第3章 场效应管放大电路习题答案教学文稿
3场效应管放大电路

三、场效应管放大电路1、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将。
A.增大B.不变C.减小答案:A2.已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。
图P1.22解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22(a)所示〕,读出其与各条曲线交点的纵坐标值及U GS值,建立i D=f(u GS)坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图P1.22(b)所示。
解图P1.223.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。
()答案:√4.若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
()答案:×5.电路如图1.23所示,T的输出特性如图P1.22所示,分析当u I=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解:根据图P1.22所示T的输出特性可知,其开启电压为5V,根据图P1.23所示电路可知所以u GS=u I。
当u I=4V时,u GS小于开启电压,故T截止。
当u I=8V时,设T工作在恒流区,根据输出特性可知i D≈0.6mA,管压降u DS≈V DD-i D R d≈10V因此,u GD=u GS-u DS≈-2V,小于开启电压,图P1.23 说明假设成立,即T工作在恒流区。
当u I=12V时,由于V DD =12V,必然使T工作在可变电阻区。
6.U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管答案:A7.电路如图P5.14所示,已知C gs=C gd=5pF,g m=5mS,C1=C2=C S=10μF。
试求f H、f L各约为多少,并写出的表达式。
图P5.14解:f H、f L、的表达式分析如下::图2图1(5)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管(5)A C8.一个JFET的转移特性曲线如图题4.1.3所示,试问:1.它是N沟道还是P沟道FET?2.它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少?解由图题4.1.3可见,它是N沟道JFET,其VP=–4 V,IDSS=3 mA。
第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案

第 3章 场效应管及其基本放大电路3.1填空题(1)按照结构,场效应管可分为 。
它属于 型器件,其最大的优点是 。
(2)在使用场效应管时,由于结型场效应管结构是对称的,所以 极和 极可互换。
MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起,则 极和 极也可互换。
(3)当场效应管工作于恒流区时,其漏极电流D i 只受电压 的控制,而与电压 几乎无关。
耗尽型D i 的表达式为 ,增强型D i 的表达式为 。
(4)一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ,则该管的DSS I = ,p U = 。
(5)某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示,由图可知该管的DSS I = ,p U = 。
(6)N 沟道结型场效应管工作于放大状态时,要求GS 0u ≥≥ ,DS u > ;而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时,要求GS u > ,DS u > 。
(7)耗尽型场效应管可采用 偏压电路,增强型场效应管只能采用 偏置电路。
(8)在共源放大电路中,若源极电阻s R 增大,则该电路的漏极电流D I ,跨导m g ,电压放大倍数 。
(9)源极跟随器的输出电阻与 和 有关。
答案:(1)结型和绝缘栅型,电压控制,输入电阻高。
(2)漏,源,源,漏,源。
(3)GS u ,DS u ,2GS D DSS P 1u i I U =− ,2GS D DO T 1u i I U=−。
(4)16mA ,4V 。
(5)习题3.1.5图4mA ,−3V 。
(6)p U ,GS p u U −,T U ,GS T u U −。
(7)自给,分压式。
(8)减小,减小,减小。
(9)m g ,s R 。
3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。
解:3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6(a )所示。
若图中的场效应管为N 沟道结型结构,且p 4V U =−,DSS 1mA I =。
《模拟电子技术》 第3章 场效应管及其放大电路分析

第3章 场效应管及其放大电路分析
第3章 场效应管及其放大电路分析
3.1 场效应管的基本概念
3.2 场效应管放大电路的分析
3.1 场效应管的基本概念 3.1.1结型场效应管
场效应管按照结构不同,可分为结型场效应管和绝缘栅型场效 应管两大类;
