材料物理性能考试重点、复习题

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材料物理性能复习资料

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材料物理性能复习资料材料物理性能总复习(⽆材⼀)考试题型:1 名词解释 5个*3分,共15分;2 简答 7个*5分,共35分;3 计算 2个*10分,共20分;4 论述 2个*15分,共30分。

考试时间:2013-1-14. 考试重点1 材料的受⼒形变不同材料应⼒应变曲线的区别A (A 点):⽐例极限; E (B 点):弹性极限; P (C 点):屈服极限; U (D 点):断裂极限;E ,可逆线性正⽐例关系,当应⼒在 E 和 P 之间,外⼒去除后有⼀定程度的永久变形,即发⽣塑性变形陶瓷材料⼀般没有塑性变形,发⽣脆性断裂应⼒:单位⾯积上所受内⼒。

ζ=F/A由于材料的⾯积在外⼒作⽤下,可能有变化,A 就有变化,有名义应⼒和实际(真实)应⼒ P4. 应变:描述物质内部各质点之间的相对位移名义位移的应变:实际应变和L0有关,可以通过公式推导获得由于材料的不同⽅向的应变,因此考虑可以采⽤和应⼒分解的办法来解决,具体看教材第6-7页虎克定律:σ=E ε⽐例系数E 成为弹性模量(Elastic Modulus ),⼜称弹性刚度相关概念:应⼒应变虎克定律弹性模量001L L L L L ?=-=ε三种应变类型的弹性模量杨⽒模量E ;剪切模量G ;体积模量B 弹性模量:原⼦间结合强度的标志之⼀两类原⼦间结合⼒与原⼦间距关系曲线弹性模量实际与曲线上受⼒点的曲线斜率成正⽐结合键、原⼦之间的距离、外⼒作⽤也将改变弹性模量的值温度升⾼,原⼦之间距离变⼤,弹性模量下降弹性模量的本质特征;弹性模量的影响因素;晶粒、异相、⽓孔、杂质等,弹性模量的计算公式及⽅法;把材料看成材料的串联或者并联,我们可以得到其上限模量和下限模量,如下⾯的公式表⽰:(P13)复合材料弹性模量及应⼒的计算。

陶瓷材料弹性常数和⽓孔率关系多⽓孔陶瓷材料可以看成⼆相材料,其中⼀相的刚度为0 陶瓷材料的弹性模量随⽓孔率变化的表达式是:b 是与制备⼯艺有关常数.当泊松⽐0.3,f1和f2分别是1.9和0.9,和教材上p13公式1.21⼀样粘弹性:⼀些⾮晶体,有时甚⾄多晶体在⽐较⼩的应⼒时同时表现出粘性和弹性。

大学《材料物理性能》复习核心知识点、习题库及期末考试试题答案解析

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大学《材料物理性能》复习核心知识点、习题库及期末考试试题答案解析目录《材料物理性能》习题库(填空、判断、选择、简答计算题) (1)《材料物理性能》复习核心知识点 (15)清华大学《材料物理性能》期末考试试题及答案解析 (25)上海交通大学《材料物理性能》期末考试试题 (31)《材料物理性能》习题库(填空、判断、选择、简答计算题)一、填空1.相对无序的固溶体合金,有序化后,固溶体合金的电阻率将。

2.马基申定则指出,金属材料的电阻来源于两个部分,其中一个部分对应于声子散射与电子散射,此部分是与温度的金属基本电阻,另一部分来源于与化学缺陷和物理缺陷而与温度的残余电阻。

3.某材料的能带结构是允带内的能级未被填满,则该材料属于。

4.离子晶体的导电性主要是离子电导,离子电导可分为两大类,其中第一类源于离子点阵中基本离子的运动,称为或,第二类是结合力比较弱的离子运动造成的,这些离子主要是,因而称为。

