制作场效应管功率放大器
场效应管放大器实验报告
一、实验目的1. 了解场效应管的基本特性和工作原理。
2. 掌握场效应管放大器的设计与调试方法。
3. 学习测量场效应管放大器的各项性能参数。
二、实验原理场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种电压控制器件，具有输入阻抗高、动态范围大、热稳定性好、抗辐射能力强等优点。
根据结构，场效应管可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。
1. 结型场效应管（JFET）：JFET是一种三端器件，包括源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
其工作原理是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流。
2. 绝缘栅型场效应管（IGFET）：IGFET是一种四端器件，包括源极（S）、漏极（D）、栅极（G）和衬底。
其工作原理是利用感应电荷的多少来控制导电沟道的宽窄，从而控制电流的大小。
场效应管放大器主要由输入级、中间级和输出级组成。
输入级主要起信号放大作用，中间级主要起信号传递作用，输出级主要起功率放大作用。
三、实验仪器与设备1. 实验箱：包含电源、示波器、信号发生器等。
2. 场效应管：JFET、IGFET各一只。
3. 电阻、电容、电感等电子元件。
4. 接线板、导线等。
四、实验步骤1. 搭建场效应管放大电路，包括输入级、中间级和输出级。
2. 调整电路参数，使放大器处于正常工作状态。
3. 使用示波器观察放大器的输出波形，分析放大器的性能。
4. 测量放大器的各项性能参数，如增益、带宽、输入阻抗、输出阻抗等。
五、实验结果与分析1. 放大器输出波形通过示波器观察，放大器输出波形基本符合预期，说明放大器能够正常工作。
2. 放大器性能参数（1）增益：通过测量输入信号和输出信号的幅度，计算得到放大器的增益为20dB。
（2）带宽：通过测量放大器的-3dB带宽，得到放大器的带宽为1MHz。
（3）输入阻抗：通过测量放大器输入端电压和电流，计算得到放大器的输入阻抗为1kΩ。
（4）输出阻抗：通过测量放大器输出端电压和电流，计算得到放大器的输出阻抗为50Ω。
otl功率放大电路原理
otl功率放大电路原理
OTL功率放大电路原理
OTL功率放大电路是一种无输出变压器的功率放大电路，它的原理是利用晶体管或场效应管的高电压放大特性，将输入信号放大到足够的电平，以驱动负载。
OTL功率放大电路具有输出电阻小、失真低、频响宽等优点，被广泛应用于音频放大器、电视机、电脑音响等领域。
OTL功率放大电路的基本原理是利用晶体管或场效应管的高电压放大特性，将输入信号放大到足够的电平，以驱动负载。
在OTL功率放大电路中，晶体管或场效应管的输出端直接连接到负载，没有输出变压器，因此输出电阻很小，可以有效地驱动负载。
同时，由于没有输出变压器，OTL功率放大电路的失真很低，频响也很宽，可以保证音频信号的高保真度。
OTL功率放大电路的设计需要考虑多个因素，如输入电路、输出电路、功率管的选择等。
输入电路需要保证输入信号的稳定性和低噪声，输出电路需要保证输出电阻的小和输出功率的大。
功率管的选择需要考虑其工作电压、工作电流、最大功率等参数，以保证其能够稳定地工作在OTL功率放大电路中。
OTL功率放大电路的应用非常广泛，特别是在音频放大器领域。
由于OTL功率放大电路具有输出电阻小、失真低、频响宽等优点，可
以保证音频信号的高保真度，因此被广泛应用于音响设备、电视机、电脑音响等领域。
同时，OTL功率放大电路还可以应用于其他领域，如电动车控制器、太阳能控制器等。
OTL功率放大电路是一种无输出变压器的功率放大电路，具有输出电阻小、失真低、频响宽等优点，被广泛应用于音频放大器、电视机、电脑音响等领域。
在设计OTL功率放大电路时，需要考虑多个因素，如输入电路、输出电路、功率管的选择等，以保证其能够稳定地工作。
场效应管功率放大器设计经验汇总
场效应管功率放大器设计经验汇总场效应管功率放大器是一种常用的电路，用于放大电信号的功率。
在电子领域中，功率放大器的设计和实现是非常重要的。
本文将综述场效应管功率放大器的设计经验，介绍其基本原理、设计要点和常见问题解决方法，帮助读者更好地理解和设计场效应管功率放大器。
1. 基本原理场效应管功率放大器是通过控制场效应管的栅极电压和漏源电流来放大输入信号的功率。
场效应管通过调节栅极-源极电压的变化来控制漏源电流的大小，从而实现对输入信号的放大。
场效应管的三个极端分别为栅极(Gate)，漏极(Drain)和源极(Source)。
其中，栅极电压作为控制信号，漏极-源极电压作为放大信号输入，漏极电流作为放大信号输出。
2. 设计要点2.1 选择合适的场效应管在设计场效应管功率放大器时，需要根据放大的频率范围、功率要求、输入输出阻抗等参数来选择合适的场效应管。
不同型号的场效应管有不同的特性参数，例如增益、输入输出容量、截止频率等。
需要根据实际需求来选择合适的场效应管，并进行模拟和实际测试来验证其性能。
2.2 设置偏置电路场效应管需要设置适当的偏置电路来确保其工作在合适的工作点上。
偏置电路的设计应考虑工作电流和工作温度等因素，以提高放大器的稳定性和线性度。
偏置电路的设计还要考虑功耗和效率的折中，尽量减小功耗并提高效率。
2.3 电源设计场效应管功率放大器的电源设计非常重要。
合理的电源设计可以提高功率放大器的工作效率和稳定性。
电源设计应考虑电源噪声、电源稳定性和功率输出等因素。
选择合适的电源电压和电源容量，并采取适合的滤波电路来降低电源噪声。
2.4 保护电路设计在场效应管功率放大器设计中，需要加入保护电路来保护场效应管和其他部件免受过负载、过电流等因素的影响。
常用的保护电路包括过载保护、过热保护和静电保护等。