结型场效应管(Junction Field Effect Transistor,简称JFET) 按照制造工艺和材料不同,可分为N沟道结型场效应管和P沟 道结型场效应管两种。
3.特性曲线 转移特性曲线是用于描述漏-源电压一定情况下,漏极电流 与栅-源电压之间关系的曲线,即 。 N沟道JFET的转移特性曲线如图所示。
输出特性曲线是用于描述栅-源电压一定情况下,漏极电流 与漏-源电压之间关系的曲线,即 。
N沟道JFET的输出特性曲线如图所示。
4.主要参数 (1)直流参数 ①夹断电压:是指漏-源电压为某定值时,使漏极电流为 0或 某一微小数值(如10)时的栅-源电压值。 ②饱和漏电流:是指栅-源电压 断时所对应的漏极电流值。 时,管子发生预夹
1.结构 增强型NMOS管的结构示意图如图所示。
增强型NMOS、 PMOS管的符号如图所示。
耗尽型NMOS、 PMOS管的符号如图所示。
2.工作原理 ( 1) 情况 当栅-源之间未加电压时,漏-源之间是一对背靠背的PN结, 所以无论漏-源之间加正向电压还是反向电压,总有一个PN 结是截止的,漏-源之间没有导电沟道,也没有漏极电流产 生,如图示。
(3)极限参数 ①最大漏电流:是指管子正常工作时所允许通过的漏极电流 的最大值。 ②最大耗散功率:是决定管子温升的参数,超过此值时,管 子会因过热而被烧坏。 ③漏源击穿电压:是指随着漏 - 源电压的增加,使得漏极电 流急剧增加是的漏 - 源电压值。正常工作时,若超过此值, 管子将会被击穿。 ④栅源击穿电压:是指栅源间所能承受的最大电压。正常工 作时,若超过此值,栅极和沟道间的PN结将会被击穿。
第3章场效应答案

习题答案3.1 已知场效应管的输出特性或转移如题图3.1所示。
试判别其类型,并说明各管子在∣U DS ∣= 10V 时的饱和漏电流I DSS 、夹断电压U GSOff (或开启电压U GSth )各为多少。
解:FET 有JFET 和MOSFET ,JFET 有P 沟(GS U 只能为正)和N 沟(GS U 只能为负)之分。
MOSFET 中有耗尽型P 沟和N 沟(GS U 可为正、零或负),增强型P 沟(GS U 只能为负)和N 沟(GS U 只能为正)。
图 (a):N 沟耗尽型MOSFET ,DSS I =2mA,3-=)th (G S U V 。
图 (b):P 沟结型FET ,DSS I =3mA, 3=)th (GS U V 。
图 (c):N 沟增强型MOSFET ,DSS I 无意义 ,51.U )th (GS =V 。
3.2 已知某JFET 的I DSS =10mA ,U GSoff =-4V ,试定性画出它的转移特性曲线,并用平方律电流方程求出u GS =-2V 时的跨导g m 。
解:(1)转移特性如下图所示。
u GS /Vi /mA (a)u GS /Vi/mA(b)u DS /V(c)题图3.1)/(5.2215)421()4(102)1(2)1(.22V m A U u U I du di g U u I i g V U GSoffGS GSoff DSS GS Dm GSoffGS DSS D m GS =⨯=--⨯-=--==-=故因为时的=-求3.3 已知各FET 各极电压如题图3.3所示,并设各管的2)(=th GS U V 。
试分别判别其工作状态(可变电阻区,恒流区,截止区或不能正常工作)。
解:图 (a)中,N 沟增强型MOSFET ,因为3=GS U V 2=>)th (GS U V ,2-=GD U V 2==)th (GS U V ,所以工作在恒流区。
图 (b)中,N沟耗尽型MOSFET ,5=GS U V 2-=>)th (GS U V ,0=GD U V 2-=>)th (GS U V ,所以工作在可变电阻区。
第三章 场效应管放大电路讲解

d
结构图
B衬底 g
s
电路符号
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因此在栅源电压为零时,在正的vDS作用下,也有较 大的漏极电流iD由漏极流向源极。
当vGS>0时,由于绝缘层的存在,并不会产生栅极电 流 iG ,而是在沟道中感应出更多的负电荷,使沟道变 宽。在vDS作用下,iD将具有更大的数值。
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3.1.2 N沟道耗尽型MOSFET
⒈ 结构和工作原理简述 这种管子在制造时,
SiO2绝缘层 中掺有大量
正离子
由于二氧化硅绝缘层中掺
有大量的正离子,即使在
vGS= 0时,由于正离子的 作用,也和增强型接入正
N型沟道
栅源电压并使vGS>VTh时相 似,能在P型衬底上感应 出较多的电子,形成N型 沟道,将源区和漏区连通
② 可变电阻区 (vDS≤vGS-VTh )
iD Kn 2 vGS VTh vDS vD2S
iD/mA
可变电阻区 饱和区
电导常数Kn单位是mA/V2。
8 6
在特性曲线原点附近,vDS很 4
7V A
6V B
5V C
4V
小,则
2
D
vGS=3V
iD 2Kn vGS VTh vDS
E 截止区
5 10 15 20 vDS/V
电压vGS对漏极电流iD的控制
特性,即 iD f vGS vDS常数
由于饱和区内,iD受vDS的影
iD/mA 8
A
B
6 VDS =10V C
4
D
响很小,因此饱和区内不同vDS 下的转移特性基本重合。
模拟电子技术(3)--场效应管及其基本放大电路

