《材料成型金属学》教学资料:1-4 位错的应力场和应变能

合集下载

位错的应力场与应变场培训课件

位错的应力场与应变场培训课件

位错的分类
通常,位错可分为晶格位错和孪生位错。 晶格位错是晶格中的原子位置发生了变化, 而孪生位错是晶体中两个区域的反向错位。
位错对材料的影响
位错的传播和聚集
位错会扩大和聚集,导致材料中的微观裂纹和缺 陷,进而导致局部塑性形变或松散断裂。
位错对材料性质的影响
位错可以影响材料的硬度、强度、塑性、断裂韧 性和热膨胀系数等性质。
2 课件的教学方法和效果
为了提高课堂互动性,本课程使用讨 论、案例分析、互动演示和问答等教 学方法,以提高学生的兴趣和理解度。
结论和总结
本课程的成果
通过本课程,您将完全理解位错的概念和对材料 性质的影响,以及位错应力场和位错应变场的数 学表达式。您还将了解材料的性能在实际工业和 科学应用中的重要性。
位错的应力场与应变场培 训课件
本课程将带您深入了解位错的性质,应力场和应变场,以及其对材料的影响。 在本次课程中,您将学习位错的基本理论,类型和对材料性质的影响。此外, 我们还将探讨位错的应力和应变场以及这些概念在工业和科学应用中的重要 性。
位错的定义与分类
什么是位错?
位错是一种材料结构缺陷,描述了晶体中 单个原子错位的情况。
位错的应力场
1
应力场的产生原理
当位错穿过晶格时,会在其周围形成一个应力场。应力场的大小和方向由位错本身和 材料的性质决定。
2
位错应力场的数学表达式
位错应力场的数学表达式通常使用弹性势能理论和位错形变张量来计算。
3
应力场的影响
应力场的存在可以导致位错的聚集和材料的塑性形变。
Байду номын сангаас
位错的应变场
应变场的产生原理
应用领域
位错理论是材料科学和工程领域中的重要内容, 广泛应用于合金材料、金属材料、半导体材料和 多晶材料等研究领域。

位错的应力场与应变场

位错的应力场与应变场

晶体结构:不同晶体结构对位错应力场的影响不同 温度:温度对位错应力场的影响较大,温度升高会使应力场减小 应力大小:位错应力场的大小与应力大小成正比关系 位错类型:不同类型的位错具有不同的应力场特征
PART THREE
位错应变场是描述位错附近晶体点 阵的畸变状态
应变场的大小和方向可以用来确定 位错的运动状态和受力情况
PART TWO
位错应力场的 定义:描述位 错在晶体中所 产生的应力分

产生原因:由 于位错的存在,
使得晶体中的 原子排列发生 扭曲,从而产
生应力
影响因素:位 错类型、晶体 结构、滑移面

意义:研究位 错应力场有助 于理解晶体中 的变形机制和
断裂行为
位错是晶体中局部原子排列发生扭曲的一种缺陷 位错应力场的形成是由于晶体中其他原子对位错周围原子施加力的作用 位错应力场与应变场密切相关,是晶体变形的重要机制之一 位错应力场的研究对于理解晶体强度、韧性等力学性质具有重要意义
PART FOUR
位错应力场与应变场相互作用,共同影响晶体结构和性质。
位错应力场和应变场的变化可以相互转化,即应力场的变化会导致应变场的变化,反之亦然。
位错应力场和应变场的相互作用可以影响材料的力学性能,例如硬度、韧性和强度等。
通过研究位错应力场与应变场的关系,可以深入了解材料的力学行为和变形机制,为材料设 计和优化提供理论支持。
添加标题
添加标题
添加标题
添加标题
应变场与应力场密切相关,是位错 与晶体相互作用的结果
应变场的研究有助于深入了解位错 的性质和行为
位错是晶体中线缺陷,会导致周围原子发生位移 应变场是由于位错运动而产生的晶体内部应变分布 位错应变场与应力场密切相关,影响晶体性质 位错应变场的形成机制是材料科学和物理学中的重要问题

