先进半导体敏感材料
新型半导体材料介绍
新型半导体材料介绍
在当今科技迅猛发展的时代，半导体材料作为电子器件的关键组成部分，在各
个领域扮演着重要的角色。
近年来，随着硅材料逐渐达到极限，新型半导体材料备受关注并不断涌现。
本文将介绍几种具有潜力的新型半导体材料。
碳化硅（Silicon Carbide）
碳化硅，又称为SiC，是一种具有优异性能的半导体材料。
其具有高热导率、
高电子迁移率和高电场饱和漂移速率等优点，使其在功率电子器件中大放异彩。
碳化硅器件能够承受高温、高电压和高频率的工作环境，在电动汽车、太阳能逆变器等领域有着广泛应用。
氮化镓（Gallium Nitride）
氮化镓，简称GaN，是另一种备受瞩目的新型半导体材料。
与硅相比，氮化镓
具有更大的电子饱和漂移速率和更高的电子迁移率，从而在高频功率放大器和射频微波器件中具有更好的性能。
此外，氮化镓也被广泛应用于LED光源、电源逆变
器以及5G通信等领域。
磷化铟（Indium Phosphide）
磷化铟，即InP，也是一种具有广阔应用前景的半导体材料。
其具有优异的电
子迁移率和高频特性，在光电器件、高速电路和激光器件中有着广泛的应用。
尤其是在光通信和激光雷达系统中，磷化铟器件的应用愈发重要。
结语
新型半导体材料的涌现为电子器件的发展带来了全新的活力和可能性。
碳化硅、氮化镓和磷化铟等材料的研究和应用，将进一步推动电子技术的进步，助力未来更加智能、高效的科技产品的诞生。
随着科技不断创新，我们有理由期待新型半导体材料在更广泛的领域中发挥更大的作用。
传感器的敏感材料与敏感元件介绍
3.2.1 温度敏感陶瓷材料
❖ 陶瓷温度传感器是利用陶瓷材料的电阻、磁性、介电、半 导等物理性质随温度而变化的现象制成的，其中电阻随温度 变化显著的称为热敏电阻。对热敏电阻的基本特性要求包括 有：①电阻率；②温度系数的符号与大小；③稳定性。
❖ 按热敏电阻的温度特性可分为负温度系数热敏电阻 （NTC），正温度系数热敏电阻（PTC）和临界温度电阻 （CTR）3类。
❖ 根据被测参数的功能类型来划分敏感材料。例如温度敏 感材料、压力敏感材料、应变敏感材料、光照度敏感材 料等。
❖ 按照材料的结构类型进行分类。该分类方法包括半导体 敏感材料、陶瓷敏感材料、金属敏感材料、有机高分子 敏感材料、光纤敏感材料、磁性敏感词材料等等。
3.1 半导体敏感材料及元件
❖ 传感器对半导体敏感材料最基本要求是换能效率高，即可 将其他形式能量转换为电能，且易制成器件。
图3-8 TiO2含量对电阻的影响
❖ 3 钙钛矿型结构陶瓷湿度敏感材料
钙钛矿型结构的化学通式为ABO3 ，具有钙钛矿结构的纳米 级复合氧化物陶瓷材料的表面、界面性质优异，对环境湿气 度化非常敏感，是湿度敏感材料发展的新方向。 BaTiO3晶体是较早被人们认识的铁电材料之一。BaTiO3具 有很好的湿敏性质，随着BaTiO3颗粒尺寸的减小，湿敏特 性提高，响应加快。
积的空隙中。间隙较小的
是氧四面体中心，为A位置，
间隙较大的则是氧八面体
位置，为B位置。
图3-6 两种结构类型
❖ （2） 典型的尖晶石结构陶瓷湿度敏感材料 纯MgCr2O4为正尖晶石结构，是绝缘体，不宜用作感湿材料。 当加入适量杂质，如MgO、TiO2、SnO2等；或在高温煅 烧，瓷体中呈现过量的MgO时， MgCr2O4即形成半导体。 图3-7表示MgCr2O4中添加受主 杂质MgO时对电阻率的影响。
敏芯半导体_分布反馈(dfb)半导体_概述说明
敏芯半导体分布反馈(dfb)半导体概述说明1. 引言1.1 概述：本文旨在对敏芯半导体分布反馈(DFB)半导体进行概述说明。
DFB半导体是一种应用广泛的电子器件，具有独特的原理和优势。
通过深入了解敏芯半导体和DFB 技术，我们可以更好地理解其应用领域和发展历程。
1.2 文章结构：本文将按照以下结构来进行介绍：首先，我们将从敏芯半导体的定义和特点开始，探讨其作为DFB半导体的基础知识。
接下来，我们将详细介绍DFB的原理、作用以及相关的结构和工艺技术。