在低温下,离子晶体的电导主要由决定。

5.绝缘体又叫电介质,按其内部正负电荷的分布状况又可分为,,与。

6.半导体的导电性随温度变化的规律与金属,。

在讨论时要考虑两种散射机制,即与。

7.超导体的三个基本特性包括、与。

金属的电阻8.在弹性范围内,单向拉应力会使金属的电阻率;单向压应力会使率。

9.某合金是等轴晶粒组成的两相机械混合物,并且两相的电导率相近。

其中一相电导率为σ1,所占体积分数为φ,另一相电导率为σ2,则该合金的电导率σ = 。

10.用双臂电桥法测定金属电阻率时,测量精度不仅与电阻的测量有关,还与试样的的测量精度有关,因而必须考虑的影响所造成的误差。

11.适合测量绝缘体电阻的方法是。

12.适合测量半导体电阻的方法是。

13.原子磁矩包括、与三个部分。

14.材料的顺磁性来源于。

15.抗磁体和顺磁体都属于弱磁体,可以使用测量磁化率。

16.随着温度的增加,铁磁体的饱和磁化强度。

17.弹性的铁磁性反常是由于铁磁体中的存在引起所造成的。

材料科学与工程材料物理期末考试复习重点及答案

材料科学与工程材料物理期末考试复习重点及答案

材料物理第四章材料强化比较材料强化的方法加工硬化适用材料:位错能够滑移的塑性材料原理:塑性变形时由于位错增殖,提高材料密度,使位错间相互作用力增大,使对位错进行滑移的阻力也增大,起到强化作用加工技术:冷加工(低温下使金属发生形变),轧制、锻造、冲压、拉拔等。

冷加工既经济又方便,可用退火消除冷加工产生塑性变形;通过控制变形量控制加工硬化的程度。

(通过每次增加一点应力以使金属发生塑性形变从而提高到屈服强度的方式,高温下失去强化效果)随变形强度↑→强硬度↑→塑韧性↓的现象性能变化:抗张强度、屈服强度和硬度有所增加,但是塑性和金属形变的总的性能下降,同时物理性能如电导率、密度等也都有所下降。

固溶强化通过形成固溶体合金,可是实现固溶强化的目的。

(高温不明显损害固溶强化效果)原理:溶质原子进入溶剂,造成晶格畸变,从而使位错滑移困难,基体的变形抗力随之提高(有些固溶体会出现明显的屈服点和应变时效现象)。

效果:溶质、溶剂原子尺寸差别越大,固溶强化效果越好(差别大的尺寸的溶质原子进入溶剂后,造成晶格畸变大,位错滑移越困难);添加的合金元素越多,固溶强化效果越好。

加工技术:形成固溶体合金性能变化:合金的屈服强度、抗拉强度、硬度等会超过纯金属;几乎所有合金的塑性都低于纯金属,铜锌合金除外;合金的电导率大大低于纯金属;改善合金的抗蠕变性能。

弥散强化将多相组织混合在一起所获得的材料强化效应。

(特别适应高温材料)原理:添加合金元素的量大于固溶度,析出新相形成两相合金,两相界面上的原子排列无晶格完整性,阻碍位错的滑移,从而实现材料强化。

加工技术:通过使金属间化合物在塑性基体中弥散分布或共晶反应能够获得弥散强化的材料。

固态相变强化通过控制固态相变来强化材料的方法,可以多次采用;而通过控制凝固过程实现材料强化的方法,只能在材料冶炼制备中采用一次。

原理:通过控制第二相或析出物的析出获得所需的强化性能。

加工技术:利用时效强化、共析反应或非平衡态的马氏体相变等固态相变来强化材料。

材料物理性能复习

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无机材料物理性能复习考试题(含答案)一、名词解释(选做5个,每个5分,共15分)1. KIC:平面应变断裂韧度,表示材料在平面应变条件下抵抗裂纹失稳扩展的能力。