《材料成型金属学》教学资料:1-5位错的运动与塑性变形

《材料成型金属学》教学资料:1-5位错的运动与塑性变形

原位错线处在1-1处
在切应力作用下,位错线周围的原子作 小量的位移,移动到虚线所标志的位置, 即位错线移动到2-2处,表示位错线向左 移动了一个原子间距;
反映在晶体表面上即产生了一个台阶;
与刃型位错一样,由于原子移动量很小, 移动它所需的力很小。
螺型位错滑移时周围原子的移动情况 ●代表下层晶面的原子 ○代表上层晶面的原子
=> Dislocation generator (similar to Frank-Read source)
Primary slip plane
b
b
edge
Cross
b
slip plane
交滑移 cross slip
作用原滑移面上运动受阻—交滑移—新滑移面 —滑移继续,交滑移只能是螺位错才能发生。
1.5 位错的运动与塑性变形
Movements of dislocation/plastic deformation
1.位错的滑移
滑移是晶体内部位错在切应力作用下运动的结果。滑移并非是晶体 两部分沿滑移面作整体的相对滑动,而是通过位错的运动来实现的。 在切应力作用下,一个多余半原子面从晶体一侧到另一侧运动,即位 错自左向右移动时,晶体产生滑移。 通过位错的移动实现滑移时: 1 只有位错线附近的少数原子移动; 2 原子移动的距离小于一个原子间距。
刃位错滑移特点
a) 位错逐排依次前进,实现两原子面的相对滑移; b) 滑移量=柏氏矢量的模;
c) 外力τ // b,位错线⊥τ ,位错线运动方向//τ d) τ一定时,正、负位错运动方向相反,但最终滑移效
果相同; e) 滑移面唯一。
螺位错滑移
在切应力作用下,位错线沿着与切应力方向相垂直的方向运动,直至消失 在晶体表面,留下一个柏氏矢量大小的台阶; 螺型位错移动方向与柏氏矢量垂直,位错线方向与柏氏矢量平行; 螺型位错的滑移没有固定的滑移面,螺型位错的滑移面是一系列以位错线 为共同转轴的滑移面,理论上它可以在所有包含位错线的平面进行滑移。

《材料成型金属学》教学资料:1 位错及柏氏矢量

《材料成型金属学》教学资料:1 位错及柏氏矢量
b2
b1
node
b3
b1
b2
b3(2)一个位错环只有来自个柏氏矢量。证明:设有一个位错环(Loop)ABCD,将它分为两部分ABCEA和AECDA, 其柏氏矢量分别为b1和b2,这表明两部分晶体变形不同,那么中间就要出现 一个柏氏矢量为b3的位错。
A
b1
E b2
B
D
b3
C
现设:CDA动,ABC不动,出现了b3,在A处b1分解为b2和b3,b3=b1-b2;同理: CDA不动,ABC动,也出现了b3,在A处b2分解为b1和b3,b3=b2-b1. 因为实际上没有AEC,只有ABCD位错环,所以b3=0,故b1=b2,即一个位错环 只有一个柏氏矢量。
混合位错的运动
位错密度
单位体积中位错的总长度:
L , cm / cm3
V 将位错线看作于垂直某一平面的直位错线
nL n ,1/ cm3
AL A
为了便于描述晶体中的位错,更确切地表
征不同类型位错的特征,1939年伯格斯提出 了采用柏氏回路(Burgers Circuit)来定义位 错,借助一个规定的矢量来揭示位错的本质。
2.柏氏矢量的表示法
柏氏矢量的大小和方向可以用它在晶轴(Crystallographic Axis)上的 分量,即用点阵矢量a、b和c来表示。
立方晶系晶体,由于a=b=c,故可用与柏氏矢量b同向的晶向指数 (Orientation Index)来表示。
例:柏氏矢量等于从体心立方的原点到体心的矢量,则b=a/2+b/2+c/2,
dislocation changes with position
柏氏矢量与位错类型的关系:
刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可 分正刃和负刃型位错)

