热释电探测器前置放大电路设计
高增益低噪声热释电红外探测器前置放大器设计研究
第 ３ 卷 第 １ 期 ２ １ ２１ ０ ０年 １ 月 １
红 外 技 术
Ｉ ｒ ｒ ｄ ｃ ｎｏ ｏ ｙ ｎｆａ ｅ Байду номын сангаасｅ ｈ ｌ ｇ
Ｖ ｌ ２ ＮＯ １ ｂ－ ３ ．１ ＮＯ ． ２ １ Ｖ ００
高 增 益低 噪声 热释 电红 外 探 测 器 前置 放 大器 设 计 研 究
１ ＢＦ Ｊ ＥＴ前 置 放 大 电路 模 型
假 设入 射辐 射是 角频 率为 Ｗ的正 弦调制 光 ，功 率
得 到输 出。 同时热释 电材 料在 很 宽的光 谱范 围 内具有 幅 度 为 ，该 辐射 可表 示为 ｆ Ｗ ．州传感器 的吸 ） ｏＪ ＝ ｅ
相 同的响应 率 ，而且 这种 响应 只受探 测 敏感 元件 对红 收 率 为 ａ ，描述 热释 电材 料 的温度 变化 的方 程如 下所 外辐射 的吸 收能 力限制 。 热 释 电红外探 测 器是 响应 于温度 随 时问 的变化 率
ｖ ｎｅ ａ ｅ ｏ ｅ ｍｐｌｆｅ ｕｔ ｔ ｓｇ ａ ｒ ｓ ｌ ｅ ｕｌ ｒ ｂｌ ｆ ｐｒ ａ ｉ ｒ ｏ ｐｕ ｉ ｌ ａ ｅ ｏ ｖ ｄ．Ｓ ｔｍ ａｉ ａ ｌ ｉ ｈ ｒ — ｍｐｌｆｅ ｉｅ ａ ｄ ｉ ｎ ｙｓｅ ｔｃ ｎａｙｓｓ ｏｆ ｔ ｅ ｐ ｅ ａ ｉ ｒ ｎｏ ｓ ｎ ｉ ｔ ｍｐｅ ａｕ ｅ ｈａ ｅ ａｒｅ ｕ ．Ｅｘ ｅ ｉ ｅ ｔｒ ｓ ｔ ｈｏ ｔ ｔｔ ｅ ｃｒ ｕｉ ｃ ｎ ａ ｈ ｅ ｅ ｈｉ ｈ ｃ ｒ ｅ ，ｗｉ ｅ ｒ ｔ ｒ ｓｂｅ ｎ ｃ ｒｉ ｄ ｏ ｔ ｐ ｒｍ ｎ ｅ ｕｌｓ ｓ ｗ ｈａ ｈ ｉｃ ｔ ａ ｃ ｉ ｖ ｇ ｕ ｎｔ ｄｅ ｂ ｎ ｗｉ ｔ ｈ ｇ ａ ｎ ａ ｏ ｎ ｉｅ ａ ｄ ｄｈ， ｉ ｈ ｇ ｉ ｎｄｌ ｗ ｏ ｓ ．
前置放大器的低噪声设计
Ａｂ ｔ ａ ｔ Ｐ ｒ ｅｅ ｔ ｃｄ ｔ ｃｏ ＇ ｏ ｔ ｕ ｉ ｎ ｌｓｖ ｒ ａ ｓｒ ｃ ： ｙ ｏ ｌｃｒ ｅ ｅ ｔ ｒ ｕ ｐ ｔ ｇ ａ ｅ ｗｅ ｋ， Ｓ ｅｒ ｓ ｏ ｓ ａｅｉ ｗ， ｔ ｅｐ ｅａ ｌ ｅ ｓ ｂ ｓ ｄｉ ｉ ｓ ｓ ｉ ｙ Ｏｔ ｐ ｎ ｅｒｔ ｌ ｈ ｅ ｓｏ ｈ ｒ — ｍｐ ｉ ｒ ｉ ｆ ｍｕ ｔ ｅｕ ｅ ｎ
ｃ ｎｕｔ ｎｎｏｄｒｏｍｐｏ ｅ ｅ ｅｐ ｎ ｅａｅ Ｏ ｒ－ ｐｉｅ ｎ ｉ ａｔ ｎ ｅｐｎ ｅａｅ ｅｔＴ ｅ ａｅ ａｔｆ ｍ ｏｊｃｉ ｅ ｒｖ ｓｏ ｓ ｔ，Ｓ ｅａ ｌ ｒ ｏｓ ｉ ｃ ｓｏ ｓ ｔｓ ｒａ． ｈ ｐｒｔｒ ｏ ｏ ｉ ｒ ｔｉ ｈ ｔ ｒ ｒ ｐ ｍ ｆ ＇ ｅｍｐ ｏ ｒ ｉ ｒ ｇ ｐ ｓ ｓｒ
此前置放大器的噪声对响应率的影响很大。本文从 热释 电探测器对前置放 大器的要求入手 ，从噪声 匹配的方 法、无
源器件的选取以及放 大器的屏 蔽与接地三个 角度提 出如何降低 前置放 大器的噪 声以提 高响应率。 关键词 ：热释电探 测器；前置放 大器；响应率
中图分类号 ：Ｔ ２ ５ Ｎ １ 文献标识码 ：Ａ 文章编号 ：１７ —９７ ２ １ ０ －０ ５ －０ ６ ２ ８ ０（ ０ １） ２ ０ １ ３
对一定调制频率的光源 ，应选用窄带选频放大
人低负载电阻尼Ｃ 砭） ＆≤ 。此时，探测器的响应时间 常数为 见 和 ｃ的乘积 ，￣ － Ｌ 。其中 ｃ ｃ ［ ＲＣ ｈ ＝ ＝ Ｇ，
