内存知识全集---讲义教材
内存条的基础知识
内存条的基础知识接口类型，是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的。
金手指上的导电触片，也习惯称为针脚数(Pin)。
因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。
下面就让小编带你去看看关于内存条的基础知识吧，希望能帮助到大家!内存知识详解：接口类型1、金手指金手指(connecting finger)是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。
金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。
金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。
不过，因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替。
从上个世纪 90 年代开始，锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”，几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点，才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。
内存的金手指内存处理单元的所有数据流、电子流，正是通过金手指与内存插槽的接触与 PC 系统进行交换，是内存的输出输入端口。
因此，其制作工艺，对于内存连接显得相当重要。
2、内存插槽最初的计算机系统，通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用 DIP(Dual ln-line Package，双列直插式封装)封装，DIP 芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。
DIP 芯片有个最大的问题，就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。
随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。
最终导致接触不好，产生内存错误。
内存插槽早期还有另外一种方法，是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了DIP 芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板。
内存的分类
4.4 内存的选购
4.4.1 内存的选购原则 1．内存条的品牌 如图4 18所示。 如图4-18所示。
2．内存颗粒 3．频率要搭配 4．容量
4.4.2 内存产品介绍 1. 海盗船1GB DDR3 1333 海盗船1GB 海盗船1GB 海盗船1GB DDR3 1333内存条的外观，如图 1333内存条的外观，如图 4-19所示。 19所示。
运行CPU- ，容， 如图4 23所示。 如图4-23所示。
4.1.4 按内存条的技术标准（接口类 按内存条的技术标准（ 型）分类
1．DDR SDRAM内存条 SDRAM内存条 DDR SDRAM内存条，其外观如图4-6所示。 SDRAM内存条，其外观如图4
2．DDR2 SDRAM内存条 SDRAM内存条 DDR2内存条的外观如图4 DDR2内存条的外观如图4-7所示。
③ Flash Memory（闪速存储器），如图4-4 Memory（闪速存储器），如图4 所示。
2．RAM （1）SRAM（Static RAM，静态随机存储器） SRAM（ RAM，静态随机存储器） （2）DRAM（Dynamic RAM，动态随机存储器） DRAM（ RAM，动态随机存储器） 4.1.2 按内存在计算机中的用途分类 1．主存储器 2．高速缓冲存储器（Cache） ．高速缓冲存储器（Cache） 3．BIOS ROM
3．CSP封装 CSP封装 CSP（ CSP（Chip Scale Package，芯片级封装） Package，芯片级封装） DDR内存，如图4 14所示。 DDR内存，如图4-14所示。
4.3 DRAM内存的时间参数 DRAM内存的时间参数
4.3.1 DRAM内存的参数设置 DRAM内存的参数设置 1．CAS Latency（CL或tCL） Latency（CL或tCL） 目前DDR内存的CL值主要为2 2.5和 目前DDR内存的CL值主要为2、2.5和3， DDR2的CL在 DDR2的CL在3～6之间，DDR3的CL在5～8 之间，DDR3的CL在 之间。DDR2与DDR3延迟时间对比如图4 之间。DDR2与DDR3延迟时间对比如图415所示。 15所示。
联想LCSE初级教材内存
5.3 内存芯片的封装
• SOJ • Small Out-Line J-Lead Package 小尺寸J形引脚封装 • 引脚呈“J”形弯曲地排列在芯片底部四周 • SOJ封装一般应用在EDO DRAM
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5.3 内存芯片的封装
• TSOPⅡ • Thin Small Outline Package 薄型小尺寸封装 • 更适合高频使用，具有较强的可操作性和较高的可靠性 • 封装厚度只有SOJ的三分之一 • 封装的外形呈长方形，封装芯片的两侧有I/O引脚，芯片是通过引脚焊在 PCB板上 • 焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热相对困难
• 芯片安装在RIMM里。RIMM的大小和物理形状类似于当前的DIMM，但它们是 不能替换的
• 通道中未插内存模块的RIMM插槽必须插入一个连接模块以保证路径是完整的
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5.3 内存芯片的封装
• DIP • 早期的内存芯片采用此封装 • 封装的外形呈长方形，针脚从长边引出，具有适合PCB穿孔安装，布线和操 作较为方便等特点 • 由于针脚数量少（一般为8～64针），抗干扰能力极弱 • 体积比较“庞大”
• DIMM都是64位（非奇偶校验）或72位（奇偶校验或纠错码ECC）宽
典型的168针SDRAM DIMM 第16页/共28页
5.4 内存模块与插槽 • DIMM
典型的184针DDR DIMM
典型的240针DDR2 DIMM
DDR和DDR2 DIMM
30针、72针SIMM和SDRAM、DDR DIMM
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5.4
