2N7002
2n7002导通条件
2n7002导通条件2N7002是一种常见的场效应管（MOSFET），具有导通和截止两种工作状态。
在导通状态下，2N7002的栅极电压高于阈值电压，使得栅极和漏极之间形成一条低阻抗路径，电流可以流过管子。
本文将从以下几个方面介绍2N7002导通的条件。
2N7002导通的第一个条件是栅极电压高于阈值电压。
阈值电压是指2N7002管子从截止到导通的临界电压，一般为2-4V。
当栅极电压高于阈值电压时，2N7002管子处于导通状态。
2N7002导通的第二个条件是漏极与源极之间的电压差。
当2N7002处于导通状态时，漏极电压与源极电压之差必须保持在一定的范围内，以确保管子正常导通。
这个范围可以根据具体应用来确定，一般为0.5-10V。
2N7002导通的第三个条件是栅极与源极之间的电压差。
当2N7002处于导通状态时，栅极与源极之间的电压差必须保持在一定的范围内，以确保管子正常导通。
这个范围也可以根据具体应用来确定，一般为0-10V。
2N7002导通的第四个条件是漏极电流。
漏极电流是指通过2N7002管子的电流，其大小取决于栅极电压、源极电压和漏极电压之间的关系。
当这些电压满足一定的条件时，漏极电流可以通过管子，使其处于导通状态。
2N7002导通的最后一个条件是温度。
温度是影响2N7002导通的重要因素之一。
在高温环境下，2N7002的导通特性可能会发生变化，进而影响其导通能力。
因此，在使用2N7002时，需要根据具体的工作温度来选择合适的导通条件。
2N7002导通的条件包括栅极电压高于阈值电压、漏极与源极之间的电压差、栅极与源极之间的电压差、漏极电流和温度。
只有满足这些条件，2N7002才能正常导通，发挥其应有的功能。
因此，在设计和应用电路时，需要注意2N7002导通条件的合理选择，以确保电路的正常工作。
2n7002场效应管参数
2n7002场效应管参数
2N7002场效应管是一种n型的单沟道场效应管，它拥有较高的电流放大系数(直接电压控制,Vgs只需覂数伏)、低栅极耗散、低Vth抗噪声能力好，放大增益Gm高、低的死区时间，高的速度特性，非常适合低功耗、高速CMOS/TTL/BiCMOS集成电路输出级电路。
2N7002 场效应管参数包括：
1、最大额定电压：Vdss= 20 V
2、栅极电压：VGS(off) = ±8 V
3、栅极电流：Igss = ±200 nA
4、Drain-Source 最小电压：Vds(min) = 1.5 V
5、无功耗损耗：Pd = 360 mW
6、最大集电极电流：Id = -200 mA
7、最大瞬态电流：Ipp = 500 mA
8、栅极电压：Vgs(min) = 0 V
9、Drain-Source 最大电压：Vds(max) = 20 V
10、集电极电流：Id (on) = -200 mA
11、最小集电极电压：Vds(on) = 1.5 V
12、放大增益：Gm = 10 mS
13、栅极电流：Ig(off) = ±200 nA
14、Gate-Source最大电压：Vgs(max) = ±8 V
15、Gate-Source 电势：Vgs(on) = -4 V
16、Drain-Source 电势：Vds(on) = 10 V。
2N7002中文资料大全
2N7002中文资料大全
描述：
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:280mA
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:2.1V
功耗:0.2W
工作温度范围:-55to 150
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SMD标号:702
功率, Pd:0.2W
外宽:3.05mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:1.12mm
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:0.115A
电流, Idm 脉冲:0.8A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)。
2n7002工作原理
2n7002工作原理2n7002工作原理引言：2n7002是一种N沟道MOSFET晶体管，具有低电阻、高开关速度、低驱动电压等特点，被广泛应用于各种电子设备中。
本文将详细介绍2n7002的工作原理。
一、MOSFET晶体管概述MOSFET晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）的简称，是一种常用的功率放大器件。
它由源极、漏极和栅极三个端子组成。
栅极与漏极之间形成一个PN结，称为通道（Channel），控制栅极上的电场可以改变通道中载流子密度，从而改变漏极和源极之间的电阻。
二、2n7002的结构2n7002是一种N沟道MOSFET晶体管，它由漏极、源极和栅极三个端子组成。
其中源极和漏极之间形成一个N型沟道（Channel），当栅极施加正向偏置时，沟道中就会出现大量自由电子，在外加电场作用下从源区向漏区运动，形成导通状态；当栅极施加反向偏置时，沟道中自由电子被排斥到源区，形成截止状态。
三、2n7002的工作原理1.导通状态当栅极施加正向偏置时，栅极和源极之间的电场会将沟道中的自由电子推向漏极，形成导通状态。
此时，漏极和源极之间的电阻很小，可以通过大量电流。
2.截止状态当栅极施加反向偏置时，栅极和源极之间没有足够的电场将自由电子推向漏极，因此沟道中几乎没有自由电子参与导电。
此时，漏极和源极之间的电阻非常大，几乎不会有电流流过。
3.临界区当栅极与源区之间的电压达到一定值时，沟道中出现反型区域（Inversion Layer），这个临界点称为阈值（Threshold Voltage），在这个点附近晶体管处于饱和状态。
此时，虽然还没有完全形成导通通道，但沟道中已经有了一定数量的自由电子参与导通。
四、2n7002的应用1.开关应用：2n7002可以作为开关使用，用于控制电路的通断。
2.放大应用：2n7002还可以作为放大器使用，通过改变栅极电压来调节漏极和源极之间的电阻，实现信号放大。