Ｇ为器件电容 ， 为场效应管的输入电容 。 同所 有探测 器一 样 ，热释 电探测 器 的探测 率 同 样受其噪声的限制 。热释电探测器必须考虑的基 本噪声源是 电阻的热噪声、由元件热力学特性决定 的温度或背景辐射噪声以及放大器噪声。放大器噪
热释电探测器前置放大电路设计
热释电探测器前置放大电路设计此文档为毕业论文初稿,已录入论文库, 请勿抄袭,以防追究法律责任. 谢谢!摘要人类的生存和繁衍离不开感官从环境中获取各种信息。
在现代以高科技主导的信息社会中，日常生活、医学、工业生产、科学实验、军事等活动中需要的各种信息远远超出了人的感官的能力。
为此科学家开发出了各种各样五花八门的探测器。
探测器可以看作是人类感官的延伸，其技术的进步直接推动着科学和工程技术的发展。
大到我国的探月工程，小到我们每个人的日常生活，随处可见。
探测器的应用也越来越广泛，它已经进驻了各行各业，它在各行业中都发挥着不可估量的作用。
本文将介绍热释电效应及其探测器的原理、结构、特点、噪声分析等等。
另针对热释电红外探测中微信号放大时的低信噪比问题，在分析热释电红外探测器及前置放大电路噪声来源的基础上，提出了一种热释电红外探测前置放大电路。
电路仿真表明，文中所设计的前置放大电路具有低频特性好、高信噪比、高增益的特点，能有效放大微弱信号。
关键字：热释电；探测器；前置放大电路；高信噪比；第一章1.1 引言热释电探测器是70年代以来取得重大进展的一种新型热探测器。
它利用某些特殊材料的热释电效应探测目标物体的红外辐射能量。
从结构来看，热释电红外焦平面探测器主要有混合式和单片式两种。
混合式焦平面探测器的探测器列阵芯片和读出电路芯片分别用不同的材料制作，然后通过铟柱互连。
这样，就可使探测器列阵芯片和读出电路芯片分别测试以确保各自的性能。
这种结构的热释电焦平面探测器是目前的主流产品。
单片式焦平面探测器是采用读出电路上生长微桥作为光敏元材料支撑和热隔离结构。
经过20年的发展微桥结构的热释电焦平面探测器的灵敏度已达到第一代和第二代致冷焦平面探测器之间的水平，其NETD通常优先于0.1K，可达0.05K。
红外焦平面探测器是获取目标景物红外光辐射信息的重要光电器件，其中的热释电焦平面探测器所具有的性价比高，可靠性好，长波工作，功耗小，寿命长，重量轻，体积小等优势，使得它在军事和民用方面都有广阔的应用前景。
天津大学光电传感器实验——热释电传感器实验
1. 了解热释电传感器的工作原理及其特性 2. 了解并掌握热释电传感器信号处理方法及其应用 3. 了解并掌握超低频前置放大器的设计 二、 实验仪器 热释电传感器实验仪、红外热释电报警器、红外热释电探头、支架 若干 2＃迭插头对、电源线 、万用表 三、 实验原理
PS
1. 热释电探测器简介 热释电探探器是一种利用某些晶体材料自发极化强度随温度变化所 产生的热释电效应制成的新型热探测器。当晶体受辐射照射时，由于温度 的改变使自发极化强度发生变化， 结果在垂直于自发极化方向的晶体两个 外表面之间出现感应电荷，利用感应电荷的变化可测量光辐射的能量。因 为热释电探测器输出的电信号正比于探测器温度随时间的变化率， 不像其 他热探测器需要有个热平衡过程，所以其响应速度比其它热探测器快得 多，一般热探测器典型时间常数值在 1～O.01s 范围，而热释电探测器的 有效时间常数低达 10－4～3×x10－5s。虽然目前热释电探测器在比探测率 和响应速度方面还不及光子探测器，但由于它还有光谱响应范围宽，较大 的频响带宽，在室温下工作无需致冷，可以有大面积均匀的光敏面，不需 要偏压，使用方便等优点而得到日益广泛的应用。 2. 热释电效应 某些物质(例如硫酸三甘肽、铌酸锂、铌酸锶钡等晶体)吸收光辐射后 将其转换成热能，这个热能使晶体的温度升高，温度的变化又改变了晶体 四、
