电化学沉积法制备薄膜材料

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mof 电化学沉积

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mof 电化学沉积
MOF电化学沉积是一种制备金属有机框架(MOF)膜的新颖方法。

这种方法通过电化学方式在电极上沉积MOF材料,从而制备出具有特定结构和功能的薄膜。

在MOF电化学沉积过程中,通常涉及到溶液中的金属离子和有机配体在电极表面的反应。

通过施加适当的电位或电流,金属离子在电极上发生还原反应,并与有机配体发生配位作用,从而生成MOF薄膜。

这种方法可以在常温常压下进行,操作简便,且能够制备出大面积、均匀的MOF薄膜。

MOF电化学沉积的优点在于能够精确控制MOF的组成和结构,以及薄膜的厚度和形貌。

通过调整电化学参数和溶液组成,可以实现对MOF性能的优化。

此外,该方法还具有环保、节能和易于扩展等优点,为MOF材料的实际应用提供了有吸引力的途径。

然而,MOF电化学沉积也面临一些挑战。

例如,金属离子和有机配体在溶液中的稳定性、电极表面的性质以及沉积过程中的动力学等因素都可能影响薄膜的质量和性能。

因此,在实际应用中需要进一步优化电化学沉积条件,以提高MOF薄膜的质量和稳定性。

总之,MOF电化学沉积是一种具有潜力的制备MOF薄膜的方法,为MOF材料在能源、环境、分离和催化等领域的应用提供了广阔的前景。

随着研究的深入和技术的不断发展,相信MOF电化学沉积将在未来发挥更加重要的作用。

电化学沉积制备硒化铋纳米薄膜_李兴华

电化学沉积制备硒化铋纳米薄膜_李兴华

07-P-110电化学沉积制备硒化铋纳米薄膜李兴华,周 泊,朱俊杰*南京大学化学化工学院,生命分析化学教育部重点实验室,210093,南京E-mail: jjzhu@硒化铋是一种半导体材料,因为其特殊的光、电特性,适用于制作光学或光敏设备,以及现代的热电设备以及装饰渡膜,低维材料在热电性质方面应比其块材料有更大的优势。

[1]在各种沉积方法中用电沉积制作薄膜是一种简单易行且成本低的方法,它的成膜速度很容易通过电流密度和电沉积电位大小来控制[2]。

本文在In 2O 3-SnO 2(ITO)透明导电玻璃上实现了分布均匀、形状规则的一维硒化铋薄膜的合成,并得到最佳电位和最佳溶液浓度,对于在其它基底上沉积该材料具有指导性。

Fig 1. The XRD patterns of Bi 2Se 3 thin films by Fig 2. SEM image of Bi 2Se 3 thin films, the concentration of electrodeposition in different concentration electrolyte electrolyte=0.025M关键词:硒化铋;电化学沉积;热电材料;ITO参考文献:[1] Pejova, Biljana; Grozdanov, Ivan; Tanuševski, Atanas Mater. Chem.&Phys . 2004, 83, 245.[2] N.S.Yesugade, C.D.Lokhande, C.H.Bhosale. Thin Solid Films. 1995, 263, 145.Electrodeposition of Bi 2Se 3 thin filmsXing-Hua Li, Bo Zhou, Jun-Jie Zhu*School of Chemistry and Chemical Engineering, Key Laboratory of AnalyticalChemistry for Life Science, Nanjing University, 210093, NanjingSemiconducting Bi 2Se 3 thin films have been prepared on ITO from an aqueous acidic bath by a simple, inexpensive electrodeposition technique. The electrodeposition potentials for different bath compositions and concentrations of solutions have been estimated. It has been found that Bi(NO 3)3·5H 2O and Se with bath compositions in various volumetric proportions vary from 9:1 to 1:9.。

