集成光器件
新型半导体光电子器件的集成与封装技术研究
新型半导体光电子器件的集成与封装技术研究随着现代科技的发展，半导体光电子器件在光通信、计算机、医疗、能源等领域扮演着重要角色。
为了提高半导体光电子器件的性能和集成度，研究人员们不断探索新型的集成与封装技术。
本文将重点探讨这些技术的最新研究进展。
一、背景随着信息技术与光学技术的快速发展，传统的电子器件已经无法满足市场对于高速传输和大容量存储的需求。
半导体光电子器件由于其光电转换效率高、带宽大以及体积小的特点，成为了未来的发展方向。
然而，单独的半导体光电子器件无法充分发挥其潜力，因此研究人员们开始探索新型的集成与封装技术。
二、集成技术的研究进展1. 混合集成技术混合集成技术将不同材料的光电子器件集成在一起，以实现更高的性能。
常见的混合集成技术包括通过微纳加工将器件聚合到一块衬底上，或者使用分离的光电子器件通过光波导进行数据传输。
此外，研究人员还通过材料和工艺的优化，提高不同材料的互补性，进一步提高了集成技术的效果。
2. 基于硅光子技术的集成硅光子技术是近年来较为热门的研究方向之一。
通过在硅基底上进行材料堆叠、控制光的传输和调控，研究人员成功实现了在硅上集成多个光电子器件的目标。
硅光子技术的发展为半导体光电子器件的集成与封装提供了新的思路和方法。
三、封装技术的研究进展1. 波导封装技术波导封装技术是一种将光学器件与光纤连接的封装方法。
通过在器件上制作波导结构，将光信号从光学器件导出并与光纤连接。
在波导封装技术的研究中，研究人员不断优化波导的制作工艺、材料选择以及耦合效率的提高，以提高封装的稳定性和性能。
2. 端面封装技术端面封装技术是一种将光学器件与外界相连的封装方法。
通过将光学器件的端面与光纤进行直接连接，实现光信号的输入和输出。
在端面封装技术的研究中，研究人员致力于提高连接的精度和稳定性，降低插入损耗，从而提高器件的性能和可靠性。
四、封装材料的研究进展1. 光学封装材料光学封装材料在集成与封装技术中起着重要的作用。
光伏发电系统的光学集成与光学器件
光伏发电系统的光学集成与光学器件光伏发电系统是一种利用太阳光将光能转化为电能的可再生能源发电系统。
光学集成与光学器件在光伏发电系统中起着至关重要的作用。
本文将重点介绍光伏发电系统中的光学集成与光学器件，以及它们在系统中的应用。
一、光学集成光学集成是指将光伏发电系统的光学元件、光学器件等组合在一起，形成一个完整的光学系统。
在光学集成中，需要考虑光的折射、反射、衍射等光学现象，以提高光伏发电系统的能量转化效率。
1. 光学元件光学元件是光学集成中的重要组成部分，它们可以对太阳光进行聚焦、分散、衍射等操作。
常见的光学元件有透镜、反射镜、衍射光栅等。
透镜可以将太阳光聚焦到光伏组件上，提高能量转化效率；反射镜可以使太阳光经过多次反射，增加光伏系统的光照强度；衍射光栅可以分散太阳光的波长，使系统能够利用更广泛的光谱。
2. 光学器件光学器件是指用于光学集成中的控制、调节光的设备。
常见的光学器件有光电二极管、光学纤维等。
光电二极管可以将太阳光转化为电能，并输出给光伏发电系统；光学纤维可以传输光信号，将太阳光从光伏组件传输到光电二极管。
二、光学器件光学器件是光伏发电系统中用于光学收集和转换的设备。
光学器件能够最大限度地吸收太阳光，并将其转化为电能。
1. 硅光伏电池硅光伏电池是最常见的光伏器件之一，它利用单晶硅、多晶硅或非晶硅等材料制成。
硅光伏电池通过光电效应将太阳光转化为电能。
硅光伏电池具有高转化效率、稳定性好的特点，已经成为光伏发电系统中最常用的光学器件之一。
2. 光伏透明材料光伏透明材料是一种具有透明性的材料，可以用于光伏发电系统的窗户、阳台等场所，同时收集太阳光。
这种材料利用光学玻璃的特性，使太阳光可以透过材料，并在背面的光伏电池上被吸收和转化。
3. 光伏集中器光伏集中器是一种能集中太阳光到较小面积的光学器件。
它通过使用透镜或反射器等光学元件，将太阳光聚焦到较小的光伏电池上，从而提高能量转化效率。
光伏集中器在大规模光伏电站中有着广泛的应用。
集成光学器件的材料