关闭电源，拆除支架及所有连线（如继续做下面的实验，支架可不拆
“02 处”数据变化： 电压放大前，0.80V；电压放大后，3.20V b) 窗口比较电路实验 i. “I2”和 “O2” 对应连接，打开电源，需要延时 2 分钟左右实 验仪才能正常工作。用万用表直流电压“20V”档测量窗口比较器 上下限比较基准电压（ “VH” “VL” ）并做记录； ii. 用万用表直流电压“20V”档测量“O2”端输出的热释电信号比较 电压和“KG”端开关量输出信号。观察手在红外热释电探头端面 晃动时，这两个值的变化情况。分析窗口比较电路原理及其工作 过程； iii. 关闭电源（导线不拆除） 。
用于BST薄膜热释电单元探测器的CMOS放大电路设计
第36卷，增刊红外与激光工程2007年6月、，b1．36Suppl e m e nt111f I鼍r e d a nd I．．aSe r Engi nee血g J un．2007用于B ST薄膜热释电单元探测器的C M oS放大电路设计蔡J所富，马建福，吴传贵，张万里(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054)箍要：在分析热释电红外探测器响应信号特征的基础上，针对BsT薄膜单元器件的应用要求，设计了一种带有源跟随器的基于cM0s结构的高增益单元放大电路，进行了理论分析和计算，并给出了仿真结果。
关键词：热释电探测器；C M O S；源跟随器；高增益放大电路中图分类号#r n蚪文献标识码；A文章编号：1007．2276(2007)增(器件)-0097—04D酷i gn of C M oS am pl i f i er dr cui t f or s i ngl e-el em ent pyroeI ect ri cdet ect or bas ed on B ST t hi n f i l mC越)(i n一凡，M A Ji an-f u，W U C huan-gui，ZH A N G W孤一l i(K ey I矗bo瑚幻巧of El∞仃o nic11l iI I Fi lr邮柚d I n也gr砒ed D ev i∞s，U II i ve娼时of El ec吣nic Sden ce and Tc曲∞l ogy of a妇a’C h如gdu6l∞54．Q l i n丑)A bst阳ct：B a sed on i n缸D duc i ng pyr oe l e c t r i c si gI l al c har a ct e r s of B ST pyr‘)el ect r i c de t e ct or，a hi ghgai nC M O S a nl phfi er c疵uit w i m nl e s ou r c e f ol l ow er per det ect o“SFD)i s desi gned，姐d m e si nl ul a t i ve碍sul t s ar e gi V en．K ey wor出：P)7Iock煳血de蜘CM OS；S嘴f0]黼per dete(：to；Hi曲gaill锄lpli衔㈣O引言近年来，在室温下使用铁电薄膜研制的热释电型非制冷焦平面阵列(U张)受到了广泛关注，主要是因为铁电型器件的功耗小，列阵规模可以做到很大，尤其采用具有优异特性的铁电薄膜材料后器件的灵敏度提高的空间很大，并且可利用铁电薄膜与si 集成电路工艺相兼容能进一步提高器件的集成度。
