模拟电子技术基础B总结
模电b知识点总结
模电b知识点总结第一章：基本概念1.1 模拟电子学基本概念模拟电子学是指对模拟信号进行处理的电子学科，其主要研究对象是模拟信号的放大、滤波、混频、调制、解调等处理技术。
模拟电子学的研究内容主要包括线性电路、非线性电路、反馈电路等方面。
1.2 信号与系统的基本概念信号是指随时间、空间或其它独立变量而变化的信息，系统是对信号进行处理的装置。
信号与系统是模拟电子学研究的基础。
1.3 电子元件的物理特性电子元件是模拟电子学的基本组成部分，其性能包括基本元件特性、动态特性和静态特性等。
1.4 信号的表示及其变换信号的表示方法包括时域表示和频域表示两种。
信号的变换主要包括傅里叶变换、拉普拉斯变换等。
第二章：放大器2.1 放大器的基本概念放大器是模拟电子学中常见的电子装置，其功能是放大输入信号的幅度。
放大器的常见类型有电压放大器、电流放大器、功率放大器等。
2.2 BJT放大器双极型晶体管（BJT）是一种常见的放大器元件，在电子电路中有着广泛的应用。
BJT放大器主要有共射放大器、共集放大器、共基放大器等种类。
2.3 MOSFET放大器场效应晶体管（MOSFET）是另一种常见的放大器元件，其原理和应用与BJT放大器有所不同。
MOSFET放大器主要有共源放大器、共漏放大器、共栅放大器等种类。
2.4 集成放大器集成放大器是一种利用集成电路技术制作的放大器，其具有很高的性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备中。
2.5 运放电路运放是一种特殊的集成放大器，其具有高增益、宽带宽等特点，被广泛应用于模拟电子学中的各种电路中。
第三章：滤波器3.1 滤波器的基本概念滤波器是模拟电子电路中常用的元件，其功能是对输入信号进行滤波处理，滤波器主要有低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等种类。
3.2 有源滤波电路有源滤波电路是指在滤波器中加入有源元件（如运放、BJT等）以提高滤波器的性能。
3.3 无源滤波电路无源滤波电路是指在滤波器中只使用被动元件（如电阻、电容、电感等）以实现滤波功能。
(完整word版)模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1. 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。
2. 特性--- 光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5. 杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性*P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）*N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）6. 杂质半导体的特性* 载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
* 体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结* PN 结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V ，锗材料约为0.2~0.3V 。
* PN 结的单向导电性--- 正偏导通，反偏截止。
8. PN 结的伏安特性二. 半导体二极管* 单向导电性正向导通，反向截止。
* 二极管伏安特性同ＰＮ结。
* 正向导通压降硅管0.6~0.7V ，锗管0.2~0.3V 。
* 死区电压硅管0.5V ，锗管0.1V 。
3. 分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V 阳>V 阴（正偏），二极管导通（短路）;若V 阳<V 阴（反偏），二极管截止（开路）。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2）等效电路法直流等效电路法* 总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V 阳>V 阴（正偏），二极管导通（短路）;若V 阳<V 阴（反偏），二极管截止（开路）。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路第二章§ 2-1 三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型--- 分为NPN 和PNP 两种。
模拟电子技术基础知识点总结分析
第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4 价共价键晶体构造的硅Si 和锗Ge。
❑导电力气介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯洁的、具有完整晶体构造的半导体。
在确定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发〔又称热激发〕，产生两种带电性质相反的载流子〔空穴和自由电子对〕，温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q 的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。
◆在确定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消逝的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2.杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