7.4 聚合物材料和玻璃材料（无定形材料）
7.4.1 聚合物材料
主要材料包括： 聚异丁烯酸甲酯（PMMA)、环氧树脂（expoxy)、苯丙环丁烯（benzocy-clobutene，BCB)、氟化聚酰亚胺（polyimide）、聚碳酸酯（polycarborates，PC） 物理特性：电光和热光 特点： 价格低，制作简单 可以淀积在半导体衬底上，易于实现混合集成 光波导损耗低、与光纤的耦合损耗也低 可以有效利用折射率的变化获得强度和相位的调制 通过调节有机材料组份以强化电光或声光特性
02
亚铁磁性晶体，通过掺杂提高法拉第旋转角
03
1100~1500nm的光吸收系数很低
04
主要制作光隔离器，也可制作调制器、开关等
05
衬底---钆镓石榴石GGG（Nd3Ga5O12)等
06
薄膜制备---化学汽相淀积、溶胶-凝胶、射频溅射
07
7.5 磁性材料
表7.3 闪锌矿型GaN、AlN材料体系主要特性
特性
GaN
AlN
禁带宽度（eV）（T=300K）
3.2~3.3
5.11（理论值）
晶格常数（Å）
4.52
4.33（理论值）
折射率
n=2.5
7.3 介质材料（dielectric material ）
介质材料---介电常数比较高的材料，可分为微波介质材料、光学介质材料；按材料的状态和性质分为光学晶体、光学玻璃 等
3.54
1550 nm LD
In0.47Ga0.53As
0.75
1.67
3.56
长波长PD/APD
表7.2 纤锌矿型GaN、AlN材料体系主要特性
光电子器件与集成电路
光电子器件与集成电路随着科技的不断发展，光电子器件和集成电路已经成为现代电子技术领域中重要的组成部分。
本文将介绍光电子器件和集成电路的原理和应用，并探讨它们在日常生活中的广泛应用。
一、光电子器件的原理和应用光电子器件是利用光学现象来产生、控制和检测电磁辐射的器件。
它可以将光信号转换为电信号，或者将电信号转换为光信号。
光电子器件包括光电二极管、激光器、光电晶体管等。
这些器件都是基于光电效应原理工作的。
光电二极管是最常见的光电子器件之一。
其基本结构由P型和N型半导体构成，当光照射到二极管上时，电子会受到激发，形成电流。
光电二极管常用于光电测量和光通信领域。
激光器是一种能够产生高度聚焦光束的器件。
它利用受激辐射原理，通过光反射、增强和干涉等过程产生相干光。
激光器不仅在科学研究中有重要应用，还广泛应用于医疗、通信、测量等领域。
光电晶体管是一种具有放大功能的光电子器件。
它具有高增益和高可靠性，常用于光电探测和光电开关等应用。
二、集成电路的原理和应用集成电路是将多个电子组件和传导线路集成在一个晶片上的器件。
它在体积小、功耗低和性能高的特点下，实现了电子器件的高集成和高速度。
集成电路分为数字集成电路和模拟集成电路两种类型。
数字集成电路是基于二进制逻辑原理工作的。
它由逻辑门和触发器等组件构成，用于逻辑运算、存储和控制等功能。
数字集成电路广泛应用于计算机、通信、嵌入式系统等领域。
模拟集成电路是能够处理连续变化的电压信号的器件。
它由放大器和滤波器等组件构成，用于信号处理和调制。
模拟集成电路常用于音频处理、射频通信等领域。
三、光电子器件和集成电路的应用光电子器件和集成电路在现代科技中扮演着重要角色，广泛应用于各个领域。
在通信领域，光纤通信系统大量应用了光电子器件和集成电路。
光纤通过光电二极管将光信号转换为电信号，集成电路用于数字信号的处理和调制。
这种技术实现了高速、大容量的信息传输。
在医疗器械中，激光器常用于激光手术、皮肤美容和激光治疗等。
微纳加工技术在集成光电子器件中的应用
微纳加工技术在集成光电子器件中的应用引言：随着科技的不断进步，人们对高性能和高集成度光电子器件的需求也越来越大。
微纳加工技术作为一种高精度、高灵活性的加工技术，已经逐渐成为集成光电子器件领域的关键技术。
本文将重点介绍微纳加工技术在集成光电子器件中的应用，探讨其在器件设计、制备和功能增强等方面的优势。
一、微纳加工技术在集成光电子器件设计中的应用1. 光子集成电路设计微纳加工技术在光子集成电路设计中发挥了重要作用。