紧接着，我们还将探究DFB技术的优势和局限性，以及其在通信领域、光电子器件和高速数据传输等方面的实际应用案例。
最后，在总结重点内容之后，我们将对敏芯半导体分布反馈技术未来发展进行展望。
1.3 目的：本文旨在深入了解敏芯半导体分布反馈技术，并提供一个全面而清晰的概述。
通过此篇文章，读者可以对DFB半导体有一个整体的了解，同时也能对其在各个应用领域中的发展和前景进行展望。
2. 敏芯半导体2.1 定义和特点敏芯半导体是一种新型的半导体材料，具有以下特点：- 高效能蓝光发射：敏芯半导体在发射蓝光方面表现出色，具有高亮度和高能效的特点。
其材料结构使得它能够产生纯净的蓝光。
- 超短波长：相比于其他传统材料，敏芯半导体的波长更短，使得它在高分辨率显示器和激光器等领域有广泛应用。
- 优秀电特性：敏芯半导体具有良好的电子传输特性，低载流子密度和短寿命使得其响应速度快、功耗低。
2.2 应用领域敏芯半导体在众多领域中都有广泛的应用，包括但不限于以下几个方面：- 光电子器件：由于敏芯半导体发射蓝光且波长较短，在制造显示器、激光打印机以及汽车前灯等光电子设备中得到了广泛运用。
- 光通信：由于敏芯半导体具有高效率的蓝光发射能力，使得其成为光纤通信中的重要组成部分。
敏芯半导体在光通信领域中被广泛应用于激光器、放大器和调制器等设备。
- 生物医学：敏芯半导体在生物医学领域也有一定的应用。
半导体材料报告【范本模板】
半导体材料-硅摘要半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础.利用半导体材料制作的各种各样的半导体器件和集成电路，促进了现代信息社会的飞速发展。
本文就半导体硅材料作了简单介绍。
引言能源、信息、材料是人类社会的三大支柱.半导体硅材料则是电子信息产业(尤其是集成电路产业）和新能源、绿色能源硅光伏产业的主体功能材料,硅材料的使用量至今仍然占全球半导体材料的95%以上，是第一大电子功能材料，且早已是一种战略性的物资和产业。
［1]20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命，随着科技的发展，半导体材料越来越多。
[2]半导体材料是一类具有半导体性能、可用于制作半导体器件和集成电路的电子材料．硅材料是当今产量最大、应用最广的半导体材料，是集成电路产业和光伏产业的基础。
硅材料的发展对推动我国相关产业实现技术跨越、增强国际竞争力、保持社会经济可持续发展和保障国家安全均起着重要作用。
［3］1、硅的分类硅也是极为常见的一种元素，属于元素周期表上第三周期,IVA族的类金属元素。
然而它极少以单质的形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式,广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。
硅在宇宙中的储量排在第八位。
在地壳中，它是第二丰富的元素，构成地壳总质量的26.4%,仅次于第一位的氧。
硅根据物理性质分为无定形硅和晶体硅两种。
1.1无定型硅无定型硅又称非晶硅，非晶硅是一种直接能带半导体，它的结构内部有许多所谓的“悬键”，也就是没有和周围的硅原子成键的电子,这些电子在电场作用下就可以产生电流，并不需要声子的帮助,因而非晶硅可以做得很薄，还有制作成本低的优点。
在70年代确实有过制备非晶硅的沸沸扬扬的高潮。
事实上，非晶硅光电池已经广为使用，例如许多太阳能计算器、太阳能手表、园林路灯和汽车太阳能顶罩等就是用非晶硅作为光电池的基本材料的。
非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。
二维半导体材料精选全文
精选全文完整版（可编辑修改）二维半导体材料近年来，半导体材料作为新一代先进材料受到了越来越多的关注。
其中，二维半导体材料更是受到大家的高度重视。
二维材料在纳米尺度下，具有独特的物理特性和化学性质，而且具有非常优异的器件性能。