保护电路的设计需要根据实际应用场景来确定，并进行充分测试和验证。
3. 常见问题解决方法在场效应管功率放大器的设计和应用过程中，可能会遇到一些常见的问题，例如功率输出不稳定、失真和频率响应不均等。
MOSFET功放电路
目录场效应管功率放大电路 (1)场效应管80W音频功率放大电路 (1)一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2)100W的MOSFET功率放大器 (2)场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4)一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6)100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6)100W场效应管功率放大电路 (8)全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9)场效应管功率放大电路如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。
电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。
其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。
场效应管80W音频功率放大电路一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图100W的MOSFET功率放大器电路图关于电路电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。
如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。
电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。
晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。
预设R1用于调整放大器的输出电压。
电阻R3和R2设置放大器的增益。
第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。
这样做是为了提高线性度和增益。
Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。
预设R8可用于调整放大器的静态电流。
电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。
F1和F2是安全的保险丝。
电路设置设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。
下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。
场效应管后级大功率功放
场效应管后级大功率功放
在设计场效应管后级大功率功放时，需要考虑以下几个方面：
1. 电路设计，功率放大器的电路设计需要考虑到输入输出阻抗匹配、稳定性、线性度和功率传输效率。
场效应管的偏置电路和工作点选择对电路性能有重要影响。
2. 散热设计，大功率功放会产生较多的热量，因此需要设计有效的散热系统来确保场效应管工作在安全温度范围内。
3. 电源供应，高功率功放需要稳定的电源供应，以确保输出的稳定性和可靠性。
4. 保护电路，为了防止场效应管受到过电压、过电流等因素的损坏，需要设计相应的保护电路。
5. 输出匹配网络，为了最大化功率传输效率，需要设计合适的输出匹配网络来匹配负载阻抗。
场效应管后级大功率功放在音频放大、射频通信、雷达系统等
领域有着广泛的应用。
通过合理的设计和优化，可以实现高功率输出、低失真和高效率的功率放大器。
因此，在设计场效应管后级大功率功放时，需要综合考虑电路设计、散热设计、电源供应、保护电路和输出匹配网络等多个方面，以实现高性能的功率放大器。
采用2个MOS场效应管构成的功率放大器
本电路采用2个MOS 场效应管构成功率放大器，为甲乙类（AB类）功率放大器，上面采用N 沟道增强型MOS 场效应管IRF130，下面采用P 沟道增强型MOS 场效应管IRF9130，IRF130和IRF9130是IR 公司生产的配对N 沟道和P 沟道器件，性能几乎是对称的。
为了克服交越失真，必须使输入信号避开场效应管的截止区，可以给场效应管加入很小的静态偏置电流，使输入信号叠加在很小的静态偏置电流上，这样可以避开场效应管的截止区，使输出信号不失真。
增强型MOS 场效应管有个开启电压V T ，V GS 必须要大于V T ，该场效应管才能进入放大区。
IRF130和IRF9130的V GS 最小值为2V ，设计时使2个场效应管栅极之间的电压在2V*2=4V ，或者为了减小直流电源的消耗，取比4V 稍小一点，也是可以的。
只要保持电压的分压比，电阻上的电流是不必考虑的，因为场效应管的栅级输入阻抗是非常高的，栅级几乎不消耗电流，因此，分压GND_0VOFF = 0v电阻的阻值取常用的即可。
从单个场效应管看，这是源级跟随器，所以电压放大倍数为1。
功率放大器对输入电压范围是没有限制的，取决于场效应管的参数，IRF130和IRF9130的绝对最大V GS=±20V，就是说，输入电压范围±15V是没有问题的。
功率放大器根据输入电压，放大接近1倍，得到输出电压，由输出电压，根据负载，得到输出电流。
如果电源电压是±24V，减去2个场效应管的正常工作时的V DS，输出电压范围应该大于±22V，具体做一下实验，也是简单的事。
甲乙类放大器电路的主要特点如下所述：(a).这种放大器同乙类放大器电路一样，也是用两只场效应管分别放大输入信号的正、负半周，但给两只场效应管加入了很小的静态偏置电流，以使场效应管刚刚进入放大区。