2.偶极子(电偶极子):正负电荷的平均中心不相重合的带电系统。

3.电偶极矩:偶极子的电荷量与位移矢量的乘积,。

(P288)4.格波:原子热振动的一种描述。

从整体上看,处于格点上的原子的热振动可描述成类似于机械波传播的结果,这种波称为格波。

格波的一个特点是,其传播介质并非连续介质,而是由原子、离子等形成的晶格,即晶格的振动模。

晶格具有周期性,因而,晶格的振动模具有波的形式。

格波和一般连续介质波有共同的波的特性,但也有它不同的特点。

5.光频支:格波中频率很高的振动波,质点间的相位差很大,邻近的质点运动几乎相反时,频率往往在红外光区,称为“光频支振动”。

(P109)6.声频支:如果振动着的质点中包含频率很低的格波,质点之间的相位差不大,则格波类似于弹性体中的应变波,称为“.声频支振动”。

(P109)7.色散:材料的折射率随入射光频率的减小(或波长的增加)而减小的性质,称为折射率的色散。

8.光的散射:物质中存在的不均匀团块使进入物质的光偏离入射方向而向四面八方散开,这种现象称为光的散射,向四面八方散开的光,就是散射光。

与光的吸收一样,光的散射也会使通过物质的光的强度减弱。

9.双折射:光进入非均匀介质时,一般要分为振动方向相互垂直、传播速度不等的两个波,它们分别构成两条折射光线,这个现象就称为双折射。

(P172)10.本征半导体(intrinsic semiconductor):完全不含杂质且无晶格缺陷的、导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体称为本征半导体。

11.P/N型半导体:在半导体中掺入施主杂质,就得到N型半导体;在半导体中掺入受主杂质,就得到P型半导体。

12.超导体:超导材料(superconductor),又称为超导体,指可以在特定温度以下,呈现电阻为零的导体。

材料物理性能期末复习考点

材料物理性能期末复习考点

材料物理性能期末复习考点
1.力学性能
-弹性模量:描述材料在受力后能恢复原状的能力。

-抗拉强度和屈服强度:材料在受拉力作用下能够承受的最大应力。

-强度和硬度:表示材料对外界力量的抵抗能力。

-延展性和韧性:描述材料在受力下发生塑性变形时的能力。

-蠕变:材料在长期静态载荷下发生塑性变形的现象。

2.电学性能
-电导率:描述材料导电的能力。

-电阻率:描述材料导电困难程度的量。

-介电常数和介电损耗:材料在电场中储存和散失电能的能力。

-铁电性和压电性:描述材料在外加电场或机械压力下产生极化效应的能力。

-半导体性能:半导体材料的导电性能受温度、光照等因素的影响。

3.热学性能
-热导率:描述材料传热能力的指标。

-线热膨胀系数:描述材料在温度变化下线膨胀或收缩的程度。

-热膨胀系数:描述材料在温度变化下体积膨胀或收缩的程度。

-比热容:描述单位质量材料在温度变化下吸收或释放热能的能力。

-崩裂温度:材料在受热时失去结构稳定性的温度。

4.光学性能
-折射率:描述光在材料中传播速度的比值。

-透射率和反射率:描述光在材料中透过或反射的比例。

-吸收率:光在材料中被吸收而转化为热能的比例。

-发光性能:描述材料能否发光以及发光的颜色和亮度。

-线性和非线性光学效应:描述材料在光场中的响应特性。

以上是材料物理性能期末复习的一些考点,希望能帮助到你。

但需要注意的是,这只是一部分重点,你还需要结合教材和课堂笔记,全面复习和理解这些概念和原理。

祝你考试顺利!。

材料物理性能复习题

材料物理性能复习题

材料物理性能复习题1.材料科学核⼼四要素:组成、结构、⼯艺、性能⽐较导体﹑半导体﹑绝缘体的能带的特征?与其电阻率范围。

(1)⾦属导体的能带分布:⼀是价带和导带重叠,⽽⽆禁带;⼆是价带未被价电⼦填满,所以这种价带本⾝就是导带。

这两种情况下的价电⼦就是⾃由电⼦,所以⾦属导体即使在温度较低的情况下仍有⼤量的⾃由电⼦,具有很强的导电能⼒。

(2)⾮导体(包括半导体和绝缘体)在绝对零度时,其能带情况是满价带和空导带且有禁带,故基本⽆导电能⼒。

(3)半导体和绝缘体的能带图的区别仅是禁带宽度的⼤⼩。

(绝缘体:3ev~6ev, 半导体: 0.1 ev~2ev) 电阻率范围:导体:半导体:ρ值为10-3~109 绝缘体: 2.马基申定则:固溶体电阻率看成由⾦属基本电阻率ρ(T)和残余电阻率ρ残组成。