电沉积法制备Co(OH)2薄膜及其电化学性能研究

电沉积法制备Co(OH)2薄膜及其电化学性能研究

Ab ta t Co at h d o i e f m s ee t o e o ie n n c e o l i sr c : b l y r x d i i 1 c r d p st d o ik l f i n Co( l NO3 2 a u o s s l t n Th ) q e u o u i . o e s r c u e a d mo p o o y o t u t r n r h l g f Co( OH ) i 2 l f m a e c a a t rz d u i g X— a i r c i n( r h r c e ie sn r y d f a to XRD)a d f l f n i d e e s i n s a n n lc r n m ir s o y F EM ) r s e tv l . Th o o e to r d c s i a a y e y mi so c n i g e e to c o c p ( ES , e p ciey e c mp n n f o u t s n l z d b p
El c r d p sto fc b l h d o i e fl a d is e to e o ii n o o a t y r x d i m n t
e e t o h m ia e f r a c s l c r c e c l ro m n e p
HU h n — i U o r i I Xioqn , XI i ig,XI —o g Z o g a ,F Gu —u ,JN a — ig E L—n j E Yu ln ,W ANG o xa Ya — in
电子 显微 镜 ( E E 表 征 了产 物 的 结 构 和 形 貌 , 用红 外 光 谱 ( T I ) F S M) F —R 对所 制 样 品 的 组 分 进 行 了分 析 , 用循 环 伏 安 和 恒 电 流 充放 电等 测 试 方 法 对其 电化 学 性 能 进 行 了研 究. 结 果 表 明 ,具 有 均 匀 片 状 网络 形 貌 的 C ( o OH) 现 出优 良的 电 表

电化学沉积制备ZnO

电化学沉积制备ZnO

5.结 论
• 本文主要介绍了ZnO薄膜的性质、CVD制备方 法、应用及研究进展。主要介绍的电化学沉 积法是一个低成本、沉积速度快、简单可控 的低温沉积技术, 可以成为一种可选择的宽 禁带半导体ZnO 薄膜的制备方法。
的说电化学反应是在电极(电子导体) 和溶液(离子导体)界面上进行的电能和化学能 相互转化的反应。根据溶液体系以及工艺条件 的不同,ZnO薄膜的生长机理也不完全一致。 从电化学电极过程来分,目前可分为阴极还原 理论和阳极氧化理论两种假说。
• 本文采用的电化学沉积法制备薄膜的优点突出 如下:
• ECD基本原理:
O2 + 2H2O+ 4e →4OHNO3- + H2O+ 2e → NO2- + 2OHITO + OH- ITO → - OH-ad Zn2++ 2OH-ad → Zn(OH)2(s) Zn(OH)2(s) → ZnO+ H2O 由于其简单、低成本、膜厚和形貌可控 (通过调节电化学参数) ,本文采用电化学沉积 法成功制备了高光学质量的ZnO 薄膜。
2.引 言
• 氧化锌( ZnO) 是一种性能很好的材料, 在电子、 光学、声学及化学等领域都有广泛应用。
• 而且, ZnO可实现p-型或n-型掺杂, 有很高的导电、 导热性能, 化学性质稳定, 用它来制备发光器件必 然具有高的稳定性。
• 根据1997 年ZnO 的光抽运近紫外受激发射现象的 报道,由于其发射的波长比GaN 蓝光更短, 将在提 高光记录密度和光信息的存取速度方面起到非常重 要的作用, 这引发了对ZnO 半导体激光器件的研究 热潮。
在阴极电流作用下, 溶液中的Zn2+首先在ITO 电 极表面还原为一层纳米级的金属锌, 有利于进一 步诱导生成高质量的ZnO 薄膜 。 3) 采用阴极恒电压模式电沉积ZnO 薄膜, 沉 积溶液为11 mol/ L Zn(NO3)2 水溶液, 沉积时 间为10 min。 4) 电沉积后用去离子水漂洗制备的ZnO 薄膜, 然后自然晾干。

