齐纳二极管项目可行性研究报告
齐纳二极管项目
可行性研究报告
xxx实业发展公司
齐纳二极管项目可行性研究报告目录
第一章项目概论
第二章项目建设背景及必要性分析第三章市场调研
第四章产品规划及建设规模
第五章项目选址研究
第六章土建工程说明
第七章工艺方案说明
第八章项目环保研究
第九章项目职业安全
第十章建设风险评估分析
第十一章节能分析
第十二章计划安排
第十三章投资方案
第十四章项目经济效益
第十五章招标方案
第十六章综合评估
第一章项目概论
一、项目承办单位基本情况
（一）公司名称
xxx实业发展公司
（二）公司简介
公司是一家集研发、生产、销售为一体的高新技术企业，专注于产品，致力于产品的设计与开发，各种生产流水线工艺的自动化智能化改造，为
客户设计开发各种产品生产线。
公司根据自身发展的需要，拟在项目建设地建设项目，同时，为公司
后期产品的研制开发预留发展余地，项目建成投产后，不仅大幅度提升项
目承办单位项目产品产业化水平，为新产品研发打下良好基础，有力促进
公司经济效益和社会效益的提高，将带动区域内相关行业发展，形成配套
的产业集群，为当地经济发展做出应有的贡献。
优良的品质是公司获得消费者信任、赢得市场竞争的基础，是公司业
务可持续发展的保障。公司高度重视产品和服务的质量管理，设立了品管部，有专职质量控制管理人员，主要负责制定公司质量管理目标以及组织
公司内部质量管理相关的策划、实施、监督等工作。
（三）公司经济效益分析
上一年度，xxx有限责任公司实现营业收入6211.48万元，同比增长25.63%（1267.31万元）。其中，主营业业务齐纳二极管生产及销售收入为5750.65万元，占营业总收入的92.58%。
根据初步统计测算，公司实现利润总额1190.10万元，较去年同期相比增长242.35万元，增长率25.57%；实现净利润892.57万元，较去年同期相比增长93.65万元，增长率11.72%。
上年度主要经济指标
二、项目概况
（一）项目名称
齐纳二极管项目
（二）项目选址
某某产业园
（三）项目用地规模
项目总用地面积13299.98平方米（折合约19.94亩）。
（四）项目用地控制指标
该工程规划建筑系数53.44%，建筑容积率1.65，建设区域绿化覆盖率6.43%，固定资产投资强度173.10万元/亩。
（五）土建工程指标
项目净用地面积13299.98平方米，建筑物基底占地面积7107.51平方米，总建筑面积21944.97平方米，其中：规划建设主体工程13690.13平方米，项目规划绿化面积1411.86平方米。
（六）设备选型方案
项目计划购置设备共计79台（套），设备购置费1583.15万元。
（七）节能分析
1、项目年用电量418790.80千瓦时，折合51.47吨标准煤。
2、项目年总用水量6472.23立方米，折合0.55吨标准煤。
3、“齐纳二极管项目投资建设项目”，年用电量418790.80千瓦时，
年总用水量6472.23立方米，项目年综合总耗能量（当量值）52.02吨标准煤/年。达产年综合节能量13.83吨标准煤/年，项目总节能率22.74%，能
源利用效果良好。
（八）环境保护
项目符合某某产业园发展规划，符合某某产业园产业结构调整规划和
国家的产业发展政策；对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，项目建设不会对区域生态环境产生明
显的影响。
（九）项目总投资及资金构成
项目预计总投资4734.84万元，其中：固定资产投资3451.61万元，
占项目总投资的72.90%；流动资金1283.23万元，占项目总投资的27.10%。
（十）资金筹措
该项目现阶段投资均由企业自筹。
（十一）项目预期经济效益规划目标
预期达产年营业收入10032.00万元，总成本费用8010.20万元，税金
及附加86.66万元，利润总额2021.80万元，利税总额2387.33万元，税
后净利润1516.35万元，达产年纳税总额870.98万元；达产年投资利润率
42.70%，投资利税率50.42%，投资回报率32.03%，全部投资回收期4.62年，提供就业职位152个。
（十二）进度规划
本期工程项目建设期限规划12个月。
实行动态计划管理，加强施工进度的统计和分析工作，根据实际施工进度，及时调整施工进度计划，随时掌握关键线路的变化状况。
三、报告说明
项目可行性研究报告主要是通过对项目的主要内容和配套条件，如市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等，从技术、经济、工程等方面进行调查研究和分析比较，并对项目建成以后可能取得的财务、经济效益及社会影响进行预测，从而提出该项目是否值得投资和如何进行建设的咨询意见，为项目决策提供依据的一种综合性的分析方法。可行性研究具有预见性、公正性、可靠性、科学性的特点。
四、项目评价
1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合某某产业园及某某产业园齐纳二极管行业布局和结构调整政策；项目的建设对促进某某产业园齐纳二极管产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。
2、xxx有限责任公司为适应国内外市场需求，拟建“齐纳二极管项目”，本期工程项目的建设能够有力促进某某产业园经济发展，为社会提
供就业职位152个，达产年纳税总额870.98万元，可以促进某某产业园区
域经济的繁荣发展和社会稳定，为地方财政收入做出积极的贡献。