不同散射机制对电阻率的贡献可以加法求和。

这⼀导电规律称为马基申定律即: 3.材料产⽣电阻的本质:当电⼦波在绝对零度下通过⼀个理想的晶体点阵时,它将不会受到散射⽽⽆阻碍地传播,这时ρ=0,⽽σ为⽆穷⼤,即此时的材料是⼀个理想的导体。

只有在晶体点阵的完整性以及由于晶体点阵离⼦的热振动,晶体中的异类原⼦、位错和点缺陷等使晶体点阵的周期性遭到破坏的地⽅,电⼦波才会受到散射,从⽽产⽣了阻碍作⽤,降低了导电性,这就是材料产⽣电阻的本质所在。

4.化学缺陷:偶然存在的杂质原⼦及⼈⼯加⼊的合⾦元素的原⼦;物理缺陷:指空位、间隙原⼦、位错以及它们的复合体。

5.三种散射机制?声⼦散射、电⼦散射、电⼦在杂质和缺陷上的散射6.影响⾦属导电性的因素?(⼀般规律,并通过散射机制进⾏解释)温度:(1)绝对零度下,纯净⼜⽆缺陷的⾦属,其电阻率等于零。

(2)随温度的升⾼⾦属的电阻率也增加。

低温下“电⼦-电⼦”散射对电阻的贡献可能是显著的,但除低温以外⼏乎所有温度下⼤多数⾦属的电阻都取决于“电⼦-声⼦”散射。

受⼒情况:1)拉⼒的影响:在弹性范围内单向拉伸或扭转应⼒能提⾼⾦属的ρ 2)压⼒的影响:对⼤多数⾦属⽽⾔,在受压⼒情况下电阻率降低⾦属在压⼒的作⽤下,其原⼦间距缩⼩,内部缺陷的形态、电⼦结构、费⽶⾯和能带结构以及电⼦散射机制等都将发⽣变化,这必然会影响⾦属的导电性能。

材料物理性能 期末考试重点

材料物理性能  期末考试重点

材料物理性能第一章考点1.电子理论的发展经历了三个阶段,即古典电子理论、量子自由电子理论和能带理论。

古典电子理论假设金属中的价电子完全自由,并且服从经典力学规律;量子自由电子理论也认为金属中的价电子是自由的,但认为它们服从量子力学规律;能带理论则考虑到点阵周期场的作用。

考点2.费米电子在T = 0K时,大块金属中的自由电子从低能级排起,直到全部价电子均占据了相应的能级为止。

具有能量为E F(0)以下的所有能级都被占满,而在E F(0)之上的能级都空着,E F(0)称为费米能,是由费米提出的,相应的能级称为费米能级。

考点3.四个量子数1、主量子数n2、角量子数l3、磁量子数m4、自旋量子数m s考点4.思考题1、过渡族金属物理性能的特殊性与电子能带结构有何联系?过渡族金属的 d 带不满,且能级低而密,可容纳较多的电子,夺取较高的s 带中的电子,降低费米能级。

