电力电子技术复习资料

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复习资料

填空题

1. 电力电子技术是使用器件对电能进行的技术。

2. 电力电子技术是应用在的电子技术。

3. 电能变换的含义是在输入与输出之间,将的一项以上加以改变。

4. 在功率变换电路中,为了尽量提高电能变换的效率,所以器件只能工作在状态,这样才能降低。

5. 电力电子技术的研究内容包括两大分支:技术和技术。

6.半导体变流技术包括用电力电子器件构成电路和对其进行控制的技术,以及构装置和系统的技术。

7. 电力电子器件是直接用于电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。

8.处理信息的电子器件一般工作于放大状态,而电力电子器件一般工作在

状态。

9.主电路是在电气设备或电力系统中,直接承担任务的电路。

10.电力电子器件组成的系统,一般由、、三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加。

11.按照器件能够被控制的程度,电力电子器件可分为以下三

类:、、。

12. 按照驱动电路信号的性质,电力电子器件可分为以下分为两

类:、、。

13. 电力二极管的工作特性可概括为。

14.电力二极管的主要类型有 、 、 。。

15. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为 Hz 以下的整流电路。其反向恢复时间较长,一般在 以上。

16. 快恢复二极管简称快速二极管,其反向恢复时间较长,一般在 以下。

17.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在 ns 之间

18.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为 。晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流称为 。对同一晶闸管来说,通常L I 约为H I 的称为 倍。

19. 晶闸管的派生器件有:

20. 晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成

21.逆导晶闸管是将 反并联一个 制作在同一管芯上的功率集成器件。

22.光控晶闸管又称光触发晶闸管,是利用 触发导通的晶闸管。光触发保证了主电路与控制电路之间的 ,且可避免电磁干扰的影响。

23.GTO 的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极 使其关断。

24.在电力电子电路中GTR 工作在开关状态, 在开关过程中,在 区和 区之间过渡时,要经过放大区。

25. IGBT 是由 和 两类器件取长补短结合而成的复合器件

26.功率集成电路实现了 和 的集成,成为机电一体化的理想接口。

27.按照载流子参与导电的情况,,可将电力电子器件分为: 三类。

28.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶

闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,

属于不可控器件的是,属于半控型器件的是,属于全控型器件的是;属于单极型电力电子器件的

有,属于双极型器件的有,属于复合型电力电子器件得有;在可控的器件中,容量最大的是。

29.画出下面电力电子器件的电气符号。电力二极管、晶闸管GTO、 GTR、 IGBT、电力场效应管。

30.由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流

I等于的同通

Tn

态平均电流

I

T

(AV

)

31. 晶闸管内部有 PN结。

32.电力变换的四大类型是:

33.主电路是在电气设备或电力系统中,直接承担的电路。

34.缓冲电路又称吸收电路,用于抑制器件在开关过程中产生的过电压和过电流,减小器件的损耗。

35.驱动电路要实现控制电路与主电路之间的电气隔离,其中光隔离一般采用

36.电力电子技术是一门由、、三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。

37.电阻负载的特点是,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是。

38.阻感负载的特点是,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是,其承受的最大正反向电压均为,续流二极管承受的最大反向电压为U为相电压有效值)。

(设

2

39.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为;带阻感负载时,α角移相范围为;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个。

40. 晶闸管可控整流电路中的控制角 增大,则输出的电压平均值会

41. 变流装置的功率因数总是1。

42. 从输入输出上看,单相桥式全控整流电路的波形与的波形基本相同,只是后者适用于输出电压的场合。

43. 电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压等于

2U,晶闸管控制角α的最大移相范围是,使负载电流连续的条2

件为(

U为相电压有效值)。

2

44.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互

差,当它带阻感负载时,α的移相范围为。

45.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是的相电压;这种电路α角的移相范围是,ud波形连续的条件是。

46. 逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为,欲实现有源逆变,只能采用型可控整流电路,当控制角0<α <π /2 时,整流电路工作在状态;π /2< α < π 时,整流电路工作在状态。