3、项目达产年投资利润率42.70%，投资利税率50.42%，全部投资回
报率32.03%，全部投资回收期4.62年，固定资产投资回收期4.62年（含
建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。
4、我国制造业总体上处于产业链中低端，产品资源能源消耗高，劳动
力成本优势不断削弱，加之当前经济进入中高速增长阶段，下行压力较大，在全球“绿色经济”的变革中，要建设制造强国，统筹利用两种资源、两
个市场，迫切需要加快制造业绿色发展，大力发展绿色生产力，更加迅速
地增强绿色综合国力，提升绿色国际竞争力。这就要求我们形成节约资源、保护环境的产业结构、生产方式，改变传统的高投入、高消耗、高污染生
产方式，建立投入低、消耗少、污染轻、产出高、效益好的资源节约型、
环境友好型工业体系，这既是强国制造的基本特征，也是制造强国的本质
要求。只有制造业实现了绿色发展，才能既为社会创造“金山银山”的物
质财富，又保持自然环境的“青山绿水”，实现制造强国的梦想。
综上所述，项目的建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。
五、主要经济指标
主要经济指标一览表
第二章项目建设背景及必要性分析
一、项目建设背景
1、当前，中国正处于经济结构调整转型升级的关键期，而“中国制造2025”则是助力中国经济转型、迈向创新社会的重要举措。“中国制造2025”指出，要把结构调整作为建设制造强国的关键环节，大力发展先进制造业，改造提升传统产业。
2、2015年5月19日，国务院正式印发《中国制造2025》。目前，“1+X”规划体系顶层设计基本完成。形成了以《中国制造2025》为引领，制造业创新中心、智能制造、工业强基等5个重大工程实施指南，发展服务型制造、质量品牌提升等2个专项行动指南，信息产业、制造业人才等4个发展规划指南共11个专项规划以及2个标准化和质量提升规划为骨干，重点领域技术路线图、工业“四基”发展目录等绿皮书为补充，各地抓落实的配套文件为支撑的横向联动、纵向贯通、各方面协同的政策体系。各地也积极落实《中国制造2025》，制定了相应的规划政策，多个“中国制造2025”示范城市(群)成立。两年来，从国家到地方对制造业的重视程度明显提高，制造业供给质量和创新能力提升取得积极进展，制造业转型升级速度进一步加快。
3、首先看大政方针政策。十九大的大政方针政策主要内容仍然是供给侧改革。土地、劳动力、资本、技术四大生产要素中，大幅提高技术要素
供给的比重是其主要目标之一。从供给侧改革的方式来看，一方面是化解部分行业的产能过剩，另一方面是促进战略性新兴产业的发展。十八大以来，供给侧改革稳步推进，并且取得显著效果。煤炭、钢铁、有色金属、石油、化工、造纸等传统行业的过剩产能得到有效化解，行业集中度大幅提高，行业利润率大幅提升，房地产投机过热得到有效遏制;与此同时，IT 产业、文化创意产业、现代服务业等新兴产业开始蓬勃发展，节能环保、新一代信息技术、生物产业、高端装备制造、新能源、新材料、新能源汽车等战略性新兴产业也取得了可喜成绩。总的来看，经过5年的供给侧改革，国民经济内部结构已经发生显著变化，消费对经济增长的贡献率明显提升，服务业在国民经济中的比重持续提高，经济发展的方式已经从量变到质变的飞跃。
4、“十三五”时期，要以转变经济发展方式为目标，以科学发展、跨越发展为主线，顺应世界科技飞速发展带来的新机遇和新挑战，加快产业升级换代，积极谋划战略性新兴产业、高技术发展重点，培育壮大具有当地特色的产业集群；紧紧抓住加快培育发展战略性新兴产业的新机遇，跟踪世界高技术产业发展动态，立足现有产业基础，充分利用国际和国内资源，加强创新引领，不断改造提升传统优势产业，大力培育壮大区域特色和比较优势的战略性新兴产业，力争建成一批有自主核心技术、有一定市场规模和良好经济社会效益的产业集群，推动产业结构转型升级，为建设创新型先进制造业基地提供有力支撑。
二、必要性分析
1、国际经验表明，在工业化早期阶段，实现高速增长相对容易，而从
中等收入阶段向高收入阶段的过渡中，发展的难度明显增大，只有少数经
济体能成功跨越这一关口。我国经过长期努力，经济发展取得历史性成就、发生历史性变革，形成了世界上人口最多的中等收入群体，但同时也面临
不少困难和挑战。推动高质量发展，正是我国跨越关口、攻坚克难、应对
挑战的一剂“对症良药”。
2、从国内看，我国经济发展进入新常态，消费、投资、出口、生产要
素相对优势等都发生了较大变化，经济正处于新旧动能转换阶段，正从高
速增长转向中高速增长，势必面临诸多矛盾叠加、风险隐患增多的严峻挑战。但进入新常态，没有改变我国发展仍处于可以大有作为的重要战略机
遇期的判断，改变的是重要战略机遇期的内涵和条件；没有改变我国经济
发展总体向好的基本面，改变的是经济发展方式和经济结构。“十三五”
时期中国经济的基础、条件和动力在于：一方面，我国经济有巨大潜力和
内在韧性。这种潜力和韧性来自新型工业化、信息化、城镇化、农业现代
化深入推进所蕴含的扩大内需强劲需求；来自我国地域幅员辽阔且产业类
型多样，经济的支撑非独木一根，而是“四梁八柱”；来自大众创业、万
众创新蕴藏着无穷创意和无限财富；来自多年来我国发展取得的巨大成就、积累的丰富经验；来自我们党的坚强领导和我国不断提高的宏观调控能力。另一方面，全面深化改革正在源源不断释放改革红利。“十二五”期间尤
其是党的十八大以来，各方面改革呈现蹄疾步稳、纵深推进的良好态势，