第二章考点5.载流子载流子可以是电子、空穴,也可以是离子、离子空位。

材料所具有的载流子种类不同,其导电性能也有较大的差异,金属与合金的载流子为电子,半导体的载流子为电子和空穴,离子类导电的载流子为离子、离子空位。

而超导体的导电性能则来自于库柏电子对的贡献。

考点6.杂质可以分为两类一种是作为电子供体提供导带电子的发射杂质,称为“施主”;另一种是作为电子受体提供价带空穴的收集杂质,称为“受主”。

掺入施主杂质后在热激发下半导体中电子浓度增加(n>p),电子为多数载流子,简称“多子”,空穴为少数载流子,简称“少子”。

这时以电子导电为主,故称为n型半导体。

施主杂质有时也就称为n型杂质。

在掺入受主的半导体中由于受主电离(p>n),空穴为多子,电子为少子,因而以空穴导电为主,故称为p型半导体。

受主杂质也称为p型杂质。

考点7.我们把只有本征激发过程的半导体称为本征半导体。

考点8.在同一种半导体材料中往往同时存在两种类型的杂质,这时半导体的导电类型主要取决于掺杂浓度高的杂质。

材料物理性能复习题

材料物理性能复习题

材料物理性能复习题⼀、名词解释光⽮量:即是光波的电场强度⽮量。

双折射:当光束通过各向异性介质表⾯时,折射光会分成两束沿着不同的⽅向传播,这种由⼀束⼊射光折射后分成两束光的现象。

光轴:通过改变⼊射光的⽅向,可以发现,在晶体中存在⼀些特殊的⽅向,沿着这些⽅向传播的光不会发⽣双折射,这些特殊的⽅向称为晶体的光轴。

热膨胀:物质在加热或冷却时的热胀冷缩现象称为热膨胀。

朗伯特定律:l e I I α-=0,在介质中光强随传播距离呈指数形式衰减的规律即称为朗伯特定律。

热稳定性:指材料承受⾼温的急剧变化⽽不致破坏的能⼒,也称为抗热震性。

滞弹性:指材料在交变载荷的情况下表现为应变对应⼒的滞后特性即称为滞弹性。

应⼒感⽣有序:溶解在固溶体中孤⽴的间隙原⼦,置换原⼦,在外加应⼒时,这些原⼦所处的位置的能量即出现差异,因⽽原⼦要发⽣重新分布,即产⽣有序排列,这种由于应⼒引起的原⼦偏离⽆序状态分布叫应⼒感⽣有序。

穆斯堡⽿效应:固体中的⽆反冲核共振吸收即为穆斯堡尔效应。

⾼分⼦的分⼦结构:指除具有低分⼦化合物所具有的,如同分异构、⼏何异构、旋光异构等结构特征之外,还有⾼分⼦量,通常由103~105个结构单元组成的众多结构特点。

⾼分⼦的聚集态结构:是指⼤分⼦堆砌、排列的形式和结构。

均⽅末端距:是描述⾼分⼦链的形状和⼤⼩时采⽤末端距的2次⽅的平均值,⽤r 2表⽰,称为均⽅末端距。

⼆、填空题1、下图为聚合物的蠕变和回复曲线,可见⼀个聚合物材料的总形变是三种形变之和,其中ε1为普弹形变、ε2为⾼弹形变、ε3为粘性流动。

2、从微观上分析,光⼦与固体材料相互作⽤的两种重要结果是:电⼦极化和电⼦能态转变3、在光的⾮弹性散射光谱中,出现在瑞利线低频侧的散射线统称为斯托克斯线,⽽在瑞利线⾼频侧的散射线统称为反斯托克斯线。

4、掺杂在各种基质中的三价稀⼟离⼦,它们产⽣光学跃迁的是4f 电⼦。

5、红宝⽯是历史上⾸先获得的激光材料,它的发光中⼼是C r 3+ 离⼦。

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1.格波:在晶格中存在着角频率为ω的平面波,是晶格中的所有原子以相同频率振动而形
成的波,或某一个原子在平衡附近的振动以波的形式在晶体中传播形成的波
2.色散关系:频率和波矢的关系
3.声子:晶格振动中的独立简谐振子的能量量子
4.热容:是分子或原子热运动的能量随温度而变化的物理量,其定义是物体温度升高1K
所需要增加的能量。

5.两个关于晶体热容的经验定律:一是元素的热容定律----杜隆-珀替定律:恒压下元素的
原子热容为25J/(K*mol);另一个是化合物的热容定律-----奈曼-柯普定律:化合物分子热容等于构成此化合物各元素原子热容之和。

6.热膨胀:物体的体积或长度随温度的升高而增大的现象称为热膨胀
7.固体材料热膨胀机理:材料的热膨胀是由于原子间距增大的结果,而原子间距是指晶格
结点上原子振动的平衡位置间的距离。