因此，它们被越来越多地用于电子器件、传感器和电源管理等应用。
关于二维半导体材料，它是指所有厚度小于几十纳米的电子、光学的特性的材料。
常见的二维材料有碳纳米管、硅烷（二硅物）、金属硫化物、米开朗基罗物质（MoS2）、钛硅烷（TiS2）、石墨烯（Graphene）及二氧化碳等。
这些二维材料对电子、光电、传感器、电源管理等领域具有重要的应用价值。
碳纳米管（CNTs）是一种炫目的二维半导体材料，它的特点是由卷曲的碳纳米管构成，具有非常优异的物理性能。
它们具有极高的抗压强度和优异的导电性，而且多种可用的表面改性技术能够提高它们的导电性能和稳定性。
另外，CNTs还具有优异的电磁免疫性能，可以用来制备各种复杂的结构和型号。
米开朗基罗物质（MoS2）是另一种重要的二维半导体材料，它有着优异的电磁免疫性能，同时具有较低的能量损耗和优异的电导性。
它可以用于制备各种电子器件，这些电子器件具有极低的功耗和高性能。
此外，MoS2还可用于提高传感器的敏感性和可靠性，并且它可以显著提高太阳能转换效率。
石墨烯（Graphene）是另一种优秀的二维半导体材料，它具有极高的表面积、优异的电导性和极低的能量损耗等特点，是一种新型的导电材料。
石墨烯可以用于制备具有高性能的器件，如电子显示器、传感器、电池、磁体、量子存储和其他电子元件。
此外，石墨烯也可以用于节能、环保、功耗低、可持续发展的新型电子电路。
由以上介绍可以看出，二维半导体材料是一种具有重大应用价值的新型材料。
它们具有优异的物理性能和化学性质，可以大大提高电子器件、传感器和电源管理等应用的性能。
尽管这类材料的发展正处于初期，但未来会有更多的研究和进步，以满足社会的需求。
半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述
半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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第一代半导体到第四代半导体材料禁带宽度
第一代半导体到第四代半导体材料禁带宽度随着人类科技的不断进步，半导体材料的发展也取得了长足的进展。
从第一代半导体到第四代半导体，禁带宽度是一个重要的指标，它直接影响着半导体材料的导电性能和应用领域。
本文将从禁带宽度的定义、特性以及不同代半导体材料的禁带宽度进行介绍和比较。
我们来了解一下禁带宽度的定义。
禁带宽度，也称为能隙宽度或带隙宽度，是指在固体材料中，价带和导带之间的能量范围。
在这个范围内，电子无法存在，因此称之为禁带。
禁带宽度决定了材料的导电性能，宽禁带宽度的材料通常是绝缘体或半绝缘体，而窄禁带宽度的材料则是半导体或导体。
第一代半导体材料的禁带宽度通常较大，一般在1.1eV到3.0eV之间。
最典型的第一代半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。
这些材料具有良好的导电性能和稳定性，被广泛应用于集成电路和电子器件中。
然而，由于禁带宽度较大，它们需要较高的能量才能激发电子跃迁，因此对能源的利用效率较低。
第二代半导体材料的禁带宽度较小，一般在0.5eV以下。
典型的第二代半导体材料有硒化镉(CdSe)和硒化锌(ZnSe)等。
这些材料具有较好的光电特性，可以应用于光电器件和光伏发电等领域。
由于禁带宽度较小，第二代半导体材料对辐射能量的敏感度较高，因此在高能辐射环境下的应用有一定的局限性。
第三代半导体材料的禁带宽度介于第一代和第二代之间，一般在1.0eV到2.0eV之间。
典型的第三代半导体材料有氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等。
这些材料具有较高的载流子迁移率和较好的热稳定性，被广泛应用于高频功率器件和光电器件等领域。
由于禁带宽度适中，第三代半导体材料既具有较好的导电性能，又能有效利用能源。