第3章 场效应管及其基本放大电路试卷3.1判断下列说法是否正确,用“√”和“ ”表示判断结果填入空内1. 结型场效应管外加栅源电压u GS应使栅源间的耗尽层承受反偏电压,才能保证其输入电阻R G大的特点。
( )2. 耗尽型MOS管在栅源电压u GS为正或为负时均能实现压控电流的作用。
( )3. 若耗尽型N沟道MOS管的栅源电压u GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )4. 工作于恒流区的场效应管,低频跨导g m与漏极电流I DQ成正比。
( )5. 增强型MOS管采用自给偏压时,漏极电流i D必为零。
( )【解3.1】:1. √ 2.√ 3.× 4.× 5.√3.2选择填空1. 场效应管的栅-源之间的电阻比晶体管基-射之间的电阻 。
A.大 B.小 C.差不多2. 场效应管是通过改变 来改变漏极电流的。
所以是 控制型器件。
A.栅源电压 B.漏源电压 C.栅极电流D.电压 E.电流3. 用于放大时,场效应管工作在特性曲线的 。
A.可变电阻区 B.恒流区 C.截止区4. N沟道结型场效应管中参加导电的载流子是 。
A.自由电子和空穴 B.自由电子 C.空穴5. 对于结型场效应管,当︱u GS︱︱U GS(off)︱时,管子一定工作在 。
A.恒流区 B.可变电阻区 C.截止区 B.击穿区6. 当栅源电压u GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 。
A.结型场效应管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管7. 某场效应管的开启电压U GS(th)=2V,则该管是 。
A.N沟道增强型MOS管 B.P沟道增强型MOS管C.N沟道耗尽型MOS管 D.P沟道耗尽型MOS管8. 共源极场效应管放大电路,其输出电压与输入电压 ;共漏极场效应管放大电路,其输出电压与输入电压 。
A.同相 B.反相【解3.2】:1.A 2.A,D 3.B 4.B 5.C 6.A C 7.A 8.B,A3.3判断图T3.3所示各电路能否进行正常放大?如果不能,指出其中错误,并加以改正。
电子技术基础第三章场效应管及其放大电路

• 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后, iD趋于 饱和。
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思考:为什么JFET的输入电阻比BJT高得多?
场效应管的应用小结
• 一是当作压控可变电阻,即非线性电阻来使用, VGS的绝对值 越大,导电沟道就越窄,对应的导电沟道电阻越大,即电压 V电G阻S控使制用电时阻,的导大电小沟,道管还子没工有作出在现可预变夹电断阻;区,当作压控可变
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场效应管的分类
场效应管 FET
结型
JFET
IGFET ( MOSFET ) 绝缘栅型
N沟道 P沟道 增强型
耗尽型
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N沟道 P沟道
N沟道 P沟道
第二节 结型场效应管(JFET)的 结构和工作原理
一、结型场效应管的结构
二、结型场效应管的工作原理
三、结型场效应管的特性曲线 及参数
UDS(sat) ≤│Up│。
JFET的三个状态
• 恒流区(放大区、饱和区) • 可变电阻区 • 截止区
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小结
• 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电,所以 场效应管也称为单极型三极管。
• JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因此 iG0,输入电阻很高。
• JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制。
第一节 场效应管概述 第二节 结型场效应管的结构和工作原理 第三节 绝缘栅场效应管的结构和工作原理 第四节 场效应管放大电路
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• 3-1 • 3-4 • 3-6 • 3-12
作业
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模拟电子技术基础A 第3章习题的答案-PPT课件

U GS 2 ID ID S( 1 ) S U GS (o f) f
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD
2)动态性能指标的计算:微变等效电路
2 gm ID ID O Q U G S (th )
2 g ID ID m S S Q U G S (o ff)
3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给出 四种状态下的UGS和UDS 的值,判断各状态下的管子工作在什 么区。( a.恒流区 b.可变电阻区 c.截止区 )