电源控制芯片2N7002资料
FeaturesFree from secondary breakdown Low power drive requirement Ease of parallelingLow C ISS and fast switching speeds Excellent thermal stability Integral source-drain diodeHigh input impedance and high gainComplementary N- and P-Channel devicesApplicationsMotor controls Converters Amplifiers SwitchesPower supply circuitsDrivers (relays, hammers, solenoids, lamps,memories, displays, bipolar transistors, etc.)►►►►►►►►►►►►►►General DescriptionThe Supertex 2N7002 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors, and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switchingspeeds are desired.Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. Allvoltages are referenced to device ground.* Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.Pin ConfigurationN-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)Product MarkingW = Code for week sealed = “Green” Packaging DRAINSOURCEGATETO-236AB (SOT-23)TO-236AB (SOT-23)All D.C. parameters 100% tested at 25O C unless otherwise stated. (Pulse test: 300µs pulse, 2% duty cycle.)All A.C. parameters sample tested.1.2.Switching Waveforms and Test CircuitNotes:† ID(continuous) is limited by max rated Tj.OUTPUT INPUTOUTPUT10VV DD0V0VTypical Performance CurvesOutput Characteristics2.01.61.20.80.4I D )s e r e p m a ( Saturation Characteristics0.11001011.00.10.010.001V DS (volts)I D )s e r e p m a (0.001100.010.1 1.0t p (seconds)0.50.40.30.20.10G S F )s n e m e i s (4V 3V7V 9V8V6V 5VTypical Performance Curves (cont.)Q G (nanocoulombs))N O (S D R )d e z i l a m r o n (On-Resistance vs. Drain CurrentV B S S D )d e z i l a m r o n (I D )s e r e p m a ( )s d a r a f o c i p ( C V DS (volts)BV DSS Variation with Temperature102030400.20.40.60.8 1.02.01.61.20.80.4Supertex inc. does not recommend the use of its products in life support applications, and will not knowingly sell them for use in such applications unless it receives an adequate “product liability indemnification insurance agreement.” Supertex inc. does not assume responsibility for use of devices described, and limits its liability to the replacement of the devices determined defective due to workmanship. No responsibility is assumed for possible omissions and inaccuracies. Circuitry and specifications are subject to change without notice. For the latest product specifications refer to the Supertex inc. website: http//.©2008 All rights reserved. Unauthorized use or reproduction is prohibited.1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089(The package drawing(s) in this data sheet may not reflect the most current specifications. For the latest package outline information go to /packaging.html .)3-Lead TO-236AB (SOT-23) Package Outline (K1)2.90x1.30mm body, 1.12mm height (max), 1.90mm pitchJEDEC Registration TO-236, Variation AB, Issue H, Jan. 1999.† This dimension is a non-JEDEC dimension.Drawings not to scale.Supertex Doc.#:DSPD-3TO236ABK1, Version B072208.View BView A - ATop View。