常用的镀膜方法

常用的镀膜方法

常用的镀膜方法
1.溅射镀膜法
溅射镀膜法是利用高能离子束轰击样品表面,产生的微小粒子将目标表面的物质释放出来,再沉积至基底表面,形成薄膜。

溅射镀膜法因其可在高真空下进行,所以适用于制备金属、半导体、氧化物及其他无机化合物薄膜。

此外,该技术还可用于制备具有特定性质的晶体结构薄膜,例如具有分子化合物的多层体系。

溅射镀膜法是当前常用的薄膜制备方法之一。

2.磁控溅射镀膜法
磁控溅射镀膜法也是一种广泛使用的薄膜制备方法,其原理同溅射镀膜法相似。

区别在于磁控溅射镀膜法使用磁场来控制离子束,从而增强溅射效率,提高沉积速度。

该技术适用于制备高品质的多层结构、重金属、氧化物和非晶态薄膜等。

3.化学气相沉积法
化学气相沉积法是通过将含有金属有机物等原料的气体送入反应室中,利用化学反应在基片表面上生长薄膜。

该技术适用于大面积,均一薄膜的制备。

化学气相沉积法可用于制备二氧化硅、硅胶、氮化硅、碳化硅等材料的薄膜。

4.热蒸发镀膜法
热蒸发镀膜法是利用高温加热金属或化合物材料,使之蒸发并沉积在基底表面。

该方法简便、容易操作,广泛应用于制备单层和多层金属薄膜,如铬、钼、铜、银和铝等金属薄膜。

此外,该技术还可用于制备非晶态薄膜,例如氧化铝薄膜、TiO2薄膜等。

5.电化学沉积法
电化学沉积法是将金属投入含有所需离子的溶液中作为阴极,通电后,溶液中的阳离子被还原成金属沉积在阴极表面上。

该技术操作简单,可制备所需厚度的纯金属或合金薄膜,并可控制薄膜的粗糙度。

电化学沉积法适用于制备黄金、银、铜等高纯度金属薄膜,也可用于制备复杂的多层材料和表面修饰。

电解质薄膜的制备和性能

电解质薄膜的制备和性能

电解质薄膜的制备和性能电解质薄膜是一种重要的功能材料,具有许多应用领域,例如燃料电池、锂离子电池、电解电容、电分离等。

其主要功能是作为固态电解质,以离子导电的方式将电化学反应中的离子传递。

本文将从电解质薄膜的制备和性能两个方面,阐述其重要性和应用前景。

一、电解质薄膜的制备目前制备电解质薄膜的方法主要有三类:溶液浸渍、电化学沉积和物理气相沉积。

1. 溶液浸渍法该方法是将聚合物薄膜浸渍到电解液中,使其中的离子能够通过薄膜产生离子传导,从而实现离子交换的效果。

与其他方法相比,溶液浸渍法的制备工艺简单,适用于大规模制备。

但是,由于经过浸渍后聚合物薄膜含水量较高,电导率较低,并且在长期贮存或使用过程中会有水分的挥发导致电解质失效,因此需要进行严格的电解液干燥处理。

2. 电化学沉积法该方法是利用电化学反应通过电极将离子沉积在电极表面,最终形成电解质薄膜。

与溶液浸渍法制备的电解质薄膜相比,电化学沉积法制备的电解质薄膜具有低含水量、高电导率、高机械强度、细致均匀等优点。

但是,该方法仍需进行复杂的控制电位、控制时间等要求严格的工艺条件。

此外,在电解质薄膜离子选择性方面,电化学沉积法制备的电解质薄膜相对较差。

3. 物理气相沉积法该方法是利用汽相沉积、喷雾气溶胶沉积等技术将薄膜材料沉积在基底上制备电解质薄膜。

相对于溶液浸渍法和电化学沉积法,物理气相沉积法制备的电解质薄膜具有更高的结晶度、更低的电阻率、更好的化学稳定性和更高的机械强度等优点,可以用于制备高质量的电解质薄膜。

但是,物理气相沉积法需要采用高温制备或者采取复杂的控制工艺,且制备的电解质薄膜较脆弱,易发生断裂。

二、电解质薄膜的性能1. 离子传导性能电解质薄膜的主要作用是传递离子,因此其主要性能指标是离子传导性能。

可以通过测量阻抗等电化学测试方法来评价电解质膜的离子传导性能。

对于离子传导性能优异的电解质膜,其内部离子不能透过,但在外界作用下,电解质薄膜能够快速和准确地传递离子。

电化学法沉积金属薄膜和镀膜(中文译版)

电化学法沉积金属薄膜和镀膜(中文译版)

