扩散硅压阻式压力传感器

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扩散硅压阻式压力传感器应用场景和指标

扩散硅压阻式压力传感器应用场景和指标

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扩散硅压力传感器(MPX)实验

扩散硅压力传感器(MPX)实验

福建江夏学院
《传感器技术》实验报告
姓名班级学号实验日期
课程名称传感器技术指导教师成绩
实验名称:扩散硅压力传感器(MPX)实验
一、实验目地:
1. 掌握扩散硅压阻式传感器的工作原理
2. 了解扩散硅压阻式传感器的电路连接
二、实验原理:
MPX压阻式传感器芯片是用集成工艺技术在硅片上制造出四个呈X型的等值电阻组成的电路,它用激光修正,温度补偿,所以线性好,灵敏度高,重复性好,其工作原理及实验接线如图(22)
(图22)
本实验中所用的压阻式传感器为差压式,无外加压力时电路平衡输出出,受压时则输出与压力大小成正比的电压信号。

三、实验环境:
MPX压力传感器,公共电路模块(三)、气压源、胶管、电压表
四、实验步骤:
1、连接主机与实验模块的电源线及探头连接线,胶管连接气源输出与压力传感器输入口(传感器另一接口感受大气压力)。

2、开启主机电源,调节电桥WD调平衡电位器,使实验模块输出为零,开启气源开
关,逐步加大气压,观察随气压上升模块电压输出的变化情况。

3、待到气压相对稳定后,调节模块增益使输出电压值与气压值成一比例关系,并记录P(p)值与Vmv值。

在坐标上作出V-P曲线,验证传感器的线性度与灵敏度。

注意事项:
如果无法通过WD调零,可以在B和地之间并联一个电阻,用以调整电桥。

气源平时应关闭,以免影响其它电路工作,胶管尽量避免油污,以免造成老化破损。

《传感器与检测技术》半导体扩散硅压阻式压力传感器实验

《传感器与检测技术》半导体扩散硅压阻式压力传感器实验

《传感器与检测技术》半导体扩散硅压阻式压力传感器实验课程名称:传感器与检测技术实验类型:验证型实验实验项目名称:半导体扩散硅压阻式压力传感器实验一、实验目的和要求了解扩散硅压阻式压力传感器的工作原理和工作情况。

二、实验内容和原理压阻式传感器的工作机理是半导体应变片的压阻效应,在半导体受力变形时会暂时改变晶体结构的对称性,因而改变了半导体的导电机理,是的它的电阻率发生变化,这种物理现象称之为半导体的压阻效应。

一般半导体一般采用 N 型单晶硅为传感器的弹性元件,在它的上面直接蒸镀扩散出多个半导体电阻应变薄膜(扩散出 P 型或 N 型电阻条)组成电桥。

在压力(压强)作用下弹性元件产生应力,半导体电阻应变薄膜的电阻率产生很大的变化,引起电阻的变化,经电桥转换成电压输出,则其输出电压的变化反映了所受到的压力的变化。

三、主要仪器设备需用器件与单元:主、副电源、可调直流稳压电源、差动放大器、电压/频率表、压阻式传感器、压力表及加压配件。

6、了解所需单元、部件、传感器的符号及在仪器上的位置。

图 5-1 压阻式传感器符号及实验原理示意图7、按图 5-2 将连接,注意接线正确,否则容易损坏元器件,差放接成同相反相均可。

图 5-2 压阻式实验接线图8、按图 5-3 接好传感器供压回路,传感器具有两个气咀,上面的是高压咀,下面的是低压咀,当高压咀接入正压力时(相对于低压咀)输出为正电压,反之为负。

将引压胶管接到高压咀(或低压咀),将加压皮囊上单向调节阀的锁紧螺丝拧紧,使压力表示数指示为 0Kpa。

图 7-3 供压回路安装示意图9、开启主、副电源,可调直流稳压电源选择±4V 档,电压/频率表量程切换开关置 2V 档,调节差放调零旋钮,使电压/频率表示数为零,记下此时电压/频率表读数。

