。