Rapid electroplanting of insulators电化学法沉积金属薄膜和镀膜有着很长的历史。

这些技术大体分为两类,各有各的优点和缺点。

第一种,也是最古老的一种,就是利用自发氧化还原反应来从溶液中沉积金属。

这种沉积方法不仅可在金属基片上沉积,还可以在绝缘基片上沉积。

但这种方法的沉积条件很难控制在原位沉积。

一部分原因在于溶液中存在多种盐类和添加剂。

第二种方法----电镀术---利用电流来降低溶液中的金属离子含量,并给出了控制沉积金属的质量(还在某种程度上控制了颗粒大小)。

但这种技术的应用至今仍被局限于导电基片。

我们将在这篇文章里描述可在不导电基片上实施的电镀技术,并能控制沉积金属的颗粒大小、厚度和生长速率。

我们这种方法的基础是从与基片相连的电极上逐步向外生长金属,它的晶格形貌由生长着的沉积金属的电流的减小所控制。

这种方法一般会形成树状、粉末状的沉积物,但我们指出了一系列快速生长均一薄膜的方法。

这里我们描述了一系列电化学晶格和一些可以用电沉积的方式在绝缘基片表面沉积金属膜层的方法。

这种方式使得控制沉积磨蹭的晶粒尺寸。

这种方法是建立在最近非平衡物理的基础上的。

它使得生长均一薄膜成为可能,这也是电化学生长的基本要求。

用电沉积法沉积金属是在低电流密度下生长致密的金属。

所以,当沉积电流提升时,沉积(随着电流功率的提高以及平衡和颗粒修复的缺失)变得粗糙,乃至变成树状或粉末状。

这在工业上是一个制约因素。

非平衡态物理学更多注重了同一性:即生长模式。

比如,二元电解液的电化学生长就被研究了15年。

由Chazlviel提出的新理论正确预言了二元电解液在树状沉积物周围的生长速率、沉积速率以及浓度场。

这种理论预测了大电场的存在下在沉积物的顶端存在正比于离子浓度降低速率的连续生长模式。

我们在自由流动的(大概是指溶液吧)、接近二维的树状沉积物的情况下验证了这些预测,这份工作由M.e.a独立发现。

但这些实验存在一个问题:沉积物不能从电池里被取出。

功能薄膜制备实验报告

功能薄膜制备实验报告

一、实验目的本次实验旨在学习并掌握功能薄膜的制备方法,了解其制备过程中的关键步骤及影响因素,并通过对实验结果的分析,探讨不同制备方法对薄膜性能的影响。

二、实验原理功能薄膜是一种具有特定功能的薄膜材料,通过在薄膜表面或内部引入特定的物理、化学或生物功能,使其在电子、能源、医疗和环保等领域具有广泛应用。

功能薄膜的制备方法主要包括蒸发沉积法、磁控溅射法、电化学沉积法等。

三、实验材料与仪器1. 实验材料:- 纳米纤维素- 聚乙烯醇- 醋酸乙烯酯- 硝酸银- 氯化钠- 硅胶- 水浴锅- 真空镀膜机- 电子天平- 扫描电子显微镜(SEM)- X射线衍射仪(XRD)- 紫外-可见光分光光度计(UV-Vis)2. 实验仪器:- 蒸发沉积仪- 磁控溅射仪- 电化学沉积仪- 真空抽滤机- 超声波清洗器- 烘箱四、实验步骤1. 蒸发沉积法:(1)将纳米纤维素分散于聚乙烯醇溶液中,搅拌均匀;(2)将混合溶液倒入蒸发沉积仪的基底上,调整蒸发速率;(3)将基底放入真空镀膜机中,真空度达到一定值后,开启蒸发源;(4)待薄膜形成后,取出基底,用超声波清洗器清洗,晾干。

2. 磁控溅射法:(1)将纳米纤维素与硝酸银混合,搅拌均匀;(2)将混合溶液倒入磁控溅射仪的基底上,调整溅射功率;(3)开启磁控溅射仪,使溅射材料沉积在基底上;(4)待薄膜形成后,取出基底,用超声波清洗器清洗,晾干。

3. 电化学沉积法:(1)将纳米纤维素与氯化钠混合,搅拌均匀;(2)将混合溶液倒入电化学沉积仪的基底上,调整电压和电流;(3)开启电化学沉积仪,使沉积材料沉积在基底上;(4)待薄膜形成后,取出基底,用超声波清洗器清洗,晾干。

五、实验结果与分析1. 蒸发沉积法制备的薄膜具有较好的透明度和均匀性,薄膜厚度约为50μm;2. 磁控溅射法制备的薄膜表面光滑,厚度约为100μm;3. 电化学沉积法制备的薄膜具有较好的附着力,厚度约为200μm。

通过对三种制备方法制备的薄膜进行SEM、XRD和UV-Vis测试,结果表明:1. 蒸发沉积法制备的薄膜具有良好的结晶度和化学稳定性;2. 磁控溅射法制备的薄膜具有较好的耐腐蚀性和光学性能;3. 电化学沉积法制备的薄膜具有良好的导电性和化学稳定性。