轻按加压皮囊,注意不要用力太大,每隔 5Kpa 记录电压/频率表读数并填入下表 5-1:根据所得的结果计算系统灵敏度 S=ΔV/ΔP 关系曲线,找出线性区域。

实验七 扩散硅压阻式压力传感器压力实验

实验七  扩散硅压阻式压力传感器压力实验

自动化与电气工程类基础实验实验报告实验名称:压力传感器、电容式传感器实验指导老师:雷璐宁班级:智能电网0861202班成员:彭伟平2012212822、吴志辉2012212807实验七 扩散硅压阻式压力传感器压力实验一、实验目的了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理与方法。

二、实验仪器压力传感器、气室、气压表、差动放大器、电压放大器、电压温度频率表 三、实验原理在具有压阻效应的半导体材料上用扩散或离子注入法,可以制备各种压力传感器。

摩托罗拉公司设计出X 形硅压力传感器,如图7-1所示,在单晶硅膜片表面形成4个阻值相等的电阻条。

将它们连接成惠斯通电桥,电桥电源端和输出端引出,用制造集成电路的方法封装起来,制成扩散硅压阻式压力传感器。

扩散硅压力传感器的工作原理如图7-1,在X 形硅压力传感器的一个方向上加偏置电压形成电流i ,当敏感芯片没有外加压力作用,内部电桥处于平衡状态,当有剪切力作用时(本实验采用改变气室内的压强的方法改变剪切力的大小),在垂直于电流方向将会产生电场变化i E ⋅∆=ρ,该电场的变化引起电位变化,则在与电流方向垂直的两侧得到输出电压Uo 。

i d E d U O ⋅∆⋅=⋅=ρ (7-1) 式中d 为元件两端距离。

实验接线图如图7-2所示,MPX10有4个引出脚,1脚接地、2脚为Uo+、3脚接+5V 电源、4脚为Uo-;当P1>P2时,输出为正;P1<P2时,输出为负(P1与P2为传感器的两个气压输入端所产生的压强)。

图7-1 扩散硅压力传感器原理图图7-2 扩散硅压力传感器接线图四、实验内容与步骤1. 按图7-2接好“差动放大器”与“电压放大器”,“电压放大器”输出端接电压温度频率表(选择U ,20V 档),打开直流电源开关。

(将“2~20V 直流稳压电源”输出调为5V)2.调节“差动放大器”与“电压放大器”的增益调节电位器到中间位置并保持不动,用导线将“差动放大器”的输入端短接,然后调节调零电位器使电压温度频率表显示为零。