2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD 1)静态工作点的分析计算。 • 利用场效应管栅极电流为0,得到栅源电压与 漏极电流之间关系式。 • 列出场效应管在恒流区的电流方程。 联立上述两方程,求解UGSQ和IDQ,并推算 UDSQ。 • 注意解算后应使得管子工作在恒流区。
5
U 2 GS ID IDO ( 1 ) U GS (th )
-
3-7:如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场 效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解:
I I ( 1 ) 0 . 5 m A D Q D S S U G S ( o f f)
2
U G S Q
U GSQ U GQ U SQ 2V RS1 U GSQ ID 2V 4 k 0 . 5 mA
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 绝缘栅型N沟道耗尽型ห้องสมุดไป่ตู้场效应管。 • 因为没有漏极电阻, 使交流输出信号到地 短路uo无法取出。 • 不能。
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 满足正常放大条件。 如在输入端增加大电 阻RG,可有效提高输入 电阻。 • 能。
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第3章场效应管放大电路习题答案
第3章场效应管放大电路
3-1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。
(⨯)
(2)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
(⨯)
3-2选择正确答案填入空内。
(1)U GS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
(2)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将A 。
A.增大
B.不变
C.减小
3-3改正图P3-3所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共源接法。
图P3-3
解:(a)源极加电阻R S。
(b)漏极加电阻R D。
(c)输入端加耦合电容。
(d)在R g支路加-V GG,+V D D改为-V D D
改正电路如解图P3-3所示。
解图P3-3
3-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)(c)所示。
(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解
A 、R i和
u
R o 。
图P3-4
解:(1)在转移特性中作直线u GS=-i D R S,与转移特性的交点即为Q
点;读出坐标值,得出I DQ=1mA,U GS Q=-2V。
如解图P3-4(a)所示。
解图P3-4
在输出特性中作直流负载线u DS =V DD -i D (R D +R S ),与U GS Q =-2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,U DS Q ≈3V 。
如解图P3-4(b )所示。
(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。
mA/V 12DQ DSS GS(off)GS D
m DS
=-=∂∂=I I U u i g U Ω==Ω==-=-=k 5
M 1 5D o i D
m R R R R R g A g u &
3-5 已知图P3-5(a )所示电路中场效应管的转移特性如图(b )所示。
求解电路的Q 点和u
A &。
图P 3-5
解:(1)求Q 点:
根据电路图可知, U GS Q =V GG =3V 。
从转移特性查得,当U GS Q =3V 时的漏极电流
I D Q =1mA
因此管压降 U DSQ =V DD -I DQ R D =5V 。
(2)求电压放大倍数:
20V mA 22D
m DO DQ GS(th)m -=-===R g A I I U g u & 3-6电路如图3-6所示,已知场效应
管的低频跨导为g m ,试写出u
A &、R i 和R o 的表达式。
图P 3-6
解:u
A &、R i 和R o 的表达式分别为 D o 2
13i L
D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥&
3-7 电路如图3-7所示。
已知V DD =12V ,GG V =2V ,R G =100kΩ,R D =1kΩ, 场效应管T 的 I DSS =8mA 、U GS(off)=-4V 。
求该管子的I DQ 及静态工作点处的g m 值。
图P 3-7
解:DQ I =2mA m g =2ms
3-8已知某种场效应管的参数为U GS(th)=2V ,U (BR)GS =30V, U (BR)DS =15V ,当U GS =4V 、 U DS =5V 时,管子的I DQ =9mA 。
现用这种管子接成如图p3-8所示的四种电 路,电路中的R G =100kΩ, R D1=5.1KΩ,R D2=3.3kΩ,R D3=2.2kΩ,R S =1kΩ。
试问各电路中的管子各工作于:放大、截止、可变电阻、击穿四种状态中的哪一种?