(b).由于给场效应管所加的静态直流偏置电流很小，所以在没有输入信号时放大器对直流电源的消耗比较小(比起甲类放大器要小得多)，这样具有乙类放大器的省电优点，同时因加入的偏置电流克服了场效应管的截止区，对信号不存在失真，又具有甲类放大器没有非线性失真的优点。
MOSFET功放电路
目录场效应管功率放大电路 (1)场效应管80W音频功率放大电路 (1)一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2)100W的MOSFET功率放大器 (2)场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4)一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6)100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6)100W场效应管功率放大电路 (8)全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9)场效应管功率放大电路如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。
电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。
其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。
场效应管80W音频功率放大电路图100W的MOSFET功率放大器电路图关于电路电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。
如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。
电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。
晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。
预设R1用于调整放大器的输出电压。
电阻R3和R2设置放大器的增益。
第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。
这样做是为了提高线性度和增益。
Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。
预设R8可用于调整放大器的静态电流。
电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。
F1和F2是安全的保险丝。
电路设置设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。
下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。
注意事项质量好的印刷电路板组装的电路。
制作场效应管功率放大器
制作场效应管功率放大器场效应管功率放大器是一种广泛应用于电子电路中的功率放大器，它通过场效应管的操控来实现信号的放大。
下面将介绍制作场效应管功率放大器的步骤。
首先，我们需要准备以下材料和工具：1.一块电路板2.场效应管（有源器件）3.小信号二极管4.电阻5.电容6.输入、输出端子7.直流电源8.滤波电容9.电流表和电压表10.焊接工具11.示波器（可选）步骤1：设计电路根据功率放大器的需求，设计所需电路图，确定电路中各个元器件的数值和连接方式。
主要包含输入信号源、输入电容、放大电路、输出电容、输出信号负载等部分，其中的输出电容和输出信号负载是用来保证放大的信号稳定和驱动外部负载。
步骤2：打开电路板按照电路图的设计，将电路板上不需要的部分切割或去除。
保留需要焊接进电路板的部分。
步骤3：焊接电路将先前准备好的各个元器件按照电路图的要求，一个接一个地焊接到电路板上。
注意焊接的顺序和技巧，确保焊点牢固可靠。
步骤4：连接输入和输出端子连接输入和输出端子，用于提供输入信号和接收输出信号。
输入端子可以连接到信号源，输出端子可以连接到负载。
步骤5：连接直流电源和滤波电容连接直流电源和滤波电容，用于提供工作电压和滤除电路中的杂散电压。
步骤6：安装场效应管将场效应管安装到电路板上，注意引脚的正确连接和插入方式。
在插入前，可以清洁引脚和插孔。
步骤7：测试和调试连接相应的测试设备，如电流表和电压表，对电路进行测试和调试。
通过测量输出电压、电流和输入电压等参数，调整电路的工作点和放大系数，以达到预期的功率放大效果。
步骤8：优化和改进根据实际测试结果和需求，对电路进行优化和改进。
可以尝试更换元器件，调整电路参数，改进电路拓扑结构，以提高功率放大器的性能和稳定性。
在制作场效应管功率放大器的过程中，需要注意以下几点：1.仔细阅读和理解电路图和规格书，确保元器件的正确使用和连接。
2.在焊接过程中，注意安全操作，避免因电路短路或电源短路而引起危险。
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步骤二：了解场效应管的工作原理
三、场效应管的主要参数
4、击穿电压ＢＶ 、击穿电压ＢＶds ＢＶ 表示场效应管漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进 入击穿区时对应的Ｖds，一般称为场效应管的耐压。 ds 5、直流输入电阻Rgs 、直流输入电阻 在一定的栅源电压下，栅、源极之间的直流电阻。结型场效应管的Rgs可达 109欧，而绝缘栅场效应管的Rgs可达1015欧。 6、低频跨导gm 、低频跨导 场效应管中漏极电流Id的变化量与引起这个变化的栅源电压Ｖgs变化量之比， 称为跨导gm，即gm= △Id/△Ｖgs。跨导的常用单位是毫西门子（mS）。