47. 大、中功率的变流器广泛应用的是晶体管触发电路,同步信号为锯齿波的触发电路,可分为三个基本环节,即、

和。

48.把直流电变成交流电的电路称为,当交流侧有电源时称为,当交流侧无电源时称为。

49.电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流,从大的方面,换流可以分为两类,即外部换流和,进一步划分,前者又包括

和两种换流方式,后者包括和方式。适用于全控型器件的换流方式是。

50.逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为,当直流侧为电流源时,称此电路为。

51.单相全桥方波型逆变电路,180度导电角的控制方式下,改变输出交流电压的有效值只能通过改变来实现。

52.电压型逆变电路一般采用器件,换流方式为;电流型逆变电路中,较多采用器件,换流方式有的采用,有的采用。

53.直流斩波电路完成的是的变换。

54.直流斩波电路中最基本的两种电路是电路和电路。

55.斩波电路有三种控制方式:、和。其中最常用的控制方式是:。

56.脉冲宽度调制的方法是:不变,变化,即通过导通占空比的改变来改变变压比,控制输出电压。

57.降压斩波电路中通常串接较大电感,其目的是使负载电流

58.升压斩波电路使电压升高的原因:电感L,电容C

59.改变频率的电路称为,变频电路有交交变频电路和

电路两种形式,前者又称为,后者也称为。

60.单相调压电路带电阻负载,其导通控制角α的移相范围为,随α的增大,Uo ,功率因数λ。

61. PWM控制的理论基础是原理,即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

62. PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术;

63.根据“面积等效原理”,SPWM控制用一组的脉冲(宽度按

规律变化)来等效一个正弦波。

64. PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式,PWM波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式。

65.得到PWM波形的方法一般有两种,即和,实际中主要采用。

66. 为度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。

67. 单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差。

68. 使开关开通前其两端电压为零的开通方式称为,它需要靠电路中的谐振来完成。

69.在过电流保护中,快速熔断器的全保护适用于功率装置的保护。

70. 在电力电子器件中,属于不可控器件的是,属于半控型器件的是。

简答题

1.电力电子技术的概念

2.电力电子变换电路包括哪几大类?

3.电力电子器件是如何定义和分类的?同处理信息的电子器件相比,它的特点是什么?

4.晶闸管导通的条件是什么?

5.三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法,a、b两相的自然换相点是同一点吗?如果不是,它们在相位上差多少度?

6.有两组三相半波可控整流电路,一组是共阴极接法,一组是共阳极接法,如果它们的触发角都是α,那么共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲对同一相来说,例如都是a相,在相位上差多少度?

7.单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中,当负载分别为电阻负载或电感负载时,要求的晶闸管移相范围分别是多少?

8. 在三相半波整流电路中,如果a相的触发脉冲消失,试绘出在电阻性负载和电感性负载下整流电压ud的波形。

9.使变流器工作于有源逆变状态的条件是什么?

10.什么是变流器的相位控制方式?

11. 锯齿波触发电路由哪些部分组成?各部分的主要作用是什么?

12.换流方式各有那几种?各有什么特点?

13.什么是电压型逆变电路?什么是电流型逆变电路?二者各有什么特点。

14.电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么?为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管?

15.画出降压斩波电路原理图并简述其工作原理

16.画出升压斩波电路原理图并简述其基本工作原理。

17.交流调压电路和交流调功电路的概念?二者各运用于什么样的负载?

18. 简述交流电力电子开关与交流调功电路的区别。

19.试说明PWM控制的基本原理

20.晶闸管的触发电路有哪些要求?

21. 高频化的意义是什么?为什么提高开关频率可以减小滤波器的体积和重量?为什么提高开关频率可以减小变压器的体积和重量?