在一些重要领域和关键环节取得新突破，给经济发展注入了持续强劲的动能。能不能认清机遇、抓住机遇、用好机遇，是能不能赢得主动、赢得优势、赢得未来的关键。面对我国发展仍处于可以大有作为的重要战略机遇期，面对我国经济发展进入新常态，各地各部门观念上要适应，认识上要
到位，方法上要对路，工作上要得力，准确把握战略机遇期内涵的深刻变化，牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，破
解发展难题，厚植发展优势，更加有效地应对各种风险和挑战，继续集中
力量把自己的事情办好，不断开拓发展新境界。
3、“十三五”时期，我国仍处于可以大有作为的重要战略机遇期，
但工业发展的内外部环境发生深刻变化，既有国际金融危机带来的深刻影响，也有国内经济发展方式转变提出的紧迫要求，只有加快转型升级才能
实现工业又好又快发展。
4、投资项目建成投产后，项目承办单位将成为项目建设地内目前投资
规模较大的企业之一，项目的建设无论是对企业自身的发展还是对促进当
地经济和社会发展，都将起到明显的推动作用；投资项目的建设是项目承
办单位自身发展的需要，随着国内相关行业的高速发展和客户需求面的不
断增多，项目产品市场需求量日益扩大，因此，紧紧抓住项目产品市场需
求动态，拓展投资项目丰富产品线及扩大生产规模已经显得必要而且紧迫。
三、项目建设有利条件
完善的国内销售网络，项目承办单位经过多年来的经营，不仅有长期稳定客户和潜在客户，而且有非常完善的销售体系；企业的销售激励制度大大提高了员工的工作积极性，再加上平时公司领导对员工的感情投资，使销售员工对公司有很强的向心力；正是具备稳定有激情的销售团队，才保证了企业的销售政策很好的贯彻执行下去，也使企业的销售业绩有很大的提高；企业的销售团队将在有项目产品销售市场的区域，根据当地实际情况，销售适合当地加工企业需要的项目产品。
第三章市场调研
目前，区域内拥有各类齐纳二极管企业803家，规模以上企业50家，从业人员40150人。截至2017年底，区域内齐纳二极管产值109500.29万元，较2016年97005.93万元增长12.88%。产值前十位企业合计收入45799.88万元，较去年38852.97万元同比增长17.88%。
区域内齐纳二极管行业经营情况
区域内齐纳二极管企业经营状况良好。以AAA为例，2017年产值11220.97万元，较上年度9356.27万元增长19.93%，其中主营业务收入10431.95万元。2017年实现利润总额3425.48万元，同比增长25.11%；实现净利润998.80万元，同比增长29.63%；纳税总额62.94万元，同比增长19.53%。2017年底，AAA资产总额19013.52万元，资产负债率50.00%。
2017年区域内齐纳二极管企业实现工业增加值42841.61万元，同比2016年35871.73万元增长19.43%；行业净利润10381.08万元，同比2016年8841.73万元增长17.41%；行业纳税总额27702.16万元，同比2016年25076.64万元增长10.47%；齐纳二极管行业完成投资35015.30万元，同比2016年29330.96万元增长19.38%。
区域内齐纳二极管行业营业能力分析
区域内经济发展持续向好，预计到2020年地区生产总值6000.10亿元，年均增长7.03%。预计区域内齐纳二极管行业市场需求规模将达到
165229.86万元，利润总额42412.31万元，净利润14425.99万元，纳税10359.20万元，工业增加值65804.55万元，产业贡献率17.25%。
区域内齐纳二极管行业市场预测（单位：万元）
第四章产品规划及建设规模
一、产品规划
项目主要产品为齐纳二极管，根据市场情况，预计年产值10032.00万元。
坚持把项目产品需求市场作为创业工作的出发点和落脚点，根据市场的变化合理调整产品结构，真正做到市场需要什么产品就生产什么产品，市场的热点在哪里，创新工作的着眼点就放在哪里；针对市场需求变化合理确定项目产品生产方案，增加产品高附加值，能够满足人们对项目产品的需求。
二、建设规模
（一）用地规模
该项目总征地面积13299.98平方米（折合约19.94亩），其中：净用地面积13299.98平方米（红线范围折合约19.94亩）。项目规划总建筑面积21944.97平方米，其中：规划建设主体工程13690.13平方米，计容建筑面积21944.97平方米；预计建筑工程投资1838.79万元。
（二）设备购置
项目计划购置设备共计79台（套），设备购置费1583.15万元。
（三）产能规模
项目计划总投资4734.84万元；预计年实现营业收入10032.00万元。
检测二极管
一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。 1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。 2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。 3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。 也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
齐纳二极管和肖特基二极管