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步骤二：了解场效应管的工作原理
（d）N沟道耗尽型绝缘栅场效应管特性曲线
Id/mA Id/mA 4 3 Idss 2 1 Ｖgs(OFF) 0 Ｖgs/v 0 5 10 15 1v
Ｖgs=0v
Idss
－1v －2v －3v 20 Ｖds/v
图中使漏极电流Id＝0时的Ｖgs称为夹断电压，用符号Ｖgs(OFF)表 示，Idss为漏极饱和电流。
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步骤三：检测常用场效应管
三、检测VMOS场效应管 检测VMOS场效应管 VMOS
1、判定栅极g 将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其 字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为栅极g， 因为它和另外两个管脚是绝缘的。 2、判定源极s、漏极d 在VMOS场效应管源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电 阻存在差异，可识别源极s与漏极d。交换表笔测两次电阻，其中电阻值较 低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时功率放大器制作教程——制作场效应管功率放大器
步骤三：检测常用场效应管
三、检测VMOS场效应管 检测VMOS场效应管 VMOS
3、测量漏-源通态电阻Rds（on） 将g-s极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值 应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的Rds（on）值比手册中给出的 典型值要高一些。 4、检查跨导 将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接s极，黑表笔接d极， 用手去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。 提示：除贴片元件及个别型号VMOS管外，现在市售的场效应管一般都采 取了防静电措施，可以不考虑静电影响。
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步骤二：了解场效应管的工作原理
（b）电路符号 （c）工作原理 N沟道耗尽型MOS场效应管在制造时已 有导电沟道，只需漏源电压Ｖds＞0时，便可 有漏极电流Id。栅源电压Ｖgs的控制作用则 主要是利用Ｖgs＜0时所产生的负电场削弱正 离子电场，使感应电荷减少，N型导电沟道变 窄，从而达到控制漏极电流Id的目的。同样， N沟道耗尽型MOS场效应管也允许在Ｖgs＞0 的情况下工作，此时Id将更大。
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步骤三：检测常用场效应管
二、检测MOS场效应管 检测MOS场效应管 MOS
2、估测放大能力（跨导）
将栅极g悬空，黑表笔接漏极d，红表笔接源极s，手握螺丝刀的绝缘 柄，用金属杆去碰触栅极（以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极 击穿），表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极g1、g2， 可分别触碰g1、g2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。
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项目三：制作场效应管功率放大器
任务一：认识场效应管
任务二：选择制作场效应管功率放大器电路
任务三：安装与调试Pass F5场效应管功率放大器
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任务一：认识场效应管
本任务内容提要： 本任务内容提要：介绍场效应管的分类、场 效应管的结构与工作原理、场效应管的检测 技巧及注意事项。 学 习 目 的：通过本任务的学习，读者能 掌握场效应管的基本分类与结构原理，能熟 练地检测各种场效应管。
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步骤二：了解场效应管的工作原理
（b）电路符号 （c）工作原理 结型场效应管是利用Ｖgs控制PN结耗尽层 的宽度，从而改变导电沟道的宽度，来达到控 制漏极电流Id的目的。而绝缘栅场效应管则是 利用Ｖgs来控制衬底中“感应电荷”的多少， 从而改变导电沟道的大小，达到控制漏极电流 Id的目的。
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步骤三：检测常用场效应管
二、检测MOS场效应管 检测MOS场效应管 MOS
1、管脚识别
将万用表拨于R×100档，首先确定栅极，若某脚与其它脚的电阻正反测 都无穷大，证明此脚就是栅极g。测量其余两个引脚，d-s之间的电阻值应为 几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为漏极d，红表笔接的 是源极s。日本生产的SK系列产品，源极s与管壳接通，据此很容易确定源极。