提高热释电探测器响应速度的电容补偿前置放大器[实用新型专利]
![提高热释电探测器响应速度的电容补偿前置放大器[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/d1570c9ddc3383c4bb4cf7ec4afe04a1b071b038.png)
[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]实用新型专利说明书[11]授权公告号CN 200997164Y [45]授权公告日2007年12月26日专利号 ZL 200720104326.4[22]申请日2007.01.12[21]申请号200720104326.4[73]专利权人昆明物理研究所地址650223云南省昆明市五华区教场东路31号[72]设计人林猷慎 张毓荣 林昕 [74]专利代理机构昆明正原专利代理有限责任公司代理人陈左[51]Int.CI.G08B 13/191 (2006.01)权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 1 页[54]实用新型名称提高热释电探测器响应速度的电容补偿前置放大器[57]摘要一种提高热释电探测器响应速度的电容补偿前置放大器，包括探测器、源跟随晶体管、偏置电阻构成的源跟随器，源跟随晶体管的栅极经偏置电阻接地，其特征是：源跟随晶体管的漏极连接一个漏跟随晶体管构成具有漏极补偿的漏源跟随器，源极连接一个恒流源晶体管代替源极电阻，以提高源极对地的动态阻抗；为了减小后续放大电路对前级的影响，漏源跟随器的输出端连接一个具有高输入阻抗的隔离放大器作缓冲级，探测器1连接到作阻抗变换和电容补偿的漏源跟随器的输入端；本实用新型通过减小等效输入电容而不是减小电阻来提高探测器的响应速度，在保持相同灵敏度的条件下，能显著提高热释电探测器的响应速度。
200720104326.4权 利 要 求 书第1/1页 1、一种提高热释电探测器响应速度的电容补偿前置放大器，包括探测器(1)、跟随晶体管(2)、偏置电阻(3)构成的源跟随器，源跟随晶体管(2)的栅极经偏置电阻(3)接地，其特征是：源跟随晶体管(2)的漏极连接一个漏跟随晶体管(4)构成具有漏极补偿的漏源跟随器，源极连接一个恒流源晶体管(5)；漏源跟随器的输出端连接到一个具有高输入阻抗的隔离放大器晶体管(8)的栅极，探测器(1)连接到作阻抗变换和电容补偿的漏源跟随器的输入端。
信号检测电路设计
2）二阶压控带通滤波器（放大器采用AD8022）
图7二阶压控带通滤波器
3）AD转换电路
AD转换采用AD7687，16bit，250kSPS，SPI接口。工作电路如图8，它要求比精度较高的参考电压，这里采用了ADR430作为稳压芯片，稳压2.048v，精度为 ，输出电压电源由LD1117-3.3V提供。
信号检测电路设计