2N7002 长电三极管
V(BR)DSS Vth(GS) lGSS IDSS ID(ON)
Drain-Source On-Resistance
RDS(on)
Forward Trans conductance
gfs
Drain-source on-voltage
VDS(on)
Diode Forward Voltage Input Capacitance * Output Capacitance * Reverse Transfer Capacitance *
VGS=10V,9V,8V,7V,6V,5V
0.6
VGS=4Vቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
0.4
0.2
0.0 0
VGS=3V
1
2
3
4
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
VGS=2V
5
R DS(ON)
N——
I
D
8
Ta=25℃ Pulsed
6
VGS=5V
4
VGS=10V
2
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
SOT-23
1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN
Marking: 7002
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Value
Drain-Source Voltage
VDS
60
Continuous Drain Current
C,Oct,2011
1.0
Ta=25℃ Pulsed
2N7002(702)规格书SOT-23封装DIOS品牌
Application
Marking
z z
Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter
702
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient Junction Temperature Storage Temperature Symbol VDS VGS ID PD RθJA TJ Tstg Value 60 20 0.115 0.225 556 150 -50 ~+150 Unit V V A W ℃/W ℃
VGS=0 V, ID=250 µA VDS=VGS, ID=250 µA VDS=0 V, VGS=±20 V VDS=60 V, VGS=0 V VGS=10 V, VDS=7 V VGS=10 V, ID=500mA VGS=5 V, ID=50mA VDS=10 V, ID=200mA VGS=10V, ID=500mA VGS=5V, ID=50mA IS=115mA, VGS=0 V
2N7002
Plastic-Encapsulate MOSFETS
SOT-23
MOSFET(N-Channel) Features
z z
1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN
z z
High density cell design for low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch Rugged and reliable High saturation currenircuit
2N7002中文资料(fairchild)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
V 1 µA 1 mA 1 µA 0.5 mA 10 nA 100 nA
-10 nA -100 nA
V = V , I =1毫安
2N7000 0.8 2.1 3
V
V = V , I = 250 µA
2N7002 1 2.1 2.5 NDS7002A
= 10 V, I =500毫安
2N7000
1.2 5
图 3.导通电阻变化
随着温度
图 4.导通电阻变化有排水
电流和温度
图 5.传输特性
图 6.门阈值变化与
温度
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电气特性
（持续）
2N7000 / 2N7002 /NDS7002A
图 7.击穿电压变化
随着温度
图 8.体二极管正向电压变化与
图 9.电容特性
图 10.栅极电荷特性
2N7002
60 60
±20
±40
200
115
500
800
400
200
3.2
1.6
-55至150
300
312.5
625
S
NDS7002A
Units V V V
280 1500 300 2.4 -65至150
mA
mW mW/°C
°C °C
417
°C/W
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电气特性
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1995年11月
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A N沟道增强型场效应晶体管
概述
这些N沟道增强型场效应晶体管 采用飞兆半导体专有,高密度生产, DMOS技术.这些产品目是为最大限度地减少通态电阻 ,同时提供坚固,可靠和快速开关性能.他们可以在需要高 达400mA DC大多数应用中使用,并且可以提供脉冲电流 高达2A.这些产品特别适用于低电压,低电流应用, 如小伺服电机控制,功率MOSFET栅极驱动器,和其他开关 应用.