材料温度一定时,原子虽然振动,但它平衡位置保持不变,材料就不会因温度升高而发生膨胀;而温度升高时,会导致原子间距增大。

8.温度对热导率的影响:在温度不太高时,材料中主要以声子热导为主,决定热导率的因素
有材料的热容C、声子的平均速度V和声子的平均自由程L,其中v通常可以看作常数,只有在温度较高时,介质的弹性模量下降导致V减小。

材料声子热容C在低温下与温度T3成正比。

声子平均自由程V随温度的变化类似于气体分子运动中的情况,随温度升高而降低。

实验表明在低温下L值的变化不大,其上限为晶粒的线度,下限为晶格间距。

在极低温度时,声子平均自由程接近或达到其上限值—晶粒的直径;声子的热容C则与T3成正比;在此范围内光子热导可以忽略不计,因此晶体的热导率与温度的三次方成正比例关系。

在较低温度时,声子的平均自由程L随温度升高而减小,声子的热容C 仍与T3成正比,光子热导仍然极小,可以忽略不计,此时与L相比C对声子热导率的影响更大,因此在此范围内热导率仍然随温度升高而增大,但变化率减小。

在较高温度下,声子的平均自由程L随温度升高继续减小,而声子热容C趋近于常数,材料的热导率由L 随温度升高而减小决定。

随着温度升高,声子的平均自由程逐渐趋近于其最小值,声子热容为常数,光子平均自由程有所增大,故此光子热导逐步提高,因此高温下热导率随温度升高而增大。

一般来说,对于晶体材料,在常用温度范围内,热导率随温度的上升为下降。

9.影响热导率的因素:1)温度的影响,一般来说,晶体材料在常用温度范围内,热导率随
温度的上升而下降。

2)显微结构的影响。

3)化学组成的影响。

4)复合材料的热导率
10.热稳定性:是指材料承受温度的急剧变化而不致破坏的能力,所以又称为抗热震性。

11.常用热分析方法:1)普通热分析法2)差热分析3)差示扫描量热法4)热重法
12.光折射:当光依次通过两种不同介质时,光的行进方向要发生改变,这种现象称为折射
13.光的散射:材料中如果有光学性能不均匀的结构,例如含有透明小粒子、光性能不同的
晶界相、气孔或其他夹杂物,都会引起一部分光束偏离原来的传播方向而向四面八方散开来,这种现象称为光的散射。

14.吸收:光通过物质传播时,会引起物质的价电子跃迁或使原子振动,从而使光能的一部
分转变为热能,导致光能的衰减的现象
15.弹性散射:光的波长(或光子能量)在散射前后不发生变化的,称为弹性散射
16.按照瑞利定律,微小粒子对波长的散射不如短波有效,在可见光的短波侧λ=400nm处,
紫光的散射强度要比长波侧λ=720nm出红光的散射强度大约大10倍
17.色散:材料的折射率随入射光的频率的减小(或波长的增加)而减小的性质,称为材料
的色散
18.透光性:材料可以使光透过的性能称为透光性
19.镜反射:是指光照射在光洁度非常高的材料表面时,反射光线具有明确的方向性,这种
反射称为镜反射
20.漫反射:光照射在粗糙的材料表面时,反射线没有方向性,这种反射称为漫反射
21.受激辐射:处于激发态的发光原子在外来辐射场的作用下,向低能态或基态跃迁时,辐
射光子的现象
22.激光:由受激发射的光放大产生的辐射
23.受激吸收:如果原子处于低能级,当能量满足hv=E2-E1的光子趋近它时,原子则可能吸
收一个光子并跃迁到高能级,这个吸收过程只有存在适当频率的外来光子时才会发生
24.导电:当在材料的两端施加电压V时,材料中有电流I流过的现象
25.超导原因:超导态的电子对有一基本特性,即每个电子对在运动中的总动量保持不变,
故在通以直流电时,超导体重的电子对将无阻力地通过晶格运动,晶格散射电子对中的一个电子并改变它的动量时,它也将散射电子对中的另一个电子,在相反方向引起动量的等量变化,成对电子运动的平均速度基本保持不变,电子对运动时不消耗能量,表现出零电阻的特性
26.载流子:电流是电荷在空间的定向运动。