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷 一.填空(共15分,1分/空) 1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U ,忽略主电路 2 各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。 6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。 二.单选(共10分,2分/题) 1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2.晶闸管属于()。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。 A.180O B.90O C.120O 4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。 A.60 B. 180 C. 120 5.把交流电变成直流电的是()。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三.多选(共10分,2分/题) 1.电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器 2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3.使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4.逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5.变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四.判断(共5分,1分/题) 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。() 2.晶闸管是一种四层三端器件。()

电力电子技术-模拟试题2-试卷

电力电子技术模拟试题2(开卷,时间:120分钟) (所有答案必须写在答题纸上) 一、填空题(40分,每空1分) 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样,只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小,只有左右,这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是:且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中,在区和 区之间过渡时,要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是:且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理,即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”,SPWM控制用一组的脉冲(宽度按 规律变化)来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术;直流斩波电路得到的PWM波是等效波形,SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式,PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式,三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法:改变调制信号u r的可改变基波幅值;改变

电力电子技术试题(二)

电力电子技术 试题(A ) 注:卷面 85分,平时成绩15分 一、 回答下列问题 1、下列器件的分类表中,将符合每一类别的全部选项添入表中。(8分) 选项:(根据选项填空时,只需写选项的代号,如:A,B,….) A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBT F.电力二极管 G.MCT 。 2、判断下列各题的正确性,正确的打“√”,不正确的打“×” 。(6分) (1) 某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V ,反向重复峰值电压700V ,则该晶 闸管的额定电压是700V 。( ) 第 1 页 (共 8 页) 试 题:电力电子技术 班号: 姓名:

(2) 对于输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波 整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。( ) (3)单相全控桥式变流电路,“阻感——反电势” 负载,已知60β=o ,2100U V =, 50E V =,电路处于可逆变状态。 ( ) 3、画出全控型器件RCD 关断缓冲电路,并分析缓冲电路中各元件作用。(6分) 第 2 页 (共 8 页) 试 题: 电力电子技术 班号: 姓名:

二、对于三相全控桥式变流电路,在不同的负载形式和控制要求下, 回答下列问题。 1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载,并工作于整流方式时的电路图 (要标明反电势极性)。(5分) 3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态,V U 1002=,负载中E=47V , Ω=5R ,当60α=o 时,试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。(5分) 第 3 页 (共 8 页) 试 题:电力电子技术 班号: 姓名: u u u 2、当该电路工作于整流状态时,设触发角60α=o 且负载电流连 续,请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在 一个周期内的波形。(5分) i VT10

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

电力电子技术试题20套及答案

考试试卷( 1 )卷 一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分) 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时, _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大 的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。 8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____; (3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5 时间段内,电流的通路为___VD1____;

电力电子技术考前模拟题 有答案

电力电子技术考前模拟题 一、选择题 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°, B、60°,c、360°,D、120° 2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。 A,0度,B,60度,C,30度,D,120度, 3、晶闸管触发电路中,若改变B 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。 A、同步电压, B、控制电压, C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路, B、三相半控桥整流桥电路, C、单相全控桥接续流二极管电路, D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。 A、30o-35o, B、10o-15o, C、0o-10o, D、0o。

6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 11、下面哪种功能不属于变流的功能(C) A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点; B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处; C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°; D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管 的额定电压应为(B) A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( D ) A、0o-90° B、0o-120° C、0o-150° D、0o-180° 15、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差A度。 A 、180度;B、60度;C、360度;D、120度;

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

电力电子技术考试试题

电力电子技术考试试题

华南农业大学期末考试试卷(A卷) 学号姓名年级专业 题号一二三四总分 得分 评阅人 一、填空题(每题2分,共20分) 1.电压驱动型电力电子器件有,电流驱动型电力电子器件有。2.全控型电力电子器件有,半控型电力电子器件有,不控型电力电子器件有。 3.晶闸管的额定参数有电压定额、电流定额等,其中电流定额参数包括通态平均电流和、、浪涌电流等。 4.缓冲电路又称吸收电路其作用是抑制电力电子器件的 、,以减小器件的开关损耗。 5.单相半波可控整流电流带电阻性负载,其触发角的移相范围是; 由于其输出脉动大,变压器二次侧电流中含有直流成分,造成变压器铁心的,所以在实际中很少使用。 6.单相桥式可控整流电路带阻感性负载(电感足够大),其触发角的移相范围是;此时晶闸管的导通角是。7.采用单相桥式半控型整流电路可能会发生现象,