《材料成型金属学》教学资料:第一章位错理论基础

《材料成型金属学》教学资料:第一章位错理论基础

晶界特点
1) 晶界—畸变—晶界能—向低能量状态转化—晶粒长大、 晶界变直—晶界面积减小; 2) 阻碍位错运动— 流变应力↑ 细晶强化; 3) 位错、空位等缺陷多—晶界扩散速度高; 4) 晶界能量高、结构复杂—容易满足固态相变的条件— 固态相变首先发生地; 5) 化学稳定性差—晶界容易受腐蚀; 6) 微量元素、杂质富集。
1 位错理论基础
Fundamentals of dislocation theory
理想晶体 完全按照空间点阵有规则排列
实际晶体 不可能完全规则排列,存在晶格缺陷 lattice defect
1.1 晶体缺陷概述
晶体中的缺陷: 原子排列偏离完整性的区域
点缺陷-在三个方向上尺寸都很小 线缺陷-在二个方向上尺寸很小 面缺陷-在一个方向上尺寸很小
Ae-q / kT
空位迁移速度与绝对温度T和空位迁移能量q的关系 式中:A为常数,k为玻尔兹曼常数。
点缺陷对晶体性质的影响
晶格畸变:点缺陷引起晶格局部弹性变形。
空位缺陷
间隙粒子缺陷 杂质粒子缺陷
点缺陷引起的三种晶格畸变
点缺陷对材料性能的影响
点缺陷的存在会使其附近的原子稍微偏离原结点位置才能平 衡,即造成小区域的晶格畸变。
Low Angle Grain Boundary -小角晶界
(a)倾侧晶界模型;(b)扭转晶界模型
小角晶界可理解为位错墙 位向差θ<10°
亚结构
变形→位错密Leabharlann 增加→位错缠结 高位错密度区将位错密度低的区域隔开 → 晶粒内部出现“小晶粒” ,取向差不大→ 胞状亚结构
.
透射电镜 (TEM)
大角晶界
理想晶体原子 面堆积
含有刃型位错晶 体原子面堆积

位错应力场应变能线张力资料课件

位错应力场应变能线张力资料课件

应变能线
应变能线描述了材料在受力过程中能量的分布和传递。通 过分析应变能线,可以揭示材料在不同应力状态下的变形 机制。
张力资料
张力资料提供了关于材料在拉伸载荷下的行为和性能数据 ,对于评估材料的力学性能和安全性具有重要意义。
综合应用
将位错理论、应变能线与张力资料相结合,可以更全面地 理解材料的力学行为,为材料设计和优化提供理论支持。
强度设计
利用应变能线可以评估材料的承载能 力,为强度设计和安全评估提供依据 。
04
张力资料分析与应用
张力的基本概念与测量方法
定义
张力是物体受到拉伸或压缩时,在其内部产生的应力。
单位
牛顿或牛顿米(N或Nm)。
张力的基本概念与测量方法
产生原因
物体受到外力作用,导致内部产生应 力。
测量方法
使用张力计、拉力计或压力计进行测 量。
建议
加强跨学科合作,整合不同领域的专业知识,以推动位错理论、应变能线与张力资料的综合应用研究 。同时,关注新材料的发展,探索新材料的力学行为和潜在应用。
THANKS
感谢观看
位错应力场对材料性能的影响
总结词
位错应力场对材料性能的影响主要体现在强度、塑性和疲劳等方面。
详细描述
位错应力场对材料强度的影响较大,它能够通过阻碍滑移和攀移,提高材料的屈服强度。同时,位错应力场也会 影响材料的塑性变形能力,在一定程度上决定了材料的韧性。此外,位错应力场还会影响材料的疲劳性能,通过 影响位错的运动和交互作用,影响材料的疲劳寿命。
位错应力场、应变能 线与张力资料课件
目录
• 位错理论简介 • 位错应力场分析 • 应变能线与材料行为 • 张力资料分析与应用 • 总结与展望