通过利用微纳加工技术，可以实现复杂的光子晶体波导、微环谐振器、分束器、耦合器等器件结构，并将它们灵活地组合在一起，形成可编程的光子集成电路。
这种灵活的设计方案使得光子集成电路具有更高的集成度和更小的尺寸，更适用于实现高速通信和光子计算等应用。
2. 超材料设计微纳加工技术可以用于制备超材料中的微纳结构，如金属纳米点阵、微球、纳米线等。
这些微纳结构具有特殊的光学性质，可以用于实现控制光的传播行为、吸收和辐射等特殊功能。
通过微纳加工技术，可以实现对超材料微纳结构的精确控制，进而设计和制备具有特定波长选择性、超透明性、超折射率效应等特征的光学器件。
二、微纳加工技术在集成光电子器件制备中的应用1. 光子晶体制备光子晶体是一种由周期性的两个或多个介质组成的纳米结构材料，可以对光的传播进行控制。
微纳加工技术可以用于制备光子晶体的微米和纳米结构。
通过对微纳结构的形貌和材料的选择进行调控，可以实现对光子晶体的带隙特性、光子禁带结构和波导模式等的精确控制。
这为实现光学滤波器、光调制器等集成光电子器件提供了基础。
2. 光波导制备光波导是一种用于控制和引导光的结构，是光学器件中的重要组成部分。
通过微纳加工技术，可以制备具有高光学品质的光波导结构。
例如，在光子集成电路中，可利用微纳加工技术制备出具有较低损耗和较高耦合效率的光波导，从而实现光的高效传输和耦合。
三、微纳加工技术在集成光电子器件功能增强中的应用1. 纳米结构增强效应微纳加工技术可以制备出具有纳米结构的光电子器件，通过改变结构尺寸和形貌，实现器件性能的增强。
(集成光电子学导论)第六章常见光波导材料与结构
光电子材料包括：
（1） 激光材料（20世纪60年代初） 激光：高亮度、单色、高方向性 红宝石（Cr3+:Al2O3 )
（2） 非线性光学晶体（变频晶体） KDP（磷酸二氢钾）、KTP（磷酸钛氢
钾） LBO（三硼酸锂）…
（3）红外探测材料（军用为主） HgCdTe、 InSb、 CdZnTe、 CdTe
不同材料矩形单模波导的宽度
SiO2：n=1.44 Ge： SiO2：n=1.45
两种波导的 优缺点？
SiO2：n=1.44
5~6 μm
220nm
30~40μm
Si： n=3.4
500nm
做出的器件尺寸大，但与光 纤耦合损耗很小
做出的器件尺寸很小，但与 光纤耦合损耗大
如希望对光纤耦合损耗小：不同材 料的光波导结构
（8）敏感材料
1. 计算机的控制灵敏度与精确度有赖于敏感 材料的灵敏度与稳定性。
2. 敏感材料种类繁多，涉及半导体材料、功 能陶瓷、高分子、生物酶与核酸链（DNA） 等。
集成光电子材料
材料
SiO2 Si
InP LiNbO3 聚合物(如 PMMA)
芯层折射率 @1550nm 1.45
3.4-3.5
在VLSI制造中， 工艺水的目标是 18MΩ。 水中的细菌是通 过紫外线去除。
电阻 (Ohms · cm
25 û C)
18 000 000 15 000 000 10 000 000 1 000 000
100 000 10 000
溶解固体 的容量 (ppm)
0.0277 0.0333 0.0500 0.500 5.00 50.00
半导体激光器，探测器，放大器， 电光调制器
光电子器件的集成与封装技术研究
光电子器件的集成与封装技术研究1.光电子器件的集成技术光电子器件的集成技术主要包括集成光源、光探测器、光调制器等功能元件的制备和集成。
其中，光源的集成可以通过集成半导体激光器实现，利用光学芯片上的波导结构来提供光信号。
光探测器的集成可以通过在芯片上制备光电二极管、光电晶体管等元件来实现。
光调制器的集成则可以通过在光学芯片上制备电光调制器来实现对光信号的调制。
2.光电子器件的封装技术封装技术是将芯片封装到封装底座上的过程，目的是保护芯片，提供电气和机械连接，并提供散热。
对于光电子器件，封装技术的要求更为严格，需要考虑光纤的对准问题、光学器件的对准问题等。
一种常见的封装技术是光纤对准耦合封装技术，即通过对准光纤和芯片上的光学器件，实现光信号的传输和接收。
3.集成与封装技术的研究进展近年来，光电子器件的集成与封装技术取得了许多进展。