齐纳二极管和肖特基二极管 肖特基二极管（Schottky）SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD TTL集成电路早已成为TTL 电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。 反向恢复时间 现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关, 或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。而作为开关应用的二极管主要是利用了它的通(电阻很小)、断(电阻很大) 特性, 即二极管对正向及反向电流表现出的开关作用。二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降V f,“关”态有微小的电流I 0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- I 0) , 而是在一段时间ts 内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。经过ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf 时间, 二极管的电流才成为(- I 0) , 如图1 示。ts 称为储存时间, tf 称为下降时间。tr= ts+ tf 称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。 这实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。因此了解二极管反向恢复时间对正确选取管子和合理设计电路至关重要。 齐纳二极管 齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，极大电流是30mA。
肖特基二极管特性详解(经典资料)
肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路
图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据
双向触发二极管项目实施方案(申请材料)
双向触发二极管项目实施方案 一、项目总论 （一）项目名称 双向触发二极管项目 （二）规划设计机构 泓域咨询机构 （三）项目建设单位 xxx投资公司 （四）法定代表人 向xx （五）公司简介 成立以来，公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。本公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。
公司在管理模式、组织结构、激励制度、科技创新等方面严格按照科 技型现代企业要求执行，并根据公司所具优势定位于高技术附加值产品的 研制、生产和营销，以新产品开拓市场，以优质服务参与竞争。强调产品 开发和市场营销的科技型企业的组织框架已经建立，主要岗位已配备专业 学科人员，包括科技奖励政策在内的企业各方面管理制度运作效果良好。 管理制度的先进性和创新性，极大地激发和调动了广大员工的工作热情， 吸引了较多适用人才，并通过科研开发、生产经营得以释放，因此，项目 承办单位较好的经济效益和社会效益。公司实行董事会领导下的总经理负 责制，推行现代企业制度，建立了科学灵活的经营机制，完善了行之有效 的管理制度。项目承办单位组织机构健全、管理完善，遵循社会主义市场 经济运行机制，严格按照《中华人民共和国公司法》依法独立核算、自主 开展生产经营活动；为了顺应国际化经济发展的趋势，项目承办单位全面 建立和实施计算机信息网络系统，建立起从产品开发、设计、生产、销售、核算、库存到售后服务的物流电子网络管理系统，使项目承办单位与全国 各销售区域形成信息互通，有效提高工作效率，及时反馈市场信息，为项 目承办单位的战略决策提供有利的支撑。 为了确保研发团队的稳定性，提升技术创新能力，公司在研发投入、 技术人员激励等方面实施了多项行之有效的措施。公司自成立以来，一直 奉行“诚信创新、科学高效、持续改进、顾客满意”的质量方针，将产品 的质量控制贯穿研发、采购、生产、仓储、销售、服务等整个流程中。公
齐纳二极管
齐纳二极管 齐纳二极管(又叫稳压二极管)，此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，极大电流是30mA。 肖特基二极管 肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电
路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通讯电源、变频器等中比较常见。供参考。电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通讯电源、变频器等中比较常见。供参考。 我知道的一个应用是在BJT的开关电路里面, 通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截至状态.从而提高晶体管的开关速度.这种方法是74LS,74ALS, 74AS等典型数字IC TTL内部电路中使用的技术. 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊的面接触型硅晶体二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图1所示。稳压二极管的特性曲线与普通二极管基本相似，只是稳压二极管的反向特性曲线比较陡。稳压二极管的正常工作范围，是在伏安特性曲线上的反向电流开始突然上升的部分。这一段的电流，对于常用的小功率稳压管来讲，一般为几毫安至几十毫安。 (a)符号(b)伏安特性(c)应用电路图1 稳压二极管的伏安特性