《材料成型金属学》教学资料:第一章位错理论基础

《材料成型金属学》教学资料:第一章位错理论基础

位错密度
单位体积中位错的总长度:
ρ = L , cm / cm3 V
将位错线看作于垂直某一平面的直位错线
ρ = nL = n ,1/ cm3 AL A
位错密度
在金属材料中,退火状态下,接近平衡状态所得 到的材料,这时位错的密度较低,约在106-8的数量级;
经过较大的冷塑性变形,位错的密度可达1011-12 的数量级。
1 位错理论基础
Fundamentals of dislocation theory
理想晶体 完全按照空间点阵有规则排列
实际晶体 不可能完全规则排列,存在晶格缺陷 lattice defect
1.1 晶体缺陷概述
晶体中的缺陷: 原子排列偏离完整性的区域
点缺陷-在三个方向上尺寸都很小 线缺陷-在二个方向上尺寸很小 面缺陷-在一个方向上尺寸很小
特征: 无多余半原子面,原子错排呈轴对称; 螺型位错线与滑移矢量平行,因此一定是直线; 纯螺型位错的滑移面不唯一; 螺型位错周围发生点阵畸变; 线缺陷。
混合位错(mixed dislocation)
滑移矢量既不平行也不垂直于位错线,而与位错 线相交成一定角度。
Screw Dislocation
点缺陷的类型 :
1) 空位 在晶格结点位置应有原子的 地方空缺,这种缺陷称为“空位”。
2) 间隙原子 在晶格非结点位置,往 往是晶格的间隙,出现了多余的原 子。它们可能是同类原子,也可能 是异类原子。
3) 异类原子 在一种类型的原子组成 的晶格中,不同种类的原子替换原 有的原子占有其应有的位置。
空位平衡浓度
Edge Dislocation
Has both edge and
screw character.