◆P 型半导体：在本征半导体中掺入微量的3 价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
◆N 型半导体：在本征半导体中掺入微量的5 价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度打算于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流〔与金属导电全都〕，还才能在因载流子浓度差而产生的集中电流。
3.P N 结❑在具有完整晶格的P 型和N 型半导体的物理界面四周，形成一个特别的薄层〔PN 结〕。
❑PN 结中存在由N 区指向P 区的内建电场，阻挡结外两区的多子的集中，有利于少子的漂移。
❑PN 结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结〔P+，N-〕：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结〔P-，N+〕：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
◆PN 结的伏安〔曲线〕方程：4.半导体二极管❑一般的二极管内芯片就是一个PN 结，P 区引出正电极，N 区引出负电极。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。
D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
模拟电子技术基础(考试总结及试题)
注意掌握基本概念、电子电路的基本原理、分析问题的方法1. 电路——由若干电气设备和元件按一定方式组合在一起所构成的电流通路。
2. 电流——单位时间内通过导体截面的电荷，用i 表示，d d q i t=3. 电压——电场力将单位电荷从a 点移动到b 点所作的功，用u 表示，d d w u q= 4. 功率——能量对时间的微分，d d d d d d w w q p u i t q t==⨯=⋅ 5. 能量——功率对时间的积分，00()()()d d ttt t w t w t p t t ui t -==⎰⎰6. 如果在任一时间段，元件吸收的能量始终大于等于0，这类元件称为无源元件。
7. 结点(节点) ——三个或三个以上的分支连接的点；支路——两个结点之间通过同一个电流的分支； 回路——由若干支路构成的闭合路径； 网孔(网眼)——内部无其它支路跨接的回路8. 基尔霍夫电流定律(KCL)：在任一时刻流入某节点的电流之和等于流出该节点的电流之和。
广义KCL ：在任一时刻流入某闭合曲面(广义节点）的电流之和等于流出该闭合曲面的电流之和。
9. 基尔霍夫电压定律(KVL)：在任一时刻，沿任一闭合回路的绕行方向，回路中电压降之和等于电压升之和。
10. 无源元件的特性：U R I =(Ω)、1I G U R ==(S)、Q C U =(F)、C C du dq i C dt dt ==、N L i i Φψ==、L L di d u L dt dtψ== 11. 独立电源电路的等效变换条件——等效互换后，要求其供给外部电路的电压与等效前相等，供给外部电路的电流也与等效前相等。
s s sUI R =、s s s U I R =⋅、s s R R '=12. 戴维宁定律——将线性含源的一端口网络等效为一个电压源U'和一个电阻R'的串联组合。
(电压源U' ——一端口网络的开路电压U OC (R L =∞); 电阻R' ——令一端口网络中所有独立源为零，从端口看进去的等效电阻。
模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结
模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One11、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。
3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。
4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。
5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
6、硅管Uon和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。
7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。
9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。
三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开关时在截止、饱和状态。
三个极：基极B、发射极E和集电极C。
二个结：即发射结和集电结。
饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。
三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用.10、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。
11、失真有三种情况:⑴截止失真原因I B、I C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。
调小R B，以增大I B、I C，使Q点上移。
⑵饱和失真原因I B、I C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。
调大R B，以减小I B、I C，使Q点下移。
⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。
1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。