第四代半导体材料是一种新兴的材料，禁带宽度小于1.0eV。
典型的第四代半导体材料有磷化铟(InP)和砷化铒(ErAs)等。
这些材料具有优异的导电性能和较高的能带垂直性，被广泛应用于高速电子器件和光电子器件等领域。
由于禁带宽度较小，第四代半导体材料对能量的利用效率更高，具有更广阔的应用前景。
fe2o3基于物理性质的用途
fe2o3基于物理性质的用途
Fe2O3是一种磁性材料，物理性质良好，具有多种用途。
一、用于电子元件
Fe2O3是常用的半导体材料，有着稳定的电学、热学和机械性能，可用于制作太阳能电池、晶体管、敏感元件以及定向性电路元件等，是电子元件更加先进的材料。
二、用于磁性存储
Fe2O3具有良好的磁性属性，可以被用于磁性存储介质，以及高磁密度记忆体的材料。
同时，它也用于写磁道介质读写头的制造，用于磁盘等计算机磁性存储介质的设备的制造中。
三、用于精细化工
Fe2O3具有独特的表面特性，可以制备特种精细化工产品，用于油品添加剂，颜料和催化剂等产品中。
四、用作催化剂
Fe2O3作为催化剂，在一定条件下可以促进某些有机物的反应，比如
燃料，烯烃和水等，能够有效改善燃料结构，降低尾气排放量，具有
非常重要的应用价值。
五、用于陶瓷制品
Fe2O3具有良好的热稳定性、结构强度、韧性及耐磨性，是制作釉瓷
的理想材料，具有一定的耐腐蚀性、耐热性和高气候角，能改变釉瓷
的质地，使瓷器更加耐用，美观，可以用来制作工艺品、建筑材料等。
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7.2.4 光电二极管材料
在受到光照的pn结上加上反向电压，则反向电流比不加光 照时大。这种二极管可把光信号变成光电流信号，常用作 光通信中的光电转换元件。它具有灵敏度高、响应速度快、 暗电流小、噪声低等特点。 利用Si、Ge等材料还可制备了同雪崩光电二极管（有高速 响应和放大功能）和光电晶体管（有放大功能）等光敏器 光电二极管用材料及其基本性能 件。
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MCT红外探测器具有量子效率高、光电导增益和响应率较 高、响应时间短、频率响应宽等特点，用MCT还制出了可 探测微弱信号的（10.6 μm）红外外差探测器和（3-5 μm）、（8-14 μm）的扫积探测器。 InSb材料制备工艺比MCT成熟，广泛用于制备3-5 μm波段 探测器。器件工作模式有PC、PV和PEM三种。
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CdS、CdSe材料（所制光敏电阻）主要光敏特性
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7.2.2 红外波段光敏材料
红外光敏传感器（红外探测器）主要利用了半导体材料的 光电导（本征光电导、非本征或杂质光电导）效应、光伏 效应、光电磁效应和光发射效应。 1917年用TlS2制出了第一只光敏电阻。20世纪30年代开 始用PbS、PbSe研制红外探测器。二战期间，因军事需 求的刺激红外探测器工艺研究得到快速发展，并为现代红 外探测器的研制和生产奠定了良好基础。 20世纪50年代早期，研制成功第一个Ge的非本征光电导 探测器，随GaAs等化合物半导体材料制备工艺的发展， 陆续研制出基于InSb、HgCdTe（MCT）、铅盐化合物及 其固溶体、Ⅲ-Ⅴ族化合物基固溶体等材料的红外探测器、 量子阱红外探测器及各种红外焦平面阵列等。
Si、Ge、InSb的压敏效应参数
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半导体力敏元件（应变片）可制出压力传感器、 加速度传感器等器件。 SiC也可用于制备高温压力传感器。已有报道工 作温度高达600 ℃的6H-SiC高温压力传感器。 金刚石也是制作高温压力传感器的优良材料，受 缺乏单晶衬底的限制，其工作温度仅为300 ℃.