任何一种物质,只要有电流就意味着有带电粒
子的定向运动,这些带电粒子称为载流子;载流子为离子或离子空穴的电导称为离子式电导,载流子为电子或电子空穴的电导称为电子式电导
27.霍尔效应:沿试样x轴方向通入电流I(电流密度j x),z轴方向加一磁场H z,那么在y轴
方向将产生一电场E y,这一现象称为霍尔效应
28.超导电性:在一定的低温条件下材料突然失去电阻的现象
29.合金元素及相结构的影响:1)固溶体的导电性;2)金属化合物的导电性;3)多相合
金的导电性
30.导电性的测量:1)双臂电桥法;2)直流电位差计测量法;3)直流四探针法;4)绝缘体
电阻的测量
31.矿物当温度变化时,在晶体的某些结晶方向产生荷电的性质称为热电性
32.热电效应:在金属导线组成的回路中,存在着温差或通以电流时,会产生热与电的转换
效应
33.电介质极化的机制:1)电子、离子位移极化;2)弛豫极化;3)取向极化;4)空间电
荷极化
34.介电击穿:当陶瓷或聚合物用于工程中做绝缘材料、电容器材料和封装材料时,通常都
要经受一定的电压梯度的作用,如果材料发生短路,则这些材料就失效了,这种失效称为介电击穿。

引起材料击穿的电压梯度称为材料的介电强度或介电击穿强度
35.正压电效应:当晶体受到机械力作用时,一定方向的表面产生束缚电荷,其电荷密度大
小与所加应力的大小成线性关系。

这种由机械能转换成电能的过程,称为正压电效应36.逆压电效应:以应力作用α-石英晶体而产生束缚电荷。

如果以电场作用在α-石英晶体上,
则在相关方向上产生应变,而且应变大小与所加电场在一定范围内有线性关系。

这种由电能转变为机械能的过程称为逆压电效应
37.热释电性:一些晶体除了由于机械应力作用引起压电效应外,还可以由于温度作用而使
其电极化强度变化,这就是热释电性,也叫做热电性
38.热释电效应:由温度变化而使极化改变的现象
39.铁电性:晶胞的结构使正负电荷重心不重合而出现电偶极矩,产生不等于零的电极化强
度,使晶体具有自发极化,晶体的这种性质叫铁电性
40.磁感应强度:通过垂直于磁场方向单位面积的磁力线数
41.物质磁性的分类:1)抗磁体;2)顺磁体;3)铁磁体;4)亚铁磁体;5)反铁磁体
42.磁化强度:描述磁介质磁化状态的物理量;矫顽力:当反向磁畴扩大到同正向磁畴大小
相等时,有效磁化强度等于0,这时的磁场强度即为矫顽力;饱和磁化强度:铁磁材料和亚铁磁材料的磁化强度随磁场增加而增加所能达到的最大值,是温度的函数;磁导率:磁介质中磁感应强度与磁场强度之比。

分为绝对磁导率和相对磁导率,是表征磁介质导磁性能的物理量;磁滞损耗:铁磁材料在磁化过程中由磁滞现象引起的能量损耗;饱和磁致伸缩系数:随着磁场增强,铁磁体的磁感强度增强,λ绝对值也随之增大,当磁化强度达到饱和值时,λ=λs,λs为饱和磁致伸缩系数;磁晶各向异性常数:单位体积的单晶磁体沿难磁化方向磁化到饱和与沿易磁化方向磁化到饱和所需磁化能之差
43.弹性模量:材料在弹性变形阶段内,正应力和对应的正应变的比值
44.弹性模量的测量:1)静态测量法,从应力和应变曲线确定弹性模量,测量的精度较低,
不适合对金属进行弹性分析;2)动态测量法,优点是测量设备简单,测量速度快,测量结果准确
45.内耗:由于固体内部的原因使机械能消耗的现象;材料在交变应力作用下应变落后于应
力的现象,称为滞弹性,由滞弹性引起的内耗称为滞弹性内耗。

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