所买芯片：ADR430ARZ（基准电压源，2.048V，给ADC提供基准电压），AD8022（放大器，用于搭建二阶压控带通滤波器电路和方向器电路），AD7687BCPZ（14位ADC转换芯片），KF50BD（5v稳压芯片，给放大器提供电源），HCNR200（光隔离器）各一片
实验室原有芯片：INA114AP一片，仪用放大器
同学给的芯片：LD1117-3.3两片，电压转换芯片，用于提供ADC输出电源
芯片用途：搭建信号检测电路
一、设计思路
由热释电探测器PYD-1113输出的信号十分微弱，且被噪声严重覆盖，要检测出其中的有用信号，必须采用微弱信号检测的方法，这里选择了锁定放大的方法。如下是锁定放大器的基本框图：
图1 锁定放大器的基本组成
图8 AD转换电路
图2原始信号图3加载了噪声并经过正弦信号调制的信号
图4经DPSD检测出来的信号
三、基本电路
1）前置放大电路
图5前置放大电路
前置放大器采用低噪声仪用放大器INA114，它的两个差分输入端分别接工作探测器和参考探测器的输出信号。对于INA114的电源这里采用纹波为2%的线性电源KF50BD，放大器采用（AD8022）由于采用双电源供电Vcc和Vss，这里采用了如下方式：
模拟电路复杂，信号不易控制，且容易引入噪声，在设计锁定放大器电路时采用了微机化数字式相敏检测器（DPSD），也就是在信号通道之后，加上一个AD转换器，将模拟信号转换为数字信号，在FPGA内部处理。PSD、参考信道、LPF都在FPGA内部实现，这在一定程度上减小了电路的复杂度，并避免了外部噪声的干扰。
256元线列热敏探测器并行前置放大器设计
可靠性 高 ； 是模 拟 信 号 和 数 字 信 号 隔 离 好 ， 测 三 探
器输 出的 小 信 号 经前 置 放 大器 及 后 续 模 拟 处 理 电 路 处理后 再进行 Ａ Ｄ变 换 ， ／ 因此 数字 信号 对模 拟 信 号的干扰 小 ； 四是 便 于 调 节 ， 由于 探 测 器 列 阵 中各 光 敏元 的响应率并 不均 匀 ， 过 调节 每 一 元 探测 器 通
因此 ， 导放 大器 的输 入 电阻 跨
。
在理想情况下 ， 为运 放 开环 电压增 益 和输人 电 认
图 ２ 前 置 放 大器 原 理 图
阻者 艮 ， 大 此时可近似认为 ，＝Ｉ ＋ 一 ， ｆ 此时有
～
。
通常进人放大器 的电流包括 了无 辐照情况 下的本
底 电流 ｉ和 目标辐射引起的信号电流 ｉ两部分 ： 。
ｉ ＝ ｉ ＋ ｉ。 ０
在 通常 的 电流 放 大 器 分 析 中 ， 由于 运 放 的输 入 电阻 比较 大 ， 此 常 忽 略 运 放 的输 入 电 阻 Ｒ 的 影 因 响， 即认 为 流人 运 放 反 相 端 的 电 流 可 以忽 略 。但 在
本底 电流 ：
．
一
微弱 电流放 大 电路 中 ， 反馈 电 阻 ， 大 ， 如 果 运 很 而 放 的开环 电压增 益 不 够 大 时 ， 流人 运 放 的 电流 则
图 １ 跨 导放 大器 （ ） ａ 及跨导放大器的等效 电路图（ ） ｂ
２ ｌ ３月 ２ Ｏ Ｏ年 ０目收 到
１ ７期
马庆梅 ， ：５ 等 ２ ６元线列 热敏探测器并行前置放 大器设计
４０ ２３
一， ， （
路 ， 中 其
＝ 。
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热释电探测器前置放大电路设计此文档为毕业论文初稿,已录入论文库, 请勿抄袭,以防追究法律责任. 谢谢!摘要人类的生存和繁衍离不开感官从环境中获取各种信息。