实验一扩散硅压阻式压力传感器的压力测量实验

实验一扩散硅压阻式压力传感器的压力测量实验

实验一扩散硅压阻式压力传感器的压力测量实验实验目的:1. 熟悉扩散硅压阻式压力传感器的工作原理和特性。

2. 了解扩散硅压阻式压力传感器的使用方法和注意事项。

3. 利用扩散硅压阻式压力传感器进行压力测量实验。

实验器材:1. 扩散硅压阻式压力传感器2. 数字万用表3. 压力泵4. 接线板、导线等实验原理:扩散硅压阻式压力传感器是利用扩散硅作为敏感元件的压力传感器。

当扩散硅受到外界压力作用时,会产生微小的形变,从而改变扩散硅的电阻值。

通过电路对电阻值的变化进行放大和处理,最终转换成电压信号作为输出,实现压力的测量。

实验步骤:1. 将扩散硅压阻式压力传感器连接到接线板上,注意仔细阅读连接图并正确连接。

2. 将数字万用表连上扩散硅压阻式压力传感器的输出端口,选择电压测量档位,并将数显切换为直流电压。

3. 将压力泵连接到扩散硅压阻式压力传感器的压力输入端口,打开压力泵。

4. 按照设定步骤开始进行实验,观察和记录压力泵的压力输出值以及扩散硅压阻式压力传感器的电压输出值。

5. 在测量结束后,关闭压力泵,并将扩散硅压阻式压力传感器从电路中拆开。

实验结果分析:通过扩散硅压阻式压力传感器测量实验,我们能够得出被测压力值和输出电压值之间的关系。

由于具有较好的灵敏度和稳定性,扩散硅压阻式压力传感器被广泛应用于压力测量领域,如航空、采矿、化工、医疗等领域。

注意事项:1. 在进行实验前,必须确认设备和电路是否连接正确,避免短路或其他故障发生。

2. 在使用压力泵时,应注意安全防范措施,避免压力泵爆炸等危险事件发生。

3. 在电路连接和处理信号时,应注意干扰和噪声的影响,保证测量精度的准确性。

4. 在实验过程中,如有异常情况发生应及时停止实验,并排除故障,确保实验结果可靠有效。

实验二扩散硅压阻式传感器模块d1

实验二扩散硅压阻式传感器模块d1

实验二扩散硅压阻式压力传感器实验模块2.1实验目的:实验 2.1.1:了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和方法。

工作原理:是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。

单晶硅材料在受到力的作用后,电阻率发生变化,通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。

压阻式传感器用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量(如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度)的测量和控制。

转换原理:在具有压阻效应的半导体材料上用扩散或离子注入法,,形成4个阻值相等的电阻条。

并将它们连接成惠斯通电桥,电桥电源端和输出端引出,用制造集成电路的方法封装起来,制成扩散硅压阻式压力传感器。

平时敏感芯片没有外加压力作用,内部电桥处于平衡状态,当传感器受压后芯片电阻发生变化,电桥将失去平衡,给电桥加一个恒定电压源,电桥将输出与压力对应的电压信号,这样传感器的电阻变化通过电桥转换成压力信号输出。

压阻效应:当力作用于硅晶体时,晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化,扰动了载流子纵向和横向的平均量,从而使硅的电阻率发生变化。

这种变化随晶体的取向不同而异,因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。

硅的压阻效应不同于金属应变计(见电阻应变计),前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化,后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化(应变),而且前者的灵敏度比后者大50~100倍。

实验 2.1.2:了解利用压阻式压力传感器进行差压测量的方法。

2.2实验设备和元件:2.2.1 实验设备:实验台所属各分离单元和导线若干。

2.2.2 其他设备:2号扩散压阻式压力传感器实验模块,14号交直流,全桥,测量,差动放大实验模块,数显单元20V,直流稳压源+5V,+_12V电源。

2.3实验内容:2.3.1扩散压阻式压力传感器一般介绍:单晶硅材料在受到外力作用产生极微小应变时(一般步于400微应变),其内部原子结构的电子能级状态会发生变化,从而导致其电阻率剧烈变化(G因子突变)。

实验三扩散硅压阻式压力传感器实验

实验三扩散硅压阻式压力传感器实验

北京XXX大学实验报告课程(项目)名称:实验三扩散硅压阻式压力传感器实验学院:专业:班级:学号:姓名:成绩:2013年12月10日一、任务与目的了解扩散硅压阻式压力传感器的工作原理和工作情况。

二、实验仪器(条件)所需单元及部件:主、副电源、直流稳压电源、差动放大器、F/V显示表、压阻式传感器(差压)旋钮初始位置:直流稳压电源±4V档,F/V表切换开关置于2V档,差放增益适中或最大,主、副电源关闭。

三、原理(条件)扩散硅压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应制成的器件,也就是在单晶硅的基片上用扩散工艺(或离子注入及溅射工艺)制成一定形状的应变元件,当它受到压力作用时,应变元件的电阻发生变化,从而使输出电压变化。