可以采用 加以解决。 8. 确定最小逆变角的依据是min βδγθ'=++,其中δ表示 ,γ表示 , θ'表示安全裕量角。 9. 斩波电路近似计算公式是在负载电流连续的情况下得到的,一般要求负载 较重或者 。 10. 横向换流三相桥式逆变电路,每个晶闸管的导通角度是 ; 纵向换流三相桥式逆变电路,每个晶闸管的导通角度是 。 二、 判断题 (每题1分,10题共10分,对√、错×) 1. 电力系统中整流二极管一般是硅管。 ( ) 2. GTR 集电极的电压升高后出现雪崩击穿即一次击穿后,如果集电极电流不 超过最大允许耗散功率时对应的限度,GTR 一般不会损坏。 ( ) 3. 晶闸管的串并联一般需要考虑均压和均流问题,对静态和动态的均压和均 流解决方法是相同的。 ( ) 4. 漏感造成的换相重叠角对系统总是不利的,应尽量减小或消除。 ( ) 5. 大功率直流可逆电机晶闸管调速系统四象限运行一般采用两组变流桥反并 联电路的连接方式。 ( ) 6. 三相半波可控整流电路采用共阴接法和共阳接法,其A 、B 相的自然换相点 相差120度。 ( ) 7. 交流调功电路和交流调压电路的控制方法相同。 ( ) 8. 用多重逆变电路或多电平逆变电路,可以改善逆变电路的输出波形,减少 其谐波分量。 ( ) 9. 面积等效原理是PWM 控制技术的理论基础。 ( ) 10. PWM 整流电路可以实现静止无功功率发生器的功

最新电力电子技术试题及答案(1)

德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择(每题1.5分,共60分) 1、 晶闸管内部有( )个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有( )个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT 器件电路符号的是( ) 6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( ) A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用( ) A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在( )条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应( ) A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、

电力电子技术模拟试题三

二、单项选择题(每小题1分,共16分)在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题 目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 ①一次击穿 ②二次击穿 ③临界饱和 逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成 ①大功率三极管 ②逆阻型晶闸管 ③双向晶闸管 在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是( ) ①干扰信号 ②触发电压信号 ③触发电流信号 ④干扰信号和触发信号 当晶闸管随反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( ①导通状态 ②关断状态 ③饱和状态 单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角a 的最大移相范围是( ① 90° ② 120° ③ 150 ° 单相全控桥大电感负载电路中,晶闸管可能随的电大正向电压为( ① T U2 ② 2U 2 ③ 2.2U 2 单相全控桥电阻性负载电路中,晶闸管可能随的电大正向电压为( 厂 L ① 2U 2 ②2 2U 2 ③ 2 U2 单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角a 的移相范围是( ①0° ~90° ②0° ~180° ③90° ~180° 单相全控桥反电动势负载电路中, 当控制角a 大于不导电角3时, 15. 16. 17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. ) ④反向截止 () ④可关断晶闸管 P. H / ④不定 ) ④ 180° ) ④6U 2 ) ④6U 2 ) ④ 180° ~360° 晶闸管的导通角9= 电力电子技术模拟试卷四 (考试时间 150 分钟) 、填空题(每小题 1分,共 14分) 1. 1 . 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 。 2. 2 . 功率集成电路PIC 分为二大类,一类是高压集成电路,另 。 一类是 3. 3. 电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 U Fm 等 于 ,设U 2为相电压有效值。 4. 4. 同一晶闸管,维持电流I H 与擎住电流I L 的数值大小上有I L I H 。 5. 5. 对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使输出电压平均值 。 6. 6. 晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻 R 是 措 施。 7. 7. 三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有 —种方式。 & 8 . 晶闸管断态不重复电压U DSN 与转折电压U BO 数值大小上应为, U DSM _ U BO 。 9. 9. 抑制过电压的方法之一是用 吸收可能产生过电压的能量, 并用 电阻将其消耗。 10?为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是 ______________________________________ 。 11. ____________________________________________________________ 改变SPWM 逆变器中的调制比,可以改变 ________________________________________________________________ 的幅值。 12. 180°导电型电压源式三相桥式逆变电路, 其换相是在 的上、下二个开关元 件之间进行。 13. ____________________________________________________________ 恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是 ________________________________________________________________ 。 14. ____________________________________________________________________ 功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用 ____________________________________________________________ 型二极管,以便与功 率晶体管的开关时间相配合。