在现代以高科技主导的信息社会中，日常生活、医学、工业生产、科学实验、军事等活动中需要的各种信息远远超出了人的感官的能力。
为此科学家开发出了各种各样五花八门的探测器。
探测器可以看作是人类感官的延伸，其技术的进步直接推动着科学和工程技术的发展。
大到我国的探月工程，小到我们每个人的日常生活，随处可见。
探测器的应用也越来越广泛，它已经进驻了各行各业，它在各行业中都发挥着不可估量的作用。
本文将介绍热释电效应及其探测器的原理、结构、特点、噪声分析等等。
另针对热释电红外探测中微信号放大时的低信噪比问题，在分析热释电红外探测器及前置放大电路噪声来源的基础上，提出了一种热释电红外探测前置放大电路。
电路仿真表明，文中所设计的前置放大电路具有低频特性好、高信噪比、高增益的特点，能有效放大微弱信号。
关键字：热释电；探测器；前置放大电路；高信噪比；第一章1.1 引言热释电探测器是70年代以来取得重大进展的一种新型热探测器。
它利用某些特殊材料的热释电效应探测目标物体的红外辐射能量。
从结构来看，热释电红外焦平面探测器主要有混合式和单片式两种。
混合式焦平面探测器的探测器列阵芯片和读出电路芯片分别用不同的材料制作，然后通过铟柱互连。
这样，就可使探测器列阵芯片和读出电路芯片分别测试以确保各自的性能。
这种结构的热释电焦平面探测器是目前的主流产品。
单片式焦平面探测器是采用读出电路上生长微桥作为光敏元材料支撑和热隔离结构。
经过20年的发展微桥结构的热释电焦平面探测器的灵敏度已达到第一代和第二代致冷焦平面探测器之间的水平，其NETD通常优先于0.1K，可达0.05K。
红外焦平面探测器是获取目标景物红外光辐射信息的重要光电器件，其中的热释电焦平面探测器所具有的性价比高，可靠性好，长波工作，功耗小，寿命长，重量轻，体积小等优势，使得它在军事和民用方面都有广阔的应用前景。
随着信息技术的普及和发展，红外探测技术已经得到了迅速的发展，已广泛应用于夜视仪、报警、防火、医疗、自动控制等领域。
其中，利用热释电效应开发的红外探测器由于具有非制冷的显著特点而倍受关注。
热释电效应是指：在具有自发极化的热释电材料中，当材料温度发生变化或吸收热量后，因材料自发极化强度发生变化而在材料表面释放出电荷的现象。
红外探测器是红外成像的核心部分，其前置放大器是整个系统的关键部件，它的功能是将红外探测器接收到的微弱信号进行放大并输出给后续处理电路。
然而，由于红外热释电探测器的响应信号十分微弱(一般为微伏级)，故对前置放大器提出了严格的要求：低噪声、高增益、低频特性好及抗干扰能力强。
因此，前置放大器对整个红外系统的性能和效率起着决定性的作用。
本文针对热释电探测器的噪声问题，提出了一种新型高增益、低噪声的前置放大电路设计方案。
1.2 热释电探测器的发展状况1800年，英国科学家海谢尔做了一个实验，他把阳光分成彩色光带以后，用温度计来测量各种光的温度，发现了一个奇怪的现象:靠近太阳光深红色光外的不可见部分，温度竟比红光还高。
这是一个意外的发现.因为以前只知道太阳光有七色，至于在七色之外的黑暗中还存在着什么物质，是不清楚的。
于是，海谢尔设想在太阳的辐射中，除了可见光以外，一定还包含着一种人的肉眼看不见的辐射。
后来经过实验证明:这种辐射还存在于其他物体发出的辐射中。
当时，人们就称它为“不可见辐射”。
由于这种“不可见辐射”是在红光的外边发现的，所以，后来就称它为红外辐射，又叫它红外线。