《材料成型金属学》教学资料:1-9 位错的运动与交割

《材料成型金属学》教学资料:1-9 位错的运动与交割
混合型位错的滑移过程
不同类型位错的滑移方向与外加切应力和柏氏矢量的方向不同。刃 型位错的滑移方向与外加切应力τ及柏氏矢量一致,正、负刃型位错 方向相反;螺型位错的滑移方向与外加切应力τ及柏氏矢量垂直,左、 右螺型位错方向相反;混合型位错的滑移方向与外加切应力τ及柏氏 矢量成一定角度,晶体的滑移方向与外加切应力τ及柏氏矢量相一致。
XY向下运动与AB交割
由于XY扫过的区域,其滑移面PXY两侧的晶体将发生b1距离的相对 位移,因此交割后,在位错线AB上产生PP′小台阶。PP′的大小和方向 取决于b1。由于位错的柏氏矢量的守恒性,PP′的柏氏矢量仍为b2,b2垂 直于PP′,因而PP′是刃型位错,且不在原位错线的滑移面上,故是割阶。 位错XY平行b2,因此交割后不会在XY上形成割阶。
1.9 位错的运动与交割
Movements/intersections of dislocations
1.9.1 位错的运动 1.9.2 运动位错的交割
1.9.1 位错的运动
1.刃型位错的滑移运动
刃型位错滑移的示意图 (a)滑移时周围原子的位移; (b)滑移过程
2 . 螺型位错及混合型位错的滑移运动
2 两个柏氏矢量互相平行的刃型位错交割
柏氏矢量为b1的刃型位错XY和柏氏矢量为b2的刃型位错AB 分别位于两垂直的平面PXY、PAB上,柏氏矢量b1与b2相互平行。
AB不动,XY向右运动。
交割后,在AB位错线上出现一段平行于b1的PP′台阶,其大小和 方向与b1相同;在XY位错线上也出现一段平行于b2的QQ′台阶,其 大小和方向与b2相同。但它们的滑移面和原位错的滑移面一致,故 称为扭折,属于螺型位错。在运动过程中,这种扭折在线张力的作 用下可能被拉直而消失。
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
(3)刃型位错的应力场对称于多余半原子面(y-z面),即 对称于y轴。
(4)当y=0时,σxx=σyy=σzz=0,说明在滑移面上,没有正应力,
只有切应力,而且切应力τxy 达到极大值 。
(5)y>0时,σxx<0;而y<0时,σxx>0。这说明正刃型位错的位错 滑移面上侧为压应力,滑移面下侧为拉应力。
位错的能量通常分为位错中心区的能量与中心以外 区域的能量两部分。
中心以外区域的能量为弹性能,占能量的绝大部分 通常以位错的弹性能代表位错的能量。
假设其为一个单位长度位错线,为造成这个位错克服切应力 τθr所做的功为单位长度刃型位错的应变能:
进一步简化得单位长度位错的总应变能:
1.位错的能量包括两部分:Ec和Ee。 2.位错的应变能与G和b2成正比。
3.
,常用金属材料的约为1/3,故螺型位错
的弹性应变能约为刃型位错的2/3。
4.位错的存在均会使体系的内能升高,使晶体处于 高能的不稳定状态,位错是热力学上不稳定的晶 体缺陷。
3.位错的线张力 line tension
位错应变能与位错线长度成正比。为降低能量, 位错线具有尽量缩短其长度的倾向,从而使位错产
2. Tension be1)同时存在正应力分量与切应力分量,而且各应力分量的 大小与G和b成正比,与r成反比,即随着与位错距离的增大, 应力的绝对值减小。
(2)各应力分量都是x,y的函数,而与z无关。这表明在 平行于位错的直线上,任一点的应力均相同。
(6)在应力场的任意位置处, 。
(7)x=±y时,σyy,τxy均为零,说明在直角坐标的两条对角线处, 只有σxx,而且在每条对角线的两侧,τxy(τyx)及σyy的符号相反。
2.位错的应变能
位错的存在引起晶格畸变,导致晶体能量增高。 此增量称为位错的应变能,或简称位错能。
在位错线的周围存在内应力,例如刃型位错,在多余 半原子面区域为压应力,而缺少半原子面的区域存在着 拉应力;在螺位错周围存在的是切应力。所以位错周围 存在弹性应变能。
不符合上述基本假设。
螺型位错的应力场
螺型位错应力场
按弹性理论,可求得螺型位错周围只有一个切应变:
所以相应的各应力分量分别为:
其中:G为切变模量,b为柏氏矢量,r为距位错中心 的距离或者用直角坐标表示:
刃型位错的应力场
刃型位错应力场
刃型位错的应力场比螺型位错复杂的多。根据模型所 示,经计算可得刃型位错周围各应力分量以圆柱坐标表示 为:
因为ds=Rdθ,dθ较小时, 所以
取α=0.5, 则:
其中,τ为外切应力,R是位错曲率半径。
保持位错线弯曲所需的切应力与曲率半径成反比。曲率半径越小, 所需的切应力越大。
与螺型位错模型一样,因为位错中心畸变区不符合连续介质模型, 所以用一个中空的园柱体来进行讨论。以直角坐标表示为:
式中

G为切变模量;ν为泊松比; 为b柏氏矢量。
3. Maximum shear stresses on the glide plane
1. Compression above
the glide plane
4. 位错的向心恢复力
如果受到外力或内力 的作用,晶体中的位 错将呈弯曲弧形。 为达到新的平衡状态, 位错弯曲所受的作用 力与其自身的线张力 之间必须达到平衡。 -位错的向心恢复力
保持位错线弯曲所需的切应力与曲率半径成反比,曲率半径越小, 所需的切应力越大。这一关系式对于位错的运动及增殖有着重要的意义。
生线张力。
定义:每增加单位长度的位错线所做的功或增加 的位错能-位错的线张力。 数值上与位错的应变能相等。
作用:使位错变直—降低位错能量 • 相当于物 质弹性—称之为位错的弹性性质 • 类似于液体 为降低表面能产生的表面张力。
位错有时呈三维网络:位 错网络中交于同一结点的 各位错,其线张力处于平 衡状态。结点处位错线张 力的代数和为零,使位错 有相对的稳定性。
1.4 位错的应力场和应变能
Stress field/strain energy of dislocations
1.位错的应力场
位错中心原子错排严重,且位错周围的原子也相 应偏离平衡位置,存在畸变。应力场
应变能/线张力/位错与缺陷之间相互作用。
弹性连续介质模型: 完全弹性体,服从虎克定律; 各向同性; 连续介质。 对位错线周围r0以内部分不适用 —畸变严重,
相关文档
最新文档