内存模块与插槽 • RIMM • 有184个针脚，每一面有1个槽口，连接的地方中间有2个槽口 • RIMM非ECC版有16位数据宽度，ECC版则都是18位宽
内存讲解
同样地，DDR3内存也把这种技术当作性能提升的法宝，其数 据预读取已从DDR2的4位提升至8位，此时内存颗粒的核心频 率只相当于数据频率的1/8，即使内存颗粒的核心频率只有 100MHz，DDR3的数据频率也能达到800MHz。正是8位数据 预读取技术这个强大的“魔方”把DDR3的性能再往上推了一 个台阶。
当DDR发展到极限时，DDR2就来接班了，它在技术体系上继 承于DDR，主要针对“I/O Buffer”（输入/输出缓冲）部件作 出改进。以往I/O Buffer的频率等同于内存颗粒的核心频率， DDR2则把I/O Buffer的频率提升一倍，这样一来，DDR2每次 预读取的数据就达到了4位，每次传输的数据量就比DDR多一 倍。注意观察，我们不难发现，在内存从SDRAM进化至 DDR2的过程中，数据预读取技术扮演着最为关键的角色。
图4-5
Tiny-BGA
Tiny-BGA（Tiny Ball Grid Array，小型球栅阵列封装）封装方式 能减小芯片和整个内存的PCB的面积。Tiny-BGA可视为超小型的BGA 封装。Tiny-BGA封装的电路连接也和传统方式不同，内存芯片和电路 板的连接依赖芯片中心位置的细导线。在Tiny-BGA封装中，内存颗粒 是通过一个个锡球焊接在 PCB上的，由于焊点和PCB的接触面积较大， 所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并 散发出去。Kingmax内存采用的就是Tiny-BGA封装方式。Kingmax内 存如图4-6所示。
按内存的封装方式分
SOJ TSOP Tiny-BGA BLP CSP
内存其实是由数量庞大的集成电路组成的，只不过这些电路都需 要最后封包完成。这类将集成电路封包的技术就是封装技术。封装也 可以说是安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅担任放置、固定、 密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界 与外部电路的桥梁——芯片上的接点用导线连接到封装外壳的导线上， 这些导线又通过印制电路板上的导线与其他部件建立连接。因此对于 很多集成电路产品而言，封装技术都是非常关键的一环。根据内存的 封装形式，可以将内存分为以下几类。
《计算机组装与维护》——第5章 认识和选购内存
图5-11 海盗船统治者32GB DDR4 4000 RGB内存，16GB×2双通道套装
5.4 内存的选购参考
选购指南4 内存质量与真伪分析
● 内存造假手段
由于内存加工制造的技术门槛较低，导致内存也成为造假售假的重灾区之一，而名气越 大的产品越容易遭到仿冒。DIY配件市场中比较常见的内存造假方式有以次充好、打磨、翻修 和改标签等，造假的手段可谓五花八门，若不留意就容易上当受骗。
内存最终能使用的工作频率也取决于主板芯片组的支持上限，内存只能工作在芯片组允 许的频率范围之内。
5.4 内存的选购参考
⑶ 工作电压
内存正常工作所需要的电压值叫做工作电压。每一种类型的内存均有其自身的电压规格，并 允许有微小的正负范围波动，一旦超出其电压规格极限值，就容易导致内存损坏。
DDR3内存的标准工作电压约为1.5V或更低数值，而DDR4内存的工作电压则降至1.2V左右。
5.4 内存的选购参考
⑴ 以次充好
在目前的内存造假行业中，以次充好的现象尤为严重。所谓次品，是指将一些存在故障或 已经损坏但仍然可以利用的内存条加以特殊处理，挑选出其中没有受损的颗粒，打磨之后再拼 凑着焊接到PCB电路板上，冒充高质量的内存产品出售。
计算机组装与维护
（第2版）
第5章 认识和选购内存
工作任务分析
本任务主要学习内存的物理结构、常见类型、主流品牌以及选购方法，引导学生学会辨识和 选择合适的内存产品，锻炼学生自主探究学习的能力，激发学生学习计算机硬件知识的兴趣， 同时也拓展学生的知识视野，培养良好的职业意识和职业素养。
课程教学目标
知识学习目标
5.4 内存的选购参考
⑸ 海盗船内存
海盗船（Corsair）在国内又称美商海盗船（USCorsair），属于高档型的内存品牌，以设计、 制造高性能的超频内存闻名。海盗船内存产品做工精良，规格较高，稳定性和超频能力都很优秀， 但是价格也相对贵一些。
电脑基础知识：内存条知识大全，看完小学生都了解
电脑基础知识：内存条知识⼤全，看完⼩学⽣都了解⼀、基础知识1、定义、作⽤内存条⼜叫随机存取存储器，是⼀种存储技术，但是和硬盘存储不同，内存条⼀断电，那么所有数据都会丢失。
由于CPU处理器速度很快，⽽硬盘读写速度完全跟不上CPU的速度，即使是固态硬盘也⼀样，所以⼀个急着⽤，⼀个慢吞吞，因此就需要⼀个中间者来帮忙，这就是内存条，硬盘中的数据可以先传输到内存条保存着，如果CPU需要，那么可以直接从内存条中快速读取，相反的，CPU快速处理完后，先放到内存条中，再由内存条慢慢放进硬盘⾥。
有了内存条这个媒介，CPU和硬盘间的数据传输会加快很多。
2、容量容量就是能存储多少数据了，容量越⼤，存储数据越多，意味着你能同时运⾏更多的程序，如果程序数据太多，内存条容量满了，那么CPU会直接从硬盘拿数据，这就是为什么当我们看到内存容量99%或100%后，电脑⼏乎卡死的原因。
容量不是你想加多少就加多少的，⼀台电脑能放多少容量的内存条，取决于主板，所以要清楚主板最⼤⽀持的内存条容量。
3、颗粒内存条上⾯那些⿊⾊⼩块就是内存条颗粒，主流颗粒⼚商为三星、海⼒⼠、美光，颗粒在⽣产的时候有好有坏，好的拿来做⾼端内存条，坏的拿来做普通内存条。
颗粒怎么看好坏？外观是看不出来的，可以通过频率和时序作为⼀个简单判断。
4、频率、时序频率上，现有内存条频率集中在2000MHz到3000MHz之间，当然还有更⾼的，内存条频率越⾼，CPU对内存进⾏读写的时候速度越快，当然这个'快'字不是说从拖拉机变超跑，⽽是同⼀辆拖拉机拉的货变多。
但是货多了，如果装货的速度还是那么慢，那么其实内存条频率变⾼似乎也没什么⽤，因为装货的时间就更长了，把货拉到⽬的地的时间也因此变得更长，所以这时候就需要时序。
时序就是装货的效率，时序CL越⼩，那么装货效率越⾼，更快的把货装好，并且⼀次性运送⼤量的货物，那么这个内存条的整体速度才能变得更快。
现在的普通DDR4内存，以2400MHz为例，时序在15-17左右，如果颗粒更好，那么频率可以达到3000MHz以上，时序可以低到12。
计算机基础实施第4章内存
2、 杂牌内存引起的系统不稳定？ 故障现象： 才配置的机器为：PIII 733CPU， 升技SA6主板，七彩虹Geforce 2NV显卡，杂牌 128MB内存，星钻20G硬盘，声卡是集成的， 爱国者770FT显示器。机器硬件装好后，开始 安装Windows Me，可是磁盘扫描结束进行安 装程序时，机器就死机了，试了几次都是如此， 于是改装Windows 98 Windows 98，这次进了安装程序，安 装也算顺利，只是在拷系统文件时报错，但按 了“取消”就没事了。装完后进入Windows 98， 一打开程序就报“非法操作”，然后被告之 “系统内部出错，请重新安装系统”，任何程 序都无法运行，开机只能进入桌面。