图P 3-8
解:先求场效应管的x 值。
由已知的GS U =4v 时DQ I =9mA 及
()GS th U =2v ,代人公式2()[]D GS GS th i K u U =-,可求得K =2.25mA /2V . 图(a)管子击穿.图(b)管子击穿 图(c)可变电阻区 图(d )放大区
3-9在图p3-9所示的四种电路中,R G 均为100 kΩ,R D 均为3.3kΩ,V DD =10V ,GG V =2V 。
又已知:T 1的I DSS =3mA 、U GS(off)=-5V ;T 2的U GS(th)=3V ;T 3的I DSS =-6mA 、U GS(off)=4V ;T 4的I DSS =-2mA 、U GS(off)=2V 。
试分析各电路中的场效应管工作于放大区、截止区、可变电阻区中的哪一个工作区?
图P 3-9
解:图a T1为N 沟道JFE T ,由图可知T1工作于放大区
图b T2工作于截止状态
图c 工作于可变电阻区
图d 工作于放大区
3-10 试判断图p3-10所示的四种电路中,哪个(或哪几个)电路具有电压放大作用。
图P 3-10
解d
3-11 电路如图3-11所示。
其中-V DD =-20V ,R G =1MΩ, R D =10kΩ, U GSQ =2V ,管子的I DSS =-2mA 、U GS(off)=4V ,各电容器的电容量均足够大。
试求:
(a) I DQ 及R S1的数值;
(b) 为使管子能工作于恒流区,R S2不能超过什么值。
解:(a ) DQ I =-0.5mA 14S R K =Ω
(b) 222S R K <Ω
3-12 电路如图3-12所示。
已知V DD =30V ,R G1=R G2=1MΩ, R D =10kΩ,管子的U GS(th)=3V ,且当U GS =5V 时I D 为0.8mA 。
试求管子的U GSQ 、I DQ 、U DSQ 。
解: 1.8DQ I mA = 12DSQ U V = GSQ U =6V
3-13电路如图3-13所示。
已知-V DD =-40V ,R G =1MΩ,R D =12kΩ,R S =1kΩ,场效应管的I DSS =-6mA 、U GS(off)=6V 、r ds >>R D ,各电容器的电容量均足够大。
试求:
(a) 电路静态时的I DQ 、U GSQ 、U DQ 值;
(b) 电路的A u 、R i 、R o 值。
解(a ) 2.3DQ I mA =- 12.4DQ U V =- 10.1DSQ U V =-
(b) 14.9112u i o A R M R k =-=Ω=Ω 3-14电路如图3-14所示。
其中R G =1.1MΩ,R S =10kΩ,场效应管的g m =0.9mS 、 r ds 可以忽略,各电容器的电容量均足够大,电源电压V DD 的大小已足以保证管子能工作于恒流区。
试求A u 、R i 和R o 的值。
解:0.9 1.11u i o A R M R k ==Ω=Ω
图P3-11 图P3-12
图P3-13 图P3-14
3-15 在图3-15所示的电路中,R D= R S=5.1kΩ,R G2=1MΩ, V DD=24V,场效应管的I DSS=2.4mA、U GS(off)=-6V,各电容器的电容量均足够大。
若要求管子的U GSQ=1.8V ,求:
(a)
1
G
R的数值;
(b)
DQ
I的值;
(c)1
1
o
u
i
U
A
U
=及2
2
o
u
i
U
A
U
=的值。
解: (a)1 4.7
G
R M
=Ω (b) 1.18
DQ
I mA
= (c) 1
1
o
u
i
U
A
U
==0.74 2
2
o
u
i
U
A
U
==-0.74
精品文档
收集于网络,如有侵权请联系管理员删除 图P 3-15 图P 3-16
3-16 电路如图3-16所示。
设场效应管的跨导为g m ,r ds 的影响必须考虑,各电容器的电容量均足够大。
试求该电路输出电阻R o 的表达式。
解://'//['(1')]O D O D S ds m S R R R R R r g R ==++
3-17 电路如图3-17所示。
已知电路中的R G =1MΩ, R D =10kΩ,R S =2kΩ,负载电阻R L =4kΩ,负载电容C L =1000pF ,场效应管的C gs 、C gd 、C ds 和r ds 的影响均可以忽略。
试求该电路的上限截止频率f H 。
图P 3-17
解:155.72(//)H D L L
f kHz R R C π==。