2N7002SOt-23规格书
2
4
6
8
10
DRAIN TO SOURCE VOTE TO SOURCE VOLTAGE
VGS
(V)
RDS(ON) N —— ID
8 6
RDS(ON) ——
Ta=25℃ Pulsed
VGS
Ta=25℃ Pulsed
( Ω)
6
( Ω) RDS(ON)
4
RDS(ON)
ID=500mA
1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN
Unit V V A W ℃/W ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Drain-Source Breakdown Voltage Gate-Threshold Voltage Gate-body Leakage Zero Gate Voltage Drain Current On-state Drain Current Drain-Source On-Resistance Forward Trans conductance Drain-source on-voltage Diode Forward Voltage Input Capacitance * Output Capacitance * Reverse Transfer Capacitance * Symbol V(BR)DSS Vth(GS) lGSS IDSS ID(ON) RDS(on) gfs VDS(on) VSD Ciss Coss Crss td(on) td(off) VDD=25 V, RL=50Ω, ID=500mA,VGEN=10 V RG=25Ω 20 40 ns VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz Test conditions Min 60 1 2.5 ±80 80 500 7 7 80 0.5 0.05 0.55 3.75 0.375 1.2 50 25 5 pF Typ Max Unit V nA nA mA Ω ms V V V
2N7002中文资料(Diodes)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
反向传输电容
(2)
C
5
pF
导通时间（2）（3）
t
关闭时间（2）（3）
t
20 ns V 30V, I =200mA 20 ns R =25Ω, R =150Ω
（1）脉冲条件下进行测定.宽度=300μS.占空比 （3）开关时间测量50Ω源阻抗和5ns上升时间脉冲发生器
辣妹参数数据可应要求提供该设备
2% （2）抽样检测.
门 - 体泄漏
零栅压漏 当前
I
10 nA V =± 20V, V =0V
I
1
µA V =48V, V =0V
500 µA V =48V, V =0V, T=125°C (2)
通态漏电流（1）
I
500
mA V =25V, V =10V
静态漏源通态
电压（1）
V
3.75 V V =10V, I =500mA
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SOT23 N沟道增强 模式垂直DMOS FET
ISSUE 4 – 2006年 4月
特征
* 60电压V CEO
PARTMARKING详细信息 - 702
2N7002
S D
G
绝对最大额定值.
SOT23
参数
符号
VALUE
UNIT
漏源电压
V
60
V
连续漏极电流在T
=25°C
I
115
mA
漏电流脉冲
I
800
mA
门源电压
V
± 40
V
在T功率耗散
=25°C
P
330
mW
工作和存储温度范围
T :T
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0.85 1.5 V
-
30 -
ns
-
30 -
nC
2N7002_6
Product data sheet
Rev. 06 — 28 April 2006
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
5 of 11
Philips Semiconductors
Min Typ Max Unit
60 -
-
V
55 -
-
V
1
2
0.6 -
-
-
2.5 V
-
V
2.75 V
-
0.01 1
µA
-
-
10 µA
-
10 100 nA
-
2.8 5
Ω
-
-
9.25 Ω
-
3.8 5.3 Ω
-
31 50 pF
-
6.8 30 pF
-
3.5 10 pF
-
2.5 10 ns
-
11 15 ns
-
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
ID (A)
Tj = 25 °C
Fig 5. Output characteristics: drain current as a function of drain-source voltage; typical values
Tj = 25 °C
Fig 6. Drain-source on-state resistance as a function of drain current; typical values
VGS = 0 V; VDS = 10 V; f = 1 MHz; see Figure 12
VDS = 50 V; RL = 250 Ω; VGS = 10 V; RG = 50 Ω; RGS = 50 Ω
IS = 300 mA; VGS = 0 V; see Figure 11 IS = 300 mA; dIS/dt = −100 A/µs; VGS = 0 V
tot(25 °C)
Fig 1. Normalized total power dissipation as a function of solder point temperature
10 ID (A)
1
Limit RDSon = VDS / ID
0
0
50
100
150
200
Tsp (°C)