（2）当Ｖgs增大到某一电压Ｖgs(TH)时，感应电荷将连通两个高浓度N+区， 只要在漏源极间加上合适电压Ｖds，就可产生漏极电流Id，但Id极小，场效应管 此时的工作状态称为“预夹断”，Ｖgs(TH)称为增强型场效应管的开启电压； （3）当Ｖgs＞Ｖgs(TH)时，感应电荷形成的导电沟道将两个高浓度N+区完全 连通，沟道电阻变小，只要Ｖds合适，漏极电流Id将随Ｖgs增大而上升，场效 应管进入放大区。
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步骤三：检测常用场效应管
一、检测结型场效应管
1、管脚识别 将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向 电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为几kΩ时，则这两个管脚 为漏极d和源极s（可互换），余下的一个管脚即为栅极g。 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电 极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效 应管，黑表笔接的也是栅极。反之则为P沟道场效应管。
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步骤二：了解场效应管的工作原理
（d） N沟道增强型MOS场效应管的特性曲线
Id Id 预夹断轨迹 可变电 阻区 Ido 恒流区
0
Ｖgs(th) 2Ｖgs(th) Ｖgs
0
截止区
Ｖds
（1）当Ｖgs＝0时，Id＝0， 1 gs 0 Id 0 场效应管截止；
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步骤二：了解场效应管的工作原理
一、结型场效应管（JFET）
1、N沟道结型场效应管 在一块N型半导体两侧，做 出两个高浓度P型区，将其用 连接起来引出一个电极，称 为栅极g。在N型半导体的一 端引出源极s，另一端引出漏 极d，构成N沟道结型场效应 管。图中P型区与N型区的交 界处形成两个PN结，即耗尽 层。 （a）结构图
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步骤三：检测常用场效应管
一、检测结型场效应管
2、估测放大能力 将万用表拨到R×100档，红表笔接源极s，黑表笔接漏极d，相当于给 场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是d-s极间电阻值。然 后用手指捏栅极g，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子 的放大作用，Ｖds和Id都将发生变化，也相当于d-s极间电阻发生变化，可 观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子 的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
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步骤二：了解场效应管的工作原理
二、绝缘栅场效应管（MOSFET）
3、P沟道增强型绝缘栅场效应管
Id Ｖgs(TH) d Ｖgs B Ｖds Id
s (a)电路符号 (b)转移特性 (c)输出特性
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步骤二：了解场效应管的工作原理
（b）电路符号
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步骤二：了解场效应管的工作原理
漏极电源电压Vds一定时，如果栅极 电压越负，PN结交界面所形成的耗 尽层就越厚，则漏、源极之间的导电 沟道越窄，漏极电流Id就愈小；反之， 如果栅极电压没有那么负，则沟道变 宽，Id变大。 Id 用栅极电压Vgs可以控制漏极电流 用栅极电压 可以控制漏极电流Id 可以控制漏极电流 的变化（场效应管是电压控制元件）。 的变化（场效应管是电压控制元件）。
Idss
Vgs(OFF)
0
Vgs/V
极电压称为夹断电压，用Ｖgs(OFF)表示。
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步骤二：了解场效应管的工作原理
（e）N沟道结型场效应管的输出特性
当栅源电压Ｖgs保持不变时，漏极电流 Id与漏源电压Ｖds之间的关系曲线称为 场效应管的输出特性曲线。 结型场效应管的输出特性曲线可以划 分为四个区：可变电阻区、恒流区、 击穿区和截止区。
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任务一：认识场效应管
步骤一：了解场效应管的类别
步骤二：了解场效应管的工作原理
步骤三：检测常用场效应管
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步骤一：了解场效应管的类别
增强型 结型 耗尽型 场效应管 增强型 绝缘栅型 耗尽型 P沟道 沟道 N沟道 沟道 P沟道 沟道 N沟道 沟道 P沟道 沟道 N沟道 沟道 P沟道 沟道 N沟道 沟道
步骤二：了解场效应管的工作原理
三、场效应管的主要参数
1、夹断电压Ｖgs(OFF) 、夹断电压Ｖ 耗尽型场效应管中，当Ｖds为某一固定数值，使Id为零时，栅极上所加的偏 压Ｖgs就是夹断电压Ｖgs(OFF)。 gs gs(OFF) 2、开启电压Ｖgs(TH) 、开启电压Ｖ 增强型场效应管中，当Ｖds为某一固定数值，使Id从零开始增大时对应的栅 源电压Ｖgs就是开启电压Ｖgs(TH)。 3、饱和漏电流Idss 、饱和漏电流 耗尽型场效应管中，Ｖgs＝0时，漏源间所加的电压Ｖds大于Ｖgs(OFF)时 的漏极电流称为饱和漏电流Idss。