一方面，随着半导体工艺技术的发展，集成光源、光探测器等元件的制备精度和可靠性得到了提高。
另一方面，新型的封装技术也不断涌现，如光纤对准耦合封装技术、无源对准封装技术等，这些技术使得光电子器件在功能性能和封装可靠性方面都取得了很大的突破。
4.光电子器件集成与封装技术的应用光电子器件的集成与封装技术在许多领域都有广泛的应用。
在通信领域，光电子器件的集成与封装技术可以用于制备高速光纤通信模块，实现光信号的传输和接收。
在医疗领域，光电子器件的集成与封装技术可以用于制备光学成像设备，实现对人体组织的无创检查。
在工业领域，光电子器件的集成与封装技术可以用于制备光学传感器，实现对工业生产过程的监测和控制。
总之，光电子器件的集成与封装技术研究是一个非常重要的领域，它不仅对提高光电子器件的功能性能和封装可靠性有着重要意义，也对推动光电子器件技术在各个领域的应用有着重要作用。
随着人们对高速、大容量、高精度光通信和光计算的需求不断增加，光电子器件的集成与封装技术将会在未来取得更为重要的突破和应用。
《光电子集成》课件
利用雪崩二极管的倍增效应，将微弱 的光信号转换为较强的电信号，具有 较高的信噪比和检测限。
03
光电子集成应用
通信领域应用
高速光通信
光电子集成技术应用于光纤通信 系统，实现高速、大容量的数据 传输，满足互联网、云计算和大
数据等领域的通信需求。
信号处理
光电子集成器件在信号调制、解调 和转换等方面发挥重要作用，提升 通信系统的性能和稳定性。
06
光电子集成案例分析
案例一：硅基光电子集成芯片
总结词
硅基光电子集成芯片是当前光电子集成领域的重要研究方向，具有低成本、高集成度、易于规模化的优势。
详细描述
硅基光电子集成芯片采用CMOS工艺制备，将光子器件集成在硅基材料上，可以实现高速、低损耗的光信号传输 和处理。其应用范围广泛，包括光通信、光计算、生物医疗等领域。
光电子集成
• 光电子集成简介 • 光电子集成技术 • 光电子集成应用 • 光电子集成发展趋势与挑战 • 光电子集成前沿研究 • 光电子集成案例分析
01
光电子集成简介
定义与特点
定义
光电子集成（Optoelectronic Integration）是指将光电子器件和 电路集成在单一芯片上，实现光信号 的产生、传输、接收和处理等功能。
THANKS
感谢观看
光网络
光电子集成技术应用于构建光网络 ，实现网络的灵活组网、高速互联 和低延迟传输。
医疗领域应用
光学成像
光电子集成器件在医疗成像领域发挥关键作用，如光学显微镜、 内窥镜和光谱仪等，提高医疗诊断的准确性和效率。
激光治疗
光电子集成技术应用于激光治疗设备，如激光手术刀和激光美容仪 ，具有创伤小、恢复快等优点。
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硅基光电子集成芯片（Si OEIC）主要应用于光通信或微电子电路的光互连。
硅基光子学通过将光学器件和电子回路（IC）集成到一块普通芯片上降低了光学系统成本，或者从长远来讲，在高性能芯片中引入光学部件增强IC的性能。
我们正处在一个将电子领域和光子领域二者合为一体的黄金时期。
作为电子材料，硅基微电子学已经显示出巨大的威力；现在，作为光子材料，硅基光子学将再次发挥威力，其潜在的高性能器件和广泛应用将在硅中延伸。
用成熟的CMOS工艺，在硅衬底上制作光学器件，例如发射器，调制器，探测器，波导，光纤耦合器MUX/DEMUX等无源器件。
最终目的是在一块硅芯片上实现CMOS IC，射频和所有光学模块的的集成。
当然每一种集成都需耗费大量的人力和资源进行器件改良和工艺研究。
硅基光电子集成芯片有源无源：发射器：（L D ，L E D ）调制器：（马赫泽德干涉仪）探测器：（锗探测器）只有I I I -V 族解决方案，硅材料目前为止显得无能为力。
芯片集成的最终可能解决方案应该是：h y b r i d S i O E I C c h i p ，即光源部分由I I I -V 族制作，并通过f l i p -c h i p 或者其他办法与硅芯片封装到一起，其他光学部分和I C 部分全部由硅工艺完成。