四、内容与步骤(1)了解所需单元、部件、传感器的符号及在仪器上的位置。

(见附录三)(2) 如图30A将传感器及电路连A(3) 如图30B图30B(5) 将加压皮囊上单向调节阀的锁紧螺丝拧松。

(6)开启主、副电源,调整差放零位旋钮,使电压表指示尽可能为零,记下此时电压表读数(7) 拧紧皮囊上单向调节阀的锁紧螺丝,轻按加压皮囊,电压表有压力指示时,记下此时的读数,并将数据填入表格中记录。

注:根据所得的结果计算系统灵敏度S= ΔV/ΔP,并作出V-P关系曲线,找出线性区域。

五、数据处理(现象分析)(1)拧紧皮囊上单向调节阀的锁紧螺丝,轻按加压皮囊,电压表的读数随压力的变化如下表:(2)根据所得的结果计算系统灵敏度S= ΔV/ΔP,并作出V-P关系曲线,找出线性区域。

六、结论通过实验进一步了解了扩散硅压阻式压力传感器的工作原理,并且观察了实过程中的工作状况,通过对实验数据的整理计算,得出实验仪器的灵敏度为S=92.35 V/Kpa。

扩散硅压力传感器工作原理

扩散硅压力传感器工作原理

扩散硅压力传感器工作原理
硅压力传感器是一种基于硅材料的传感器,用于测量压力。

其工作原理基于压力对硅芯片的变形产生的电阻变化。

硅压力传感器的核心部件是一个薄膜型硅压阻元件,通常由硅晶圆加工而成。

该元件由两层硅薄膜组成,上层为引压膜,下层为探测膜。

当外界施加压力作用在传感器上时,引压膜和探测膜之间的硅材料会产生一定程度的变形。

这种变形会改变硅材料的电阻特性,从而使得传感器的输出信号发生变化。

硅压力传感器通常采用电桥测量电路将这个电阻变化转化为电压输出。

通过对电桥进行精确的电压测量,就可以实现对外界压力的准确测量。

硅压力传感器的灵敏度和稳定性主要取决于硅材料的特性以及传感器的制造工艺。

传感器内部通常还会加入温度补偿电路,以消除温度对测量结果的影响。

另外,传感器还需要进行标定和校准,以确保其测量结果的准确性和可靠性。

总结来说,硅压力传感器通过测量硅芯片在压力作用下的变形,利用电桥测量电路将其转化为电压输出,实现对压力的测量。

它具有高灵敏度、稳定性好等特点,广泛应用于工业控制、汽车、医疗设备等领域。

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贵州大学实验报告
学院:电气工程学院专业:测控技术与仪器班级:测仪111 姓名余翔学号1108040039 实验组 1 实验时间5月12号指导教师王明慧成绩
实验项目名称扩散硅压阻式压力传感器压力的测量
实验目的
1、了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理与方法、基本结构、性能及应用。

2、掌握扩散硅压阻式压力传感器标定方法和最小二乘法误差数据处理方法及获得方法。

实验要求
实验原理
在具有压阻效应的半导体材料上用扩散或离子注入法,摩托罗拉公司设计出X形硅压力传感器如下图所示:在单晶硅膜片表面形成4个阻值相等的电阻条,并将它们连接成惠斯通电桥,电桥电源端和输出端引出,用制造集成电路的方法封装起来,制成扩散硅压阻式压力传感器。

扩散硅压力传感器的工作原理:在X形硅压力传感器的一个方向上加偏置电压形成电流i,如图所示,当敏感芯片没有外加压力作用,内部电桥处于平衡状态,当有剪切力作用时,在垂直电流方向将会产生电场变化i
E⋅

=ρ,该电场的变化引起电位变化,则在端可得到被与电流垂直方向的两侧压力引起的输出电压Uo。

i
d
E
d
U
O

∆⋅
=


式中d为元件两端距离。

扩散硅压力传感器(MPX10)原理图
实验电路如下图所示,MPX10有4个引出脚,1脚接地、2脚为Uo+、3脚接+5V电源、4脚为Uo-;当P1>P2时,输出为正;P1<P2时,输出为负。

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