二极管的知识点总结
半导体二极管 基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。电路符号： 伏安特性
主要参数（直流，主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。） 1.最大整流电流I F 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2.反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3.反向电流IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 主要参数（交流） 1.微变电阻 r D r D 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之 比： D D D i v r ??=
2.二极管的极间电容 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 PN结高频小信号时的等效电路 晶体二极管模型
二极管分类按结构材料分: (1)锗二极管 (2)硅二极管 按制作工艺分：
(1)点接触型二极管：pn结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (2)面接触型二极管：结面积大，用于工频大电流整流电路。 (3)平面型二极管：往往用于集成电路制造工艺中。pn结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 按功能用途分： (1)硅整流二极管：硅整流二极管除主要应用于电源电路做整流元件外，还可用作限幅、保护、钳位等。(常用整流二极管主要是1n、2cz 系列) (2)检波二极管：检波二极管的结点容小、工作频率高、正向压降小，但允许流过的最大正向电流小、内阻大。多用于小信号、高频率的电路，用作检波、鉴频、限幅。(常用检波二极管主要是2ap系列) (3)稳压二极管：利用稳压二极管的反向击穿特性，用作稳压基准电压、保护、限幅、电平转换等。其中2dw230~2dw232稳压管内部具有温度补偿，电压温度系数低，可用于精密稳压电路。(常用稳压二极管主要是1n、2cw、2dw系列) (4)光敏二极管：利用光敏二极管在光的照射下，反向电流与光照成正比的特性，应用于光电转换及光控、测光等自动控制电路中。（常用硅光敏二极管主要是2cu、2du系列） (5)变容二极管：变容二极管的结电容可以随外加偏压的不同而变化，主要应用于lc调谐、自动频率控制稳频等场合。（常用变容二极管主要是2cc、1n系列）
稳压二极管的使用方法《别下》
稳压二极管工作在反向击穿状态时，其两端的电压是基本不变的。利用这一性质，在电路里常用于构成稳压电路。 稳压二极管构成的稳压电路，虽然稳定度不很高，但却具有简单、经济实用的优点，因而应用非常广泛。 在实际电路中，要使用好稳压二极管，应注意如下几个问题。 1、要注意一般二极管与稳压二极管的区别方法。不少的一般二极管，特别是玻璃封装的管，外形颜色等与稳压二极管较相似，如不细心区别，就会使用错误。区别方法是：看外形，不少稳压二极管为园柱形，较短粗，而一般二极管若为园柱形的则较细长；看标志，稳压二极管的外表面上都标有稳压值，如5V6，表示稳压值为 5.6V；用万用表进行测量，根据单向导电性，用X1K挡先把被测二极管的正负极性判断出来，然后用X10K挡，黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，测的阻值与X1K挡时相比，若出现的反向阻值很大，为一般二极管的可能性很大，若出现的反向阻值变得很小，则为稳压二极管。 2、注意稳压二极管正向使用与反向使用的区别。稳压二极管正向导通使用时，与一般二极管正向导通使用时基本相同，正向导通后两端电压也是基本不变的，都约为0.7V。从理论上讲，稳压二极管也可正向使用做稳压管用，但其稳压值将低于1V，且稳压性能也不好，一般不单独用稳压管的正向导通特性来稳压，而是用反向击穿特性来稳压。反向击穿电压值即为稳压值。有时将两个稳压管串联使用，一个利用它的正向特性，另一个利用它的反向特性，则既能稳压又可起温度补偿作用，以提高稳压效果。 3、要注意限流电阻的作用及阻值大小的影响。在稳压二极管稳压电路中，一般都要串接一个电阻R，如图1或2示。该电阻在电路中起限流和提高稳压效果的作用。若不加该电阻即当R=0时，容易烧坏稳压管，稳压效果也会极差。限流电阻的阻值越大，电路稳压性能越好，但输入与输出压差也会过大，耗电也就越多。 4、要注意输入与输出的压差。正常使用时，稳压二极管稳压电路的输出电压等于稳压管反向击穿后两端的稳压值，若输入到稳压电路中的电压值小于稳压管的稳压值，则电路将失去稳压作用，只有是大于关系时，才有稳压作用，
齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数
齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数 齐纳二极管也叫稳压二极管.一般二极管处于逆向偏压时，若电压超过PIV(逆向峰值电压)值时二极管将受到破坏，这是因为一般二极管在两端的电位差既高之下又要通过大量的电流，此时所产生的功率所衍生的热量足以使二极管烧毁。 齐纳二极管就是专门被设计在崩溃区操作，是一个具有良好的功率散逸装置，可以当做电压参考或定电压组件。若利用齐纳二极管作为电压调节器，将使附载电压保持在Vz附近且几乎唯一定值，不受附载电流或电源上电压变动影响。一般二极管之崩溃电压，在制作时可以随意加以控制，所以一般齐纳二极管之崩电压(Vz)从数伏特至上百伏特都有。一般齐纳二极管在特性表或电路上除了标住Vz外，均会注明Pz也就是齐纳二极管所能承受之做大功率，也可由Pz=Vz*Iz 换算出奇纳二极管可通过最大电流Iz。dz3w上有个在线计算器,电路设计时可以用来计算稳压二极管的相关参数. 齐纳二极管工作原理 齐纳二极管主要工作于逆向偏压区，在二极管工作于逆向偏压区时，当电压未达崩溃电压以前，二极管上并不会有电流产生，但当逆向电压达到崩溃电压时，每一微小电压的增加就会产生相当大的电流，此时二极管两端的电压就会保持于一个变化量相当微小的电压值(几乎等于崩溃电压)，下图为齐纳二极管之电压电流曲线，可由此应证上述说明。 齐纳二极管(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直
肖特基二极管与快恢复二极管区别
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 （他们恢复时间都是很快的）： 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V）(此处为什么不提是什么材料？)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）（用这个方法可以判断出该器件）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 想问一下，为何会有反向恢复时间
肖特基二极管有哪些作用
肖特基二极管有哪些作用 肖特基二极管介绍： 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 肖特基二极管作用
稳压二极管结构和工作原理
稳压二极管结构和工作原理 稳压二极管的基本结构同普通二极管一样,是一个PN结,但是由于制造工艺不同,当这种PN结处于反向击穿状态时,PN结不会损坏,稳压二极管用于稳定电压就是应用它的这一击穿特性。 加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时,形成大的反向电流,此时电压基本不变,称为隧道击穿,这个近似不变的电压称为齐纳电压,对硅稳压二极管而言,稳定电压在5V以下的器件靠齐纳电压工作。 当反向电压比较高时,受强电场作用形成大的反向电流,而电压基本不变,称为雪崩击穿,这一基本不变的电压称为雪崩电压。对硅稳压二极管而言,稳定电压在7V以上的器件靠雪崩电压工作。 1.稳压二极管U-I特性曲线解说 稳压二极管U—I特性曲线,它可以说明稳压二 极管的稳压原理。从图7-34中可以看出,这一特性曲 线与普通二极管的U-I特性曲线基本一样。X轴方向 表示稳压二极管上的电压大小,Y轴方向表示流过稳 压二极管的电流大小。 从第一象限的曲线可以看出,它同普通二极管的 正向特性曲线一样,此时相当于给稳压二极管PN结 加正向偏置电压,稳压二极管在进行稳压作用时不用 这种偏置方式,这一点与普通二极管明显不同。 从第三象限的曲线可以看出下列三点: (1)在反向电压较低时,稳压二极管截止,它不工作在这一区域。 (2)反向电压增大到U Z时,曲线限陡,说明流过稳压二极管的电流在变化时,稳压二极管两端的电压基本不变,电压是稳定的,稳压二极管正是工作在这一状态下。换方之,当稳压二极管工作在稳压状态时,稳定电压有很微小的变化,可以引起稳压二极管很大的反向电流变化。 (3)U Z是稳压二极管的稳定电压值,称为稳压值。不同的稳压二极管,这一稳定电压的大小不同。稳压二极管的PN结处于反向穿状态时,只要流过这一PN结的工作电流不大于最大稳定电流,稳压二极管就不会损坏。如果反向电流再增大,则稳压二极管也会损坏。 综上所述,利用稳压二极管构成稳压电路时,必须给稳压二极管的PN结加上反向偏置电压。 2.温度补偿型稳压二极管工作原理 如图7-35所示是温度补偿型稳压二极管内部结 构示意图。一些要求电压温度特性较高的场合,采用 多种措施进行温度补偿。温度补偿型稳压二极管在工 作时,1脚和2脚不分,内部的两只稳压二极管的性能 相同,两只二极管一只工作在正向,另一只工作在反向, 这样两个PN结一个正向偏置,另一个反向偏置。 PN结在正向和反向偏置状态下的压降受温度影 响结果相反,当正向偏置的PN结随温度升高而压降 增大时,反向偏置的PN结压降则下降,这样一个压降 增大,另一个减小,相互抵消,使两个PN结压降之和基 本不变,达到温度补偿的目的。
齐纳二极管