通过结构参数优化和工艺改进，我们已经拥有制作高速（10 G H z ）硅光学调制器的一整套设计方案和工艺集成方案，在8英寸0.13微米工艺线上，芯片成品率达到90%以上。
在硅表面外延高质量单晶锗，我们可以制造出高速率，高响应度，高灵敏度的红外探测器(波段为0.8u m -1.6u m )，其性能完全可以跟市场上I I I -V 族探测器媲美。
在8英寸0.13微米工艺线上，芯片成品率达到90%以上。
产品形式可以有：P I N 锗探测器，锗硅雪崩二极管探测器，波导型锗探测器（集成类产品）在硅基上已经实现，并且达到可应用的程度主要为波导类器件，包括直波导，弯曲波导，交叉波导，滤波器，谐振器，阵列波导光栅等等尺寸大价格昂贵高功耗分立器件, 无法集成硅基光电子集成芯片实例（以调制器为例）如今的光学调制器(铌酸锂)36个调制器阵列尺寸小价格优势低功耗，CMOS 驱动可与其他光电器件集成硅基调制器单个器件硅基光电子集成芯片以下的器件介绍当中包括硅基无源器件（波导类）和有源器件（主要是调制器和探测器）。
我掌握所有分立器件和集成芯片的模拟，设计，版图设计，以及CMOS工艺流程，均在世界著名晶圆工厂采用0.13微米8英寸工艺流片并且在线上亲自操作，摸索出一整套的工艺流程和集成方案，并且掌握一些特殊的半导体工艺适用于制造硅基光电子芯片，芯片成品率可达90%。
其中到底哪些器件或者哪些器件的集成有比较大的可能性进入到产业化的阶段，还需要和市场和产业界人士探讨。
已实现的硅基无源器件光纤耦合器直波导140-200 nmWaveguide Width ~300-500 nmR = 1-6 µmGap as-Etched Down to ~0.1µmWith Sidewall Smoothing弯曲波导定向耦合器环形谐振器~5o~15o光分路器阵列波导光栅上下话路滤波器Ø器件性能都已达到同类器件国际领先水平Ø可逐个讨论，做产品的可能性，包括各种器件的集成Assembly SlotsLow Loss Crossing交叉波导Mode evolutionRotatorMode couplingSplitter旋光/分光器件锗探测器速率: >10 GHz响应度:~0.9A/W (WG); ~3.4A/W (APD)暗电流: ~0.15nA/µm 2.其他:CMOS 或者biCMOS TIA 与Ge PD 集成已实现的硅基有源器件: 探测,调制, 及其集成锗探测器Ge MSM锗硅雪崩二极管波导型锗探测器WG-Ge-PDMSM-based Grating Electrode & Low Dark Current硅调制器(MOS, P/N)调制器和探测器集成锗硅调制器调制器速率: ~10 Gb/s (PIN) & ~40Gb/s (MOS)消光比:~10 dBVp-p:5V & V πL π(2.6V-cm); 2V & <1V-cm 其他:和Ge PD 集成调制部分器件的关键技术指标对比公司材料波长(nm)增益带宽积灵敏度(dBm)JDSU III-V1310150G-27 @ 10Gb/s贝尔实验室III-V (InP)130070G N.A.我们的Ge/Si1310>250G-27.5 @ 10Gb/s 锗硅雪崩二极管探测硅调制器公司效率Vpi.L(V.cm)SpeedOn-chip OpticalInsertion loss (dB) Intel （2008）540 Gbps 4.0LETI （2009）320 Gbps5我们的0.5-0.6740 Gbps 2.5密集波分复用Group Channels Free Spectral Range (nm)IMEC1625.3ETRI1625.8我们的3272.7 (àMore Channels allowed)阵列波导光栅AWG锗/硅探测器的介绍1.为什么用锗硅材料做探测器？（1）高性能的近红外探测器（响应波长为0.85 μｍ和１.6 μｍ）具有光阔的应用市场，光通讯，光谱仪，医疗探测，水质检验等等（2）虽然采用Ⅲ-Ⅴ族材料制备的高性能近红外光电探测器的分立器件，工艺上已经比较成熟并且已经进入产业化阶段。