Ider = -I-------I---D--------- × 100 %
D(25 °C)
Fig 2. Normalized continuous drain current as a function of solder point temperature
003aab350
tp = 10 µs
100 µs
10-1
10-2 1
DC 10
VDS (V)
1 ms 10 ms 100 ms
Conditions see Figure 4
[1] Mounted on a printed-circuit board; minimum footprint; vertical in still air
2N7002
N-channel TrenchMOS FET
Min Typ Max Unit
-
-
Tj
junction temperature
Source-drain diode
IS
source current
ISM
peak source current
Tsp = 25 °C Tsp = 25 °C; pulsed; tp ≤ 10 µs
Version SOT23
Min
Max Unit
-
60
V
-
1 ID (A)
0.8
003aab354 2.4 a 1.8
03aa28
0.6
1.2 0.4
Tj = 150 °C 25 °C
0.6 0.2
0
0
2
4
6
VGS (V)
Tj = 25 °C and 150 °C; VDS > ID × RDSon
2N7002_6
Product data sheet
Rev. 06 — 28 April 2006
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4 of 11
Philips Semiconductors
2N7002
s High-speed line driver
1.4 Quick reference data
s VDS ≤ 60 V s RDSon ≤ 5 Ω
s ID ≤ 300 mA s Ptot ≤ 0.83 W
2. Pinning information
Table 1: Pinning
Pin
Description
voltage
VGS(th) gate-source threshold voltage
IDSS
drain leakage current
IGSS RDSon
gate leakage current
drain-source on-state resistance
Dynamic characteristics
VDS = 48 V; VGS = 0 V Tj = 25 °C Tj = 150 °C
VGS = ±15 V; VDS = 0 V VGS = 10 V; ID = 500 mA; see Figure 6 and 8
Tj = 25 °C Tj = 150 °C VGS = 4.5 V; ID = 75 mA; see Figure 6 and 8
IDM
peak drain current
Ptot
total power dissipation
Tstg
storage temperature
tp ≤ 50 µs; pulsed; duty cycle = 25 % Tsp = 25 °C; VGS = 10 V; see Figure 2 and 3 Tsp = 100 °C; VGS = 10 V; see Figure 2 Tsp = 25 °C; pulsed; tp ≤ 10 µs; see Figure 3 Tsp = 25 °C; see Figure 1
150 K/W
[1] -
-
350 K/W
103
003aab351
Zth(j-sp) (K/W)
102 δ =0.5
0.2 0.1 10 0.05 0.02
single pulse
1 10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
P
δ=
tp T
tp T
1 tp (s)
t 10
Fig 4. Transient thermal impedance from junction to solder point as a function of pulse duration
60
V
-
±30
V
-
±40
V
-
300
mA
-
190
mA
-
1.2
A
-
0.83 W
−65
+150 °C
−65
+150 °C
-
300
mA
-
1.2
A
2N7002_6
Product data sheet
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1.2 Features
s Logic level threshold compatible s Surface-mounted package
s Very fast switching s TrenchMOS technology
1.3 Applications
s Logic level translator
பைடு நூலகம்
Symbol Parameter
Conditions
VDS VDGR
drain-source voltage drain-gate voltage (DC)
25 °C ≤ Tj ≤ 150 °C 25 °C ≤ Tj ≤ 150 °C; RGS = 20 kΩ
VGS VGSM ID
gate-source voltage peak gate-source voltage drain current
2 of 11
Philips Semiconductors
120
Pder (%)
80
03aa17
120 Ider (%)
80
2N7002
N-channel TrenchMOS FET
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
200
Tsp (°C)
Pder = P--------P----t--o--t-------- × 100 %
Rev. 06 — 28 April 2006