单晶硅棒标准
JS001-D-201303-v01半导体检验流程及检验标准
4.3长度测量
4.3.1.根据晶体尾部的生长情况判断晶体的成晶情况。
4.3.2.将钢卷尺的尺头放置于单晶头部转肩处，测量出晶体的总长、等径长度、鼓棱长度。
4.4划线分段
4.4.1从单晶头部起，3寸硅棒每间隔308mm一段（4寸硅棒每间隔305mm一段），进行断刀，至尾部时，不足308mm（4寸305mm）或超出308mm（4寸305mm）长度的，按照以下方法操作：
4.10氧碳浓度检测
当进行新料试用时以及技术部特殊检测需要时，需进行氧碳含量测试，测试时，在待测硅棒上选取2mm后样品，选取硅片中心点，经过酸洗处理后，用FT-IR检测仪检测中、尾部样片C浓度和O浓度，并把测量值记录在《质量部单晶检测记录》上。
4.11晶体完整性
4.11.1位错判断
针对单晶硅棒在检测划线时，若晶体未正常收尾，最早掉苞处为A点，并且A点处的直径为φ。从A点向晶体头部方向取值划线B点位置的标准为：1.5倍φ的长度+5mm处。取陪片的位置为B点位置开始，向晶体头部方向取厚度为4±1mm。
测试点电阻率=
电阻率按照电阻率分档要求进行操作。
4.6.4单根硅棒的电阻率在合格范围之内时，并且电阻率均匀性≤12%时，质量部完整填写硅棒合格证，单晶车间办理入库。当单根硅棒电阻率在合格范围之内，但头尾陪片中有一片陪片电阻率均匀性＞12%时，在此根硅棒的每段硅棒合格证上标注“头部均匀性X%，尾部均匀性Y%”字样。当电阻率不在合格范围时，按照电阻率要求进行断刀。
西安华晶电子技术股份有限公司
技术通知单
Q/HJ.J7-32编号：JS001-D-201303-v01
中国_28046110_直径≥7.5cm经掺杂用于电子工业的单晶硅棒(2003-2013)出口量及出口额
服务价值： 掌握全部真实采购商以及采购商的详细交易信息 了解采购商的采购周期、采购频率、采购量价以及供应商构成 主动把控买家采购行为，准确评估买家贸易资信 有效维护老客户忠诚度，及时挽回已流失客户 掌握全球竞争对手的详细出口信息 了解竞争对手的最新贸易动态、出口状况以及其采购商分布 全面监测竞争对手贸易动向，及时调整企业发展战略 有效避免市场恶意竞争，提升企业市场竞争力
服务项目： 采购商数据库 竞争对手数据库 产品贸易趋势分析 竞争区域分析 需求区域分析 买家采购趋势分析 买家供应链分析 买家采购渠道分析 竞争对手贸易趋势分析 竞争对手采购链分析 链分析 、竞争对手贸易渠道分析等
出口额_月度_基础值 单位 2003年01月 2003年02月 2003年03月 2003年04月 2003年05月 2003年06月 2003年07月 2003年08月 2003年09月 2003年10月 2003年11月 2003年12月 2004年01月 2004年02月 2004年03月 2004年04月 2004年05月 2004年06月 2004年07月 2004年08月 2004年09月 2004年10月 2004年11月 2004年12月 3146890.90 美元 3488960.00 美元 2247670.10 美元 2733246.00 美元 3859749.00 美元 3015390.00 美元 4348058.00 美元 4159345.00 美元 3344771.00 美元 3757388.10 美元 5368035.00 美元 3403815.00 美元 3251169.00 美元 6352987.00 美元 6394067.80 美元 6628371.90 美元 3455965.90 美元 7597411.00 美元 6596559.90 美元 6628087.00 美元 7260574.00 美元 6355892.00 美元 8177870.00 美元 8495365.20 美元
单晶硅棒 生产工序
单晶硅棒生产工序
单晶硅棒生产工序是制造单晶硅片的重要步骤，一般包括下列工序：
1. 原料准备：将高纯度硅石粉碎成小颗粒，经过酸洗、碱洗、去离子水清洗等一系列处理，得到高纯度气相氧化法制备的二氧化硅(SiO2)。
2. 熔炼：将SiO2加入石英坩埚中，在高温(约2000℃)下熔化，加入掺杂剂，如磷(P)、硼(B)、锑(Sb)等，控制熔体温度和成分，使其达到单晶生长的要求。
3. 生长：用单晶硅棒作为种晶，在熔体中慢慢拉出，形成单晶硅棒。
拉棒速度、拉棒角度、温度等参数需要精确控制，以保证棒质量。
4. 分割：将拉出的单晶硅棒切割成适当长度，去除两端不良部分，获得纯净的单晶硅棒，可以用于制造单晶硅片。
以上是单晶硅棒生产的主要工序，每个步骤都需要仔细控制，以保证单晶硅棒的质量和成品的性能。
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中国_28046110_直径≥7.5cm经掺杂用于电子工业的单晶硅棒(2003-2013)进口量及进口额
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光伏单晶n型硅棒切硅片的数量计算
光伏单晶n型硅棒切硅片的数量计算光伏单晶n型硅棒切硅片的数量计算一、引言在光伏发电领域，光伏电池是转化太阳能为电能的核心组件。
而光伏电池的制作过程中，光伏单晶硅棒的切割是一个非常关键的环节，切割出来的硅片的数量直接关系到产量和成本。
光伏单晶n型硅棒切硅片的数量计算对于光伏电池制造具有重要意义。
二、光伏单晶n型硅棒切硅片的数量计算方法1. 硅棒的直径和长度需要明确光伏单晶n型硅棒的直径和长度。
通常情况下，光伏单晶n型硅棒的直径为156mm，长度为2200mm。
2. 硅片的厚度硅片的厚度通常是根据客户的要求进行定制的，常见的厚度有180μm、200μm等。
不同厚度的硅片在切割过程中会产生不同的损耗。
3. 切割工艺的损耗率在实际的生产过程中，由于硅片的切割工艺会造成一定的损耗。
通常情况下，硅片的切割工艺损耗率约为20%。
4. 计算方法（1）计算出每根硅棒可以切割出的硅片数量。
由于硅片的厚度、切割工艺的损耗率以及硅棒的直径和长度都是已知的，因此可以通过以下公式计算出每根硅棒可以切割出的硅片数量：硅片数量 = 硅棒长度 / 硅片厚度 * (1 - 切割工艺损耗率)（2）根据实际生产中的需要，计算出所需的硅片数量。
根据实际的生产需求，可以计算出需要的硅片数量。
如果有多根硅棒需要进行切割，可以将每根硅棒可以切割出的硅片数量相加，得出总的硅片数量。
5. 举例说明举例来说，如果一根长度为2200mm的光伏单晶n型硅棒可以切割出厚度为180μm的硅片，那么根据以上公式，可以计算出这根硅棒可以切割出的硅片数量为：硅片数量= 2200mm / 180μm * (1 - 20%) = 2200 / 0.18 * 0.8 = 9764.44也就是说，这根硅棒可以切割出约9764片硅片。