成本昂贵，难以开拓更广阔的应用市场，例如应用于“光纤到户”的接收器芯片和用于光谱仪近红外探测器阵列芯片等等。
不能与现有的成熟的CMOS硅工艺兼容。
III-V族材料不光衬底和生长工艺昂贵，而且工艺与主流半导体工艺（CMOS工艺）不兼容，难以持续降低成本和提高集成度。
（3）近十年来，硅锗光电探测器技术在业内备受关注，它使用成熟的CMOS技术生产，在成本、良率、一致性、产能与III-V族材料的光电探测器相比有着天然的优势，对未来低成本的光通信网络和扩展新的应用市场起到非常重要的作用。
面入射锗PIN探测器GPD01 chip TO-CAN packaged锗面入射PIN探测器显微照片和TO-CAN封装的成品照片主要特点：§采用表面入光，阴阳电接触都在上表面，方便封装；§数据传输速率可达到10G b p s，或向下兼容；§光敏面直径为50微米；§在（850n m,980n m，1060n m,1310n m,和1550n m）等多个波长具有高响应度；§可针对各个波长设计抗反射层；波导型PIN 探测器WPD01 packaged with TIA/LAO p t i c a l i n p u t f r o m S i w a v e g u i d e主要特点：•数据传输速率可达到25G b p s ，或向下兼容；•从端面入射；•用于1310 n m 或1550 n m •具有高响应度；波导型锗PIN 探测器电镜显微照片和封装后的照片锗/硅雪崩二极管•采用表面入光，阴阳电接触都在上表面，方便封装；•数据传输速率可达到10G b p s ，或向下兼容；•光敏面直径为50 微米；•在（850 n m ,980 n m ，1060 n m ,1310n m ,和1550n m 等）多个波长具有高响应度；•可针对各个波长设计抗反射层；•低击穿电压，典型值为-26 V ；•增益带宽积大于250G H z ；•灵敏度为-28 d B m ；主要特点：锗探测器市场分析其关键性能已经达到III-V族探测器水平，进入探测器市场必定是这两三年内的事。
以怎样的方式和形式进入市场，将有待讨论，建议如下：1. PIN和APD分立探测器器件可以作为切入点。
除了价钱，其单个器件性能并不比III-V族器件具有足够的优势，所以作为前期的产品进入市场。
我们可以仍然采用TO-CAN标准封装，但由于锗硅材料的稳定性，可以省掉气密性封装，进一步节省成本。
2. PIN和APD探测器阵列随后将锗探测器以阵列形式出现，将是锗探测器的另一大优势，其采用CMOS兼容工艺，在良品率上有着天然的优势，然而III-V族探测器由于工艺上良率低的特性，阵列非常不容易做，所以价格昂贵。
3. PIN和APD探测器与跨阻放大器（TIA ）集成单片集成的接收器，对于III-V探测器来讲是不可能完成的任务，以为其TIA部分必须在硅衬底上完成，锗探测器本身也是在硅彻底上制作的，所以锗探测器具备单片集成的优势。
但是TIA的部分，需要IC设计的专业人士，得找对流片代工厂，这样我们可以在未来两年内将单片集成接收器推进市场。
这进步一减少了封装工艺的要求。
硅基调制器的介绍硅基光学调制器，目前最为成功的仍然是基于马赫泽德干涉仪结构，如下图所示。
调制的实现是借助于载流子注入使光波导折射率改变。
在8 英寸的硅晶圆上制作出的硅调制器我们的调制器眼图测试结果速度：12.5 Gbps消光比：10.3 dB抖动：3.55 fs插入损耗：10 dB Intel的硅光调制器眼图测试结果速度：10 Gbps消光比：5.2 dB抖动：3.55 fs插入损耗：9 dB我们的调制器眼图测试结果速度：12.5 Gbps消光比：10.3 dB抖动：3.55 fs插入损耗：10 dB 商用10 Gbps 铌酸锂调制器眼图测试结果速度：12.5 Gbps 消光比：13.47 dB 抖动：1.37 fs 插入损耗：7 dB硅基光调制器的性能已经非常接近商用铌酸锂调制器，我相信基于硅的光电调制器，就算以分立器件来作为市场切入点，也是非常有希望的。
时机和技术进一步成熟之后，集成驱动电路和调制器在一起的芯片将进入市场。