齐纳二极管 齐纳二极管的主要作用就是当作一种电压调整器，QLCO-A146提供稳定的参考电压，可应用在电源供应器、电压表与其他的仪器中。齐纳二极管的符号如图3.1所示。齐纳二极管是一种硅pn结元件，它和整流二极管不同，因为它是设计用于反向击穿区。齐纳二极管的击穿电压，可在生产制造时仔细控制掺杂的程度加以设定,其伏安特性曲线如图3.2，一般整流二极管和齐纳二极管的工作区域，是以阴影区域表示。假如齐纳二极管处于正向偏压，它就如同整流二极管一般。 齐纳击穿 齐纳二极管是设计用于反向击穿区。齐纳二极管的反向击穿有两种类型，就是累增击穿和齐纳击穿。齐纳击穿则是齐纳二极管在低反向偏压时发生。如果齐纳二极管经过大量掺杂，就可降低击穿电压。这样可以产生很薄的耗尽区,结果就可在耗尽区产生很强的电场,从而导致隧道效应。当接近反向击穿电压(Vz)时，电场的强度足够将电子拉离价带，因而产生大量的电流。齐纳二极管的击穿电压若约小于5V，就会工作于反向击穿区。而那些高于5V击穿电压的齐纳二极管，则是工作于累增击穿区,两种类型都称为齐纳二极管。 击穿特性
图3.3显示齐纳二极管的特性曲线的反向偏压部分。请注意当反向偏压(VR)增加，反向电流(IR)-直到曲线的膝点之前都仍然维持非常小。此时的反向电流又称为稳定电流。在这一点，击穿效应开始出现，内部的电阻值，也称为动态阻抗(Zz)，随着反向电流快速增加而开始降低。从膝点以下，反向击穿电压(vz)基本上维持定值，即使当稳定电流增加也只些微地增加。 这种能够维持两端之间反向电压不变的能力，就是齐纳二极管的关键特性。当齐纳二极管工作在击穿区时就像一个电压调整器，因为它在特定的反向电流范围内，两端的电压几乎维持在固定值。为了调整电压，要让二极管维持在击穿区工作，就必须保持反向电流在最低值。可以从在图3.3中的曲线看出，当反向电流阵低到曲线的膝点以下，电压会急速地下降，因此丧失调整电压的功能。同时，当二极管的电流超过最大值IZM时，二极管可能会因为过量的功率消耗而损毁。所以，基本上当齐纳二极管的反向电流值在IZK～IZM的范围内，它在两端之间会维持接近定值的电压。通常资料表中所指的稳定电压，是指当反向电流为齐纳测试电流时的电压。 齐纳等效电路 图3.4(a)显示齐纳二极管在反向击穿区的理想模型。它拥有等于齐纳电压的定值电压降。这个定值电压降可用一个直流电压源加以表示，事实上虽然齐纳二极管并不会产生一个电动势
肖特基二极管讲解
肖特基二极管简介 肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 Schottky diode (SBD) is the Schottky barrier diode , is the inventor of the Schottky named semiconductor device. Schottky barrier diode is a low power, high current, super high speed semiconductor devices, instead of using P type semiconductor and the n-type semiconductor contact formation PN junction theory to make, but the use of metal semiconductor contact formation of metal semiconductor junction with the principle of making the. Therefore, SBD is also known as a metal semiconductor (contact) diode or a surface barrier diode, which is a hot carrier diode. 肖特基二极管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。 SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特二极管的工作原理是什么.doc
肖特二极管的工作原理是什么 SBD是肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基二极管基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，
双向触发二极管的应用
双向触发二极管的应用 双向触发二极管亦称二端交流器件（ DIAC ），与双向晶闸管同时问世。由于它结构简单、价格低廉，所以常用来触发双向晶闸管，还可构成过压保护等电路。 双向触发二极管的构造、符号及等效电路如图 1 所示。它属于三层构造、具有对称性的二端半导体器件，可等效于基极开路、发射极与集电极对称的 NPN 晶体管。其正、反向伏安特性完全对称，见图 2 。当器件两端的电压 V 小于正向转折电压 V （ BO ）时，呈高阻态，当 V ＞ V （ BO ）时进入负阻区。同样，当 V 超过反向转折电压 V （ BR ）时，管子也能进入负阻区。转折电压的对称性用ΔV （ B ）表示，ΔV （ B ） =V （ BO ） -V （ BR ）。一般要求ΔV （ B ）＜ 2V 。双向触发二极管的耐压值（ V （ BO ）大致分 3 个等级： 20 ～ 60V ， 100 ～ 150V ， 200 ～ 250V 。 下面介绍用兆欧表和万用表检查双向触发二极管的方法。 （1 ）将万用表拨于R×1k （或R×10k 档），因为DIAC 的V （BO ）值均在20V 以上，所以测量正、反向电都应是无穷大。 （2 ）按图3 所示接好电路。由兆欧表提供击穿电压，并用直流电压档测量DIAC 的正向转折电压V （BO 。然后调换DIAC 的电极，测出反向转折电压V （BR ）。最后检查转折电压的对称性 实例：选择ZC25 －3 型兆欧表，将500 型万用表拨至50V 档，被测触发二极管为DB3 型，其外形与检波二极管相似，管壳呈天蓝色。主要参数是：V （BO ）=35V （典型值），峰值脉冲电流I PK =5mA 。首先用R× 1k 档测量正、反向电阻均为无穷大，然后按图 3 所示分两次测得：V （BO ）