（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术基础学习心得
模拟电子技术基础学习心得电子技术是一门涉及电子元器件、电子设备和电子系统的学科，是现代科技发展中的重要组成部分。
作为电子工程中的核心学科之一，学习电子技术基础对于深入理解电子工程原理、设计和应用具有重要意义。
在我学习电子技术基础的过程中，我深刻认识到电子技术的广泛应用和重要性。
首先，在学习电子技术基础的过程中，我对电子元器件有了更为深入的了解。
电子元器件是电子技术的基础，掌握各类元器件的原理、特点和应用对于电子工程的实践非常重要。
通过学习，我了解到了电阻、电容、电感等被广泛使用的被动元件的特点和应用。
并且，我还了解了各种主动器件，如二极管、晶体管、场效应管等，它们在电子电路中起到重要的作用。
通过对这些元器件的了解，我对电子电路的基本组成和工作原理有了初步认知，为以后的学习打下了坚实的基础。
其次，在学习电子技术基础的过程中，我不仅了解到了电子元器件的基本原理，还学会了如何使用它们进行电路设计。
学习电子技术基础不仅仅是理论的学习，更重要的是理论与实践相结合。
通过实际动手操作电子元器件，我更加深入地理解了各个元器件的特点和应用。
例如，在学习电阻的时候，我动手焊接了一些实际的电阻，通过测量其电阻值，加深了我对电阻的理解。
在学习晶体管的时候，我动手实现了一个简单的放大电路，通过测量输入和输出信号的变化，验证了晶体管的放大作用。
通过这些实际的操作，我逐渐掌握了电路设计的基本方法和技巧。
另外，在学习电子技术基础的过程中，我也深刻认识到了电子技术的广泛应用。
电子技术几乎涉及到了生活的方方面面，从手机、电视、电脑到航天器，电子技术无处不在。
通过学习电子技术基础，我了解到了电子技术的重要性和前景。
电子技术的不断发展，为人类创造了更加便捷的生活方式，推动了社会进步。
在未来的发展中，电子技术可能会在更多领域发挥作用，如智能家居、人工智能、自动驾驶等。
对于我个人而言，学习电子技术基础为我未来的职业规划提供了方向，我希望能够在电子技术领域做出自己的贡献。
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模拟电子技术基础B总结第一篇：模拟电子技术基础B总结第一章半导体基础和二极管（以概念为主）1、半导体的基本概念；2、二极管的基本特性：单向导电性、伏安特性、反向击穿特性；3、稳压管的伏安特性；4、二极管和稳压管的主要参数；第二章双极型晶体三极管和基本放大电路（重点）1、双极型晶体管工作在放大状态的外部条件；（内部载流子的运动不要求）2、双极型晶体管输入输出特性曲线（三个不同的工作区及特点）3、放大的概念，放大电路工作在放大状态需要满足的条件；4、放大电路的分析方法：先直流后交流，先静态后动态，区分直流通路和交流通路；5、静态工作点的位置对输出波形的影响；6、晶体管的低频等效小信号模型及微变等效电路；（不要求推导）7、三种基本放大电路（共射、共集、共基）的特点（交流参数）和求解，包括静态工作点和动态参数的求解（共集电路相对比较难）。
第三章场效应晶体管和基本放大电路（重点）1、已知场效应管的三个电极电位，会判断管子工作在何种状态；2、电路是否能正常放大；3、场效应管的低频等效小信号模型及微变等效电路；（不要求推导）4、共源、共漏基本放大电路的静态分析计算与动态分析计算。
5、第四章多级放大电路和集成运算放大电路1、多级放大电路的几种耦合方式和优缺点；（基本概念）2、多级阻容耦合放大电路的分析方法（如果共集电路作为输出级和输入级，解算输入电阻和输出电阻会比较难）；3、差动放大电路的组成和抑制温漂的原理；4、双入双出差动放大电路静态和动态电路分析（半电路法），共模抑制比的概念。
（区分其和单管放大电路的区别）。
5、集成运放的基本组成（基本概念）。
第五章功率放大电路1、功率放大电路的特点和要求、晶体管工作状态的分类；2、甲乙类互补功率放大电路的组成和工作原理；3、甲乙类互补功率放大电路的分析计算，包括输出功率、效率的计算，晶体管的选择等。
第六章放大电路的频率响应（基本概念）1、放大电路频率响应的基本概念；2、单管共射放大电路的频率响应；（参考课后作业和课件内容）第七章放大电路中的反馈（会看，会判，会算，会连）1、什么是反馈；2、会看：有无反馈，直流还是交流，正反馈还是负反馈；3、会判：四种基本组态；（交流负反馈才需要判断组态）；4、负反馈在放大电路中的重要作用和性质；5、负反馈对放大电路性能的影响；6、会算：深度负反馈条件下的计算会算，深度负反馈的特点，反馈量等于输入量，净输入量近似为零。
会算的步骤：判断组态，计算放大倍数，得到电压放大倍数；7、放大电路中反馈的正确引入，深度负反馈对电路性能的影响：稳定放大倍数，改变输入电阻和输出电阻等；8、会连：根据电路要求引入负反馈。
第八章集成运算放大电路信号的线性应用1、集成运放的应用分类：线性应用和非线性应用；2、集成运放应用电路的分析方法；（线性应用和非线性应用）；3、基本运算电路：比例，加减、积分运算电路。
（对于RP=RN，计算可以简化）；4、模拟乘法器的符号和输入输出关系；5、滤波电路的频率特性、分类和主要参数：有源滤波电路的种类和各自特点（不涉及具体电路）第九章波形发生电路和和集成运算的非线性应用（集成运放处于非线性工作状态）1、正弦波发生电路的自激条件；2、正弦波发生电路的组成和组成方法，判断电路是否可能产生正弦波振荡的方法和步骤；在正弦波振荡电路中通常包含正反馈和负反馈，通常引入正反馈的是选频网络；选频网络掌握 RC 串并联；3、电压比较电路的特点（开环或正反馈），电压比较电路电压传输特性（三要素）；4、两种不同的电压比较器：单限比较器和滞回比较器（重点在滞回比较器）；5、非正弦波发生电路：矩形波发生电路、三角波发生电路，会定性画出对应的波形。
第十章直流电源1、直流稳压电源原理框图及波形图，各组成部分和功能2、两种不同的整流电路（半波整流和桥式整流）的工作原理、参数的计算和二极管的选择；3、线性串联型稳压电路的工作原理及计算；4、集成稳压电路78××的输出和应用（重点是电压扩展应用）。
一张 A4 纸，正反面都可以使用，要求自己手写。