1887 年，人们在实验室中成功地产生了红外线，使人们认识到:可见光、红外线和无线电波在本质上都是一样的。
到了20世纪，由于生产实践的需要，推动了各项新技术的发展，红外科学也从实验室走出来，开始应用到生产上，并形成了一门崭新的技术一红外技术。
红外线亦称“红外光”。
在电磁波谱中，波长介于红光和微波间的电磁辐射。
在可见光的范围以外，波长比红光要长，有显著的热效应，可以用温差电偶、光敏电阻等仪器来测量，波长在0.77~3微米为近红外区:3~30微米为中红外区;30~1000微米为远红外区。
红外线容易被物体吸收，转化为物体的内能:在通过云雾等充满悬浮粒子的物质时，不易发生散射，具有较强的穿透能力，红外线应用很广，可用以焙制食品、烘干油漆以及进行医疗等。
物质对红外线的吸收光谱对研究物质的分子结构、化学分析及化学工业上的控制有重要意义。
军事上常用红外探测器来探测目标，以及红外通信等。
1956 年，chynoweth利用辐射调制方法研制钦酸钡的动态热释电响应，这一方法为研究材料极化的温度特性提供了重要实验手段，为利用热释电效应实现热成像探测提供了基础。
同年，比thais利用TGS制成了实用的热释电探测器，使得此类材料在随后的一段很长时间里成为研究重点，并于1969年用于热成像探测。
1961年，Hanel首次揭示了介电测辐射热计效应，这在当时并不是一个引起很大重视的工作，但随后在对担杭酸铅(PST) /钦酸铭钡(BST) 类相变型热释电材料的深入研究之后，一种新的探测机制建立起来了。
对典型热释电材料研究的深入，伴随着铁电理论和热释电探测理论的发展和完善。
虽然在热释电现象的理论研究方面还有许多未知的领域，但是热释电探测原理已经在热力学分析的基础上很好的建立起来了。
1970年Putley全面总结和阐述了热释电探测器的工作原理及热探测器的理论探测极限。
在此基础上，他还演示了具有接近探测极限性能的单元探测器，为设计和制造有极限探测性能的探测器建立了基本原则。
1978年Liu等全面总结了热释电材料与期间的发展，指明了具有正常热释电效应的材料的局限.1986年，whatmore再次全面总结了热释电探测器的原理，器件设计及应用，较系统地提出了介电测辐射热计效应的应用，对器件设计，制造中的一些关键因素作了简要地总结。
随后，Kulwick、maralt 等又对随后的研究进展作了总结。
这些理论和总结，基本上完整地勾画出了热释电探测在理论，材料及器件诸方面的发展状况。
1993年Wvon.Munch等人研究了用未极化的PVDF/TrPE 聚合物作为主要热绝缘材料的单片式热释电红外探测器。
通过调节组份可降低PvDp/TrFE 聚合物的热导率，仅为0.1287w/mk ，约为2SiO 的1/10、0.25r T FE 34i S N 的1/80.通过旋转涂胶法(spin-coating)在ROIC 硅片上方制备两层一10μm 0.75PVD /0.25r T FE 聚合物薄膜，上层作为探测灵敏元材料，下层薄膜作为隔热层。
探测灵敏元的下电极分布在两层聚合物之间，并穿过下层聚合物薄膜与读出电路的M 仍管连接。
探测器的探测率为0D =1×710cm ·1/2z H /W 该探测器可以实现单片集成，但工艺步骤较为梦琐。
特别是连接下电极与读出M 璐管时，首先要刻蚀AI 形成掩模，再湿法刻蚀聚合物，很容易导致聚合物性质变坏。