1.24 c Eg
(m)
9
常见半导体光敏材料的本征吸收限λc
常见半导体材料的κ值
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7.2.1 可见光波段光敏材料
可见光波段的半导体光敏材料以CdS和CdSe研 究得最为深入。在CdS中掺入某种杂质还可以提 高其灵敏度。 CdSe中掺Cu会形成缺陷中心，它们有较大的俘 获截面，可提高空穴寿命（由10-13-10-7s提高到 10-6-10-2s）。从而使所制光敏元件的灵敏度得到 较大幅度提高。
InSb红外光探测主要性能
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铅盐化合物PbS、PbSe均为本征光电导红外探测器材料， PbS广泛用于制备1-3 μm探测器，其器件制备工艺简单， 成本低。
铅盐红外光探测器的主要性能
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Si和Ge是主要的非本征红外（光电导）探测器材料带隙大 小适中。
低背景应用时某些Si、Ge红外探测器的主要性能
Π： 材料的压阻系数 y： 材料的杨氏模量 ε ： 材 料 在 特 定 方 向 的 应系 变数
3
材料的压阻系数Π与材料的导电类型、晶向、掺杂 浓度、温度等参数有关。
G 定义标准因子（灵敏度系数）为： R / R
Y
1954年，吏密斯（Smith C S）首先发现Si、Ge 的压阻效应，世界上第一个基于压阻效应的压力 传感器是用Si制作的。 压阻传感器是半导体传感器中市场额最大的传感 器。 4
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1992年首次制出AlGaN PC型紫外光探测器，在365 nm波 长时，峰值响应率（似应为电流灵敏度）为1000 A/W。 1995年，用CVD工艺制出了PC型金刚石紫外光探测器， 它对200 nm波长光的响应比对可见光的响应大106，暗电 流小于0.1 nA。 1964年，用3C-SiC制出了PV型紫外光探测器（光二极 管），250 nm波长时，最大响应率72 mA/W，量子效率 36%。一般SiC光二极管在250-300 nm时，响应率为150240 mA/W，量子效率在60%以上。
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7.2.5 光电导膜材料
利用半导体材料的光电导效应，可制成光电导摄像管。光 电导膜是其关键元件。 照度系数 由正式给出其物理意义：
I aV B I - 光电流 B - 光的照度 - 电压指数 a - 常数
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常见半导体光电导膜材料主要性能
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7.3 磁敏材料
磁敏传感元件是将磁学量信号转换为电信号或以 磁场为媒介将其他非电物理量转换为电信号的元 件。 利用半导体的霍尔效应和磁阻效应可制出霍尔器 件、磁阻器件、磁敏二极管和磁敏三极管等传感 器件。
其他红外探测器材料
•
半导体红外光探测器材料的种类繁多，除上述材料外， 还有InAs（1-3 μm）、InGaAs（1-1.65 μm）、HgZnTe（312 μm）、HgMnTe（2-10 μm）、PbSnTe（8-14 μm）、 InAsPSb（2-5 μm）、 InGaAsSb（2-5 μm）等。
32
1993年，Helmolt等人在类钙铁矿结构的稀土Mn氧化物中 观察到△R/R可达103～106的超巨磁阻效应，又称庞磁阻 效应(Colossal Magnetoresistance，CMR)。 1995年，Moodera等人观察到磁性隧道结在室温下大于10 ％的隧道巨磁电阻效应(Tunnel Magnetoresistance，TMR) 效应。 1997年，全球首个基于巨磁阻效应的读出磁头问世。正是 借助了巨磁阻效应，人们才能够制造出如此灵敏的磁头， 能够清晰读出较弱的磁信号，并且转换成清晰的电流变化。
产生电能 转换灵敏度用机电耦合系数K表示： K 输入机械能
12
7
常见半导体压电材料
8
7.2 光敏材料
半导体光敏材料主要是利用这类材料所具有的光电导效应 以制备相应的传感（探测）器件。 光电导效应是半导体表面受到光照时，其电导率增大的现 象。 根据本征吸收限波长λc与材料带隙Eg的关系，可以容易地 算出半导体光敏材料的吸收限波长（吸收边）。