6. 总结在光伏单晶n型硅棒切硅片的数量计算过程中，需要明确硅棒的直径和长度，硅片的厚度，切割工艺的损耗率，并通过简单的计算方法得出所需的硅片数量。
1单晶硅片 (企业标准)
太阳能级单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义3.1本产品导电类型为p-型半导体硅片导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。
3.2杂质浓度单位体积内杂质原子的数目。
本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。
3.3体电阻率单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。
一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。
符号为ρ，单位为Ω·cm 。
3.4四探针测量材料表面层电阻率的一种探针装置。
排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。
3.5寿命晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。
又称少数载流子寿命，简称少子寿命。
寿命符号τ，单位为μs 。
3.6孪晶在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。
连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。
在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。
3.7单晶不含大角晶界或孪晶界的晶体。
3.8直拉法（CZ）本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。
单晶硅技术参数
单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数厚度（T） 200-1200um总厚度变化（TTV）＜10um弯曲度（BOW）＜35um翘曲度（WARP）＜35um单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。
背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。
（2）加工工艺知识多晶硅加工成单晶硅棒：多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种：CZ（Czochralski）法FZ（Float-Zone Technique）法目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。
其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。
CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。
而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。
CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。
另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。
目前国内主要采用CZ法CZ法主要设备：CZ生长炉CZ法生长炉的组成元件可分成四部分（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统加工工艺：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。
杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。
（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。
由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。
缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
单晶硅
西部最大单晶硅项目昨在中宁开工建设宁夏隆基硅材料有限公司单晶硅项目，昨天上午在位于中宁县新堡镇的宁新工业园区开工建设。
自治区领导陈建国、任启兴、于革胜、马骏廷、齐同生等参加奠基仪式。
单晶硅是各类晶体管、集成电路板、太阳能电池等众多高科技产品必不可少的原料之一。
隆基硅材料有限公司年产2000吨单晶硅建设项目，是中宁县引进西安新盟电子科技有限公司的招商成果，也是西部最大的单晶硅生产项目，决定分3期建设，每期建设周期9个月，计划总投资6.9亿元，全部投产后每年可实现销售收入44亿元、税收1.5亿元。
据介绍，单晶硅的原料生产与产品开发具有较高的科技含量和工业生产附加值，这一低污染的高载能项目建成后，将填补工业生产的又一空白。
电子信息产业朝阳正红随着全国太阳能级多晶硅技术与市场研讨会于近期在涿鹿县成功举办，国内外专家再次对涿鹿电子信息产业呈现出的宽领域、集群化发展强势给予格外关注。
作为一个新兴产业，电子信息产业在涿鹿县的发展可以用突飞猛进来形容。
近年来，这县大力实施科技强县战略，把发展电子信息产业项目、构建电子信息产业集群作为切入点，积极发展电子材料、元器件、嵌入式软件和太阳能产品，建设以北大青鸟为龙头的智能型安防产品生产基地、涿鹿中源单晶硅为龙头的半导体材料深加工基地，争作全市信息产业的排头兵，电子信息产业产值正以年均20％以上的速度增长。
一个规模庞大、产业链条日益完整的电子信息产业集群，正在这县加速形成。
为使全县经济步入持续健康快速发展轨道，涿鹿县“筑巢引凤”，积极引导企业大力发展市场前景看好的电子信息产业，出台了《关于来涿投资建设高新技术产业项目的优惠条件》、《关于实现科技兴县战略、建设创新型涿鹿的决定》等一系列推动电子信息产业发展的政策措施。
对投资500万元以上科技型企业项目兑现优惠条件；对省以上有关部门认定的大专院校、科研单位，可采用高新技术成果作价出资方式，与县龙头企业进行投资合作，使电子信息产业项目履约率达99％。