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3、电化学沉积的方法
恒电流法和恒电压法 单槽法和双槽法
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3.1、恒电流法和恒电压法 电沉积方法制备薄膜按其所用电能的供给 方式可分为恒电流法和恒电压法。 恒电流法是采用恒电流电解,此法数学模 型的理论分析较为简单。但是,恒电流法 电解时,电极电位容易受外界影响而波动, 因而得不到均匀的镀层,采用恒电压法可 以避免上述问题。
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6、电化学沉积法制备的薄膜的特性
1)、光电特性 2)、生物活性 3)、超导性 4)、巨磁阻效应 5)、电致变色性
6)、耐蚀、耐磨、耐高温性
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6.1、光电特性 1)、杜金会等人采用电沉积法在SnO2透明 导电玻璃上制备CoS薄膜,电沉积液为 CoCl2、N a2S2O3和乙二胺四乙酸二钠 (EDTA)组成的混合水溶液。制备的薄膜为 多晶的Co6S5结构,属于立方晶系,直接光学 带隙在1.09~1.49 eV之间可调。
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2.3、阳极氧化沉积机理 阳极沉积一般在较高的pH值的溶液中进行, 一定的电压下溶液中的低价金属阳离子在 阳极表面被氧化成高价阳离子,然后高价 阳离子在电极表面与溶液中的OH-生成氢氧 化物或羟基氧化物,进一步脱水生成氧化 物薄膜。
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电化学沉积的特点
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1.1、电化学沉积的优点 1)可在各种结构复杂的基体上均匀沉积;适 用于各种形状的基体材料,特别是异型结 构件; 2)电化学沉积通常在室温或稍高于室温的条 件下进行,因此非常适合制备纳米构; 3)控制工艺条件(如:电流,溶液pH值,温 度,浓度,组成,沉积时间等)可精确控制 沉积层的厚度,化学组成和结构等;
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2、电化学沉积机理分析
阴极还原沉积机理 阳极氧化沉积机理
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2.1、阴极还原沉积机理 阴极沉积是把所要沉积的阳离子和阴离子 溶解到水溶液或非水溶液中,同时溶液中 含有易于还原的一些分子或原子团,在一 定的温度、浓度和溶液的pH值等实验条件 下,控制阴极电流和电压就可以在电极表 面沉积出所需的薄膜。
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在阳极反应中,金属在适当的电解液中作 为阳极,金属或石墨作为阴极。当电流通 过时,金属阳极表面被消耗并形成氧化涂 层,也就是氧化物长在金属阳极表面。
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2.4、阳极反应沉积薄膜材料举例 1)F M Nazar等人以金属钨为阳极基片,以 0.4mol/L KNO3和0.04mol/L HNO3水溶液为 电解质溶液,沉积出了氧化钨薄膜。
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4、电化学沉积的电解质体系
水溶液体系 非水溶液体系 熔盐体系
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4.1、水溶液体系 把所需要沉积的阳离子和阴离子溶解在水 溶液中,同时溶液中含有易于还原的一些 分子或原子团,在一定的温度、浓度和pH 值等条件下,控制电流和电压,就可在电 极表面电化学沉积出各种氧化物薄膜,大 部分溶液体系为水溶剂体系。
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6.2、生物活性 1)、厦门大学的胡皓冰,林昌健控制电沉 积溶液中钙/磷离子的浓度,在钛合金表面 直接沉积得到具有生物活性的羟基磷灰石 (HAP)陶瓷涂层。XRD、SEM实验证实,制 备的HAP晶粒完整,粒度均匀。
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2) G F Pastore以金属铝为阳极用NaOH调Ph=7.6,得到了氧化铅薄膜。 3) S B Saidman,J R Vilche以金属镉为阳极 基片,以0.01mol/L NaOH+ymol/L Na2S (0≤y≤0.03)和xmol/L NaOH+ 0.01mol/L Na2S(0.01≤x≤1) 为电解液,得到了硫化 镉薄膜。
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2)、Shirkhanzade在含有Ca2+和H2PO4-的 水溶液中,在钛基体上成功地电沉积出羟基 磷酸灰石。研究表明,该镀层有良好的生 物活性和生物相容性。
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• 电化学沉积是指在电场作用下,在一定的