先进半导体敏感材料
1
7.1力敏材料 7.2光敏材料 7.3磁敏材料 7.4热敏材料 7.5气敏材料 7.6射线敏材料 7.7其他半导体敏感材料
2
7.1 力敏材料
7.1.1压阻效应力敏材料
半导体晶体受外（应）力作用时，其晶格对称性和晶格常 数会发生变化，导致其导电机理改变而使电阻R（或电阻 率ρ）发生变化，此即压阻效应，可以近似表示为： R y R
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7.3.1 霍尔器件材料
霍尔器件是利用半导体的霍尔效应制作的。20世 纪50年代就制出了霍尔器件并很快实现商品化。 20世纪70年代初期就制成了单片Si集成霍尔板 （是一种最基本的半导体磁敏器件）。
Si、GaAs是良好的霍尔板材料。这两种材料所制霍尔板 最大电压相对灵敏度分别为0.11/T和0.63/T，实测值分别 为0.07/T和0.2/T。 半导体霍尔器件具有结构简单、无触点、频带宽、动态 特性好等特点，在磁场测量、功率测量、电能测量、自 动控制与保护、微位移测量、压力测量等方面得到广泛 应用。
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红外探测器按其工作模式或机理可分为四类：本征、非本 征、光发射、量子阱或光电导（PC）、光伏（PV）、光 电磁（PEM）、量子阱（QW）探测器。
红外光探测器分类及所用主要材料
14
各类半导体红外光探测器比较
15
探测率：探测器敏感面积为1cm2，噪声等效带宽为1Hz的 响应率与方均噪声电压或电流之比，单位为cmHz1/2/W. MCT材料是1959年首先报道的，是目前应用最广泛的红外 光探测器材料。 MCT材料的主要特点：①材料与器件优值α/G（α为吸收 系数，G为热产生速率）较大，比自由载流子探测器和 AlGaAs/GaAs量子阱器件大几个数量级；②探测波长范围 大，可制备出红外波段内任何波长的探测器，可制面多色 （多波长）探测器；③MCT的晶格常数基本上与组分无关。 在各种可变带隙固溶体半导体材料中，MCT是惟一带隙可 覆盖整个红外波段而其晶格常数又保持不变的半导体材料， 这是MCT相对于其他半导体材料的一个主要优点。
33
7.3.3 磁敏二极管和磁敏三极管材料
半导体磁敏二极管和磁敏三极管是继霍尔器件、 磁阻器件之后发展起来的磁电转换器件。 磁敏二极管的磁灵敏度可达1000 mV(mA· T)，比 霍尔器件高出数百倍甚至数千倍]、体积小、电路 结构简单、可识别磁场的极性等特点。 磁敏二极管和磁敏三极管广泛用于无触点电位器、 无触点开关、无刷直流电机、漏磁探测仪、地磁 探测仪等领域。
21
• • •
7.2.3 短波长（紫外）光敏材料
在紫外光探测（传感）技术方面，一些“旧”的探测器， 如照相膜、气体光电离探测器和光发射探测器等已被半导 体光探测器所取代，因半导体探测器有更高的灵敏度、体 积小、可靠性高、易于操作并能给出更多、更精确的光度 学信息。 Si和GaAs材料工艺技术已非常成熟或相当成熟，采用这些 材料并结合一些特殊器件结构已经制出对紫外光有良好响 应的光电探测器，也易于批量生产。已制出高量子效率的 利用紫外光探测的 Si光二极管。
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采用宽带隙材料可对短波长光有较好的响应。一方面，可 充分利用宽带隙材料所具有的对可见光盲或阳光盲的特性 提高器件的搞干扰能力；另一方面，可利用宽带隙材料的 高化学稳定性和耐高温特性制成适用于恶劣环境工作的紫 外光电探测器。 宽带隙紫外光探测器材料主要有GaN基材料、SiC、金刚
石等。具有良好性能的PV型GaN紫外光探测器已经商品 化。
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半导体霍尔器件用材料及所制器件性能
30
7.3.2 磁阻器件材料
磁阻器件是利用半导体的磁阻效应，是一种电阻 随磁场的变化而变化的效应（包括物理磁阻效应 和几何磁阻效应）。 磁阻定义为有磁场时与无磁场时材料的电阻或电 RH R0 / R0 (H 0 ) / 0 阻率的比值： 磁阻器件的性能主要取决于材料的迁移率和元件 的形状，为了得到较好的磁阻性能，常选择纯度 和迁移率较高的半导体材料（主要是InSb和 InAs），以利用其物理磁阻效应。