化学镀金工艺金手指特写(金手指下面是平边)
目前金手指制作工艺有两种，一种是 电镀金，另一种是化学镀金。电镀金比 化学镀金金层更厚，能够提高抗磨损性 和防氧化性。
电镀金工艺金手指特写(金手指下面多出一个小引线)
（4）、SPD
SPD（Serial Presence Detect，串行存在 检测）是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编 程只读存储器）芯片。它一般位于内存条正 面的右侧，采用SOIC封装形式，容量为256字 节（Byte）。SPD芯片内记录了该内存的许多 重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工 作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、 列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂 前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际 性能写入到ROM芯片中。
在挑选内存芯片时最好优先原厂原字芯片，因 为这些产品都经过了晶圆厂最为严格的检测和 测试，因此品质最有保障。此外，目前很多模 组厂商为了产品形象统一，特别将内存芯片表 面的字迹印刷成自己的LOGO，给消费者选购 造成了一定的不便。其实，只要是知名模组厂 商的产品，用户都可以放心选购，但千万不要 贪图便宜而购买杂牌小厂产品。
计算机内存管理基础知识
计算机内存管理基础知识一、前言学妹刚上大学，问我计算机内存知识需要了解么？我当场就是傻瓜警告，于是就有了这篇文章。
为什么要去了解内存知识？因为它是计算机操作系统中的核心功能之一，各高级语言在进行内存的使用和管理上，无一不依托于此底层实现，比如我们熟悉的Java内存模型。
最近几篇文章学习操作系统的内存管理后，喜欢底层的同学可以去学习CPU结构、机器语言指令和程序执行相关的知识，而看重实用性的同学后续学习多进程多线程和数据一致性时，可以有更深刻的理解。
二、冯•诺伊曼结构1、早期计算机结构在冯•诺依曼结构提出之前的计算机，是一种计算机只能完成一种功能，编辑好的程序是直接集成在计算机电路中，例如一个计算器仅有固定的数学计算程序，它不能拿来当作文字处理软件，更不能拿来玩游戏。
若想要改变此机器的程序，你必须更改线路、更改结构甚至重新设计此计算机。
简单来说，早期的计算机是来执行一个事先集成在电路板上的某一特定的程序，一旦需要修改程序功能，就要重新组装电路板，所以早期的计算机程序是硬件化的。
2、理论提出1945年，冯•诺依曼由于在曼哈顿工程中需要大量的运算，从而使用了当时最先进的两台计算机Mark I和ENIAC,在使用Mark I和ENIAC的过程中，他意识到了存储程序的重要性，从而提出了“存储程序”的计算机设计理念，即将计算机指令进行编码后存储在计算机的存储器中，需要的时候可以顺序地执行程序代码，从而控制计算机运行，这就是冯.诺依曼计算机体系的开端。
这是对计算机发展有深刻意义的重要理论，从此我们开始将程序和数据一样看待，程序也在存储器中读取，这样计算机就可以不单单只能运行事先编辑集成在电路板上的程序了，程序由此脱离硬件变为可编程的了，而后诞生程序员这个职业。
关于冯・诺依曼这位大神，值得单独开一篇文章来聊聊。
3、五大部件冯诺依曼计算机体系结构如下：数据流一》指令流-A 控制流---►img冯•诺依曼结构用极高的抽象描述了计算器的五大部件，以及程序执行时数据和指令的流转过程。
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内存知识大全DDR2DDR2的定义：DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit 数据读预取）。
换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。
回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。
这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。
换句话说，虽然DDR2和DDR 一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。
也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR 的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。
举例来说，DDR200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。
实际上，DDR2-400和DDR400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR 的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。
这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。
而DDR2内存均采用FBGA封装形式。
不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。
DDRII通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。
使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。
我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。
它大大增加了主板的制造成本。
实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。
因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。
DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。
使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。
在PostCAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（AdditiveLatency）后面保持有效。