电解质溶液(镀液)中由阴极和阳极构成 回路,通过发生氧化还原反应,使溶液中 的离子沉积到阴极或者阳极表面上而得到 我们所需镀层的过程。镀层可以是薄膜也 可以是涂层。
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2.2、阴极反应沉积薄膜材料举例 1)以ITO玻璃为阴极,以石墨为阳极,以 1.0gCdCl2和0.6g硫粉溶于二甲基硫氧化物 中的溶液作为电解液,获得了CdS薄膜。 2)以不锈钢为基片,以一定摩尔浓度的硫 酸铜、乳酸和氢氧化钠溶液为电解液,得 到了Cu2O薄膜。
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主要内容
• 1、电化学沉积法简介 • 2、电化学沉积机理分析 • 3、电化学沉积方法分类 • 4、电化学沉积的电解质体系 • 5、电化学沉积的影响因素 • 6、电化学沉积法制备的薄膜的特性
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1、电化学沉积简介
电化学沉积是一种液相方法,通过电化学沉 积技术在材料表面获得具有多种功能的膜层, 是一种历史较长、工艺相对成熟的表面处理 技术,金属电化学沉积在 19 世纪早期就已 出现。
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5.2、浓度 氧化物的沉积量受溶液浓度影响较大,在 其他条件相同时溶液主盐含量越高氧化物 沉积量就越大。此外,溶液浓度还对镀层 的表面形貌、结构、组成及其他性质都有 很大的影响。
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5.3、 pH值 在水溶液中进行电化学沉积薄膜时,pH值 直接影响了电极上进行的电化学反应及随 后在电极表面上进行的化学反应。通常, 只有在一定的pH值范围内,各种薄膜才能 在电极表面上沉积。当溶液的pH值不同时, 从同一种溶液中可以沉积出组成和结构完 全不同的氧化物产物。
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恒电压法是将电解时的电极电压恒定在某一 值,使镀液中一种金属离子发生电化学还原 而析出;当电极电压恒定在另一值时,镀液 中另一种金属离子还原析出。如此交替改变 电压,以形成金属多层膜。
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3.2、单槽法和双槽法 按沉积设备不同,电沉积方法分为双槽法、 单槽法。双槽法是在含有不同电解质溶液的 电解槽中交替电镀得到多层膜的方法。 现在,多层膜的制备大都采用单槽法。单槽 法是将两种或几种活性不同的金属离子以合 适的配比加入到同一电解液中,控制沉积电 位或电流,使其在一定范围内周期性变化, 得到成分和结构周期性变化的膜层。
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2)、栾野梅等以等摩尔比的氯化镉与硫代 乙酰胺混合溶液为电解液,应用电沉积技 术,制备了黄色CdS/Cd混合纳米薄膜。
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3)、武汉理工大学的周学东等人采用三电 极体系,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水 溶液为电解液,在镀钼的钠钙玻璃衬底上利 用电沉积技术制备出太阳能电池用CuInSe2 薄膜。通过EDS、XRD和SEM对制备的 CuInSe2薄膜进行了表征,实验结果表明利 用电沉积方法可以制备出晶粒分布均匀的黄 铜矿结构的CuInSe2薄膜,禁带宽度为1.14 eV左右,具有高的吸收系数。
6.3、超导性 R.Bhattacharya等人在Ni、Ag或表面沉积 100nm厚Ag的MgO、ZrO2单晶三种基体材 料上,制备出了Y-Ba-Cu-O氧化物膜,该氧 化物中金属含量的质量比例大致为 w(Y):w(Ba):w(Cu)=1.0∶2.0∶3.5。研究 发现,该氧化物具有良好的超导性,其超 导温度为74~91 K。另外,K A Richardson 等在银基体上电化学沉积出Bi-Sr-Ca-Cu-O 和Ti-Pb-Sr-Ca-Cu-O等超导氧化物薄膜。
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5、影响因素分析
电流和电压 浓度 pH值
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5.1 电流和电压 各种薄膜只能在一定范围的电位和电流条件下才 能得到,因为每种物质的氧化物还原均在一定条 件下才能发生。一般来说,过电位越大,沉积时 所需电流密度也越大。恒电流沉积时过电位随时 间延长而逐渐增大;恒电位沉积时,电流密度随 时间延长而逐渐变小,无论是恒电流还是恒电位 沉积,氧化物沉积量随时间延长逐渐增加,但只 有在电化学沉积初期与理论值比较接近,以后随 时间推移,二者偏差越来越大。
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6.4、金属多层膜的巨磁阻效应 Park等制备的Co/Cu多层膜,室温下的磁阻 比达65%, 4· 7k时可达到115%。Bird等人 利用电沉积的方法制备的Co-Cu/Cu多层膜 的磁阻比为55%。利用电化学沉积的方法 还可以制备fe-Cu、NiFe/Cu、Ag/Co、 Co/Pt等具有巨磁阻效应的纳米金属多层膜。
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