1998 年，NorioFujitsuka 等人利用硅微机械加工技术制作了一种单片式热释电红外探测器。
该探测器在硅衬底上通过各向异性腐蚀形成空腔，由四条支撑臂将热释电薄膜支撑在空腔上方，只有细长的支撑胃作为热流通道，从而 大大降低了热导。
热释电材料采用PvDF 聚合物，薄膜厚度为0.7μm 金属电极采用热导率比Al 小一个量级的钦(Ti)电极。
真空中测得探测率0D =2.4×710cm ·1/2z H /W ，响应率4110v R =⨯v/w.整套工艺相对简单，探测率也有了一定的提高，但空腔、支撑结构与读出电路分布在同一水平面上，占据了很大硅片面积。
国内方面 ，中国科学院上海技术物理研究所在热释电探测器方面的研究是比较权威的。
冷丽国、王模昌根据电功补偿的探测原理设计了一种宽波段大市场红外辐射探测器15]，根据探测原理的分析，这种腔体探测器灵敏度要求的实现，主要依赖于腔体和热沉的精密温控。
他们通过分析腔体和热沉的温度变化对探测灵敏度的影响来对腔体和热沉的温控精度设计，并通过引入补偿腔后的对称结构降低热沉的温控精度克服环境变化的影响。
我国“神州三号”地球辐射探测仪就是这种探测器的典型应用，该仪器的探测波段较宽(0.2μm 一50μm )，视场较大(≥ 45)，因此对探测器的时间响应要求不高，而对探测器的吸收率，角响应性能和稳定性等有较高的要求，适于采用腔体探测器，该仪器于2002年3月25日随“神州三号”飞船发射并顺利完成了为期半年的在轨探测试验，获取了大量探测数据。
2005 年 9月 ，昆明物理研究所采用错钦酸铅(PzT )体材料、研制成功160x120元、探测元中心尺寸50μm ×50μm 的非制冷焦平面探测器。
热释电探测器不仅保持了热探测器的共同优点，即室温款波段工作，而且在很宽的频率和温度范围内具有较高的探测率、能承受大的辐射功率并具有较小的时间常数等等特点，因此得到了广泛应用。
例如,利用热释电探测器探测目标本身的热辐射强度，就可得到室温物体本身的热辐射图像，这就是通常所说的热成像。
这种热成像系统不宜被干扰，是对目标与背景的温差进行探测，因此容易发现隐蔽物体，并能在有烟和雾的条件下工作。
用热释电靶代替光电导靶的热释电摄像器件，即可在红外波段工作，有无需机械扫描装置，并兼有室温工作的优点。
用这种器件制成的热释电摄像机可用于空中与地面侦察、入侵报普、战地观察、火情观测、医用热成像、环境污染监视以及其它领域。
在空间技术中，热释电探测器主要用来测量温度分布和适度分布，或用于搜集地球的有关数据。
地球大气系统的热辐射和大气组分的光谱吸收带主要位于3一25μm 范围内，而且用于测量这些辐射的一起工作频率又不十分高，因此使用热释电探测器是合适的。
例如，在艾托斯-D 卫星上装备有TGS 的竖直温度分布辐射计。
所用的TGS 的NEP 值小于1.5x 1010- W ·1/2z H ;工作温度为35℃;调制频率为16H::光敏面积为2.252mm 。
在云雨5号卫星上，为测量七个波长间隔内有部分云层时的温度分布和水汽分布，所用探测器也是TGS ，其NEP 值小于2.5x 1010- W ·1/2z H :工作温度为37℃:调制频率为35Hz;光敏面积为2.562mm 。
再如，在云雨6号卫星上所使用的压力调制辐射计和地球平衡测量仪都使用了热释电探侧器。
前者使用了两个TGs 器件，用以测量40Km 和85lha 高度范围内的大气温度分布;后者使用了LITu 仇探测器，以测量太阳和地球的辐射。