认真复习，一定要掌握基本概念和基本分析方法。
答题时注意试卷要求，所有答案都写在答题纸上。
预祝大家考出好成绩。
第二篇：模拟电子技术基础知识点总结模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴（正偏)，二极管导通(短路);若V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法Ø直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴（正偏)，二极管导通(短路);若V阳*三种模型Ø微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。
3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。
*输出特性曲线(饱和管压降，用UCES表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。
截止区---发射结反偏，集电结反偏。
4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。
温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。
三.低频小信号等效模型（简化）hie---输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示；四.基本放大电路组成及其原则1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响1）改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动。
2）改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。
2.交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线---连接Q点和VCC’点VCC’=UCEQ+ICQRL’的直线。
3.静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因---Q点设置过低*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。
*消除方法---减小Rb，提高Q。
（2）饱和失真*产生原因---Q点设置过高*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。
*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。
4.放大器的动态范围（1）Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
（2）范围*当（UCEQ－UCES）＞（VCC’－UCEQ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。
*当（UCEQ－UCES）＜（VCC’－UCEQ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2 （UCEQ－UCES）。
*当（UCEQ－UCES）＝（VCC’－UCEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。
六.放大电路的等效电路法1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。
2.放大电路的动态分析*放大倍数*输入电阻*输出电阻七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1．静态分析2．动态分析*电压放大倍数在Re两端并一电解电容Ce后输入电阻在Re两端并一电解电容Ce后*输出电阻八.共集电极基本放大电路1．静态分析2．动态分析*电压放大倍数*输入电阻*输出电阻3.电路特点*电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
*输入电阻高，输出电阻低。
第三章场效应管及其基本放大电路一.结型场效应管（JFET）1.结构示意图和电路符号2.输出特性曲线（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）转移特性曲线UP-----截止电压二.绝缘栅型场效应管（MOSFET）分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。
结构示意图和电路符号2.特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线*N-EMOS的转移特性曲线式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。
*N-DMOS的输出特性曲线注意：uGS可正、可零、可负。
转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。
三.场效应管的主要参数1.漏极饱和电流IDSS2.夹断电压Up3.开启电压UT4.直流输入电阻RGS5.低频跨导gm(表明场效应管是电压控制器件)四.场效应管的小信号等效模型E-MOS的跨导gm---五.共源极基本放大电路1.自偏压式偏置放大电路*静态分析动态分析若带有Cs，则2.分压式偏置放大电路*静态分析*动态分析若源极带有Cs，则六.共漏极基本放大电路*静态分析或*动态分析第五章功率放大电路一.功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态导通角为360o，ICQ大，管耗大，效率低。
2.乙类工作状态ICQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。