原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（AdditiveLatency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。
由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决接口类型接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的，金手指上的导电触片也习惯称为针脚数（Pin）。
因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。
笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。
对应于内存所采用的不同的针脚数，内存插槽类型也各不相同。
目前台式机系统主要有SIMM、DIMM和RIMM三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在SIMM和DIMM插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。
金手指金手指（connectingfinger）是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。
金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。
金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。
不过因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替，从上个世纪90年代开始锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。
内存金手指内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换，是内存的输出输入端口，因此其制作工艺对于内存连接显得相当重要。
内存插槽最初的计算机系统通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用DIP （Dual ln-linePackage，双列直插式封装）封装，DIP芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。
DIP芯片有个最大的问题就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。
随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。
最终导致接触不好，产生内存错误。
早期还有另外一种方法是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了DIP芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板，此种方法付出的代价较大，也极为不方便。
对于内存存储器，大多数现代的系统都已采用单内联内存模块（Single Inline Memory Module，SIMM）或双内联内存模块（Dual Inline Memory，DIMM）来替代单个内存芯片。
这些小板卡插入到主板或内存卡上的特殊连接器里。
DIMM与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。
同样采用DIMM，SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168PinDIMM 结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；DDRDIMM则采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。
卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。
DDR2 DIMM为240pin DIMM 结构，金手指每面有120Pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDRDIMM的，因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。
不同针脚DIMM接口对比为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。
同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM 只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。
此外笔记本内存还有MicroDIMM 和MiniRegistered DIMM两种接口。
MicroDIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin；MiniRegistered DIMM接口为244pin，主要用于DDR2内存。
RIMM是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型，RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。
RIMM有也184Pin的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。
RIMM非ECC版有16位数据宽度，ECC版则都是18位宽。
由于RDRAM内存较高的价格，此类内存在DIY市场很少见到，RIMM接口也就难得一见了。
RDRAM内存内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数。
内存容量以MB 作为单位，可以简写为M。
内存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB 等，一般而言，内存容量越大越有利于系统的运行。
目前台式机中主流采用的内存容量为256MB或512MB，64MB、128MB的内存已较少采用。
系统对内存的识别是以Byte（字节）为单位，每个字节由8位二进制数组成，即8bit（比特，也称“位”）。
按照计算机的二进制方式，1Byte=8bit；1KB=1024Byte；1MB=1024KB；1GB=1024MB；1TB=1024GB。
系统中内存的数量等于插在主板内存插槽上所有内存条容量的总和，内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定。