最新电力电子技术复习题-(2)

电力电子技术总习题试题答案 一、简答题 1、晶闸管导通的条件是什么? (1)晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压 (2)晶闸管门极和阴极之间必须施加适当的正向脉冲电压和电流 2、有源逆变实现的条件是什么? (1)晶闸管的控制角大于90度,使整流器输出电压Ud为负 (2)整流器直流侧有直流电动势,其极性必须和晶闸管导通方向一致,其幅值应大于变流器直流侧的平均电压 3、电压源逆变电路与电流源逆变电路的区别? (1)电压型无源逆变电路直流侧接大电容滤波,输出电压为方波交流,输出电流的波形与负载性质有关;电流型无源逆变电路直流侧接大电感滤波,输出电流为方波交流,输出电压的波形与负载性质有关 (2)电压型无源逆变电路各逆变开关管都必须反并联二极管,以提供之后的感性负载电流回路;电流型无源逆变电路各逆变开关管不需反并联二极管,但是应在负载两端并联电容,以吸收换流时负载电感中的储能 4、单极性调制与双极性调制的区别? (1)单极性调制是指逆变器输出的半个周期中,被调制成的脉冲输出电压只有一种极性,正半周为+Ud和零,负半周为-Ud和零 (2)双极性调制是指逆变器输出的每半个周期中都被调制成+/-Ud之间变化的等幅不等宽的脉冲列 在近似相同的条件下,单极性调制比双极性调制具有更好的谐波抑制效果。 5、电力变换的基本类型包括哪些? 包括四种变换类型:(1)整流AC-DC (2)逆变DC-AC (3)斩波DC-DC (4)交交电力变换AC-AC 6、半控桥能否用于有源逆变?为什么。 半控桥不能用于有源逆变,因为半控桥整流输出电压在移相范围内始终大于零。 7、直流斩波器的控制方式? 时间比控制方式:定频调宽定宽调频调频调宽 瞬时值控制和平均值控制 8、电压型无源逆变的特点是什么? 电压型无源逆变电路输入为恒定的直流电压,输出电压为方波交流电压,输出电流波形与负载的性质有关,阻感需要在功率电子器件旁边反并联二极管,以提供滞后电流的续流回路。 9、简述正弦脉宽调制技术的基本原理? 正弦脉宽调制技术是把正弦波调制成一系列幅值相等,宽度按正弦规律变化的脉冲列,实现的方式有计算法和调制法两种,调制法分为单极型调制和双极型调制。 10、电力电子技术的定义和作用 电力电子技术是研究利用电力电子器件实现电能变换和控制的电路,内容涉及电力电子器件、功率变换技术和控制理论,作用是把粗电变成负载需要的精电。 11、电力电子系统的基本结构 电力电子系统包括功率变换主电路和控制电路,功率变换主电路是属于电路变换的强电电路,控制电路是弱电电路,两者在控制理论的支持下实现接口,从而获得期

电力电子技术-模拟试题5-答案

哈尔滨工业大学远程教育学院 2007年秋季学期 电力电子技术模拟试题5(开卷,时间:120分钟) (所有答案必须写在答题纸上) 一、填空题(42分,每空1分) 1.IGBT导通的条件是:集射极间加正电源且u GE大于开启电压U GE(th)。 2. IGBT的输出特性分为三个区域,分别是:阻断区、有源区和饱和区。IGBT 的开关过程,是在阻断区和饱和区之间切换。 3.IGCT由 IGBT 和 GTO 两类器件结合而成的复合器件,目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争,试图最终取代 GTO 在大功率场合的位置。 4.将多个电力电子器件封装在一个模块中,称为功率模块。 5.与单管器件相比,功率模块的优点是:可缩小装置体积、减小线路电感。 6.功率集成电路将功率器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息 电子电路制作在同一芯片上。 7.功率集成电路实现了电能和信息的集成,成为机电一体化的理想 接口。 8.按照载流子参与导电的情况,,可将电力电子器件分为:单极型、 双极型和复合型三类。 9.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第 1 象限,升压斩波电路能使电动机工作于第 2 象限,电流可逆斩波电路 能使电动机工作于第1和第2象限。 10.桥式可逆斩波电路用于拖动直流电动机时,可使电动机工作于第 象限。 11.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个降压斩波电路和一个 升压斩波电路的组合;多相多重斩波电路中,3相3重斩波电路相当于3 个降压斩波电路并联。 12.T型双极式可逆斩波电路需要2个电源供电,功率管承受的反向电 压是电源电压的 2 倍。 13.一个开关周期内,双极式桥式可逆斩波电路所输出的负载电压极性交替变化,故称双极式;单极式桥式可逆斩波电路所输出的负载电压极性单一,故 称单极式。 14.把直流电变成交流电的电路称为逆变电路,当交流侧有电源时称为有源逆变,当交流侧无电源时称为无源逆变。 15.电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流,从大的方面,换流可