齐纳二极管项目可行性研究报告
齐纳二极管项目 可行性研究报告 xxx实业发展公司
齐纳二极管项目可行性研究报告目录 第一章项目概论 第二章项目建设背景及必要性分析第三章市场调研 第四章产品规划及建设规模 第五章项目选址研究 第六章土建工程说明 第七章工艺方案说明 第八章项目环保研究 第九章项目职业安全 第十章建设风险评估分析 第十一章节能分析 第十二章计划安排 第十三章投资方案 第十四章项目经济效益 第十五章招标方案 第十六章综合评估
第一章项目概论 一、项目承办单位基本情况 （一）公司名称 xxx实业发展公司 （二）公司简介 公司是一家集研发、生产、销售为一体的高新技术企业，专注于产品，致力于产品的设计与开发，各种生产流水线工艺的自动化智能化改造，为 客户设计开发各种产品生产线。 公司根据自身发展的需要，拟在项目建设地建设项目，同时，为公司 后期产品的研制开发预留发展余地，项目建成投产后，不仅大幅度提升项 目承办单位项目产品产业化水平，为新产品研发打下良好基础，有力促进 公司经济效益和社会效益的提高，将带动区域内相关行业发展，形成配套 的产业集群，为当地经济发展做出应有的贡献。 优良的品质是公司获得消费者信任、赢得市场竞争的基础，是公司业 务可持续发展的保障。公司高度重视产品和服务的质量管理，设立了品管部，有专职质量控制管理人员，主要负责制定公司质量管理目标以及组织 公司内部质量管理相关的策划、实施、监督等工作。 （三）公司经济效益分析
上一年度，xxx有限责任公司实现营业收入6211.48万元，同比增长25.63%（1267.31万元）。其中，主营业业务齐纳二极管生产及销售收入为5750.65万元，占营业总收入的92.58%。 根据初步统计测算，公司实现利润总额1190.10万元，较去年同期相比增长242.35万元，增长率25.57%；实现净利润892.57万元，较去年同期相比增长93.65万元，增长率11.72%。 上年度主要经济指标
稳压二极管工作原理
稳压二极管工作原理 一、稳压二极管原理及特性 一般三极管都是正向导通，反向截止；加在二极管上的反向电压如果超过二极管的承受能力，二极管就要击穿损毁。但是有一种二极管，它的正向特性与普通二极管相同，而反向特性却比较特殊：当反向电压加到一定程度时，虽然管子呈现击穿状态，通过较大电流，却不损毁，并且这种现象的重复性很好；只要管子处在击穿状态，尽管流过管子的电在变化很大，而管子两端的电压却变化极小起到稳压作用。这种特殊的二极管叫稳压管。 稳压管的型号有2CW、2DW 等系列，它的电路符号如图5－17所示。 稳压管的稳压特性，可用图5一18所示伏安特性曲线很清楚地表示出来。 稳压管是利用反向击多区的稳压特性进行工作的，因此，稳压管在电路中要反向连接。稳压管的反向击穿电压称为稳定电压，不同类型稳压管的稳定电压也不一
样，某一型号的稳压管的稳压值固定在口定范围。例如：2CW11的稳压值是3.2伏到4．5伏，其中某一只管子的稳压值可能是3．5伏，另一只管子则可能是4，2伏。 在实际应用中，如果选择不到稳压值符合需要的稳压管，可以选用稳压值较低的稳压管，然后串联几只硅二极管“枕垫”，把稳定电压提高到所需数值。这是利用硅二极管的正向压降为0．6～0．7伏的特点来进行稳压的。因此，二极管在电路中必须正向连接，这是与稳压管不同的。 稳压管稳压性能的好坏，可以用它的动态电阻r来表示： 显然，对于同样的电流变化量ΔI，稳压管两端的电压变化量ΔU越小，动态电阻越小，稳压管性能就越好。 稳压管的动态电阻是随工作电流变化的，工作电流越大，动态电阻越小。因此，为使稳压效果好，工作电流要选得合适。工作电流选得大些，可以减小动态电阻，但不能超过管子的最大允许电流（或最大耗散功率）。各种型号管子的工作电流和最大允许电流，可以从手册中查到。 稳压管的稳定性能受温度影响，当温度变化时，它的稳定电压也要发生变化，常用稳定电压的温度系数来表示，这种性能例如2CW19型稳压管的稳定电压Uw= 12伏，温度系数为0.095%℃，说明温度每升高1℃，其稳定电压升高11.4毫伏。为提高电路的稳定性能，往往采用适当的温度补偿措施。在稳定性能要求很高时，需使用具有温度补偿的稳压，如2DW7A、2DW7W、2DW7C 等。 二、稳压二极管稳压电路图 由硅稳压管组成的简单稳压电路如图5- l9（a）所示。硅稳压管DW与负载Rfz，并联，R1为限流电阻。
肖特基二极管简介
肖特基二极管 简介 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度
高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS 体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。 结构 新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N 型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N＋衬底上外延一高阻N－薄层。其结构示图如图1（a），图形符号和等效电路分别如图1（b）和图1（c）所示。在图1（c）中，CP是管壳