电力电子技术期末考试试题及答案.

保护电路 控的器件中,容量最大的是 1.电阻负载的特点是 _电压和电流成正比且波形相同 _,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 a 的最大移相范围是 0-180 2.阻感负载的特点是 流过电感的电流不能突变 ,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中, 晶闸管控制角 a 的最大移相范围是 3.单相桥式全控整流电路中, 带纯电阻负载时,a 角移相范围为 0-180°,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 _岛丄/2_和_/2丄; __购2_和_血2=;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电力电子技术试题 第1章电力电子器件 J 电力电子器件一般工作在 —开关— 状态。 冬在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为 —通态损耗—,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为 —开关损耗—。 3. 电力电子器件组成的系统,一般由 —控制电路__、_驱动电路_、 _主电路—三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为 一单极型器件_、—双极型器件_、一复合型器件_三类。 L 电力二极管的工作特性可概括为 —承受正向电压导通,承受反相电压截止 _。 匚电力二极管的主要类型有 一普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。7_肖特基二极管的开关损耗 _小于_快恢复二极管的开关损耗。 二晶闸管的基本工作特性可概括为 —正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止 —。 生对同一晶闸管,维持电流 IH 与擎住电流IL 在数值大小上有IL__大于—IH 。 10. 晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为,UDSM 大于—Uba 丄逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 生GTO 勺__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13. MOSFET 勺漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的 _截止区_、前者的饱和 区对应后者的 — 放大区__、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区—。 14. 电力MOSFET 勺通态电阻具有—正—温度系数。 15J GBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而_略有下降—,开关速度—小于—电力MOSFET 。 生按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为 _电压驱动型_和一电流驱动型_两类。 17J GBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有 —负―温度系数, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有 —正―温度系数。 生在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR 、门极可关断晶闸管(GTO 、电力晶体管(GTR 、电力场效应管(电力 MOSFE )、绝缘栅 双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是 _电力二极管—,属于半控型器件的是—晶闸管_,属于全控型器件的是 _GTO 、GTR 、电力MOSFET IGBT _; 属于单极型电力电子器件的有 _电力 MOSFET 亠属于双极型器件的有 _电力二极管、晶闸管、 GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 —IGBT _;在可 _晶闸管_,工作频率最高的是 _电力MOSFET 属于电压驱动的是 电力MOSFET IGBT _,属于电流驱动的是 _晶闸管、GTO 、GTR 。 第2章整流电路 _,其承受的最大正反向电压均为 =屈2 —,续流二极管承受的最大反向电压为 _卮2_ (设U 2为相电压有效值)。 带阻感负载时,a 角移相范围为 0-90°,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个 平波电抗器。 4. _单相全控桥反电动势负载电路中, 当控制角a 大于不导电角 时,晶闸管的导通角 =_n- a- _; 当控制角 小于不导电角 时,晶闸管的导通角 =_ n-2 _o L 电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于_J2U 2_,晶闸管控制角 a 的最大移相范围是_0-150°,使负载电流连 续的条件为__ 30o __(U2为相电压有效值)。 L 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 120°,当它带阻感负载时, 的移相范围为 0-90°。 乙三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中, 共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是 一最高_的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是 —最低 — 的相电压;这种电路 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_ 60o _。 L 对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值 一下降_。 0-180 O

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